| | | | | 忘了说,瞬态抑制二极管(P6KE180A)一加大负载很快温度就超过150度,不知道在最大负载情况下正常温度是多少。 |
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| | | | | | | | | Vor=110V,变压器是打样的,现在手头上没有测量电感的仪器,Lp大概400uH,初漏感就不知道了,所以比较麻烦!最重的是要知道怎么调整参数,理论计算出来也相关较远的,不是理想的环境下工作!
初级40T,次级2T,三明治绕法! |
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| | | | | | | | | | | | | 那个反射电压Vor=(Vout+Vf)*n=110,只是一个理论的计算值,实际应该如何测量?? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你还可以将P6KE180换成P6KE220 并将R3改为62k R4去掉即可解决 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109895
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- 主题:142
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- 帖子:45928
积分:109895 版主 | | | 1、尖峰太大了,这个根本。
2、C不变,增大R,33K的电阻阻值小了。
3、还是应该想办法降低漏感才是关键。 |
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| | | | | | | 是由于漏感大引起的的尖峰大,归结到底还是漏感的问题,RCD吸收只起到抑制作用是吗。不知道电阻应该调到多大较为合适,最好有比较合适的RCD波形参考一下来调节。现在心理没谱,不知道调到怎样才合适。PI的管子的Vds波形与UC38系列的波形有点不一样,我测过一个UC38XX的Vds波形比较接近方波,就稍微有点振铃。
我把并在输出肖特基管上的电容换成104,振铃是缩短了,但电阻的温度飙上去! |
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| | | | | | | | | RCD吸收的最佳调整是在最大负载功率的情况下,吸收电阻两端的电压为1.8倍的反射电压。 |
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| | | | | | | | | | | 那输入要满足什么条件,是最大输入还是小输入电压的条件下? |
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| | | | | | | 有人告诉你答案了,你还在怀疑,版主已经说了:
1、尖峰太大了,这个根本。
2、C不变,增大R,33K的电阻阻值小了。
3、还是应该想办法降低漏感才是关键。
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RCD不是说把尖峰压得越低越好的,你得知道加这个RCD的根本目的是什么。
得有个平衡,器件耐压、温升、效率、EMC等综合考量。
另外,低压大电流不适合用反激拓扑,电流峰峰值比较大,效率也不高。
原边用什么IC,关系不大,说PI的芯片不能量产的,有点扯蛋。 |
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| | | | | 电路有问题。
------二极管并联问题会很多的. |
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| | | | | | | | | 分流不均。
二极管vf值差异随温度变化大,导致进一步分流不均。
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| | | | | | | | | | | 王工的分析是比较贴合实际情况的,我因为是大电流输出一个管子温度太高了怕满负载的时候承受不了,所以才用两个管子并联加大散热片的! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 为什么呢,这个IC不适合做大功率的电源还是效率比较低啊?目前国内开关电源市场用哪一款芯片比较多啊,还有性价比比较高的有哪一些呢? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个根本就不合适,在实验室完完可以,还有这种可靠性差,不信你批量做一下 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你用过这款芯片?可靠性差不差就不知道,我只知道有液晶显示器的电源部分用过这个款芯片,具体是哪个型号不记得了。不管是哪种方案哪款芯片想要对它了如指掌也并非易事,能掌握到七、八成就已经很不错了,毕业芯片不是自己研发设计的!
还有我个人觉得集成芯片的外围元件越少其稳定性越高。 |
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