| | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | 最好提供详细电路图,记得有帖子提到过,是变压器匝间分布电容造成的,在MOS管关闭的时候,变压器原边电压很低或承受反压,那么变压器原边绕组间分布电容就会同样电压很低或承受反压,当MOS管开通的时候,变压器原边电感相当于并联一个承受反压的电容,首先这个电容要充电,那么很明显,就是这个电容充电时候造成的这个尖峰。 |
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| | | | | | | 沒有線路圖 ??
應該是 layout 或 變壓器漏感 太大 造成
這兩個 試試看
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| | | | | | | 线路图已上传,这个冲击电流只要冲的不要太高,设计上是否就可以接受?
另外,请您帮忙分析下负载太多有哪些技术风险?需要做哪些测试来验证此电路呢? |
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再请教下:
1.MOS开通瞬间 DS 间的电容是否也会影响此冲击电流?
2.这个电流控制在多大范围内对电路可靠性没有影响?
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| | | | | 请问示波器电流探头量的是MOS漏极的电流还是源极的电流啊? 这个也不同哦 |
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| | | | | 楼主,你可以去这里看看,我在此帖已作出详细说明……你应该一看就明白的……
https://bbs.21dianyuan.com/153509.html
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | 这个我早有实验证明过的,并且是多次,也帮很多人解决过这个方面的问题,已经得到很多的证实。
要不然,我不会这么理直气壮的说…… |
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| | | | | | | | | | | | | 如果从正面不能认同我的观点,你可以试着从反面去分析和证实一下……分布电容一说,确实存在很多的疑问。 |
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| | | | | | | | | | | "LZ可以试着改变原边匝数和层数,以减少原边自感系数,但总电感量不变,你再去测试一下过充电流波形,看是否得到明显改变。"
那请教一下,这样会不会也改变了寄生电容的大小了?
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | | | | 希望你理解我说的意思是什么,你在另一个例子里,MOS管开通瞬间,可以认为原边没有电感,因为此时变压器副边正被续流二极管短路,因此你认为原边只有漏感是可以的,但在这个贴子里,DCM下,副边已经开路,变压器原边就相当于一个电感了,此时忽略电感很明显是不对的。
另外不能通过仪器测量的并不代表不存在(而且我相信应该是可以测量的)
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | | | | 另外,你也可以试着去改变原边匝数与副边匝数,保证漏感不变,看看波形是否一样。我相信肯定不一样。 |
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| | | | | | | | | | | | | 请问,改变原边匝数能改变原边寄生电容吗?但可以大大的改变自感系数的,对不。
改变匝比,一点变化也没有,我试过很多方案,建议你也去试试。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | | | | | | 你看看我1楼说的是什么电容,你想想匝数改变了这个电容会不会改变? |
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| | | | | | | | | | | 看了你的话,想请教你个问题,变压器付边匝数不变,原边由5匝/层 4层 变为 5匝/层 5层
漏感应该是往大的方向边,但究竟会增大多少?可否有经验公式?还有 ,原边由5匝/层 4层 变为 6匝/层 4层 这两个变化导致的漏感变化是否一样? |
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| | | | | | | | | | | 电容的观点是对的,你的观点是错的。
假设V是初级绕组两端的电压,△T是MOS开通过程尖峰电流维持的时间。
分析此问题是,我们先假定V和△T是相对的恒定值。
两个公式:
如果用漏感来算: △I=(V/Lx)*△T ,显然,漏感Lx在分母,Lx ↑ → △I ↓ 。 所以,你的观点是有矛盾点的。
如果用电容来算: △I=C*(V/△T) ,显然, 初级绕组等效电容C在分子, C ↑ → △I ↑ ,符合主流观点的逻辑。
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| | | | | | | | | | | | | 你都没有理解,哪能评判谁对谁错?
如果常人都能理解的问题,那还有讨论的必要吗……
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | | | | | | 请教两个问题1、漏感越大,这个尖峰是越大还是越小?
2、反激(楼主就是反激),工作在DCM跟CCM(同一个变压器),这个尖峰是否一样?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你是请教我?还是?
那我请教你,你的数学模型是什么?你的公式是什么,别告诉我你是瞎猜的。
漏感并不是直接原因。
另外,DCM和CCM的区别只是反向恢复电流的大小以及其持续时间的问题。反向恢复电流会跟MOS开通那个尖峰电流有关系。
请问,反向恢复电流这个变量是如何跟漏感产生直接关联的?
关于漏感:
当MOS开通时,漏感和励磁电感串联,能量储存在2电感中,当MOS关断时,励磁电感能量通过次级卸放,漏感不参与卸放,于是漏感能量反转并在MOS的漏极迅速累积电荷,从而形成很高的电压尖峰。
我个人认为,那个电流尖峰无非就是初级等效电容的反向充电电流和次级反向恢复电流折回初级的叠加。MOS自身COSS的放电是从MOS内部回流的,所以不经过Id回路。
只有是电容的充电电流才会这么陡峭。如果按照你是电感的逻辑,电感越大,斜率越平缓,那你说漏感越大,尖峰越大,就是自相矛盾的。
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 最新回复 | | | | | | | | | | 我问的34楼,而且你看看前面啊,我说的就是匝间电容引起得。
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| | | | | | | | | 应该不是叫匝间,应该是层间所引起的分布电容;
其实,就是自感系数导致的自感量,所形成的漏感…… |
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| | | | | | | | | | | 自感系数 惭愧, 怎么感觉很陌生呢,楼主能否给个定义 以及公式?
电子古董 所说的 原边到副边的感应系数 是否指互感系数? |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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| | | | | | | | | | | | | 分布电容是存在,但不至于有很大的影响,主要匝间影响的是自感系数。 |
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