| | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | 电压型脉冲变压器驱动:特点:简单;很便宜。注意:有高低变驱动互耦现象,窄脉冲时驱动比较差。栅电阻不宜过小;否则驱动会有震荡。适合中小功率使用。
点击查看大图 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | 对于变压器驱动来讲,驱动网络可以等效成RLC:
点击查看大图 |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | TL是驱动变压器的漏感。由于驱动变压器的励磁电感很大;对高频讲,感阻抗很大,这里等效成开路。
RLC的临界稳定R值就是能用的最小栅电阻。通常;FET/IGBT的栅电阻控制在150欧以内。 |
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| | | | | | | | | | | | | 个人感觉,这个R不宜过大,也不宜过小。
过小的话,驱动会有震荡。过大的话,米勒效应很严重。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 米勒效应严重的后果是带来损耗的增加吧~
记得许工在哪里说过,还有故意增加米勒效应的,不知道是出于什么方面的考虑?EMI ? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 故意增加米勒效应?不会吧。
米勒效应增加的后果,就是增加了开通损耗。
EMI跟驱动上升沿有关。
如果米勒效应严重,可以在GS并联一个小电容,同时减小驱动电阻,这样,既减小米勒效应,也会让驱动上升沿不至于震荡。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | /*********** 广告已删除 ***********/ |
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| | | | | | | 桥式驱动,我觉得最难的是上管。
如果有自举功能的驱动IC,自举二极管的反向恢复时间,就非常重要。
如果是一拖2的驱动变压器,两个变压器次级的互相耦合,非常得让人头疼,一个管子导通时候的尖峰,很容易就耦合到另一个驱动上,搞不好就有二次直通现象。
许大师,在这方面有何妙招? |
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| | | | | | | | | 其实这个问题,我觉得是本帖最应该讨论的。
这也是桥式驱动最难搞的地方。 |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | 我常用的因地制宜;两大招,仅供参考。
对于软开关:
1)用快恢复体二极管的MOSFET或高速IGBT
2)驱动器连到最近,距离最好在1CM以内
对于硬开关
1)用低弥勒效应MOSFET或IGBT
2)慢开快关 |
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| | | | | | | | | | | | | 寄生体二极管反向恢复一般都不会很快吧?这时候是不是要在DS两端并联一个超快恢复的,以屏蔽内部寄生的? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 张兄的这个问题,引起了一个思考:
两个二极管,一个快恢复,一个慢恢复。现在将两个二极管并联在一起。看作一个整体,反向恢复时间是变长了还是短了?(我不该打你们的打杈了吧,表示歉意~) |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | 好问题!
并管!除非MOSFET上串肖特基,貌似有用实则添乱。 |
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | 快恢复的管压降大啊!电流自然从低压降的回路流啦 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | 米勒效应最终需要驱动内阻来帮助才能兴风作浪,因此;减小驱动器阻抗和减小米勒电容电流都能减弱米勒效应。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我在运用SIC-MOS时经常由于CISS太小会故意在GS并联小电容,防止GS震荡导致误开通,和你这个原则是否违背? |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是我对你这句话的理解有问题,
不多说了,先仔细看一下,学习一下 |
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| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | 用平面外延功率MOSFET;工作频率比较高时;需要考虑。一般;由于沟槽工艺的MOSFET寄生值很小,可以不用关注。
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | 光耦隔离驱动。中低频场合很有用,供电有些麻烦,受温度等影响比较大。不同光耦差异非常大,有些型号不太适合用。
点击查看大图 |
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| | | | | | | 请教一下,你用这个驱动半桥,那么这个光耦副边需要驱动电源,这个电源相对哪个地?应该是下管的S极吧?那么上管的光耦的电源如何给?谢谢。 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | |
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| | | | | | | | | | | 这时候我做的多路隔离的反激电源就可以做为辅助电源来发挥作用了,呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | 你这个多路隔离,可以用输入低压(如10~15V)的方式么,比如你的辅助电源有个输出为12V,这样设计反激会容易点,或许不用反激? |
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| | | | | | | | | | | 用一个反激输出的电源,那么此电源的负极直接接在上管的S极上,会不会有问题?因为那个S极的电位是跳动的,这样行不?多谢。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | 没问题!大家已经用了20年以上了!
不过;需要注意几点:
1)不能装Y电容
2)建议一/二次间装屏蔽
3)开关电源最好在一次稳压或用非驱动绕组稳。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 多谢。有几点问下:
1)一二次间如何加屏蔽?为什么?让驱动的di/dt减小?EMC考虑?
2)为什么不能用驱动绕组稳压?防止控制紊乱? |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 铜箔屏蔽,有的说的屏蔽绕组不知道是不是就多绕一个线圈呢? |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那为什么不能用驱动绕组电源稳压呢?不用这组稳,那么这组电压会不会波动较大呢? |
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| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我见过的也是用铜箔屏蔽的,但是也见过很多原理图画了个线圈,说是屏蔽绕组,不知道通知他是什么意思 |
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| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵
许工给解释下画的那个屏蔽绕组是什么意思?
难道就是平时接的铜箔吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 有个问题想继续问一下,如果用光耦驱动,光耦(如TLP250)的芯片地能够电位与S点相同么?因为S点跳动,会不会干扰到光耦?原来UPS中是要产生一个负电源,所以光耦的芯片地与S点是电位不相同的。现在驱动MOS,芯片地与S点电位相同不知会不会有问题? |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | 可以接!
这是功率光耦;已经为功率驱动做了屏蔽,一般的UPS又不是特别高的频率设备,不会有啥大问题。 |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | 功率光耦隔离驱动。呵呵!有点贵,供电有些烦,40K以下还是不错的。
点击查看大图 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | 买个就体验到了。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | EXB840 |
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| | | | | 许工 我原来用IR2110 逆变 芯片一个劲的烧 烧了40片 至今不明原因 还请指教哈 |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | 驱动电路有问题啊!可呢能用FZT651/FZT751做图藤缓冲驱动输出更简单。 |
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| | | | | | | | | | | 请问下R105、D19跟R109、D21有什么作用? |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | |
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| | | | | 许工 我是11楼 下面那个图不是我贴的
其实我的图没什么 就是按照手册上接的 现在找不到了 我给你描述下吧
烧的很奇怪,在稳态过程中不会烧 可以一直工作 就是改变spwm的载波比或者调制深度时 芯片就容易烧 而且只烧高端驱动部分 低端一直好的 |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | 麻烦将详细点。如多大电流多高输出电压时出问题;啥样状况是好的。好的时候;IC是否热? |
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| | | | | | | | | 呵呵 谢谢许工了~看来我这个问题一时半会儿是说不清楚了,我还是自己去琢磨琢磨吧,谢谢你~ |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | 我是怀疑开关沿上的负压,可能干扰了IC及FET工作造成炸机。可是;这需要波型图或实物/PCB的照片做判断。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | 分享经验而已!多指教! |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | 厚膜隔离驱动电路!大功率IGBT驱动首选!最早实用的是EXB84X系列,后来是三菱的ML系列,再后来就多了;很多人都在做。光电隔离的以日系为多;脉冲驱动的以赛米控为代表的德系多见。 |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | 虽然做厚膜驱动的人很多;貌似质量层次不齐,原理大体和最古老的EXB84X系一样。
最大问题是实际工作时的IGBT压降和保护延时有关,大多数二线厂家的参量不高;工艺控制有问题,导致产品早期失效较多。 |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | 脉冲调制的隔离驱动!这可能是目前最准和抗干扰的隔离驱动了!呵呵!
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | 就是用这RC定时的。保证触发后;在一个调制周期里C保持低电平门限,过了一周期;达到高电平门限。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哈哈谢谢楼主的这个RC学到一招。好比九阴真经!!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 那意思就是有个小延时?或者可不可以理解为滤去干扰噪声? |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 延时的时间是和RC时间常数以及高低电平的界限有关吧,不知道版主的1/1.5周期怎么计算出来的呢 |
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | RC时间略大于半周期才能用。
最差情况是关闭时的前一瞬间;电路刚好放出了脉冲后沿;电路被触发。你看是否没延迟了这些时间? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个思路是理解的,但是要是详细去算的话,电容上的充放电是指数形式的,计算起来还是很复杂的 |
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| | | | | | | | | | | 定时的时间=R*C = 1K * 36PF = 36 纳秒 ,这样的定时有什么意义呢? |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | 27M的周期为37纳秒,加上门电路的5pF,刚好滤除一个周期的调制脉动。 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
- |
- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | 这样;持续脉冲就可以产生连续驱动输出“开”了。脉冲列间歇达到一个半周期;驱动输出就变为“关”。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这不就是单稳态的思想嘛。。。。。。
如果仅用RC作为单稳定时,后面的“门”要用思密特。否则出现中间电平状态。 |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | 是的!所以;后级要用IR442X系列施密特功率驱动器。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哈哈,如果你不说的话,我还没有注意到IR442X系列是啥呢。。。。。。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
- |
- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | 逻辑关系图:
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| | | | | | | 由于我这是一个新手 很多不懂的
能说明上面的那个电路图是驱动那个mosfet的呢??
谢谢许工 |
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| | | | | | | [size=14.399999618530273px]请问晶振的作用何在? |
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
- |
- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
- |
- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | 光耦无源驱动系列。呵呵!可能是最间驱动方式了。
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| | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
- |
- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | 隔离无源脉冲调制驱动:
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| | | | | | | | | 同样的问?另外那个Q2 我见过的一半是接在驱动电阻前面, |
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| | | | | | | | | | | 可能是没有D5,Q2就没有用了,Q2没有用时这个电路的关断是不太好吧。 |
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| | | | | | | | | Rg很小,R很大,没D5,Q2是不会起到加速关断Q的作用 |
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| | | | | | | | | | | 有道理,可能是与Rg一起提供发射结正偏这个条件的,最主要是Rg很小,要是大了就延时导通了 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | 那是! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我感觉这个Rg也就在几欧到几十欧吧?这样可以吗?许工 |
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
- |
- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看看81楼的问题哦,我同时回了2贴,也想知道那贴的问题哦 谢谢了 |
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| | | | | | | | | | | 没有D5,Q2就不会加速MOS的关断,请兄台仔细说说。谢谢。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | 说的没错!若没这二极管;在没驱动信号时,R和Rg分压;无法保证Q2基极电位安全的使Q2可靠道通。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | “在没驱动信号时,R和Rg分压;无法保证Q2基极电位安全的使Q2可靠道通。”没有驱动信号时,就是分压,也还可以满足三极管发射结正偏,集电极反偏啊?你的意思是不是RG与R相比太小,可能不到0.7V?这个2个电阻能不能给个阻值分析下?谢谢喽 |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | “Rg可以小到0欧。”说道这里,请教一下,见有的板子上有0欧电阻,这个阻值是0欧,那和不要这个电阻有什么区别?区别我知道当然是有的,我就是想知道是什么区别?请指点 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Rg影响 EMI 和 交越损耗 ,看你如何去平衡。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个值大了,驱动上升沿比较缓,EMI特性好,但是损耗大。这个理解对吗?老兄
另外我想知道0欧电阻和短路有啥区别?帮忙解释下,谢谢了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 字数不一样?
在一个单片机开发板上看接了0欧德电阻,还真不知道是怎么回事,实际中有0欧的电阻吗?还是实际接的时候就用导线接起来了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哈哈,老兄。 通常是为了预留焊盘,万一有问题好补救。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这贴本来就是公开的嘛! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵 管理员理解错了,我是接楼上兄弟的话,让他帮我看看那个帖子的问题,希望他发表点观点 |
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| | | | | | | | | 我也感觉怪怪的,所以65楼只是感谢许工回答,没敢说“明白了”。。。。。 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | 这个电路适合的驱动频率不太高,一般40K还是很好用的。
由于调制周期只37纳秒;RC滤波很小,通常设在100nS等级上。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | | | 今天太早了;晚些给上个。 |
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| | | | | | | | | | | 请问许工RC应该怎么选择呢,看样子好像应该在驱动由高变低的瞬间c里边的电要放掉才行,我这样理解对吗/ |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | | | 每周期只37纳秒;多放几周期没关系的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 许工:我说的是36楼的Q1与T这部分电路有点问题啊,不知你是怎么认为的? |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | | | | | 输入逻辑“1”时;封锁输出(或非;见“1”便输出“0”),Q1关。输入“0”;逻辑输出“CLOCK”,Q1开关工作。
输入逻辑是“负”逻辑。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | 时序图:
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | 正向驱动时;Q2基极电压高于发射极,Q2断开。整流后的信号经D5/Rg向Q栅极供电而使Q导通。
关Q时;驱动脉冲消失;在Q2通以前;Q栅电压在D5作用下保持不变,而D5阳极(Q2基极)电压由于C1/R放电而下降。当电压下降到比Q栅极电压低0.6V时;Q2开始通过C、E来泄放栅电压。栅电压跟随Q2基极电压而下降(射极跟随)。 |
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| | | | | | | | | 完全赞同你的分析!D5是用来“保持”状态(目的,可能是提高抗干扰能力,比如:上面宽的控制电平受到干扰瞬间变低几个时间)。C1 *R 是控制 D5的保持时间的。加速截止,是PNP三极管导通结果。 |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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| | | | | | | 这个电路,开关都没问题,但同一桥臂的另一管子导通时8550能把Q的栅极控制在1V以内吗?这个电路的后半截用过,不是太理想 |
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| | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | 最牛集成驱动:IR2238Q
饱和压降检测、软关断、输入噪音滤波、PFC/过压泻能一应俱全!尤其虑窄脉冲噪音,即便幅值很高;照样能干掉!
特别适合逆变器场合
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | | 一个超复杂却很实际的问题!
从经验看;死区时间是由开关速度和其它边界条件决定的。而这些条件限定的背后是PCB/结构;器件特性;控制及驱动电路问题。
如常用的驱动末级用图腾柱。常温下,用3DK9D/3CK9D或8050/8550时;“开”脉冲输出延时大体在25~50nS,“关”脉冲延时是150nS左右。如果要输出逻辑不重叠,需要死区时间:td=toff-ton。
所有相关级联延时做加/减后;就是需要的最短死区时间。
注:工程中;需要考虑温度对每个器件延时的影响。 |
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| | | | | 哈哈,冒昧,我有个疑问
象17楼,32楼,36楼那么复杂的驱动方式在什么情况下才有必要用到呢? |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | |
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| | | | | 许工开了一个很好的帖子,讨论目前的主流驱动电路。
我这里说一些我个人的体会,集成驱动电路是未来的趋势,一种是隔离式的,一种是非隔离式的。
非隔离式的以IR的2181系列为代表,目前已经在半桥,全桥和推挽电路中有广泛应用。
隔离式的集成驱动电路是近年来兴起的,代表了未来驱动IC发展的方向。
众所周知,在隔离式的DC/DC电路中,如果采用原边控制,那么电压和电流采样信号就存在隔离传递的问题,很容易引起失真,导致控制精度变差。
而如果采用副边控制策略,电压和电流采样不需要隔离传递,控制精度高,但驱动信号与原边的开关管之间需要隔离。
常用的有两种隔离驱动策略:光耦隔离和磁隔离。
光耦隔离在低频场合应用较多,在高频场合应用很少,由于光耦的延时问题,性能随时间和温度变化的问题,导致光耦隔离驱动不是一种优选的驱动电路,逐步会淡出电源驱动领域。
磁隔离是最为合理的隔离驱动方式,高速(几乎无延时),性能稳定,驱动能力强,单路供电(通常只在驱动信号侧),所以在隔离驱动方面应用最为广泛。
但也要看到,随着电源体积越来越小,驱动变压器与驱动IC的组合或者驱动变压器与推挽驱动电路的组合仍然会占据较大的空间和PCB面积,集成化的方案就提了出来。
目前有应用的是ADI的ADUM1234和ADUM5230这两个系列,在一个驱动IC里面集成了单片式变压器,完成了隔离和驱动两种功能,但驱动电流太小,只有0.1A,据说年底会有1A以上驱动能力的隔离驱动IC出来。
另外一类是Silicon LABS的SI8233系列,同样是具备隔离驱动能力的IC,但里面不是用磁隔离,只提到了是基于半导体的隔离势垒,不知道具体是什么技术,最大工作频率可以达到8M,驱动电流可以达到4A。
以上两个公司的产品都是最近一年推出的,还未大量应用,但我相信随着IC厂家的发力,隔离式的驱动IC必将取代驱动变压器+驱动IC的组合,成为未来隔离电源驱动电路的主流。 |
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| | | | | | | 好观点。有几个问题想交流下:
1)光耦问题,目前有些高速光耦,其延时不超过100ns,对于100K以下的频率应该没有问题;另外,你说光耦性能随时间和温度变化很大,能否说是什么参数恶化?
2)在有些场合不适合使用磁隔离,如占空比太大的场合,比如PFC,INV电路中,可能还是要用光耦隔离吧?不知其随时间和温度的影响,会有什么影响?
3)你提的ADI的产品,确实不错,不过其归根到底应该还是一种磁隔离,对于PFC,INV电路可能不适合应用吧?
多谢 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | 1)不是延迟100nS;是沿短于100nS。高速光耦延时在400nS左右。由于高温时的传导系数大;而低温时偏低,导致光耦实际被过驱动,引起延时随温度变化。
2)只要频率不是很高;没有不适合磁隔离的场合。大占空比信号可以用调制方法传输解决。
3)只要加末级功率放大;可以用在PFC等场合。 |
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| | | | | | | | | | | 你说的大占空比信号用调制方法解决,能否给个示意图?多谢。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 這個圖可以作為ACF的驅動??。。當輔管接法為低端的時候。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | "50%" 这结构;别想逃过脉宽范围限制!对了;建议审核一下波型图,就你每个波开始的上翘尖;说明路还长着呐。 |
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| | | | | | | | | 很多驱动占空比都限制在50%,比如桥式,或双管正激,半桥,脉冲。本来此电路就是高可靠的地方使用的。我都用很多年了。
每个波上翘一点很正常,我20年的工作经验告诉我,波形很好啊。
上翘是由于漏感与栅极电容谐振引起的,难道大师觉得串电阻来抑制不够,想把上翘都去掉吗?
电路当然有可改进的地方,但最需改进的是驱动变压器。 |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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积分:131408 版主 | | | | | |
50%主要在LLC和移相全桥里用。正激范围多是0~50%。窄脉冲时;输出就有问题了。
上翘有两部分,一是LC振荡;二是一/二次偶合。后者将导致输出脉冲奇变。 |
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| | | | | | | | | | | | | 我的驱动就是为避免50%占空比是共态导通而做的。
窄脉冲,很好的问题。许多驱动都存在此问题,对此讨论不多。但不是每个人都知道的。足见阁下观察很细。
窄脉冲问题有两种情况:
1.后级幅度足够,峰值电流回馈到初级,此时会在我的管子上造成高压。此时间很短,基本是纳秒级,20M示波器抓不到。可是二极管就不能是稳压管吗?尖峰不就钳位住了吗。功率没有问题,管子耐压也没问题。
如果是普通图腾输出,比如桥式驱动等。一般是需要增加对电源钳位二极管的。此电流输出到电源。
2.驱动幅度不够,反馈到初级的电流没有前面说的大。后级会有一驱动干扰,但也就是管子在瞬态打不开而已。所有驱动都有这个最窄占空比限制。实践证明,不会影响工作,器件功耗可以承受。
我的驱动驱动速度很快,驱动管可以输出几十安培,不次于任何一种变压器式驱动器。限制只是漏感。
所有变压器式驱动都有上翘,对你有影响吗。 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | 全脉宽输出的变压器驱动;就是耦合干扰和宽度限制问题。
高频调制能将这些问题都解决。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 窄脉冲问题跟隔离基本是两个问题,高频调制也有窄脉冲问题。 |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | 高频调值产品能做到37纳秒脉宽;周期不限。 看看你的沿。。。 |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我只增加一个二极管,电容都没有,元件多么?你怎么知道我的沿不陡,我又没有告诉你速度。别人只说我驱动太快,说我慢的,你还是第一个。 |
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| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | 速度快是相对结构说的。好的结构;允许更快的驱动速度。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 复杂的电路我看不上,我只用最通用的器件。随手可抓的,可以随时升级为军品级。
几乎所有的拓扑我都做过,真正好拓扑都是最基本的。调制驱动,我10年前还真用过。论反映速度没问题,可是复杂了,成本高。有几个用的。
单说驱动,各大公司,推出的不知多少,IR的我也用过几种,最后还是用自己的,就是简单,便宜,可靠。
工程师讲究实在的,就如同3842到现在我还喜欢用,便宜。
现在小模块电源做的人多,频率也高,对驱动要求也高,但总不成你要用射频驱动吧,那我可达不到,我也只能用现成的。
我介绍的都是低成本高可靠方式,不涉及学术讨论,20几年了,忘光了。 |
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| | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | | | 分立元件可靠?如果你计算过失效时间;就不会这样说了。如果真用军品,成本一点都不低。看看怀格里的东西;你就知道啥是真的军品。
国内军品电源见过无数,很多只有温度概念。还有用384X做军品的,也号称高低温老化过,一计算失效时间就傻了。
成本?如果和人命比;有值几个子?战时,如果你的产品因当初成本问题而导致失效,那是卖国!罪人! |
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| | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | | | | | 建议多看看日/美产品。虽然那帮人很讨厌,可人家的产品做的很到位。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 许工在IR工作吧?IR公司的产品,量大品种多,平时用得最多了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 你是IR的吧,要不要合作一把,把我的驱动做成芯片?用途很广的。 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | ADI已经有调制驱动IC了,比你的速度高多了。 还是隔离的;兼容逻辑驱动。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 多少银子,隔离电压?我在清华大学见过有人用,咱用不起。
让你动不动就用好东西,你也不过是在推销你自己而已。
论年纪,本不该跟你较真。
我只想对网上真正的工程师们说,有些技术好看,不好用。
拜拜。 |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | | | 4路驱动;零售不到RMB20。很贵?
我只对技术负责;从没卖过一个元件,更不用推销。 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131408 版主 | | | | | | | | 就这速度;留着自己玩吧。早就淘汰啦! |
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| | | | | | | | | 这种变压器驱动在小占空比下就傻眼了。只适合固定脉宽如LLC电路使用。 |
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| | | | | | | | | 许工您好!这个帖子关注很久了,有些地方还请点拨下晚辈。
建议一二次屏蔽,那这个屏蔽铜箔长度有没有要求呢。一般在开关电源中,屏蔽铜箔长度不一样,在高频工作下,这个寄生电容耦合的电流大小会差异很大,对EMI有很大的影响。全桥驱动,独立供电电源用1个输出3路独立隔离电源可行? 输出绕组之间是否需要加屏蔽,那这个屏蔽点怎么选取呢。 |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131408
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| | | | | | | | | | | | | 用在逆变全桥驱动ic隔离供电。信号隔离驱动是高速光耦6N137+驱动IC。
多路电源1路供2下臂,另2路分别供2上臂。次级下臂供电这一路用来稳压。准备实验这两组效果差异.
一种变压器结构是: 原边 / NAUX辅助 / copper / 次级稳压绕组NS1/上臂绕组NS2 / 上臂绕组NS3。
第二种变压器结构: NP / NAUX 反绕 / NS1/ NS2 /NS3。
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131408
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