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氮化镓高频反激,请各位给点意见

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rj44444
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  • 2015-3-6 14:59:27
如题,想用氮化镓管子将做个高频的反激,希望跑到200KHz左右。目前犹豫是用qr还是定频CCM。前者的话,控制芯片通常都限频到150KHz以下,难找到合适的芯片;后者同步整流又不好做,大家有什么看法?
纯属试验!
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eric.wentx
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  • 2015-3-6 15:11:39
 
200k体现不出GaN的意义.
rj44444
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  • 2015-3-6 15:17:22
 
考虑到现有控制IC的驱动情况,200K应该差不多了。厂家推荐跑到MOS管3倍左右
eric.wentx
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  • 2015-3-6 16:07:10
 
换DC-DC之类的,反激VDS过高也不是好事.
forestgump1003
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LV8
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  • 2015-4-28 09:28:59
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不搞1Mhz对不起管子都
st.you
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LV10
总工程师
  • 2015-4-28 10:34:06
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听说你在电源网那边已经做出来了,怎么还在这问来问去的?
rj44444
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  • 2015-4-28 10:36:19
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看看发帖时间。感觉频率太高没有意义,拓扑如果是传统反激,体积最后受母线电容制约更大,而不是磁性器件
st.you
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LV10
总工程师
  • 2015-4-28 11:55:29
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到最后,电源就电解电容最大个了
rj44444
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  • 2015-4-28 14:03:49
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跑到一百多KHz,已经是这样了
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2015-4-28 10:50:22
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没有必要为了高频而高频吧?
我手里还有能跑十几兆赫兹的MOSFET呢,硅管
rj44444
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  • 2015-4-28 23:03:06
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十几MHz的硅MOS?低压的吧。
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2015-4-29 09:06:20
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1000V,ID好像是20A的。
rj44444
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版主
  • 2015-4-29 11:58:29
  • 倒数2
 
规格书能挂出来看看?是不是理解错了,把射频用的那种MOS带宽当成开关频率了。600V的硅MOS,跑到百KHz的级别效率就不行了。
cdzx11
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LV10
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最新回复
  • 2015-4-29 12:02:41
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用来做D类射频功放的,比如工作在13.56MHz,开关速度几个nS。
我手里的管子是IXYs,这种管子大概不会有人拿来做开关电源,当初我买的200多一只,现在好像涨到400多了吧

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