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工频(过零)双向切换电路

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nc965
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版主
  • 2013-11-10 16:28:07
刚才跟帖发了这个电路,估计可能有人用得着,特专题发此贴共享了

给你们看一个我用的大功率工频(过零)双向切换电路。
由于频率很低,驱动不用太大功率,也不需要多高速度,直接用光耦接成图腾柱即可驱动。
但是,C23、C24不能少,是防止管子被米勒效应误导通的,是安全切换的关键元件。
其中只需一个驱动信号J0,它是一个MCU(VCC电压5V)的标准三态口(允许悬空),即可保证驱动的逻辑正确:待机、正切换、负切换


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elec921
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LV3
助理工程师
  • 2016-1-18 15:11:36
 
哪里  输入 哪里输出啊   电路功能是什么?

原谅我人笨,看的一头雾水,有个解释就好了
nc965
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版主
  • 2016-1-18 17:24:45
 
这是个交流的Buck,主电路部分(2只30N60A4D)就是Buck的续流二极管。
电路屌丝
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LV6
高级工程师
  • 2016-1-18 15:24:10
 
版主:您好:
        你的30N60的两个管子,电源与GND是怎么接的啊,好像没看明白!!!!求指点
nc965
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版主
  • 2016-1-18 17:36:18
 

这是个交流的Buck,主电路部分(2只30N60A4D)就是Buck的续流二极管。



本帖最后由 nc965 于 2016-1-18 17:37 编辑

wwdy2014
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-12 10:49:38
  • 倒数6
 
相当于是每个工频的半周都是一个管子导通,另一个管子内部的二极管续流吧。这种是不是没法做CCM的BUCK,寄生二极管特性不怎么样
nc965
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版主
  • 2022-4-12 11:14:07
  • 倒数5
 
就是CCM的BUCK,因此特别优选采用的IGBT器件是HGTG30N60A4D,内置超快恢复二极管(trr=30nS),IGBT与MOS不同,没有寄生,只能内置,不内置的话就没有D
wwdy2014
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-27 16:14:58
  • 倒数4
 
说到管子的特性,李版再请教一个问题。就是现在的高压mos都有内部二极管特性比较好的宣称用于软开关拓扑的型号,这种也是和这个igbt一样,相当于在晶圆上面再做了一个二极管进去的么。
但是看参数40多A的mos内部二极管一般trr在100ns,比这个igbt还是差不少,还是说哪怕并联了一个快恢复,mos寄生的二极管依然过了少量电流,产生了很大影响?
nc965
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版主
  • 2022-4-27 16:21:38
  • 倒数3
 
寄生和内置的区别,再怎么优化也是寄生,内置就不受限制了,你内置一颗碳化硅也行
wwdy2014
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-27 16:34:49
  • 倒数2
 
您的意思是说,这些型号的mos只是优化了寄生的二极管,并没有并联二极管对吧。明白了
nc965
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  • 2022-4-27 17:30:56
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没有
b7940437
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LV2
本网技师
  • 2016-1-19 05:57:01
 
基本是U4和U5的背對背連接做開關; 請搜尋"MOS 交流開關" ;
+15V3是提供U4和U5 的VGS 電壓 ; 其他U6到U9 是驅動 VGS 的電路.
nc965
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版主
  • 2016-4-5 15:58:26
  • 倒数10
 
这可不是开关,开关在这里只是切换方向,真正有效的拓扑元件是那两只续流二极管。
Jindiao
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LV4
初级工程师
  • 2022-4-8 14:20:40
  • 倒数9
 
驱动信号高电平时,U4续流,反之,U5续流,应该是这样的
Jindiao
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LV4
初级工程师
  • 2022-4-8 14:23:06
  • 倒数8
 
在U4续流的时候,U5应该直接导通了吧
nc965
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版主
  • 2022-4-8 14:49:22
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