| | | | | 哪里 输入 哪里输出啊 电路功能是什么?
原谅我人笨,看的一头雾水,有个解释就好了
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| | | | | | | 这是个交流的Buck,主电路部分(2只30N60A4D)就是Buck的续流二极管。
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| | | | | 版主:您好:
你的30N60的两个管子,电源与GND是怎么接的啊,好像没看明白!!!!求指点
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| | | | | | | 相当于是每个工频的半周都是一个管子导通,另一个管子内部的二极管续流吧。这种是不是没法做CCM的BUCK,寄生二极管特性不怎么样 |
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| | | | | | | | | 就是CCM的BUCK,因此特别优选采用的IGBT器件是HGTG30N60A4D,内置超快恢复二极管(trr=30nS),IGBT与MOS不同,没有寄生,只能内置,不内置的话就没有D |
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| | | | | | | | | | | 说到管子的特性,李版再请教一个问题。就是现在的高压mos都有内部二极管特性比较好的宣称用于软开关拓扑的型号,这种也是和这个igbt一样,相当于在晶圆上面再做了一个二极管进去的么。
但是看参数40多A的mos内部二极管一般trr在100ns,比这个igbt还是差不少,还是说哪怕并联了一个快恢复,mos寄生的二极管依然过了少量电流,产生了很大影响?
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| | | | | | | | | | | | | 寄生和内置的区别,再怎么优化也是寄生,内置就不受限制了,你内置一颗碳化硅也行
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| | | | | | | | | | | | | | | 您的意思是说,这些型号的mos只是优化了寄生的二极管,并没有并联二极管对吧。明白了 |
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| | | | | 基本是U4和U5的背對背連接做開關; 請搜尋"MOS 交流開關" ;
+15V3是提供U4和U5 的VGS 電壓 ; 其他U6到U9 是驅動 VGS 的電路.
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| | | | | | | 这可不是开关,开关在这里只是切换方向,真正有效的拓扑元件是那两只续流二极管。
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| | | | | | | | | 驱动信号高电平时,U4续流,反之,U5续流,应该是这样的
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