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| | | | | | | 期待啊,有没有新的改进啊,如开关管的型号和新技术的加入??? |
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| | | | | | | | | 新的改进,真得不知道。
不过开关管的新技术发展,更加有利于电源效率的提高,及功率密度的提高
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| | | | | | | 有源钳位加同步整流,电源效率可以轻松做到90%。自驱同步整流适用于低输出电压,如果输出电压高达24V,除了采用专用的次级同步整流控制芯片,请问楼主还有好的方法? |
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| | | | | | | | | 一般来说,同步整流,对于输出电压太高的话,不适合用(个人不建议)
输出电压高的话,也可以采取自驱模式,只不过输出的变压器需要增加抽头,还适合 MOS 的 Vgs 电压
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| | | | | | | | | | | 在副边再加一个绕组用来作同步驱动绕组,为啥要在输出上取电压。 |
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| | | | | | | 请教楼主,正激有源钳位“一般主流”的做法是次级半波整流的,主要利用主开关管做功,变压器仅在一象限传递能量。复位管仅对变压器磁芯复位,不向后传递能量。而您的电路有点“非主流”应用,在次级做了全波整流,这样初级的两个管子交替做功,变压器一三象限全都在传递能量。另外次级滤波部分频率相当于翻了一倍,电感电容的参数可以取得更小。您这样做看起来既解决了变压器的利用效率,又降低了初级的峰值电流,还可以使滤波器件体积更小。但是为什么这种“非主流”应用非常少见呢?除了在大于50%占空比下主开关的电压应力更大以外,还有什么缺点限制了这种应用?忘解答!谢谢! |
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| | | | | 正激有源钳位电路,将会包括:主开关管 SW1, 复位开关管 SW2,复位电容 C,变压器 T1 等计算和选择
1. 主开关管 SW1 的参数计算
1.1 SW1 的 Vds 的计算
Vin 从最小值到最大值变化时,Vds1 的最大值 Vds1(max),作为选择SW1的依据之一,考虑裕量,选取 Vds 的最大值应≥ 1.5 Vds1(max)的MOSFET
1.2 SW1 的 Ids 电流计算
同样可算出 ID1最大值,实际选取ID≥ 2.0XID1max 的MOSFET,但有时为提高效率,在成本增加不多的情况下,可选用ID更大的MOSFET
1. 3 SW1 的其它参数
其它指标:Cgs 应尽量小,Cds 的大小应由试验来确定,过大的Cds会增加SW1的导通损耗,过小则增大其关断损耗。可在外部并一电容方法来调节,使整个损耗最小 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | 这句不对吧,sm1导通时,对sm1电压进行钳位。。。导通电压就是零了,怎么钳位? |
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| | | | | | | | | 顺便请教个问题:
如果用普通的384x做有源钳位正激的控制IC,有没有什么办法控制PWM死区时间? |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | 要做应该也可以吧,问题是都有专门的ic了,找那种麻烦干什么 |
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| | | | | | | | | | | | | 最近在研究仿真,想试试能不能用384x搭建一个有源钳位正激出来,验证一下 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | 呵呵,那你可以用p管做下钳位,驱动用rc延时整形做延时,用上钳位就是驱动取反同样道理做延时,只是猜想不只是否可行。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 用P管做下钳位仿真还可以;
真实产品中,基本上还是不用下钳位的,多还是N管的上钳位;毕竟 P管不好找呀!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯,我在simplis的原件库里,找到了一颗IRF6217(专为ACF[size=13.63636302947998px]下钳位设计的[size=13.63636302947998px]P 管),目前开环已经OK了,闭环还存在问题,关键点波形符合理论值,输出3.3V-30A,输出电压太低,闭环不好做 |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我做有源钳位遇到了很多问题 能帮助我一下吗?如果可以我们可以加个好友吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谁说的 你看看LM5025 LM5027 LM5041B N管驱动你准备怎么搞 自举电容 我没用过这芯片 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 还有没有更好的芯片啊?专用有源钳位正激变换器的??、、、、 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 专用的,而且算是新的是 TI UCC2897APWR
正激拓扑市场上产品就相当的少了;有源钳位那是相当的少; 你看看我在世纪这里的贴子,就明白了
flyback 拓扑还是市场上的主流 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前段时间评估了我们公司以前做的一款1/4正激有源钳位模块,采用的是以前NS公司(现在也属于TI了)的LM5025,发现在过流、短路、空开关机方面还是有不少问题;
我司的这个模块采用的就是低边钳位,P管也不是太难找吧。
另外楼主所说的,SW2在SW1导通时钳位,个人不敢认同额,钳位主要就是为了钳住SW1关断时的应力,实际上SW2的钳位以及对变压器的复位都是在SW1关断后完成的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实钳位和复位,你将电路换成 RCD 吸收,最好是 TVS + diode 的吸收。这样对你比较熟
TVS + diode 做 snubber circuit 的,你分析啥时 TVS 工作,钳位电压等于 TVS 的电压
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LM5025是有这些问题,你可以选用LM5025B,相信会有所改善的,至于你说的空开关机问题,指的应该是副边同步整流管和续流管的电应力有问题吧? |
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| | | | | | | | | | | 不知道近年是不是有改进,不过改进的可能性不会很大;后续我会分享一些 华为和中兴 的电路供大家参考学习!
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| | | | | | | | | 谢谢你的指正,不过这个还真没错
一般钳位工作,是在主管 SW1 导通时;而关断时,就是复位;你可以仔细再想一想! 呵呵~~
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| | | | | | | | | | | 您好,我有个小小的疑惑。
1.钳位,是不是钳位住sw1的电压?
2.sw1导通了,sw1的D极电压接近零电位,还要钳位干嘛?
楼主,解惑一下。谢谢 |
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| | | | | | | 大师,请教一下上式中的L是不是初级感量,Ls是不是初级漏感?不解,求大师解疑,谢谢! |
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| | | | | | | 大和小是个模糊的概念。
记得TI的文档有过提示,就是通过钳位电容上的纹波大小来选择合适的容量。 |
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| | | | | | | | | 本话题是针对有一定经验基础的,所以 ... ... 你懂的
TI 以及很多论文里,都有这个钳位电容的计算公式,但根据公式计算出来的,都与实际差别很大
我这里就是以前调试时,总结出来的经验分享给大家
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| | | | | | | 赞!感谢楼主无私分享,建立楼主能发一些关键点的测试波形就更好了! |
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| | | | | | | | | 这个主意很不错,希望哪位能补充分享一下 正激有源钳位及同步整流的波形 与大家共同学习
我现在只是一个小业务员,手上没有 DC source,也不能进行测试分享给大家
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| | | | | | | | | | | TI不是有很多UCC289X的技术文档吗?去下载一个就是的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 是,也有翻过 TI UCC2897 289x 以及 3580 等文档以及 application notes,但波形等基本上都没有,多是理论上的东西,分享这些目的还是以实践为主的
我现在电源方面主要推广销售 ST VIPer53DIP(针对这玩意所有波形都可以随时测的),针对 DC-DC brick power 以及以前涉及的 AC-DC全桥等电源波形都没有记录的,所以也不能分享给大家,也算是遗憾
这里只是开个头,希望大家能分享和补充 |
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| | | | | | | 你好,能讲下,这个励磁电感的Vo是电源输出电压还是变压器输出电压啊?它是接在变压器后面,按理应该要以变压器输出电压来计算吧!del I一般的取值大约是多少啊? |
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| | | | | | | | | Vo 是输出电压
ΔI 一般取值 10~30% Io
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| | | | | | | | | | | 那正激变压器输出电压,应该是经过励磁电感通过占空比导通后得到的Io输出了?
正激的输出电压是等于电源输出电压Io+Id+IL的吗? Id为二极管压降,IL为励磁电感压降。是这样认为 的吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 电压有 V 表示,你这样让我很混乱
静态时,把它们等效成一个闭环,你可以理解一下,变压器输出是电压源,其它都是消耗电压的,闭环的电压应该等于0
可以参考 《电路基础》应该叫 戴维南定律吧?! |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | 如果电源输出负荷从空载加载到半载,Overshoot voltage 限制在 5%以下
此时: Iomax =50% Io
Iomin = 0
Vos = (1+5%)xVo 参考如下公式:
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| | | | | | | 完整的图贴出来啊!公司都做到了那么大,还怕人抢到生意了。
另外看到有报道,不是说你们现在的模块不是数字电源吗? |
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| | | | | | | | | 你说得很有道理,应该全贴出来,呵呵~~~
不过这种模拟电路的,基本上,大家看了相应的电路,基本上都能估出来相应的参数
模块虽说有数字化方向发展,主要是指这样二次模块再向下一级的模块,多是 5V 3.3V 转 2.5 1.0 0.8 的次级模块,多相控制的 DC2DC,以非隔离为主 |
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| | | | | | | | | Q3 是产生反向 PWM, 会有一点 deadtime 调节作用
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| | | | | | | | | 呵呵~~ 是比较早 2002年的
不过我贴的比 2002 年还要早一些(时间基本上差不多),后面的规范标准都依据这些的
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| | | | | | | | | | | 我不是做模块的,理解有限。但根据公开的资料:
1、占空比可以大于50%,这可以有效的降低原边电流;
(不同于反激,正激次边的有效电流本来就相对小)
2、有较宽的输入电压范围;
(一般可以达到2:1,极端情况下也有3:1、4:1的输入范围)
3、为续流管提供了相对完美的自驱信号;
(能够提供可靠自驱信号的拓扑并不多,另外一个好像是不对称半桥)
4、ZVS操作,适宜高频应用(似乎有些争议);
(这个需要核实,也可能是有源钳位正激的输入电压本来就低)
5、除了QR反激的部分特性较为接近,几乎再没拓扑能够有简单实现上述特性。
( 更多的时候是拿LLC、不对称半桥与有源钳位比较,其实不科学)
当然,有源钳位正激也有缺点,至少高压应用还不广泛,缺点不是很清楚。
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| | | | | | | | | | | | | | | 真的可以大幅度降低开关损耗吗?
类似于QR反激、LLC那样? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请教一下变压器去尖峰DRC网络里的电阻封装一般去多大,还有RC时间常数和开关频率应该是倍频关系还是分频关系,网上各种说法,好像都有点道理
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| | | | | | | 呵呵~~ 看贴不仔细,就是冲着可下载的资料来的吧?
上面贴图部分的电路及部分电路的详细BOM都是华为的
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| | | | | 想请教楼主一个问题,看到一篇关于移相全桥的同步整流方案专利,副边是全波整流,两个同步整流管的导通时间是有交叠的,但是又记得在网上看过说要避免共通和电流逆流,到底是能不能共通呢? |
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| | | | | | | 能 我以前看过波形 你可以看DS波形GS不准确,管子烫得吓死你。烧了一会儿管子就炸了,换了两次,最后改了同步整流的匝比。 |
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| | | | | NCP1282 高压有源嵌位 可以做到500V 为嘛Vin1脚和2脚的焊盘距离才0.68mm的 我自己花的封装 这么小 可以吗? |
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| | | | | | | 有源钳位 正激, 如何实现 ZVS,,调整了Lm 感量,钳位电容,影响不是很大。 Lm降低了,效率反而降低一点。
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| | | | | | | | | | | ,同步管续流MOS:Q502(AOD4184)VDS尖峰很大(无吸收),相比Q501的尖峰小很多(无吸收)。Q502需加很大的RC吸收,才能抑制,有没有好办法,解决? 同时示波器:TBS1102,,在开20M带宽与100M带宽 下测,尖峰相差很大。哪个为准?
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1.jpg
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Q502的Vgs,Vds
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Q502的Vgs,Vds
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20M..jpg
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示波器TBS1102:20M带宽下所测
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示波器TBS1102:100M带宽下所测
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输出部分电路图,无吸收
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PCB图
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| | | | | | | | | | | | | 应力要读大不读小,以100M带宽测试,而且示波器存储深度越大越好。
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| | | | | | | 这个Dds1的取值是怎么算来的,DMAX的时候输入电压最小,输入最大的时候最小,VDS在正激里面不是2vin吗,
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| | | | | | | 看了很多文章,看到在谐振过程中的电感电流与电容电压表达式如下,实在是不知道是怎么求解出来的,请问大家有知道的吗?
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