世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
已解决

Mos开通瞬间冲击电流

[复制链接]
查看: 4502 |回复: 37
1
vincentshan0
  • 积分:709
  • |
  • 主题:28
  • |
  • 帖子:167
积分:709
LV6
高级工程师
  • 2013-5-30 16:24:43
10问答币

请问图中MOS管开通瞬间冲击电流正常吗?是怎么造成的呢?请各位帮忙分析下。



开关芯片用的是UC2844。

最佳答案

查看完整内容

最好提供详细电路图,记得有帖子提到过,是变压器匝间分布电容造成的,在MOS管关闭的时候,变压器原边电压很低或承受反压,那么变压器原边绕组间分布电容就会同样电压很低或承受反压,当MOS管开通的时候,变压器原边电感相当于并联一个承受反压的电容,首先这个电容要充电,那么很明显,就是这个电容充电时候造成的这个尖峰。 ...
收藏收藏
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2013-5-30 22:03:29
 
最好提供详细电路图,记得有帖子提到过,是变压器匝间分布电容造成的,在MOS管关闭的时候,变压器原边电压很低或承受反压,那么变压器原边绕组间分布电容就会同样电压很低或承受反压,当MOS管开通的时候,变压器原边电感相当于并联一个承受反压的电容,首先这个电容要充电,那么很明显,就是这个电容充电时候造成的这个尖峰。
car537
  • car537
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1234
  • |
  • 主题:53
  • |
  • 帖子:312
积分:1234
LV6
高级工程师
  • 2013-5-30 23:06:30
 
沒有線路圖 ??


應該是 layout 或 變壓器漏感 太大 造成


這兩個 試試看

not2much
  • 积分:3395
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1247
积分:3395
LV8
副总工程师
  • 2013-5-31 01:16:11
 




vincentshan0
  • 积分:709
  • |
  • 主题:28
  • |
  • 帖子:167
积分:709
LV6
高级工程师
  • 2013-5-31 12:03:57
 
线路图已上传,这个冲击电流只要冲的不要太高,设计上是否就可以接受?
另外,请您帮忙分析下负载太多有哪些技术风险?需要做哪些测试来验证此电路呢?
xuelihong
  • 积分:131
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:15
积分:131
LV2
本网技师
  • 2013-6-6 10:06:56
  • 倒数9
 
#广告已删除#
vincentshan0
  • 积分:709
  • |
  • 主题:28
  • |
  • 帖子:167
积分:709
LV6
高级工程师
  • 2013-6-5 13:48:18
 


再请教下:
1.MOS开通瞬间 DS 间的电容是否也会影响此冲击电流?
2.这个电流控制在多大范围内对电路可靠性没有影响?
gaohq
  • gaohq
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:12606
  • |
  • 主题:249
  • |
  • 帖子:3247
积分:12606
LV10
总工程师
  • 2013-5-31 06:33:28
 
很正常的,一般靠RC滤掉
cardiopathy
  • 积分:3395
  • |
  • 主题:3
  • |
  • 帖子:1471
积分:3395
LV8
副总工程师
  • 2013-5-31 08:34:58
 
请问示波器电流探头量的是MOS漏极的电流还是源极的电流啊? 这个也不同哦
vincentshan0
  • 积分:709
  • |
  • 主题:28
  • |
  • 帖子:167
积分:709
LV6
高级工程师
  • 2013-5-31 11:56:18
 
源极电流
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-5-31 12:20:01
 
楼主,你可以去这里看看,我在此帖已作出详细说明……你应该一看就明白的……
https://bbs.21dianyuan.com/153509.html
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2013-5-31 12:32:55
 
这是DCM的反激,你再好好想想吧。
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-5-31 14:43:33
 
呵呵,别生气,听我慢慢道来……
1.你可以去做个试验,用不同漏感的变压器来测试该波形,观察过冲的大小是否一样,就可以直接证明了;
2.反激式也好、正激也好、推挽也好,变压器的工作原理都一样的;原边电感量有两方面来决定:A-原边线圈的自感系数;B-原边线圈通过磁芯的磁场感应系数;
3.试着这么分析吧,通常大家认为的漏感,就是指原边到副边的感应系数减少,致使储存在变压器上的一部分能量没法向负载传送,这种漏感,只能表现在开关管关闭后的瞬间,对吧。但是,原边的电感量,上面已经讲了,是由自感系数和次感应系数共同来组成的;也就是说,如果变压器的电感量确定以后,其自感电感量大了以后,那么它的磁感应电感就要相应减少。
再回过头来,大家都知道,初级与次级的耦合,主要是靠磁芯来实现的,原边线圈与副边线圈的直接耦合传递能量的系数是很低的(大家可以通过测试和试验来证明)。这样就可以间接证明,如果在一个变压器内,原边自感系数太大的话,漏感也会增加。并且,这种漏感所反映的结果正是管子开启的瞬间,所造成的电流过冲。
有很多人认为这个过充电流是有缘变得分布电容也好,寄生电容也好,但只是概念上的。试问,这个电容到底有多大?谁能通过某种仪器可以测试出来?我估计绝大多数人回答都是NO……。还有,大家可以通过波形所反映出来的漏电大小,反过来去推导一下需要多大的分布电容才可以达到这个效果,其实也不难看出,分布电容的的影响力有多厉害……
那么,我的观点有点不同,我认为分布电容是存在,但很小,不足以影响那么大的冲击电流。该冲击电流大多数分量是由于原边线圈自感系数太高而造成的开关漏感加大而影响的。其实,大家还可以去测试一下,自感系数大的变压器和小的,对EMC的影响(主要是原边自感量对空中发射的电磁场,该电磁场很少一部分有利用到,剩下的那部分就变成RFI,在空间消耗掉了)。
再回过来分析,原边自感系数增加,与哪些因素有关系呢?这个在电工基础学的第一课好像有讲到。A-线圈外径尺寸;B-线圈匝间距离;C-线圈层数;D-线圈匝数;知道了,那就解决问题就简单了,LZ可以试着改变原边匝数和层数,以减少原边自感系数,但总电感量不变,你再去测试一下过充电流波形,看是否得到明显改变。
话不多说,这些都是我多年不认同某些书上所说到的匝间电容等等的一些自我理论,如有不同意的,只当我没说……千万不要发火……纯属于探讨……

not2much
  • 积分:3395
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1247
积分:3395
LV8
副总工程师
  • 2013-5-31 14:51:19
 
不妨做几个实验对照一下,给大家讲讲看你的理解。
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-5-31 15:07:56
 
这个我早有实验证明过的,并且是多次,也帮很多人解决过这个方面的问题,已经得到很多的证实。
要不然,我不会这么理直气壮的说……
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-5-31 15:09:28
 
如果从正面不能认同我的观点,你可以试着从反面去分析和证实一下……分布电容一说,确实存在很多的疑问。
not2much
  • 积分:3395
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1247
积分:3395
LV8
副总工程师
  • 2013-5-31 15:14:18
 
既然这样,开个贴讲讲,应该不会浪费你很多时间吧。关于分布电容的影响,我都是看到资料上是这么解释的,没有仔细研究过。不如分享一下和大家分享一下经验和实验结果。如何
david
  • david
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:340
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:66
积分:340
LV4
初级工程师
  • 2013-5-31 16:48:29
 
"LZ可以试着改变原边匝数和层数,以减少原边自感系数,但总电感量不变,你再去测试一下过充电流波形,看是否得到明显改变。"
那请教一下,这样会不会也改变了寄生电容的大小了?

YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2013-5-31 16:54:52
 
希望你理解我说的意思是什么,你在另一个例子里,MOS管开通瞬间,可以认为原边没有电感,因为此时变压器副边正被续流二极管短路,因此你认为原边只有漏感是可以的,但在这个贴子里,DCM下,副边已经开路,变压器原边就相当于一个电感了,此时忽略电感很明显是不对的。
另外不能通过仪器测量的并不代表不存在(而且我相信应该是可以测量的)
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2013-5-31 16:55:44
 
另外,你也可以试着去改变原边匝数与副边匝数,保证漏感不变,看看波形是否一样。我相信肯定不一样。
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-5-31 17:28:43
 
请问,改变原边匝数能改变原边寄生电容吗?但可以大大的改变自感系数的,对不。
改变匝比,一点变化也没有,我试过很多方案,建议你也去试试。
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2013-5-31 18:47:01
 
你看看我1楼说的是什么电容,你想想匝数改变了这个电容会不会改变?
gaohq
  • gaohq
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:12606
  • |
  • 主题:249
  • |
  • 帖子:3247
积分:12606
LV10
总工程师
  • 2013-5-31 20:30:03
 
看了你的话,想请教你个问题,变压器付边匝数不变,原边由5匝/层 4层 变为 5匝/层 5层
漏感应该是往大的方向边,但究竟会增大多少?可否有经验公式?还有 ,原边由5匝/层 4层 变为 6匝/层 4层 这两个变化导致的漏感变化是否一样?
dwjnba369
  • 积分:429
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:35
积分:429
LV6
高级工程师
  • 2020-8-7 16:45:21
  • 倒数7
 
电容的观点是对的,你的观点是错的。
假设V是初级绕组两端的电压,△T是MOS开通过程尖峰电流维持的时间。
分析此问题是,我们先假定V和△T是相对的恒定值。

两个公式:
如果用漏感来算: △I=(V/Lx)*△T ,显然,漏感Lx在分母,Lx ↑ → △I 。  所以,你的观点是有矛盾点的。

如果用电容来算: △I=C*(V/△T)  ,显然, 初级绕组等效电容C在分子, C ↑  → △I ↑ ,符合主流观点的逻辑。







电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2020-8-13 09:26:06
  • 倒数5
 
你都没有理解,哪能评判谁对谁错?
如果常人都能理解的问题,那还有讨论的必要吗……
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2020-8-13 15:18:56
  • 倒数4
 
请教两个问题1、漏感越大,这个尖峰是越大还是越小?
2、反激(楼主就是反激),工作在DCM跟CCM(同一个变压器),这个尖峰是否一样?
dwjnba369
  • 积分:429
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:35
积分:429
LV6
高级工程师
  • 2020-8-17 08:45:28
  • 倒数2
 
你是请教我?还是?
那我请教你,你的数学模型是什么?你的公式是什么,别告诉我你是瞎猜的。
漏感并不是直接原因。

另外,DCM和CCM的区别只是反向恢复电流的大小以及其持续时间的问题。反向恢复电流会跟MOS开通那个尖峰电流有关系。
请问,反向恢复电流这个变量是如何跟漏感产生直接关联的?
关于漏感:
当MOS开通时,漏感和励磁电感串联,能量储存在2电感中,当MOS关断时,励磁电感能量通过次级卸放,漏感不参与卸放,于是漏感能量反转并在MOS的漏极迅速累积电荷,从而形成很高的电压尖峰。

我个人认为,那个电流尖峰无非就是初级等效电容的反向充电电流和次级反向恢复电流折回初级的叠加。MOS自身COSS的放电是从MOS内部回流的,所以不经过Id回路。
只有是电容的充电电流才会这么陡峭。如果按照你是电感的逻辑,电感越大,斜率越平缓,那你说漏感越大,尖峰越大,就是自相矛盾的。
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
最新回复
  • 2020-8-18 11:18:45
  • 倒数1
 
我问的34楼,而且你看看前面啊,我说的就是匝间电容引起得。
dwjnba369
  • 积分:429
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:35
积分:429
LV6
高级工程师
  • 2020-8-17 08:32:52
  • 倒数3
 
我说得这么明白,你都看不懂?你要分析问题,首先你得建模,MOS开通前/开通过程/开通完成后的模型,
把模型建好你就发现你的观点是自相矛盾的。

你没有任何理论依据和数据支撑,你知道吗?
你要推翻主流观点,请把你的模型和你的公式摆出来,我来一一给你拆解。
又或者,你有理有据的说服我


david
  • david
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:340
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:66
积分:340
LV4
初级工程师
  • 2013-5-31 13:36:17
 
变压器匝间的的寄生电容引起该冲击电流.
vincentshan0
  • 积分:709
  • |
  • 主题:28
  • |
  • 帖子:167
积分:709
LV6
高级工程师
  • 2013-6-5 13:49:01
 
请教下,怎么减小变压器匝间的寄生电容?
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-6-5 16:57:34
 
应该不是叫匝间,应该是层间所引起的分布电容;
其实,就是自感系数导致的自感量,所形成的漏感……
gaohq
  • gaohq
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:12606
  • |
  • 主题:249
  • |
  • 帖子:3247
积分:12606
LV10
总工程师
  • 2013-6-5 21:28:18
 
自感系数 惭愧, 怎么感觉很陌生呢,楼主能否给个定义 以及公式?
电子古董 所说的 原边到副边的感应系数 是否指互感系数?
YTDFWANGWEI
  • 积分:109908
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109908
版主
  • 2013-6-6 08:16:55
  • 倒数10
 
匝间一样存在分布电容。
电子古董
  • 积分:5712
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:925
积分:5712
版主
  • 2013-6-6 14:11:39
  • 倒数8
 
分布电容是存在,但不至于有很大的影响,主要匝间影响的是自感系数。
maileyang
  • 积分:3155
  • |
  • 主题:23
  • |
  • 帖子:706
积分:3155
版主
  • 2013-5-31 21:34:18
 
DCM模式,已经没有次级反向恢复电流的影响。
basso
  • basso
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1722
  • |
  • 主题:25
  • |
  • 帖子:582
积分:1722
LV6
高级工程师
  • 2013-6-5 16:22:51
 
关注 ~
xutong
  • 积分:18373
  • |
  • 主题:19
  • |
  • 帖子:148
积分:18373
LV10
总工程师
  • 2020-8-10 14:31:19
  • 倒数6
 
好奇怪的问题
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号