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| | | | | | | | | | | | | 说到反激式电源的MOS管的选择:
如果模式:DCM;
输入:90VAC~264VAC/50Hz
频率:fs=50KHz;效率η:0.85;
输出:Vo=24V; Io=1A
占空比:Dmax:0.45
必须选4N60以上的MOS |
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| | | | | | | | | | | | | | | 楼主的输入电压范围应该是全电压的85V-264V, 那么结合输出电压与匝比及裕量, 650V左右是比较好的一个选择. 至于电流,峰值电流1.5A左右的话,取3倍裕量,即5A左右, 最好取7N65 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | 100W电源,你采用什么控制方式,原边电流峰值1.5A? |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | 如果输入电压最低时刻,占空比选择0.45,那么输入电压最低值大概在100V左右,按照效率90%计算,输入功率110w,输入平均电流1A,即使是个方波,0.45的占空比,峰值也是2A以上,你能让他峰值电流1.5A?你厉害。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你这不是在讲废话?100W的反激,你难道还用2N60?4N60?7N60? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | [size=14.399999618530273px]这个不是废话,真正的废话是不说。我也是多看多学的,你要我说为什么选哪个MOS,我也说不好。我知道的是,[size=14.399999618530273px]在反激的开关电源里,针对MOS的选择有很多因素,和型号没什么直接关系。比如下图,100W的反激居然用到了10N,难道也是废话吗?
[size=14.399999618530273px]
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是居然用到10N,为了考虑温升,是必须用到10N,有的还要用到12N,看温升大不大。。那我也说一句,150W的反激,原边的MOS必须要7N以上。请问这句话有何作用? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个可以去参考MOS的应用范围. 不介意乱用, 只要参数达标 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么个应用范围?难道厂家还给出了多少W范围内用多少N的MOS?什么参数达标?怎样的参数达标? |
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| | | | | [size=14.399999618530273px]不错啊,又有新产品出来了,[size=14.399999618530273px]观望中
[size=14.399999618530273px]建议可以先把设计思路拿上来给大家参考参考,然后再慢慢去DIY你的设计
[size=14.399999618530273px]重要的是在显示你的PCB,测试之前,最好把设计思路,变压器制作步骤,都详细的说说 |
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| | | | | | | | | 帮了顶顶, 就是想看看这个楼主做反激有什么比较新颖的地方, 重要的是效率能不能做的最高, PF做到1, 各种保护精确, 安全可靠, 尺寸够小, 热量更低, 芯片不选3842等常规的就好 |
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| | | | | 100W的反激,如果用TOP做的话,也没几个零件。 |
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| | | | | | | 什么结构散热? 是说哪种拓朴设计热量更低? 还是说电源散热, 如果是电源散热,无非就是用吸热快、热阻小、去热快的散热片散热, 使用内部对流散热, 使用辐射散热 |
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