| | | | | 电路图,变压器参数,波形图,都没给出来怎么帮你分析呀,还有你所说的变压器温度过高是高到多少度?再说了如果是变压器饱和了那你的MOS管必烧无疑,关于电流保护点的问题跟你的IC参数有关,很多IC内部都没有设电压补偿,所以就出现了110-220电压范围保护电流点的误差值 |
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| | | | | | | 可以老化,只不过要换一种形式去老化而已。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 |
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| | | | | 用的什么方案可以给出来大家帮看看的
还有你说的饱和,在多少V输入的时候出现的? |
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| | | | | 我客户的这款都已量产了 ,用的是IW的方案,4N60 MOS管 输出用20A45V(TO-252封装)的低VF肖特基...
我只可以提供低VF的肖特基 谢谢
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| | | | | | | 是IW1699-03的吧,RM7只能做到5V3.1A,3.4A温升肯定过不了的 |
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| | | | | | | | | 明天外出了,有点忙,谢谢大家的解答,RM7的变压器只能到3.1A吗?换什么变压器可以体积跟RM7一样大,可以带起3.4A。 |
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| | | | | | | | | | | 四楼你的肖特基VF值最低是多少?我用了两颗MBRD10L45UG。(10A/45V)也是超低的VF。也不行。
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| | | | | | | | | | | | | 您可以試試我司的肖特基 SL20U50D TO252 在50度時Vf 為0.3V
qq 19827599 |
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| | | | | | | PQ20/16,如果一定要RM7空间才够的话,那你只有提高成本测试下
1:你这可IC频率应该在50K左右吧,你的初级50T----66T
2:电解电容15+15UF-------15+20UF,地线的电感去掉
3:你的CS线路那里在调试下:100R-1K,重新调试R3和R22电阻
4:Q1换成COOL 管,RDS-ON在0.7mR左右的
5:你的输出二极体的VF是多少,最好5A时控制在0.3左右
6:把输出电感拿掉,电容换成固态
7:R17-----750R,R14------3R
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| | | | | | | | | 输出电容我本来就是用了固态的,VF值是在0.3V左右。 |
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| | | | | 做这款电源不是VF多低就OK,主要是热要能散出去,所以TO-277封装必须要用两个.要不就必须用一个TO-252封装的20A45V的低VF肖特基.
这些肖特基我都有.
P20L45D TO-252 适合5V2.4A以上
P10L45SP TO-277 适合5V2A以下
P10V45SP TO-277 适合5V2A
P15V50SP TO-277 适合5V2.4A |
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| | | | | | | 肖特基我用了三个都不行,昨晚弄到了1点半,终于把问题解决了,最终解决方法是换了变压器,改成了RM8 6+0的,还好空间刚刚好能放得下去,终于可以轻松了。RM7在密封空间真的不能做17W。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 两个肖特基加起来价格要2块吧.还不如用一个TO-252封装的20A45V的 散热和成本相对都要好些, |
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| | | | | | | | | 我RM6 频率65K 也小外壳充电 器 做5V3.4A 都没问题有做CE CCC |
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| | | | | 无锡新洁能(NCE)原厂,国内第一家量产COOLMOS的公司,有2A,4A,5A,8A,11A,15A,21A的600V---900V的COOLMOS,效率能提高几个百分点,有需要样品的联系我韦生手机(QQ)15814410367. |
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