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已解决

【求助】如何有效解决正激类同步整流管的二次导通问题?

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1
荨麻草
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版主
  • 2014-7-11 00:22:33
10问答币
【问题描述】:
图(a)
正激变换器同步整流,续流MOS管存在令人纠结的二次导通问题,如图(a)所示,当续流管(Freewheeling Mosfet)的门极驱动信号Vgs关断时,续流管的Vds电压上升(上升斜率dv/dt),由于Mosfet存在Cgd与Cgs,如图(b):

图(b)
于是,dv/dt在Cgd与Cgs上产生分压,在本来已经疲软掉的Vgs信号此时又勃起了,如图(c)所示[注:测试条件为高压75V输入,5V-24A满载输出,红线为Freewheeling Mosfet的Vds电压波形,黄线为Freewheeling Mosfet的Vgs电压波形]:
图(c)
问题就出在这里:一般的同步整流MOS的Vth(on)都很低(高温时Vth(on)更低),Vgs的再次勃起直接导致了续流管(Freewheeling Mosfet)的二次导通,由于此时Forward Mosfet是通着的,这个二次导通可能造成的灾难性后果是变压器的次级线圈短路。

【求助问题】:用哪些方法可以让这个Vgs的尖峰压到Vth(on)(大约1V)以下,避免二次导通?
PS:目前尝试过得方法有:
1.增大Forward Mosfet的门极驱动电阻
2.增大初级测MOSFET的门极驱动电阻
3.更换MOS
但效果都不理想,衰。。。

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Mitigatioin Methods for Parasitic Turn-on Effect Due to Miller Effect.pdf
not2much
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副总工程师
  • 2014-7-11 03:55:51
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荨麻草
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  • 2014-7-11 09:06:02
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非常感谢,我先研究研究哈
荨麻草
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  • 2014-7-17 23:51:16
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受限于其他方面的原因,最终选择了Vth(on)高一点的MOS,多谢不二兄提供的资料
not2much
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LV8
副总工程师
  • 2014-7-18 00:09:27
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其实我没有类似的经验,只是看过这篇文章,觉得可能和你的有关联。
eric.wentx
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  • 2014-7-11 04:04:21
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经常勃起不好啊
荨麻草
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  • 2014-7-11 09:05:14
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对呀,医学早就证明经常勃起会折寿的
谢开源
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总工程师
  • 2014-7-11 09:14:17
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用同步驱动集成IC会方便很多,死区时间可以调整。
greendot
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专家
  • 2014-7-18 12:29:33
  • 倒数2
 
为什么会有两次勃起?后一个较强,振荡频率较高,吃了药乎?
荨麻草
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最新回复
  • 2014-7-18 15:28:58
  • 倒数1
 
哦,是吃药了(续流管用了Active snubber,所以。。。)不过,这个好解决,调整一下与active snubber p-mos串联电阻的大小就Ok了
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