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| | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | 1、没有标注A、B
2、B点不理解,看楼主是如何理解的。 |
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| | | | | | | 在实际调试反激电源中,这个尖峰确实经常遇到,楼主继续。 |
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| | | | | | | 楼主说的非常对,所以IC内部都会有一个200nS-500nS的LEB Time,防止误触发. |
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| | | | | | | | | 很显然,其为变压器的原边分布参数造成,可以从绕线层间加大间隙来减少耦合,也可以尽量设计成单层绕组,如三明治式把原边分开对此尖峰有改善,当然,回为绕组不能完全避免存在分布电容,所以这个尖峰是很难完全消除的。 |
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| | | | | | | | | | | 楼主说的单层绕组是什么意思呢,是不是把初级分开绕?假设现在初级一共要绕四层,最里面绕三层,余下部分只绕一层,还是分两部分各绕两层。这样子有什么影响吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 单层绕线,就是变压器尽量选用Ae大的,使设计时绕组圈数少,可以一层或两绕无。尽量减少叠层,减少线与线之间的接触面,进而达到减少分布电容的目的。
如果一定要绕4层,尽量用三明治绕法,尽量对半分开绕。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个概念明白了,还有一个问题,就是做高温老化实验的时候,300MA输出电流会掉30MA,关于掉电流的原因分析,可以从哪些方面去着手解决呢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 原边方案的特点就是线路结构简单,可调的动西不多,但可调的地方关联较多,如电压检测和电流检测端,调节是相互关联的。工作一段时间出现掉电流也就这两点的关联,考虑到外设元件较少出现这种情况,那么首先怀疑IC内部基准的稳定性。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 掉10%很厉害了,先确定这款IC高温性能是否稳定,可对其加热,待温度升高后输出电流是否变化大,找到问题点再想办法解决。 |
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| | | | | | | | | | | 楼主,你好!
按照您说的原理那是不是我在变压器初级直接并联一个电容就可以明显减小这个尖峰呢?还有就是如果这个尖峰在设计时被我们忽略掉会不会有什么风险!?(有时我在测试时发现A点这个尖峰会高于B点),望大师不吝赐教!菜鸟先谢过啦!呵呵…… |
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| | | | | | | | | | | | | 肯定不是,A点是由于变压器分布电容造成的,所以要尽量减少变压器的层间、匝间电容。每一点说法正好相反。
这个尖峰高主要是产生振荡,对EMI不利,实际工作影响不大。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | 越并电容越大,尖峰就更大了 |
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| | | | | | | | | | | | | 上面已讲述是变压器绕组上的分布电容引起的,也就等效是绕组两端并有一个电容,所以才造成Id前端有振荡尖峰,需要降低这个尖峰是尽理使这个等效电容减小,而不是再并一个。 |
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| | | | | 电感中的电流不能突变,只能从电容方向考虑了。于是乎,各种寄生电容来了。。。 |
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| | | | | | | 后面会针对此处(B)继续做实验,先把最新的情况提供给大家看 |
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| | | | | | | | | | | | | 一早就怀疑是 Is 啦,Is 不等于Id,Is = Id +Cgs的充放电流,那A,B 两点波形,就容易解释了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对,B点顶峰上由于叠加了Ig关断时电流,所以出现转折。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS关断瞬间的DS电压振铃,此处振铃的周期数与什么参数有关,如何改变?周期多一些好还是少一些好? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 振铃与漏感、MOS的Coss有关,其频率为2π√(Llk*Coss)
可减少漏感或增大MOS管DS间的电容,可以使尖峰降低、周期变长。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 振铃次数由漏感能量大小决定?错误,是LC震荡周期决定,而周期与能量无关吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 漏感大时,振荡尖峰肯定比较高,其从高衰减到0时需要的周期会更多 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你说的是能量大小,能量大小不仅仅取决于L,还取决于流过L的电流,你可以看看,同一个模块,输出电流变化,震荡周期变不变。
我觉得不变或变化很小,而按照你说的如果是能量决定的,应该会变化很大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LC震荡,如果LC都确定,电感中电流初始值是1跟是100,震荡周期会不同吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | SORRY,我又看了一下,是我错了,我开始看到问的是震荡周期,理解成每个周期的长短了,看后面问的是总体震荡次数。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 跟能量有关,也跟震荡电流的Q值关系很大,这个更大一些。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,也跟Q值有关。
当然从处理上来说,降低漏感最直观。 |
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| | | | | | | | | | | | | 当然Id波形可看到,关断时刻并不成直线下降,成一定的斜率,关断速度稍慢 |
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| | | | | | | | | | | | | 从楼主这个图中看出,ID比IS大
另,如果直接用电流探头测这个IS的话,这个电流明显降低了很多的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | ID比IS大,是由于IS叠加了一个反向电流,反以出现下降拐点,所以会低一点 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | 讲解B点的波形,应该是自己画个图,将ID、IS、IG画在一起,然后才好理解,否则我估计除非对这个波形很了解的,否则仍不明白,这个台阶是如何形成的。因为这个驱动电流发生的时刻从这两张图里都看不出来。
顺便问一下,你这个图用的IC是什么型号? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 王工说的有道理,对于反激接触不多的朋友确有可能不理解。这个抽时间补上
昂宝OB2201T |
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| | | | | | | | | | | | | 这个问题,我先前也碰到过,这个Ids波形与IC特性相关。是日本富士的一款FA8A01N 一样。你的电源并没有问题。 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | MOS S脚下测的电流其除Id外,有Ig驱动的叠加,所上面波形其下降沿拐点为Ig造成,并不是MOS在关断时的真实情况 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 你这个是斜坡补偿后的信号。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | mos没有存储效应导致的关断延时现象,BJT有,对吗 |
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| | | | | | | MOS的内部结构引起的吧,至于是什么原因,还听大师分解。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | t1时刻:Vgs上升到MOS的开通电压,此时的MOS已开通。。。。 这个肯定不是已经开通。后面的话也有问题,对不对? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我的理解,Vgs到达Vth,就开始开通了,Id开始从零上升,Inductive switching的话,这时Vds还在Vbus处,直到稍后Vds开始下降,Vgs米勒平台才出现。
后面说的Cgs+Cgd也有问题。 |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | 是,已经开通跟开始导通可不是一个概念吧?,到达VTH,属于开始导通。米勒平台完了才算导通。而楼主说到达米勒平台就开通了肯定不对。
米勒平台让我通俗的说,就是Cgd电容放电,放电电流将Ig抽走了没有电流给Cgs充电,所以Vgs就不升高了。不知道对不对 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的。
王版的米勒平台说法是对的,
Cgd一般比Cgs小得多,Cgs+Cgd跟Cgs相差不大,所以不会像LZ说的,Ciss=Cgs+Cgd形成米勒平台。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我理解这价段为Gree兄说的Inductive switching状态,
Cgd与Cgs的关系,确实王版说的法更正确, |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | Gree.....,请确认一点,T1时刻是否MOS开通的时刻? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS开始导通,那么Vds是开始下降了,米勒平台出现,Gree兄的说法和上面没能不同啊 |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | Inductive switching的话。。。请注意这句话。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好:
我看了你们的论坛,讲的很详细,但是你们提到了米勒平台,这个我不是很了解?米勒平台是什么?他在什么时候会出现米勒平台的?还望讲解一下。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该叫密勒平台吧,以下是我的一点理解,最早为名叫密勒的人在研究三极管时发现了以其命名的密勒效应,指结电容的放大效应,延伸之MOS栅极的输入电容,也存在类似乎的效应,密勒平台,为产生密勒效应时,输入驱动成平行的那段。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 可以这么说,上面波形从T1开始整个上升过程是MOS的开通过程,可能说法欠佳,上面说的MOS已打开,是开通,当然不是完全的开。你说的是这个意思? |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | 是,T1时刻,MOS管开始开通,电流从零开始增加。我是这样理解的。而你对米勒平台为什么是平的也没解释。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么是平的,我理解是在开启的临界状态,在驱动电压在Vth这个点时,Cgd把电流抽走使其不能上升,而下降也不可能,向下是关断,就不存在Cgd,所以此刻就处在这个临界状态,所以是平的 |
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| | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
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| | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果把此处的平台换成振荡波形可能更有助于理解和分析。虽然出现振荡波形对驱动MOS管很不好。 |
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| | | | | | | | | | | 你好:
有一点不明白,Ciss是什么电容,是哪一部分的电容? |
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| | | | | | | | | | | | | 输入电容Ciss,相对于栅极对D和S之间的电容加栅源间电容(Cgs+Cgd) |
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| | | | | | | | | | | 文摘:
米勒效应(Miller effect)是在电子学中,反相放大电路中,输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用,其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍,其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大,但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应,但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。 |
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| | | | | | | | | 前些阵子,好像也有帖子分析这个问题。对电流下降的那个台阶分析的不一样。 |
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| | | | | | | | | | | 可贴上链接或不同分析,支持不同原理分析,可以从多角度看问题。当然,以上有图有数实测依据的。 |
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| | | | | 楼主的测试图片,许多参数问题交待不清,所以希望重新测试一遍。 |
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| | | | | 后面准备再放些图上来,大家比较关注的是那些点的波形? |
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| | | | | | | | | 这个图算借来的吧,同事的一款160W反激电源,24V6.5A,初看了下波形,振铃多,尖峰高,认为变压器还有很大改善空间。
大家可谈谈见解 |
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| | | | | | | | | | | | | 无法上线路,与大家就图来谈开发吧。产品信息:24V6.5A全电压,QR方案。
漏感这个不清楚,但估计匝比也很不合理,目测这种波形给EMC也带来无尽麻烦。
Vds电压今看过,已达到MOS的上限,完全无降额。
另是QR模式。我认为大功率最好不要用QR,在低压时很麻烦,Ipk太高,最好连续模式。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 吸收是可以,但不是根本,最好尽量在设计时就尽可能降低这个尖峰。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 近期搞Vds与输出Vd的平衡,同匝比,在三明治绕法与顺序绕法有一点点差别,三明治时,Vds低点,Vd高一点,顺序绕时反之。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 吸收二级管具体在那一块,来个简单的电路模块,在此拜谢 |
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| | | | | | | | | 振铃比较多是变压器漏感造成的吗?如何有效的控制和解决此现象的问题呢? -----谢谢赐教! |
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| | | | | | | | | | | 振铃多,
1与漏感大有关,这个在变压器工艺上控制,用三明治之类的和层间排列平整度上想办法。有时也要考虑绕线是否刚好满一整层来迁就绕线工艺。
2与匝比大也有关系,反射电压也高,振铃尖峰也会很高,其振荡衰减振铃也较多。
3,MOS Coss的大小也影响振铃,选尽量小的Coss |
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| | | | | | | | | | | | | 看到楼下大家探讨方向出现偏差了,希望就此完结。
接着说上振铃多的原因,再作补充
4,设计时的Ipk较大,造成Dv/Dt大,也导至振铃的振幅高。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | COSS的大小影响振铃是对的,但COSS越大,应该是振铃尖峰越低吧? |
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| | | | | | | | | | | | | 对于反激尖峰,做功放电源电机电源的一点体:
关于反激尖峰电压,如果过流点设置得很高,IC的Cs端对Ipk控制设得较高,开机的尖峰会变得很高,可达到常态的1.5倍或更高。一般常规的电源过流点都不会太大,在最大输出+20%~50%左右,而在设计功率用的电源和电机电源时,为了达到启动或工作中的峰功率,过流点会设得非常大,常态输出2A,过流点会到7~8A,这时启动的反激尖峰就会非常高。如正常工作Vds500V,启动瞬间可以冲到700V,这个电压对设计来说难度增加不少。所以对于启动尖峰电压设计,尽量把常态的Ipk做低,过流点设置够用就好,能小尽量小,有必要的前提下增加高压补偿,使高低压过流点较接近,避免高压过冲太大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 高压输入时可通过外电路适当提高CS的电位降低过流点 |
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| | | | | | | | | | | 兄台你好:
你说的Coss指的是MOS管DS之间的电容吗?有时候我们去第三方测试机构测试RE的不过的时候会在MOS管DS之间加一个47PF/2000V的贴片电容来减小电压变化率,测试效果好好多。你指的是这个吗? |
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| | | | | | | | | | | | | Coss是MOS内的,可理解为结电容,与外并的DS电容原理相同, |
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| | | | | | | | | | | | | | | 1:按你这样说,MOS管DS级之间内部结电容,那我在DS之间另外在加一个电容是不是相当于两个电容并在一起了,电容大了。
2:DS之间的电容大小是不是就直接影响了MOS管的开关速度,这个电容越大,开关速度变慢了,输出效率低。电容越小,开关速度越快,输出效率高。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 1,是这样,当然这个取值要兼顾效率;
2,和前面说的一样,所以要考虑效率,一般产品的辐射不会太依靠并电容来实现,除正常工作损耗外并Cds电容也会对待机有一定的影响。 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
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| | | | | | | | | | | | | 有隔离要求的漏电流会很大,确实会达不到安规要求,但这种方式可以消除尖峰值得研究,比如小容量的使用是否有折中效果等。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 如在隔离要求下怎样做可达到一定的抑制,C1尽量小?太小可能效果又不明显。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 比如 CBB电容 X电容 Y电容 瓷片电容还是陶瓷贴片的都可以吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上面线路用此容量电容其已不算隔离电源,所以你说的各种电容只要容量足够,都是可以的 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | C1的基本工作原理:
当 MOSFET 开启时,该电容通过 MOSFET 对 D1 的反向电压进行钳位控制。当电源开关关闭时,在 D1 导电以前漏电压一直上升。在关 闭 期 间 , C1 通 过 D1 和 C2 对 MOSFET 漏电压进行钳位控制。
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | 如果电路是升压型的电路,这个C1还能起作用吗? |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | ,那可不一定哦。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | C1的充放电回起不来啊,如果输出电压高于反激尖峰电压 |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | MOS管开通,C1电压会被输出充电成负压,在MOS管关断的时候你看看是不是起作用。 |
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| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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| | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯,不过我从来没说你是人。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯,你感受不到的那种感觉 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主发话了,对这个问题不讨论了,什么都懂的快感只有你那样的神人才有,我们这种俗人是没有的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问输出电压高于反激尖峰电压什么意思 这里的反激尖峰电压是原边的还是副边的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Vor=N*Vo,如果电源输出电压比输入电压高,即升压。
当然是原边的反激尖峰电压。 |
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| | | | | | | | | | | 大师,您好!
我用上面的电路图试了几个电源都工作不正常,分别是单级PFC反激 、单级低功率因(内置MOS)数反激、两级PFC反激;其中单级PFC尖峰确实没有了,但波形异常,输出电流不稳,有噪声。 |
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| | | | | | | | | | | 您好,我在做一个低压同步反激电源,用反激拓扑是为了升降压无隔离要求,想用这个方法来降低尖峰
但是我的电路有点不同
请问这个电容要怎么加。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,不过认为这个电容需要比较大容量才有效,所以你要考虑是否还算隔离式电源
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 容量跟尖峰大小有关,根据实际应用,最好测试下电容两端的电压值。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实不行,因为我的次级MOS管放在下面了。必须放在上面,但是放在上面驱动电路又复杂了,纠结。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真是一笔糊涂账。
首先,这个错误的吸收参数的算法不知道从哪条途径流落到业界的,遗害匪浅。为什么是错误的,给你的连接中已经有讨论。
其次,你这个地方想解决的是原边DS电压尖峰,要靠钳位,不叫吸收,你用吸收的思维去算钳位,是错上加错。
钳位电阻 R 的损耗取决于(等于)你漏感能量的大小,除非你能计算出漏感能量,否则不能计算出电阻值。比如,我的水平可以把漏感能量(也就是这个电阻的功率损耗)预先估计控制在整机功率的0.3%左右,因此可以先按这个损耗计算出他的阻值,然后拼命采取措施让这个取值可以实现期望低的尖峰。
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| | | | | | | 主要参数,输出29V,动态负载从0.1A到3A切换。 |
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| | | | | | | | | | | 测试方法: 输入为额定电压,输出整定在屋顶之,利用电子负载的恒流模式设置跳变来实现输出负载的跳变(跳变时间为5ms,如果5ms内,模块无法回复到稳态,需要让跳变时间加长,让模块能够达到稳态。tr和tf按照20us对应1A来设置,如100A的模块,负载从25A跳到50A,跳变25A,tr和tf就是500us左右),对于某些大功率模块,可采用并联固定负载的方法实现如50%到75%负载跳变,可以用50%固定负载,再用电子负载实现0到25%跳变,用示波器测量输出电压的变化。(注意:测试时,示波器采用交流耦合方式,触发方式可以用Auto或者normal,时间为ms级,就能够很快的把波形捕捉到)
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| | | | | | | | | | | | | 示波器用交流耦合,不对吧?不是测试它在进行电流切换的时候看输出电压的最大值最小值变化吗?输出电压的那应该是直流才对呀,交流不是成测试纹波了. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 其实都可以,我上面图片是用直流耦合测的,因为动态时输出是变化的,一样的。 |
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| | | | | | | | | 关于动态特性的调整时间与带宽有关系,带宽越窄,调整越快;输出过冲与电路的阻尼系数有关系,阻尼系数越小,过冲越大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你去看精通开个电源,里面就说了带宽越宽响应越快,自控里面也说过穿越频率大响应快(容易不稳定而已) |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | 判定条件
各输出测量值符合规格要求:
- 不能有震铃(Ringing, 反馈回路欠阻尼)现象,
- 待测电源不可以损坏(Damaged/Brokendown),
- 待测电源不可以工作不稳定,甚至关机(Shut down),
- 响应时间符合要求。 |
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| | | | | | | | | | | | | 改善动态响应的对策参考:
适当改善反馈响应速率(如适当减小431上RC电路中的电容量、增加光耦电流、减小电流检测PIN脚上RC电路中的电容值),但需注意噪声、重载开机问题;另外,这一方案也受制于实际设计方案的选择:
1, PWM方式受最大占空比的限制(Flyback:约0.8,单端正激0.5,其他如Push-pull、Half-bridge,Full-bridge等为0.8,Boost为0.9等),因此设计初期最大占空比的选择就应当保留一定的余量;
2, PFM方式也受制于工作频率限制,以免产生噪声或EMI的问题;
在容许的情况下(较低的电容电压),尽可能让占空比或开关频率在动态情形下逐步增大,以避免如电流应力加大等问题;
增加输出电容容量或并联数量,适当降低输出储能电感的感量
1, 电感中的电流不能突变,这是影响输出动态响应的关键,尤其在CCM模式的时候,因此,适当降低感量可以改善动态响应,但需要考虑轻载时的反馈稳定性问题(CCM转变成DCM会造成系统不稳定)
2, 电容的电流可以突变,因此,可以考虑适当考虑增加电容容量或数量来改善,如果Layout空间允许的话。
采用多个变换器并联方案,但成本会较高,这在电流变化速率要求较高的场合(如CPU供电的3~6相V-core电路);
增加开关频率,以更快的速度传递能量,但需考虑元器件的频率特性、EMC及效率等问题;
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| | | | | | | | | | | | | | | 你好:
你说的减小电流检测PIN脚上RC电路中的电容值,指的是初级MOS管S极对地那个脚吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 早上好:
是图中C5这个电容吗?改变了这个电容的大小,我只知道会影响过流点与短路保护,怎么会影响动态负载呢?不明白,还请高手指点迷津。
你说减小这个电容值是改善它的恢复时间还是改善它的负载动态时候的最大值与最小值也就是过冲幅度?(动态负载就看三个参数,恢复恢复时间,过冲幅度,动态波形变化规律) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,当然这个电容对动态特性的改善是很有限的。C是为滤Is上检测信号的噪声,但也存在会对原信号波形尖峰有一定的抑制。所以理论上C小这个信号更完整,对电流检测响应更到位,主要对过冲点的影响。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1:你的意思就是改变C5这个电容的容值大小就改变了动态负载时候的过冲幅度值?
2:你说的(所以理论上C小这个信号更完整,对电流检测响应更到位,)应该是C5这个电容大了更完整,对电流检测响应更到位吧,在输出负载与输入不变的时候,将C5改大了过流点可能会大点,输出短路功耗会加大,C5改小了过流点可能会小一点,但是输出短路功耗会减小。C5只能改一个平衡的容值。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我有的时候测试或调试动态负载波形很乱,杂乱无比,不完整,这个要怎么去调试?有的反激电源动态负载波形就很漂亮,很完整,看到就舒服,就像论坛里面的那个动态负载波形很漂亮,没有一点杂讯干扰 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看下环路是否稳定,启动供电是否稳定,抓下动态时供电和输出波开 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你说的是初级VCC跟IC供电的吗?如果抓到是VCC不稳是不是就可以说明是它引起输出动态负载波形很乱但是过冲福值没有超,VCC这一快如何去调试才能是输出动态负载波形变的很漂亮? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是VCC的电解电容?加大电解或提高电压就可以改善动态负载波形的美观吗?但是把这个电容改大了对动态负载时过冲幅度值没有影响吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果突加负载瞬间,VCC跌落到IC的正常工作电压之下,这说明电源工作就是不正常的,就谈不上什么动态测量之说了,个人理解。 |
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| | | | | | | 我很难理解,你用示波器CH2的200V档测量显示波形,你用1:1的电压探头还是10:1的探头。请楼主用万用表测试一下波形采样点之间的电压传上来可以么? |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | 关于上图我再说明下,蓝色线表示AC输入的电压,黄色线表示输出电压。这样史厂长不会说我乱用探头了吧。这里有疑问很正常,但史厂长不要总是用万用表的测试与示波器比,在测电量方面,万用表远及不上示波器。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | 根据我对史厂长的了解,如果你说你用的是100:1的探头,那么史厂长会告诉你,你一格200V,总共将近1.5格,那么测量值是300V,你的实际电压将是30000V,。
不信,听史厂长接续说。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果蓝色波形是输入电压,会有那么长的中断时间么?为什么用100ms来测输入电压波形? |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | shi厂长,你知道hold-up time是啥意思吗?为什么需要有这个指标? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关于这点史厂长可能不了解,科普下
hold-up time(保持时间)是指电源开关关断,到输出电压下降到90%的Uo为止那段时间
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| | | | | | | | | | | | | | | 虽然万用表不能显示波形,但是显示的电压值是非常准确的。与示波器显示的电压值是吻合的,这点你也怀疑吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 除开波形,在不同频率下测试,万用表根本没办法与示波器比 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | 那是高压探头,这个问题跟你说过100遍,总在这里不懂装懂,用100:1的探头,内部设置100X,那么一格就是实际的100V,楼主测试的是交流输入电压。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | 我不是啥明白人,可有的人糊涂的连这点基础知识都不懂,还号称是测试大师 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | 又来这些了,少拿这些来恶心人了。
一个最简单的问题,你都不能回答,你扯个JB毛啊,示波器的图像是每一个时刻输入信号的实际值在屏幕上的显示,这话对还是错? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以你还不懂测试电源要点,测试不出来重现性好的真实时间坐标波形,而把一些无关紧要的杂波放大显示出来。 |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | 那你就告诉我,示波器上显示的波形,是不是每个时刻由探头输入的实际值在示波器屏幕上的显现? |
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| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | 那么,在每一个时刻,探头输入的信号幅度有几个?同一时刻能输入两个不同的值吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所有示波器都是这样显示的,在测线性电源时,基本显示一条曲线。在测非线性桥式整流电路时,显示两条不相交的曲线。 |
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| | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 如果是你自己的结论,请说明理由,不要因为你测试到如此就说是如此,如果是有出处的请提供出处。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真理必须要有第一个提出来,现在我提出来这个论点了,明白? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 真理在得到认可之前,并不是真理,而且提出来的东西是需要依据的,不是你说说就可以的,那么你的依据是什么? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上面是测量以款名牌电源适配器的输出电压波形,下面是测试一款LED灯驱动电源的输入电流波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那么第一图是纹波了 下面三图的电流采样估计是用电阻了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前面的图不清,不知你要表达的意思
这个图,从量程和格值上看不出是什么波形,上面的是叠加的杂讯 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是想说明万用表和示波器测试没区别?DC电压上叠加的纹波还不至影响太大。
请用交流档测试下在高频下的交流电对比,如几十K至几百K的交流电区别就出来了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 纹波值对电压值的比较是非常小的,不会有什么不良影响。
我压根不相信电源输出有超过6KHZ的高频交流信号。你如果测试出来请上传一下。因为只要对比一下电压值,所谓几十KHZ高频电压的理论,就不攻自破。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有没有这另一回事吧,如果在电源线路中各点波形电压测试也拿万用表来测试对比肯定是不合适的。
上面你也说了,不相信有6KHz以上的高频交流信号,说明你也知道万用表测试电压没法和示波器比的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 万用表测试的直流电压结果与示波器测试测试的直流电压结果完全一致。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这是示波器两只电压探头分别在电源的输入端、输出端测试的电流、电压波形。输入端用50mv交流电压档测试,输出端用2V直流电压档测试。示波器扫描时间是1ms。因为测试的分辨率极高,电流频率与电压频率清晰可见,示波器可以稳定显示的波形,因此不需要抓拍。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 史厂长,对于上面的成就感,能说下你这几个波形给预你的收获。
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| | | | | | | Hold-up time
保持时间,输入断电后输出可维持的时间,要想有尽量大的保持时间,可加大电解容量,原副边的储能电解。同时也可以把电源的最低工作电压再做低点,如原工作在90V是最低的,把电源做到80V或70v工作其保持时间也可以延长,此原理也就是占空比变小。 |
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| | | | | | | | | | | | | 最上面说是我的测试波形,你觉得那个波形没有测试正确,先请指明那两个点应该怎样测试。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 后面我自然会告诉你什么样的测试方法和效果图片是正确的,首先我要你认识为什么说你测试的方法和显示的波形周期是错误的,你在探头测试两端同时接一只万用表,看看万用表显示的结果是否与示波器的电压平均值相等。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我不知你想测什么电流波形,估计你要的是输入电流;
我帖最上面所讲的波形是Id、Is,Id对应的是MOS管D极流入的电流,Is对应的是MOS管S极流出的电流。那么这两点电流波形,我们用的是电流探头卡在相应极的回路中,换你的方法,你会怎么测试? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电流探头测试连续的电流或者半波、全波整流以及晶闸管控制的电流信号还马马虎虎,但是测试频繁断续的电流波形就基本看不清波形了,有可能只会显示几个波峰的高频杂波信号。这一点看你的测试的波形特征很明显。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 当测试电流波形的时候,必须反映电流在一个完整的周期随电压同步变化特征。你测试的这个6us上升在波峰中断又在水平线上产生电信号,是否可以在你的显示上面同时出现两个以上的波段。建议你最好能够先用1ms 2ms 5ms测试出开关管动作的时间坐标,再用微秒级扫描时间进行定位。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上面全屏刻度差不多是就一个周期,你说两波段难道你指是两个波形不成。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 任何直流电源因为整流、钳位的关系,在回路中形成差别很大的阻抗变化,电流的峰值与谷值相差很大,也可能出现断流的现象,这些电流特征应该在示波器显示器的曲线上面看清楚。你用微秒去测试,这可能看见电流变化过程中的很小一段,并且这个波形可能是无关紧要的,也可能是电源里的干扰信号。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样说上面的电流折线你认为是断流了,同时表示这个波形可能是无关紧要的和干扰信号。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 起码你要有理论依据让人信服你的观点是正确的。
不然我明知上面的波形不是你说的那回事还去左测右测岂不是我闲得慌吗! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我们这样费点功夫探讨,并且把测试图片测出来,问题搞清楚,对其它网友是有帮助的。
是不是你没有时间进行测试。因为你已经在原边进行了测试了,我觉得测试这个电路次级应该很快啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | 看到这个图我就想到了一个问题,就是在MOS管DS之间加一个贴片电容测试辐射会好好多,测试波形会很漂亮,但是输出效率在原来基础上会低,这是为什么?在MOS管DS之间加这个贴片电容主要起什么作用?原理是什么? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 通过减缓MOS开关瞬间电压变化速率来降低辐射,Dv/Dt,一般越快速的开关会产生较高的辐射能量。由于开关时刻速度变慢,MOS的开关阶段过渡损耗增加,效率也就降低。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 1:你的意思就是加了这个电容的作用就是为了减小MOS管的在高速开关瞬间的电压变化率?
2:你的指的由于开关时刻速度变慢是不是就是MOS管的开与关速度变慢了,开也慢了,开也慢了?DS之间的这个电容就是改变了MOS管的开关速度吗?从而变压了电压与电流的变化率? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1,是的
2,C的存在,DS两端的电压变化增加了一个C的充放时间,把MOS开与关的这段时间拉长了,从波形上来看是上升沿和下降沿比没有C要平缓,因此电压电流变化率降低了。 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | 效率降低这个不是主要原因,主要原因是在MOS管关断器件,这个电容储存能量,在MOS管开通,这个能量是通过MOS管纯粹消耗掉,这才是效率降低的原因。 |
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| | | | | | | 看到了史厂长,现在来坛里,我就不用像以前那么自卑了。 |
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| | | | | | | | | 是不应该自卑,但是得有自己的心得,你的特长是什么? |
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| | | | | | | | | | | | | 你脸皮薄的人又拿不出测试波形的效果图片供大家分享。 |
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| | | | | | | 开关电源的基本特性中,一般并没有对容性负载能力做出严格的规范。一般电源都可带相当容性的负载,但考虑到电源的过流保护能力,尤其是输出短路保护,容性负载能力不可能太大,否则保护能力变差。
可以用软启动的方法使输出电压缓慢建立。对自馈供电来说,软启动时间长就难以启动,这时要增加VCC电容容量。VCC容量大,对单独依靠芯片内部电流环起短路保护的模块会有影响,因此必须在容性负载和过流(及短路保护)之间找一下平衡点。
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| | | | | | | 楼上说的是4楼的图,好眼力,一眼看出问题,此图已在17楼更正了。 |
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| | | | | | | | | | | 厂长你都不知道,人家测得哪里的波形,波形什么意义,就在这边瞎扯。
是不是在你的世界里电源就没有任何问题,都是测试的问题?? |
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| | | | | | | | | | | | | 我基本知道的,开机关机时的延时波形,其实测这个意义不大,其一,这样测反应不出电压与电流的关系,其二,关机时的电压瞬时值也不知道,其三,负载不同时所谓的延时也没有什么意义。
通过测试波形可以分析电源的功率特性,频率等问题,避免电源轻载或超载运行发生故障。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 通过测试波形可以断定电源工作在什么负荷状态就行,可以为选择电源元器件参数提供帮助,并且保证电源在额定条件下能够长期高效、稳定工作就有意义。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 只能说是弃本逐末,你根本不明白上面测试波形所要研究的意义,而一味追求你的开关机波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你大概理解错了,我不关心开关机的波形(去扑捉瞬间电信号)。我只关心电源长时间运行的状态时的工作波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 长时间运行状态的工作波形与开关机瞬间的波形有什么关系 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 长时间运行与开关电源的开关频率,脉宽、波幅等等有关系,它是一个有规律的循环往复的状态。
开关瞬间的波形与开关电源时的电压瞬间值有关,是一个千变万化的状态,没有任何规律可言。 |
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| | | | | | | | | | | 回复史厂长,关于224楼问题,
对应1楼波形,蓝色为反激电源MOS的S极流出的电流波形
黄色为MOS D极对GND的电压波形 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 也不能这样,有争议时多花点力气说明下没关系,前提是要合理,没有合理的原理支撑就没必要讨论太多,费时费力无用。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 如果他懂就不会老拿那些错误的理论在说了,而且好多人都在用心去说,他还不是一意孤行?
难道真的是真理掌握在少数人手里??? |
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| | | | | 反激波形结贴了,能否重新开贴讲讲正极波形、半桥波形、全桥波形。 |
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