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未解决

12V1.5A电源适配器温度高、 MOS管VDS高解决办法?

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我现在
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LV4
初级工程师
  • 2014-7-22 13:47:21
20问答币
1、用AP3771AK6TR-G1BCD+CS6N60A3D+EF2020+SB3100(两颗DO-201AD封装) 18W12V1.5A电源适配器,电源工作在DCM模式下。
输入电压范围:90-264V 输出:12V1.5A 配线长度及型号:1.2m/20AWG
外壳尺寸:83*45*33mm(全封闭) PCB尺寸:72*35*1.6mm(纸板)
样板PCB如下:



2、测温条件及测温数据
测试条件:输入电压:220V,输出功率:12V1.5A 用外壳全封闭
MOS管(Q1)与输出整流二极管D3D4上无散热片
测试数据:C1电容:76.2
C2电容:61.8
Q1(MOS)115
T1(变压器磁芯与线包之间):98.4
D3(整流二极管)102.5
C4(滤波电容)68
115V230V平均效率:80%
3、变压器参数



LP=0.69mh(测试条件:1V 10K)
LPK=0.006mh(测试条件:1V 10K)
4VGSVDS波形
下图的测试条件为:输入电压:230V 输出电压电流:12V1.5A
CH1通道测VGS波形 CH2通道测VDS波形





请问各位高手,如何解决以下问题:
一、 在不加散热片的情况下降低Q1(MOS管)、 T1(变压器磁芯与线包之间)和D3(整流二极管)的温度?
二、 通过什么方法提高整机的效率,平均效率大于85%最好?
三、 在上图示波器所测VDS的波形中TR(磁芯复位时间,即那个平台)这段时间的电压是不是应该为:
VAC*1.414+NVO+VD=230*1.414+7*(12+0.4)=411.22V,但实际波形电压为500V,不知那将近100V的电压是那来的,我已经实测在此条件下VDC(C1电压)不超过325V?
我是初学,请给位高手不吝赐教。




收藏收藏1
hwx-555
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LV10
总工程师
  • 2014-7-22 14:00:38
 
你的文件打不开
1与2,把效率提高也就降低了温升
可以从,尽量降低的Ipk使MOS损耗小点,变压器铜损、铁损有没平衡过,测测线与磁芯温度,二极管用较低的Vf
3,看不到图,你计算的是Vin+Vor,实际VDS中顶部还有由漏感与Coss产生的振荡尖峰叠加,所以肯定不是上式计算值,要高些
我现在
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LV4
初级工程师
  • 2014-7-22 14:06:35
 
您在受累给看看,我把图重新传了一遍。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-7-22 14:18:27
  • 倒数10
 
反射电压是100V左右这个是没错的,从图上可以看出来,输入电压应该是400V左右,你可以测量大电容上的电压看看。
我现在
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LV4
初级工程师
  • 2014-7-22 14:49:11
  • 倒数9
 
多谢王工,令我郁闷的原因就在这呢,大电容上的电压我用示波器和万用表都量了,不到325,绝对到不了400V.
YTDFWANGWEI
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  • 2014-7-22 15:00:55
  • 倒数8
 
那么,校准一下你的探头吧,呵呵。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-7-22 15:03:01
  • 倒数7
 
再仔细看一下波形,反射电压也比13*7大,按照比例来说,你的示波器探头将实际信号放大了1.25倍左右的样子。
我现在
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LV4
初级工程师
  • 2014-7-22 19:59:59
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我明天校准一下探头吧,王工,我如果用PQ2020的磁芯是不是更好一下,效率能提高多少,温度是不是也能下来?
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2014-7-23 08:28:56
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效率这个东西,没法说,只有自己做才清楚的。
我现在
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LV4
初级工程师
  • 2014-7-23 10:30:41
  • 倒数4
 
第三个问题,已经证实王工的判断,确实是探头的问题。现在已经测得波形正常。请各位高手支招如何提高效率,感谢各位!
THTTH1982
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  • 2014-7-23 18:39:53
  • 倒数3
 
上个原理看看。据最新情报。可以做到88左右。效率提升,MOS的温度可能会下来。

我现在
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LV4
初级工程师
  • 2014-7-23 21:33:01
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您邮箱多少,发到您邮箱里,不然公司查起来就不好了,不能留下话柄的!
THTTH1982
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  • 2014-7-24 11:12:07
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