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【龙腾原创】在发烧中求冷静,完算MOS损耗

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何仙公
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  • 2014-3-10 16:11:56
对于开关电源来说,最主要热源来自于三处:
MOS,二极管,和变压器
为了降低发热量,工程师们想尽各种办法提高效率,启用新材料,降低各个环节损耗。
liu1875
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副总工程师
  • 2014-3-10 16:16:52
 
MOS三个损耗,怎么判断,在不同频率下,不同占空比下,各效率是如何表现的
何仙公
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  • 2014-3-10 16:52:39
 
抓住精髓,讲到点上了,厉害厉害
huhushuai
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  • 2014-3-25 20:00:12
 
楼主继续。
何仙公
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  • 2014-3-25 21:07:10
 
还想听?
long223349
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  • 2014-11-2 19:25:10
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/*********** 广告已删除 ***********/
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 22:17:23
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admin
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  • 2014-3-10 16:32:10
 
期待楼主详解,
何仙公
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  • 2014-3-10 16:32:16
 
mos损耗计算AN-6005.pdf
降低整机热量,提高效率是一方面途径外。

设计师需要掌握另外一种技能:平衡
比如变压器,设计能让 铜损和铁损 相等,那么普遍认为,这样的温度是最低的,我将其归纳为,铜损和铁损平衡。
而对于MOS,损耗粗分为,导通损耗,和开关损耗。低压输入时候导通损耗最大,高压损耗时开关损耗最大。


接下来让我们看看如何计算!
MOSFETs Design Guide for DC to DC.pdf
何仙公
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  • 2014-3-10 16:34:05
 
何仙公
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  • 2014-3-10 16:36:42
 

理解数据说明书:功率MOS .pdf
如何计算MOSFET功率.pdf
并非搬书帖,不过还是搬书出来看看热度,看看有多少人对算MOS损耗感兴趣,要不写多了,又是自己看了


liu1875
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  • 2014-3-10 16:53:49
 
哥,都是附件呀,搞那个贴图呀

admin
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管理员
  • 2014-3-10 17:07:07
 
zhojianjin
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  • 2014-3-10 22:31:35
 
对,最好图文并茂
qingweifeng
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  • 2014-3-12 11:39:11
 
赞同
Ken_MBI
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  • 2014-3-10 23:03:15
 
二极管的损耗呢?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-3-12 20:56:58
 
理论计算加上实际测量更加准确;实际测试可以用示波器的运算功能实现。
何仙公
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  • 2014-3-12 21:48:44
 
愿闻其详
qq80644864
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  • 2014-3-25 21:55:51
 
怎么实现?想学习学习啊
拒绝变帅
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  • 2014-3-10 22:35:16
 
最好是你自己消化吸收这些资料后再总结发帖啊,这么贴上来效果不大呀。
huhushuai
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  • 2014-3-27 19:15:07
 
说的很好,用自己的理解讲解更好。
我是谁
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副总工程师
  • 2014-3-10 23:01:33
 
我就知道这样计算:
导通:Ids^2*Rds,Rds适当乘以个温度系数
开关:Vpk*Ipk*(ton+toff)*fsw*0.5
驱动:Qgs*Vgs*fsw
Cgd:0.5*Cgs*Vpk^2*fsw
不对的请指出。。不知道楼主有啥创新的技术哈。。
何仙公
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  • 2014-3-12 00:27:12
 
正如这位兄弟所说,接下对MOS损耗一一介绍下(有查阅资料的成分,也有个人理解的成分,如有错误请指出):
P[sub]COND[/sub]=Irms^2*R[sub]DS[/sub]*Dmax
PCOSS=Coss *Vdsmax^2*Fs/2
PGATE=Qg(SW)*Fs*VG
PSWITCH=Ipk*Vdsmax*Fs*(tr+tf)/2
以上公式基于反激励拓扑,其他拓扑公式略有不同.为集中精力,不在此讨论!
何仙公
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  • 2014-3-12 00:47:14
 
Pmos=P[sub]COND[/sub]+P[sub]COSS[/sub]+P[sub]GATE+[/sub]P[sub]SWITCH[/sub]
接下来讲讲这些函数的出处:
Irms, Ipk 分别是反激励变压器初级有效电流,和峰值电流.

Fs 为开关电源频率
D[sub]MAX为最大占空比[/sub]

司马仲达
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  • 2014-3-12 09:44:14
 
何工,先顶一下这个帖子哈哈。
有两个问题:
1、Pcoss算出来的功耗是不是很低,相对于第一个和第四个;
2、第四个中tr+tf这两个时间怎么确定,除了实际测试以外,我觉得这两个时间才是最难搞定的
zhijie240
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  • 2014-3-13 00:06:52
 
P[sub]COND[/sub]=Irms^2*R[sub]DS[/sub]*Dmax
这个写错了吧,RMS电流的话,Dmax就不用了
何仙公
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  • 2014-3-15 00:31:10
 
之前没有注意你的发言,仔细想想,我还要好好想想,兄弟你说的有公式出处吗?有争议的地方用排除法好了
xieyuanfu
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高级工程师
  • 2014-3-19 12:32:07
 
理论上上 讲 既然是RMS了 那就说明是考虑占空比在内的了 应该不用那个DMAX了
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-15 09:21:31
 
感觉很有理!!!
何仙公
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  • 2014-3-15 13:09:58
 
恼怒,哪里有道理了?
zhijie240
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高级工程师
  • 2014-3-16 19:36:03
 
电阻的损耗不是Irms2*R吗?Dmax干嘛用的
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:07:14
 
MOSFET在开通的时候才有电流,所以有Dmax,不知道这样理解对否?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-16 19:40:37
 
啊?恼怒?我感觉是有道理的哎
何仙公
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  • 2014-3-17 11:21:18
 
没有讲出道理,这问题想放一边,等有空实际算台电源,再用数据对比,然后完善推导过程好了,数据说话有信服力!
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-17 11:52:00
 
嗯,期待你的完善。其实主要是这个问题打字不好说清楚,你可以想一想RMS电流是怎么推出来的
何仙公
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  • 2014-3-17 23:35:48
 
那你也可以想想U是不是U,呵呵!
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-18 09:23:38
 
我最近比较忙,没时间细推了,其实有一个非常好的方法,是我中学一个据说曾经造原子弹的物理老师教我的,看单位,全部化为国际单位制,看算出来的单位是不是想要的。
zhijie240
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  • 2014-3-19 20:48:05
 
Dmax没有单位,这样检查不出来的
司马仲达
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  • 2014-3-20 09:13:59
 
啊哦…………忽略了……
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-20 21:50:59
 
同样赞同
何仙公
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  • 2014-3-21 01:57:44
 
搞定了!推导如下

何仙公
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  • 2014-3-21 02:16:50
 
针对矩形波来说:
I[sub]AVE[/sub]=I[sub]RMS[/sub]*SQRT(D) 那么I[sub]AVE[/sub][sup]2[/sup]=I[sub]RMS[/sub][sup]2[/sup][sub] [/sub]* D
对于PCOND[sub][/sub]这个参数大多资料都是ID[sup]2[/sup]*R[sub]DS[/sub] 或IDS[sup]2[/sup]*R[sub]DS[/sub] 一笔带过,很难搞清楚ID具体是哪个电流,如果将ID看作输入平均电流IAVE,那么我的推导是成立的。
何仙公
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  • 2014-3-21 02:23:44
 
*****如果,你马上用公式反推,发现反激励的IAVE和IRMS按上图公式推导,并不对。那我告诉你,我也发现了。因为反激励电流是三角波。****
见下图,要我讲我也讲不好,才疏学浅!


zhijie240
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高级工程师
  • 2014-3-23 20:17:15
 
电阻损耗是Irms2*R,不是Iave2*R
何仙公
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  • 2014-3-24 10:55:50
 
确实有部分资料是Irms2*R*D,本人也比较认可,感觉更接近真实。 Iave2*R是只不过借来做推导用的,不能直接得出功耗。
用电流取样电阻来举例,用Irms2*R来算,功耗往往1W,2W.但是从市场上买来的低成本电源往往都是用1206的贴片电阻单颗或多颗并联。
以前对于这种大胆用法很困惑,似乎是低成本电源的稳定性和可靠性大打折扣,然而现实却不是。那电阻不热,1206的够了。
如果还不相信的话,可以做温度对比。功耗1W的电阻是很热的,如果不热,那要想想一些习惯的算法是不是站得住脚。
司马仲达
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  • 2014-3-24 11:03:01
 
仙公帮我看看这个帖子,有认识的人会不?http://bbs.21dianyuan.com/176074.html?比较捉急。
然后说说你的85楼,电流取样电阻一般都是在稳定的直流处,那里的RMS和AVE电流是一样的,不知道你见过的电阻是放在什么位置的。我见过的LED的都是放在最终输出的地那根线上的,那里已经是稳定直流了。
何仙公
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  • 2014-3-24 11:19:29
 

我说的是这个电阻,RS
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-24 11:43:58
 
你是说用Irms2*R来算,功耗往往1W,2W;但是实际上市场上用的电阻功耗只有1/4?
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:09:53
 
市场上大多数用的都是1206多颗并起来使用
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-31 19:54:32
 
看来楼主理解的很深刻啊。
我是谁
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  • 2014-3-10 23:02:26
 
资料不错,下载了。。
何仙公
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  • 2014-3-10 23:56:46
 
兄弟说的没有错,只是这公式都会写,消化吸收了多少?很希望一起探讨交流下
何仙公
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  • 2014-3-12 00:58:01
 
以下函数,需要查MOS规格书,如果是内置MOS的开关芯片,可以查开关芯片的规格书,基本都可以查的到. R[sub]DS 全称R[sub]DS(on) mos内阻[/sub],有25度时值 和100度值,为计算简便一般我会取100度时的R[sub]DS(on)值,如图
[/sub]
[/sub]



何仙公
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  • 2014-3-12 01:02:31
 

Coss 取经典值






Qg(SW)=QG 取经典值
何仙公
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  • 2014-3-12 01:08:34
 



接下来2个参数比较纠结,

这是 tr 和 tf , td(on)和td(off)关系图,他们的取值都不是从最顶点到最底点来算时间的。
同样取经典值来计算。
何仙公
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  • 2014-3-12 01:18:27
 
剩下这个Vdsmax,就困扰我好久,很多资料对公式中Vdsmax交代不清楚,有用字母V的,有用字母VDS的,经过我个人理解将这字母改成Vdsmax

何仙公
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  • 2014-3-12 01:26:44
 
如上图,结合个人对公式理解Vdsmax=VIn_dc+VOR.如有不对可以欢迎大家参与讨论
何仙公
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  • 2014-3-12 01:30:59
 
今天要睡了,明天分析公式,接着玩花样
oldfang
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副总工程师
  • 2014-3-12 10:04:07
 
尖峰怎么控制呢,我的110V的供电MOS上尖峰都有100+V
何仙公
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  • 2014-3-12 10:25:22
 
尖峰抑制,可以用缓冲,吸收电路,或其他方法和工艺,本帖不在此讨论
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-27 19:17:47
 
大家讲了很多,信息量很大啊。
qq80644864
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  • 2014-3-27 23:56:29
 
论坛这么看很辛苦
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:11:50
 
这个公式应该还要加上一个电压尖峰
何仙公
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  • 2014-3-25 22:27:13
 
加不加这尖峰其实我很犹豫,加了计算结果将增大不少,实际感觉没有那么恐怖,所以没有加。
个人观点而已
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-12 09:46:54
 
刚没看到这个,但是这两个时间和实际是相差甚远的,不知道何工对之前的公式按这个时间取值有没有验算过实际差距有多少呢?
何仙公
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  • 2014-3-12 10:28:56
 
是和实际有差距,毕竟不能完全模拟出现实情况,MOS规格书也是固定某个值后,得出的相对值。而实际情况要复杂的多。
为运算和推导方便,就用规格书上的数据吧。
我是谁
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副总工程师
  • 2014-3-13 09:22:01
 
问个问题,为何Qgs+Qgd不等于Qg呢?多余的电荷给谁了?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-13 09:59:07
 
这个问题问的好 我也想知道
何仙公
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  • 2014-3-13 11:08:19
 
这个估计要去问做MOS的,才搞的清楚。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-13 11:42:22
 
对哦 目前只遇到过FAE 到哪能找到做MOS表参数的人呢
何仙公
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  • 2014-3-13 13:55:05
 
21龙腾的人过来,答司马问好了。正好我也有很多不懂的问题,最好厂家能整个仿真模型什么的,以后直接模拟状态,不用费力计算了。毕竟自己掌握的资料,知识都比较少,不全面。

司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-13 14:09:36
 
赞 让龙腾来个在线答疑
胡庄主
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  • 2014-3-21 20:29:06
 
对于上面兄弟提到的话,我来小解释一下,未必正确全面,供参考。
其实这个答案就在MOS的规格书中。
在MOS的规格书中,前面是一些表格,大家看到的Qg, Qgd, Qgs的数据可能就是从这得到的,但是这些参数都是在一定条件下测到的,具体说是在一定的Vds, Vgs, Id条件下测到的,当然还是在一定温度条件下。
但是在MOS的规格书,表格后一般会有Qg vs. Vgs的曲线,就是下左图这个样子的。这个图很重要,从中可以看到许多关于MOS开通的玄机。MOS的Vgs从门槛到Miller平台前,这一段的Qg一般就是参数Qgs,而Miller平台这一段的电荷,则定义为Qgd;过了Miller平台后,到最终的Vgs值,这一段的电荷在参数中是未标出的。加上这一段电荷,三部分相加,才是规格书中的Qg_total.
下右图是更为详尽的曲线示意,前面二段加上bc这一段,才算是全部的Qg. 对应着规格书的Vds vs Id这个曲线,就是MOS的线性区部分。



司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-22 09:29:50
 
82楼胡庄主有一句话笔误:“MOS的Vgs从门槛到Miller平台前,这一段的Qg一般就是参数Qgs”应该改成“MOS的Vgs从0V到Miller平台前(就是参数表中VGth门槛电压),这一段的Qg一般就是参数Qgs
胡庄主
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  • 2014-3-24 14:16:04
 
Correct, thanks,
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-24 14:20:11
 
闹太套
何仙公
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  • 2014-3-24 15:48:22
 
胡庄主对这个图,有没有研究。最开始我以为和开关频率有关系,后面经过换算,开关频率远远高于他。查阅资料是脉冲电流的。暂时无法理解和应用。

[img]http://bbs.21dianyuan.com/file://Cocuments and SettingsAdministratorApplication DataTencentUsers346737124QQWinTempRichOle~JJHS_]AT]M{FJ]L@)5M@NK.jpg[/img]
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:17:31
 
这个图是MOSFET的安全区域曲线,在曲线以下的部分即为安全区域,超出曲线之外的部分,需要看超出部分的时间,如果时间小于该条曲线所给定的时间值,说明还在安全区域内


不知道这样说楼主能否明白?
何仙公
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  • 2014-3-25 22:22:05
 
主要是开关电源的时间,比表格时间小多了,那么这表格的意义何在呢?
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:29:35
 
这个时间指的是超出额定范围部分电压的时间
例如,你现在一个600V的MOS,然后你开机瞬间有个尖峰冲上来,导致电压达到了650V。这样算NG吗?这里还不能说算NG,用示波器,抓出超出部分电压的时间,用光标卡出来,再跟这个表格的时间比较!
何仙公
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  • 2014-3-25 22:45:44
 
原来如此,我从来就没有让那个尖峰高于MOS耐压,我明天试试看看,尖峰会超过多少
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:47:59
 
我也很少让他超出去,因为都是爱国的人啊,用的东西都是国产的所以余量预留的是相当大呀
何仙公
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  • 2014-3-25 23:04:50
 
国产有的规格书,自己都不做这样的曲线图的,都是抠的图。从清晰度上就可以辨别。最可恨的是没有1个中文。进口的看英文就很恼怒了,国产的也装洋鬼子!
qq80644864
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  • 2014-3-25 23:13:57
 
多看看就没问题啦,一些规格书,技术文件还是没问题。
记得问过大佬,为什么规格书做成英文的,他用眼角斜视着我说:“这样就显得我们公司上档次!”
何仙公
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  • 2014-3-25 23:25:26
 
似乎要选个人大代表当当,来改变这假洋鬼子思想!
qq80644864
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  • 2014-3-26 18:28:56
 
现在多数人都是这么个想法,不过学好英文还是很大作用滴
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-31 19:56:23
 
这个可以有啊。
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-13 20:09:06
 
硬知识,收藏了,以后慢慢研究。
何仙公
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  • 2014-3-13 21:30:15
 
感谢司马兄热心发言,以及大家热心光顾。本来有打算不往下写的,有了大家的支持还是将这MOS完算下去,推导存在部分的硬伤,但是努力的接近真实是我动力的源泉!
有不妥部分,希望大家不吝赐教!!
何仙公
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  • 2014-3-13 21:43:40
 
还是这些公式: P[sub]COND[/sub]=Irms^2*R[sub]DS[/sub]*Dmax
PCOSS=Coss *Vdsmax^2*Fs/2
PGATE=Qg(SW)*Fs*VG
PSWITCH=Ipk*Vdsmax*Fs*(tr+tf)/2
我做了下颜色处理,绿色的是你选用的mos参数,你选了什么MOS这些参数则会变化。所以不用花力气放这上面,设计的时候把你手头合适的MOS数据都排好队,自然的可以选择到最合适的。
紫色的,是开关频率,开关频率是你自己定的,上面3个公式都与开关频率有关系,频率高损耗就高,频率低损耗就低。从公式上显而易见。但是。。。真是这样吗?这话题先放一放。
以上公式有个先天缺陷,急待解决!先搞定这些没有标颜色的函数的出处,让我们仔细看看它的真实模样
何仙公
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  • 2014-3-13 23:46:02
 
相信大家都反激励毕业了,懒的写这些公式了,直接抠图


何仙公
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  • 2014-3-14 00:00:03
 
P[sub]COND[/sub]=Irms^2*R[sub]DS[/sub]*Dmax PSWITCH=Ipk*Vdsmax*Fs*(tr+tf)/2
我们设计反激励变压器时候计算的参数时候,都是以最低输入电压进行计算,以上2个公式中红色部分则是最低输入电压,求的结果。
然而Vdsmax则是最高输入电压时MOS上的电压。
那么Pmos=P[sub]COND[/sub]+P[sub]COSS[/sub]+P[sub]GATE+[/sub]P[sub]SWITCH这公式根本就不能成立[/sub],或者如何让这公式成立!!??
何仙公
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  • 2014-3-14 00:20:22
 
事情变复杂了,道理却变简单了。
这时候该丢开书本用自己手修改传统公式了!!
同屏计算, 个人发明的1个名词,意为相关联公式,结果在电脑屏幕内要看到,不需要滚屏耽误时间。也意味着公式的结果同时计算,同时完成。
何仙公
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  • 2014-3-14 00:35:45
 
既然我们做电源,都有在最低输入,和最高输入情况下做电源的测试。计算部分为什么却停留在只计算最低输入的情况!?
先修改下最高输入情况下IPmin=PIN/VINMAX/((1-0.5K)*D[sub]min)[/sub]
D[sub]min[/sub]=VOR/(VINMAX+VOR)
IRMSmin=IPmin*sqrt(D[sub]min[/sub]*(K^2/3-K+1))
这样修改后,就可以同屏计算了
何仙公
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  • 2014-3-14 00:52:55
 
P[sub]CONDmin[/sub]=Irmsmax^2*R[sub]DS[/sub]*Dmax P[sub]CONDmax[/sub]=Irmsmin^2*R[sub]DS[/sub]*Dmin P[sub]COSSmin[/sub]=Coss *Vdsmin^2*Fs/2 P[sub]COSSmax[/sub]=Coss *Vdsmax^2*Fs/2
P[sub]GATEmin[/sub]=Qg(SW)*Fs*V[sub]G P[sub]GATEmax[/sub]=Qg(SW)*Fs*V[sub]G[/sub][/sub]
P[sub]SWmin[/sub]=Ipmax*Vdsmin*Fs*(tr+tf)/2 P[sub]SWmax[/sub]=Ipmin*Vdsmax*Fs*(tr+tf)/2

费点时间,你能看懂的,虽然有点麻烦,但是对接下来解决F[sub]S[/sub]的问题很必要。
我在这上面花了不少时间,走过1些弯路,现在总结出来确如此简单了。
不要嫌麻烦用笔推导下,光看可不行哦
何仙公
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  • 2014-3-14 00:59:29
 
同理你还可以扩展到,不同的电压段,整个输入范围下的mos损耗轨迹将可视化。
不单单是mos损耗的计算哦,还可以衍生到其它参数的计算。
衍生计算的其他参数就不在此贴中谈论了,你懂的!!
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-4-1 20:34:25
 
说的很详细,很好。
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-14 09:40:12
 
我算了下,这P[sub]COSSmin几乎没有吗,这个损耗是算在哪里的?驱动损耗,算驱动功率的?[/sub]
其实Qg已经包括了Coss的损耗了哎
而且感觉有点不对劲,Qg的单位是库伦,Coss的单位是PF
P[sub]COSSmin和[/sub]P[sub]GATEmin的结果的单位都是瓦特???[/sub]
何仙公
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  • 2014-3-14 10:20:41
 
计算结果大概是这样的,单位是W.
如果出入太大,可能是你单位搞错了.
有空我整理下单位,再发出来.很多年前做的,不是很记得,需要再换算下单位.



司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-14 11:04:27
 
嗯,好的,我是第一次看到Pcoss损耗,也很好奇,资料我找下,找的到就上传
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:22:02
 
从这个图是否可以得出结论,低压的时候MOS的温度会相对较低?但是大家在测温度的时候会有感觉还是在低压的时候温度是最高的呢?
何仙公
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  • 2014-3-25 22:33:56
 
这图是160-265V的,不同的MOS,计算结果会有偏差。
qq80644864
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  • 2014-3-25 22:35:32
 
了解
何仙公
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  • 2014-3-14 10:29:03
 
其实Qg已经包括了Coss的损耗
这地方有公式出处吗?确定是我错了吗?求图,求资料!
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-14 11:06:49
 
111.pdf
传了,你看下吧,这是FAE给我的内部资料
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-14 11:07:18
 
关键是Pcoss损耗是啥,我目前还不清楚,其他几个我都知道
何仙公
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  • 2014-3-14 11:12:41
 
我上的几份资料里面应该有提到,我懒得找了.资料的解释应该比我解释更全面些
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-14 11:45:17
 
好 我看看去
何仙公
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版主
  • 2014-3-14 14:10:13
 
中文找了下书,这个可能对你理解MOS的部分参数有用
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-14 14:27:25
 
嗯,我查了一下,少算一个平方
之前的公式是对的,一个0.5CU2*F;一个相当于U*I
但是发现Coss那个损耗还是很小
Coss都是几百PF级别的了,几乎没有
何仙公
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  • 帖子:1591
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版主
  • 2014-3-14 14:46:02
 
是哦,漏写个平方了.
还是你细心
何仙公
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  • 帖子:1591
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版主
  • 2014-3-14 14:56:58
 
已经改正了,多谢.看漏了.
PCOSS,小才好啊.最主要的损耗是导通损耗和开关损耗,在低压输入和高压输入的时候损耗明显.
经常有人习惯性的认为输入电压越高,效率越高,但是实际情况却不是.
了解了以上的运算和推导后,估计他们疑问能够解决了
司马仲达
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LV10
总工程师
  • 2014-3-14 15:09:36
 
不客气
再认为不是的就可以了切腹了
何仙公
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  • 2014-3-15 08:35:44
 
司马兄对31楼说的有什么看法?
zhijie240
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-16 19:38:51
 
Q=C*V
dxsmail
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LV8
副总工程师
  • 2014-9-9 11:43:20
 
开通和关断损耗一般都不一样。。。应该会有所误差吧??
何仙公
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  • 2014-9-9 16:04:12
 
这个可以有,数学拟合了下,误差难免
andah
  • andah
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初级工程师
  • 2014-3-15 13:18:03
 
第一步,收藏先!然后,慢慢学习。
xieyuanfu
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高级工程师
  • 2014-3-19 12:29:32
 
这三个 东西 好像 MOS管占的比重 最厉害了 能减少这个 就减少 了不少热量啊
司马仲达
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总工程师
  • 2014-3-21 10:52:51
 
楼主,请教个问题。
大功率电源,输入浪涌的软启动时间一般是多少?(就是控制输入继电器什么时候吸合)这个一般怎么选?
何仙公
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版主
  • 2014-3-21 11:44:19
 
这是个新课题,未有这方面研究.相关的因素很多.
open
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  • 本网技师
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本网技师
  • 2014-3-28 22:42:35
 
学习了!!!
weideqin1
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助理工程师
  • 2014-3-30 15:12:03
 
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何仙公
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  • 2014-3-30 15:59:48
 
楼上的!上份规格书看看?
小四shine
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本网技师
  • 2014-4-2 00:39:17
 
标记,多谢楼主,白天来自己推公式
莉莉
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本网技师
  • 2014-4-13 13:59:53
 
收藏下,以后细细看!
司马仲达
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总工程师
  • 2014-4-13 18:11:00
 
哇哇哇,同志们,快来看啊,有女生啦
qq80644864
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  • 2014-4-14 00:37:06
 
yinzhihong20
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高级工程师
  • 2014-5-9 14:31:24
 
dxsmail
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LV8
副总工程师
  • 2014-9-9 08:38:26
 
楼主继续。。。还有二极管的损耗和变压器的损耗。。。。
何仙公
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版主
  • 2014-9-9 16:07:07
 
二极管损耗我还没有完全明白,变压器损耗弄起来工程量相当大啊。
dxsmail
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LV8
副总工程师
  • 2014-9-9 16:21:53
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百度一下 二极管损耗计算。。。
除了导通损耗大一点。
其它的反向损耗和反向恢复损耗都可以忽略不计了。。。但还是不太理解。。。
何仙公
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版主
  • 2014-9-9 17:49:36
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损耗和占空比有关系,具体有多大关系,还要做实验比较。不好轻易下结论!
低压输入和高压输入情况都要考虑
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2014-9-9 18:15:10
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如果说二极管导通损耗,那么肯定和(1-D)成正比啊
dxsmail
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LV8
副总工程师
  • 2014-9-10 09:37:26
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还有变压器的损耗。。。。
这个只在《开关电源中的磁性元件》上第138页上有介绍。。但不同的绕法或加入屏蔽都会影响损耗。。。
何仙公
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版主
  • 2014-9-10 10:59:13
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我才发现我标题是MOS损耗,变压器损耗不想写在此帖子里面了。
我的算法远远比书上的复杂的多。
不过加屏蔽的算法还真没有去想过
小胜
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LV6
高级工程师
  • 2015-12-21 11:10:34
  • 倒数3
 
这个问题提的很好,谢谢楼主,感谢楼主
zm77
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LV6
高级工程师
  • 2017-7-21 13:17:59
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楼主的帖子被我翻出来了
l13787908861
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初级工程师
最新回复
  • 2021-1-13 11:31:52
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期待程工的好作品
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