 |  | | | | 我目前只能如下理解： 这里降低的磁导率的确是指平均磁导率，至于为什么B-H曲线会偏移，我猜B-H曲线上的H也是指磁路中的平均磁场强度吧？而实际同一磁路中磁通量Φ是处处相等的，上图中磁芯面积处处相等，所以磁通密度B处处相等。根据B=uH,所以磁路中磁芯处的H和气隙处的H相比等于两者磁导率的比值，应该是相差甚远的。
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|  |  | | | | | 增加气隙后磁芯可以看做是包含了气隙，其整体的等效磁导率降低 |
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| | | | | 增大工作区，是因为剩磁Br减小，磁滞回线斜率变小，延长了线性形态，防止饱和。但是气隙的加入增大了相对磁导率u，是的高频涡流损耗增加，磁场强度H增加，意味着需要更多的线圈匝数才能达到没开气隙时相同的磁通. |
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| | | | | | | 气隙的增加，是使得有效磁路长度le增加，le=l+lg （l为物理属性磁路的长度，即实际磁芯磁路的长度）
而H=0.4*PI*N*I/le的，使得H减小，则B=u*H减小，从而使得防止饱和。
当然，依据感量L=u*(Np^2)*Ae/lg的公式，增加了气隙后，必须要增加匝数N才能使得电感量达到原来的大小。不过L是和N^2成比例的，比如气隙增大为原来的n倍，则N需要增大为原来的sqrt(n)倍以使得感量不变，从而最终得到的H减小为原来的1/sqrt(n)，即同时B也变为原来的1/sqrt(n)
所以最终在相同感量的情况下，B还是能够减小达到远离饱和点的目的
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-12-13 21:55 编辑
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| | | | | 楼主可以看看陈为教授讲解的资料。专门讲解变压器这些知识，包括气隙与磁导率的关系
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