|
 |  | | | | 大概可以改改名字，
PI LED驅動電源產品實現方案如何？ |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |  | | | | | 兄弟,你看得还真细,我也不知道此个管子的作用,很可能是误画进去的  ,因为从PI其他AN中看不到还有这个接法,还希望高手指点下 |
|
|
|
| | | | | | | | | 我肤浅的考虑是: 利用二极管正向恢复时间来完成开关Mosfet的ZVS , 这里的D6相当于饱和电感的作用. 一直未敢大胆的表达出来,请CMG斑竹指正. 谢谢! |
|
|
|
|
|
| | | | |  | | | | | | | | | | 想不明白D6 到底有如何作用, 请CMG斑竹明示...,谢谢! |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 我真的还是第一次见过这种接法,以前看PI的应用资料里也少见也有这个
猜一下作用: 利用他做为MOS的缓冲,类似于在D-S间并个RCD缓冲电路? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 文工,您真早呀,
来个假设: 假如没有这个D6,
在ON来临时刻，次级的电流（假定CCM）会立即转移（反射）到初级。而此刻MOSFET 因为自身的结电容，存在导通延时，而没有完全ZVS ，这就形成了交越损耗。
假如，能够借用外界的力量阻挡次级的反射电流，让MOSFET完成ZVS，并保持零电压开通状态，再给出次级的反射电流，这样就可避免交越损耗，岂不更好？
二极管具有正向恢复导通特征，刚开始给电并不会立即就能导电，而是要有个延时，然后才开始导通，就利用这个延时，来让MOSFET完成ZVS , (对11楼做一下补充说明) |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 利用D6正向恢复来对抗整流管反向恢复在初级反射电流, 如果整流管反向恢复电荷比较大或恢复速度比较慢或恢复特性比较硬,D6可以改善电源特性,CMG斑竹是这样的吗?请指点,谢谢. |
|
|
|
| | | | | | | 哈哈，这个管在普通的用法是不须要加的，因为有大电解电容，电压比较高。是防止反射电压低过输入电压的时候有用的，其它情况D6是没有用处的。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | 是呀, 期待leo斑竹讲解............ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 
这个图的TL431稳压接地为什么要接在取样电阻右边?不是应该直接接在运放的接地脚吗?这样子接有什么好处?
我觉得这样子接法输出稳流精度没有接在取样电阻左边高? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 首先讲义不是我做的，是美国总部做的。
你说有什么好处，在LED应用中真的看不出来，这个电路最先是应用在充电器里面，左边取样是为了避免电流取样电压影响恒压反馈，但在LED里面电压不需要恒定，有过压保护就可以了，这个图应该是从充电器的图转过来的。如果说有好处只能牵强的说布线比较方便。
接在左边和右边对横流精度没有影响，横流精度是由低频反馈增益决定的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 郭工：您最后一句话说得可能又有人会来“较真”了，哈哈... |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哈哈，没有办法，有些问题答案很简单，但牵扯到大量的知识，有些东西又不能从头讲起，所以讨论就是这样，有时候有人脾气不好，会吵起来，所以此时不回复是最好的方法。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 同上疑问 ,反射电压,一般是低于输入电压的啊,所以不明 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好像没有电解的.
当占空比大于0.5同时还工作在DCM模式时，会有反射电压让VDS反正受压吗？ |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 你好。来点题外画，我按照你这个调试吸收电路怎么不能都完全消除震荡？
|
|
|
| | | | | | | | | LEO,很希望你能解释下,对这个十分好奇,因为我一直没有见过 |
|
|
| | | | | | | | | 梁版主请解释下为什么反射电压一般都是低于输入电压？ |
|
|
| | | | | | | D6的作用是这样的，防止反射电压低于输入电压时电流从S-D倒流，因为这个IC是单晶片的，MOS和控制部分在一个硅片上面，大家可以查每一家的CMOS控制电路的参数，里面都会说明每个脚的负压不能低于-0.3V，原因是CMOS电路内部有一个寄生的可控硅，当有负向电流流动并达到一定值时会触发此可控硅，引起IC锁死或损坏。所以这里加二极管防止负向电流，单纯的MOSFET不存在这个问题，很多时候还利用其负向电流实现ZVS。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | 恕我迟钝，我还是有点不明白：为什么“反射电压低于输入电压时”电流会从S-D？
从图中哪里可以看出？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 电源非连续工作时，能量释放完后有一个振荡，振荡的中心值是输入电压，幅值是反射电压，正玄波输入时，在正弦的两边部分电压非常低，也就是输入直流很低，所以电压会振荡到负值，引起S-D导通。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 是的，在DCM 下，MOS 管在，OFF后沿有个震荡。谷底电压= Vin- Vos（Vos：输出在初级线圈的发射电压）
（振荡的中心值是输入电压，幅值是反射电压， 说的非常非常正确！！！）
当Vin＞Vos 时，谷底电压= Vin- Vos＞0 ，即Vd-s＞0 （Vd-s=谷底电压）
也就是：当Vin＞Vos 时，MOS的D极电压恒大于0。不会出现您41楼说的：Pin脚出现负电位。
我的理解问题出在哪里？请斑竹斧正。再次感谢斑竹！！ |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你分析得很清楚，但是看你的波形觉得CMG更对“振荡的中心值是输入电压，幅值是反射电压，正玄波输入时，在正弦的两边部分电压非常低，也就是输入直流很低，所以电压会振荡到负值，引起S-D导通”，你看看你画的波形，当你的VIN蛮低时，波形振荡，谷底不是低到负值了吗，此时vin是大于VO的吧？请解答 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 只要Vin大于Vos，就不可能震荡到负值。不是Vin和Vo （输出）的比较，CMG斑竹说的是Vin和输出的反射电压Vos的比较，请看41楼CMG斑竹的原话。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | CMG大師，振荡正弦波兩邊电压非常低不知如何理解？ |
|
|
|
|
| | | | | | | | | 这个二极管对效率影响太大了吧，不能把芯片负压承受能力升高点(说说这个难点），后用一个二极管钳住吗。 |
|
|
| | | | | | | | | | | 如果Vin 大于Vos, "负压" 如何出现? 你帮说说. |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 所以，这就是对41楼：“D6的作用是这样的，防止反射电压低于输入电压时电流从S-D倒流”的疑问之处呀。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 反射电压小于输入电压，不会导致D出现负压。cmg斑竹笔误了吧，还是我的分析有问题？ |
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 我也看到并用过这种接法，测试下来的结果就是二极管的正极是断续波形，而负极是连续波形，仅此而也，还没来得及仔细分析它，请郭老指导。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 很多的IC厂家都提到LED驱动的无电解电容的方案，我对LED驱动怎么样实现无电解的技术不是很了解，能介绍下吗？ |
|
|
|
|
| | | | | 楼主你好，看到帖子的时间有点晚  ，我想请问下，这个温度补偿电路，是不是由于温度升高BJT的放大倍数增加，肖特基的压降会降低，拉低基极这样来补偿的吗？？？  |
|
|
| | | | | | | 温度升高，Vbe减小，同时肖特基的管VF也同时减小。 |
|
|
|
|
津公网安备 12010402000296号