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| | | | | | | 考虑到现有控制IC的驱动情况,200K应该差不多了。厂家推荐跑到MOS管3倍左右 |
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| | | | | 听说你在电源网那边已经做出来了,怎么还在这问来问去的? |
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| | | | | | | 看看发帖时间。感觉频率太高没有意义,拓扑如果是传统反激,体积最后受母线电容制约更大,而不是磁性器件 |
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| | | | | 没有必要为了高频而高频吧?
我手里还有能跑十几兆赫兹的MOSFET呢,硅管
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| | | | | | | | | | | 规格书能挂出来看看?是不是理解错了,把射频用的那种MOS带宽当成开关频率了。600V的硅MOS,跑到百KHz的级别效率就不行了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 用来做D类射频功放的,比如工作在13.56MHz,开关速度几个nS。
我手里的管子是IXYs,这种管子大概不会有人拿来做开关电源,当初我买的200多一只,现在好像涨到400多了吧
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