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关于200W反激开关电源

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hldbb
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本网技师
  • 2013-7-16 15:00:55
10问答币
使用UC2843做的驱动;输入DC50~110V;输出12V/12A;
调试中出现的问题是:当占空比超过60%后,RC震荡频率变了。
加不加斜率补偿,效果都差不多。
是不是变压器设计不合理?
请各位给些建议,谢谢先。

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 开关频率:66KHZ(或者40-50KHZ) 磁芯:EER3540(或者EER4045) 匝数比:4(5:20或者6:24) 原边电感量:80-120UH (软件算的,没复核,应该没错)   /修改VCC供电部分; /增加浪涌抑制电路; /增加软启动电路; /增大输入电容,并且在靠近“变压器初级—MOS的S极”增加一个小的薄膜电容; /增加MOS驱动器(三极管的也行); /修改RCD缓冲电路,并且D不小于2A,C不小于0.1微法 ...
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YTDFWANGWEI
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  • 2013-7-16 16:59:47
 
应该是控制电路受到干扰后,影响了IC的工作频率 ,这个参数反激不是最好的选择吧?
拒绝变帅
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  • 2013-7-16 21:38:29
 
12*12≠200,其他地方的描述是否也都正确?
threetigher
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  • 2013-7-16 21:55:10
 
先看看电源,vref是否在震荡,找到震荡的那个量
Coming.Lu
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  • 2013-7-17 07:57:07
 
RC频率都变了,那应该是受干扰了。
可能是,布局布线没有处理好。
jimmy
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  • 2013-7-17 12:32:29
 
应该是布线的问题,大电流,如果开关频率再稍微高点,比如100K,很容易干扰到RC的振荡。建议楼主直接用示波器看看RC的振荡波形,应该已经出现毛刺了。
楼主可以试试减小开关频率,这样会减小干扰。
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-17 09:54:15
 
黄色是输出驱动,蓝色是4脚的RC振荡,从图中来看,应该不是干扰引起的




YTDFWANGWEI
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  • 2013-7-17 10:18:12
 
你这个问题,加合理的斜坡补偿应该会有效果。能否提供你完整的电路图及参数看看?
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-17 10:42:23
 
电路图如下:


YTDFWANGWEI
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  • 2013-7-17 11:38:13
 
3脚位置对地最好不要有电容,一般来说,电流采样的滤波一般是一个小的电阻R与C滤波,然后加电阻到3脚,3脚对地不要接电容。就是你R50,分成两个电阻串联,比如一个100欧姆一个1K,先接100欧姆,然后接几百P电容到地,再接1K到3脚,这样试试看有没有改善。
心囚蓝魔
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副总工程师
  • 2013-7-17 12:54:04
 
RC后直接接到3脚,看到datasheet上给的典型电路也是这样
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-17 09:44:58
 
150W是输出功率,200W是指输入功率。
hldbb
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  • 2013-7-17 09:47:00
 
这个也算宽电压输入了吧,正激也有问题呀,而且对成本要求很苛刻,只有散热条件还行,强制风冷。
jafck
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  • 2013-7-17 15:40:31
 
看这个电阻 R47 有些不顺眼。
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-17 15:42:51
 
找到原因了。
因为为了方便调试,我就直接用负载电源去给UC2843供电,开关噪声一直在整个环路里循环。很容易产生自激。
我用另外接一组电源给UC2843供电,将主功率输出与输入隔离后,现象明显有所好转。
不过占空比还是不能无限增大,当占空比超过60%后,极易受到干扰。
谢谢各位提供的思路。
jafck
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  • 2013-7-17 17:33:08
 
反激不是占空比要小于50%的么,难道我错了?
qq553631696
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高级工程师
  • 2013-7-30 21:09:45
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可以超过50%
badamu
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本网技师
  • 2013-7-17 17:08:39
 
看样子还是只有声讨这,逆出厂都会有图纸的;只需要大概的了解一些隐情就好了。看到这里感觉还是显得较为完善了。
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-17 10:46:21
 
另外,哪位大能帮忙看看,变压器参数的计算值是否有误;
使用ER35磁芯,源边感量为20uH,匝数比为:26:4
xie
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高级工程师
  • 2013-7-17 14:13:32
 
我看反激做这么大的功率不太现实
小凡凡
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  • 2013-7-17 19:10:07
 
开关频率:66KHZ(或者40-50KHZ
磁芯:EER3540(或者EER4045)

匝数比:45:20或者6:24

原边电感量:80-120UH (软件算的,没复核,应该没错)



/修改VCC供电部分;

/增加浪涌抑制电路;

/增加软启动电路;

/增大输入电容,并且在靠近“变压器初级—MOSS极”增加一个小的薄膜电容;

/增加MOS驱动器(三极管的也行);

/修改RCD缓冲电路,并且D不小于2AC不小于0.1微法,R不小于3W,必要时还要增加瞬态抑制器(1.5KE的)

/输出二极管采用两个并联,每一个不小于20A(设计合理,45V的足矣!)

MOS管采用两个并联,且耐压至少在200V,或者输出二极管和MOS均采用TO247封装。

/增大输出电容,并且阻抗要小;

/修改输出采样电路;

除此之外,还不包括输入过、欠压保护,输出过压、过流保护,过温保护等等........

或许有源钳位是更好的选择。
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-18 13:17:53
 
虽然这个兄弟给出的参数有问题,不过毕竟辛苦一番,所以多谢了。

小凡凡
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副总工程师
  • 2013-7-18 17:42:47
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除了成本外........
hldbb
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本网技师
  • 2013-7-19 10:06:15
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是我没把设计输入条件写清楚吧。
输入:DC50V-110V 输出:12V/12A
开关频率120KHZ, 最大占空比70%。
另外调试时发现:开关MOS至少需要400V,否则余量不够,所以使用双管并联的方式来做的。
tsyysj
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  • 2013-7-22 17:18:29
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moS并联电压曾加吗?我想确定一下
luong6
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  • 2013-7-23 14:26:13
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可能全桥吧
书空
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怎样并联能提高耐压?
jimmy
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这话说得不清不楚呀
threetigher
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lz最近进展如何了?顶一下
yangyufu99
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楼主你这个电源现在怎么样了?
y475199448y
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