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| | | | | | | 诚心欢迎各位专家、学者发表各自高见。学术讨论,对事不对人。 |
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| | | | | 首先讃一下版主的名字,有出处啊。
对于三极管的偏,是偏压,纯粹是电压的概念,本来就与电流无关,
电压的正偏/反偏,并不意味着电流的方向,
所以三极管饱和时,说集电结正偏是木有问题的,只是版主似有误解罢了,个人观点。
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| | | | | | | | | 我意思是贵名有典故啊,出自礼记的礼运大同篇。
一个二极管的PN结,正偏就意味着正向电流,
但在三极管里,虽然物理上集电结是个PN结,但工作时(饱和与否),集电结并不是一个二极管,所以不遵从二极管特性,正偏(习惯仍然是P+,N-)不需要有正向电流。
不饱和时,集电结偏是正是反? |
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| | | | | | | | | | | 其实当初起名字时,也没想那么多,算是误打误撞。
1. “在三极管里,虽然物理上集电结是个PN结,但工作时(饱和与否),集电结并不是一个二极管”说得没错。三极管不能看作是两个二极管的简单组合。只是,传统教材通常以三极管内部两个PN结的偏置情况作为判断三极管工作状态的充分必要条件。对放大状态和截止状态的判断依据,没有异议。但对饱和状态的判断,我人为不妥当。
<span style="font-size:14px;">2.一般认为,三极管饱和时,其内部的两个PN结均是正偏的,我以为这是值得商榷的。以熟悉的NPN型三极管为例,当其饱和时,虽然U CE |
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| | | | | | | | | 请问:“集电结正偏时,集电极电流该怎么流动?是该从P区经PN结流入N区呢,还是该从N区经PN结流入P区?” |
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| | | | | 没有完全看懂版主的意思,在饱和状态时,三个电极之间的电流关系IE=IB+IC,它们并非是2个二极管的连接,应该整体看作是一个3端的器件,三极管是电流控制器件,并非是电压型控制器件,它不同于电子管,根据电流关系IE=IB+IC,所以认为正偏应该是从整体看的吧!不宜从PN结看,从PN结看似乎不合理。你的看法 颠覆了整个原理了 |
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| | | | | | | 对饱和时的情况,是有点“颠覆了整个原理了”。希望能仔细看看我上传的PDF文档,我真的是希望有充分的理由来证明我的观点是错误的。学术讨论,各抒己见,请不吝赐教。 |
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| | | | | | | 刁修睦提出这样荒唐的问题,本身就证明他是一块不可雕的朽木! |
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| | | | | Rbb'有多大?是线性电阻还是非线性电阻?在饱和时其阻值有多大?电压降有多大? |
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| | | | | | | 基极体电阻在多数教材上的取值大约为200欧姆或300欧姆,一般理解为线性电阻,我没有过多思考和研究。按照本实验设计2,理论上能够测量,不过当时没有记录微安表A左侧电压以及微安表的内阻。这可能是一个新的话题,粗略阐述一下个人观点:
1.如果按照公认的二极管正偏特性——正向开启电压约为0.5V,正向导通电压约为0.7V,保守估计一下:0.5V对应于实验2的第一个实验数据(基极电流为4.90微安,开始导通);0.7V对应于最后一个实验数据(基极电流为100微安,已经导通)。由于实验2各次测量对应的零偏电压在15.6mV~7.29m之间,均远小于开启电压0.5V,零偏电压近似为零,所以可保守估计一下基区体电阻在100千欧到7千欧之间。这个值显然比教材上的公认的取值(200欧姆或300欧姆)有太大的出入,这却是我始料未及的。
2.上述估计的结果应该算是二极管的直流电阻,一般教材上说的基极体电阻应该是交流等效电阻,这是其一。其二,上述估计所依据的实验数据对应的集电极电流均为零,与放大的情况也是不一样的。
您有何高见,请不吝赐教。 |
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| | | | | | | | | 楼主认为的三极管模型复制如下:
如果Rbb'是个线性电阻,假设为200欧姆,那么对B-C 或B-E通以100mA电流,那电阻上岂不是要有20V的压降?但实际上B-C 或 B-E 的特性仍然符合硅二极管的特性,与普通的硅二极管的正向特性无异。
Rbb'的测量通常是要用高频信号才能测量,比如5MHz的信号,用直流电压或电流怎么测能有个测量示意图吗? |
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| | | | | | | | | | | 1.我同意您“Rbb'的测量通常是要用高频信号才能测量,比如5MHz的信号,”因为教材中给出的Rbb'是在放大交流小信号模型中给出的,用直流电压和电流测量肯定是不妥的。至少从实验2的数据分析看,是有很大差别的。关于这个电阻的问题,我也觉的有许多问题值得探讨,线性还是非线性?取值范围多大?欢迎各位发表高见。我的小文只能确定三极管的基极b和b'之间有个不可忽略的电阻存在。
2.先撇开Rbb'是否线性不论,您说:“假设为200欧姆,那么对B-C或B-E通以100mA电流,那电阻上岂不是要有20V的压降?”这里有个实际问题请考虑:一般普通三极管正常应用状态下,基极电流一般只有几十个微安,早在100mA之前就已经过流烧毁了。这与大功率三极管可能有很大区别。 |
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| | | | | | | | | | | | | 1, 你的“对三极管饱和条件的质疑”是以Rbb'为基础的,如果对Rbb'没能弄清那质疑就无从谈起了。
2, 3DG12的B-C或B-E通过100mA会不会焼我想你一定没有试过,3DG12是个很老的管子了,我这里能找到的最小功率的三极管是2N5551,于是分别对D-C、B-E进行100mA电流试验,结果都没有损坏,电压降约0.8V。
3, 这是著名的 Ebers-Moll models 三极管模型,这也是仿真软件中用的模型,不知你是否研究过。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 关于Rbb',我的实验证明这个电阻在直流状态下与你的模型不符。我已说了,你的质疑是以Rbb'为基础的,如果你不能正确解释Rbb'则质疑无从谈起,所谓皮之不存毛将焉附?
关于这个模型,你可以网上搜一下Ebers-Moll models,其论述之多之详细不是我能说得清得。我不理解你说的“这个电流公式是集电极C和发射极E开路为前提的”。开路怎么还有电流?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 近日曾经有朋友与楼主刁修睦讨论电子学,一个超级简单的问题,尽管那位朋友十遍八遍地与他反复解释,都口干舌燥了,但他还是转不过弯来。真是对牛弹琴。
今日楼主总算道出实情了:原来号称electronics专家,末了却不懂Englishi! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ,与标题无关的内容请不要再发。我从来没有“号称electronics专家”,这与我懂不懂“Englishi”也没有多大关系,你如果觉得懂一点“Englishi”就很高端大气上档次,建议您还是去英语版论坛。就别在这里炫耀了。你的帖子,再与主题无关,我只好把你当xx躲着,恕不奉陪。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你看这搜狗拼音,也真是的,想打刁修睦,可是跳出来的偏偏是雕朽木!
集电结不是正偏就是反偏,二者必居其一,哈哈。
刁修睦,晶体管饱和时集电结不是正偏,那么就是反偏了哈,举个例子,某晶体管三点电压为6V、0.7V、0V,按照刁修睦的理论,这个管子就是饱和了呀! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “集电结不是正偏,那么就是反偏”,难道不是与主题息息相关,难道不是楼主极尽其力号召的吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是我的大作,我只是编辑一下而已,应该对你很有参考价值的,如果你无法阅读我就爱莫能助了。
你的“质疑”一文我认为是不严谨的,如果你要将你的“质疑”教你的学生希望能将我上传的附件也给你的学生看看,否则恐会误导你的学生。
Rbb'不是你想象的那么简单,看看如下计算公式便知:
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.非常感谢您的帮助!
2.我的学生大都是普通本科,甚至是专科生。由于是质疑,我在教给学生时也是很注意的,判断工作状态,不按传统观点(以两个PN结的偏置状态为依据),而是结合输入、输出特性曲线,从外部偏置条件(各电极电压、电流特点)进行判断,不知当否?
3.您给出的两个公式,是我第一次看到,给我提供了一个很好的思路和方向。如果您手边有关于Rbb'的英文原版资料,很希望您能割爱共享。
4.您的附件资料,我会努力去读懂,不过还是希望您能抽时间写一篇国语资料,以免因我外文水平的瓶颈,误解了您的一番好意和良苦用心,也便于与其他专家交流。辛苦您!
5.附件传一个关于BJT三极管工作状态判断方法(电压电流特点)的PPT,有不妥的地方,请指正,谢谢! BJT的三个工作区.ppt
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1,只是交流因此没什么需要感谢的,说帮助也不敢担
2,关于您的“质疑”一文我认为是不妥的,我的的附件里基本上也说明清楚了
3,两个公式摘至于一本晶体管制造的书里,中文版的,明天会上传供参考,我没什么研究
4,我的附件您可以请学生什么的翻译,翻译的过程也是一种学习,如翻译过程有什么疑问我们可以再对译文探讨
,或者过段时间我再抽空翻译一下,也许还可以给其他网友提供参考
5,关于您的附件我看过没发现有问题,其实您是这方面的专家,我平时并无太多的研究,只是需要时找些资料看看而已
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主主帖所言“在三极管处在饱和状态时,其集电结仍然是反偏的”,正如37楼第2条指出的,是极其不妥的,会误人子弟的。 希望读者提高警惕,不要上当受骗!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.学术讨论是要有理有据的,还是请指出不妥的具体原因,或者直接指出文章具体不妥之处。如果只是凭感觉去评论,或者人云亦云,哪像个教授?怎么叫人信服?
2.郑重的告诉你,本人从今天开始也不再对你的任何评论发表回复,你不值得我去浪费时间。
3.我会随时关注你所谓的新作,并想尽一切办法将你的歪理邪说公之于众,不能让你继续毒害无辜的初学者。请放心,我会有理有据,不像你,没的说了就知道个人攻击,乱咬一通。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大凡学过模电的人都知道,三极管处在放大状态时,集电结反偏,处在饱和状态时,集电结就改为正偏。
世间只有你刁修睦一个人说“在三极管处在饱和状态时,其集电结仍然是反偏的”。
自己错了,还不听众人好言劝告,说你是一块不可雕的朽木,不是骂你,是真的,恰如其分的!
不听老人言,吃亏在眼前! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问叫兽:“从放大到饱和,集电结既然从反偏转为正偏,那么集电极电流为什么没有从流入转为流出?” |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我说,现在的氛围根本不适合讨论学术问题,你的这个问题没必要在这里拿出来讨论了。
要吵架就直接吵就好了,和学术问题混在一起不合适。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也是,和这种人,根本无法正常交流,简直就是个学术流氓,疯子! |
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| | | | | 有意思的讨论,可惜没赶上。
说三极管饱和的时候集电结是正偏的或许不是十分准确,但要说集电结仍然反偏肯定是错误的。
或许,三极管饱和的时候,可能从某种意义上讲集电结不存在了,从基极注入的过量的载流子已经在一定程度上把发射极和集电极混同在一起了。
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| | | | | | | | | 不用仔细看就可以得出结论:
首先,我们要搞清楚的问题是“偏置”这个词的含义。
所谓“正偏”、“反偏”是指的“正向偏置”和“反向偏置”的简略说法这点没有异议吧?
所谓“名正言顺”,实际上就是说“名”——词汇和“实”——概念之间能够达成共识,然后讨论才能顺利进行。
所以,请问你认为“偏置”这个词对应当概念是什么?
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| | | | | | | | | | | 原文拜读了,我认为你的错误首先在于你不该采用集总参数模型来分析这个问题。
请问一个问题:你怎么理解饱和压降低于发射结的结压降? |
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| | | | | | | | | | | | | 1.实验室在静态(直流)条件下进行的,我觉得用集总参数模型是应该的。你认为该用什么参数模型?请说明理由。
2.“饱和压降低于发射结的结压降”的解释文中也有说明,望指出不当之处。
3.模型是为了解决实际问题的,模型的等效性是对外部等效。本实验设计尽量克服了仪器内阻导致的系统误差,光点式电流计的电流精度最高可以达到10的负10次方安培。模型与实验结果也有很好的吻合。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的推理不是基于那个双二极管的模型吗?
我认为不该用这个模型,就这意思。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦,用这个模型可以用实验得到很好的验证。您觉得该用哪个模型? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我认为三极管本身就是最基本的了,不用模型,直接分析半导体内部 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这里存在一个明显的矛盾:以NPN三极管为例,一方面,饱和时集电极电位低于基极电位,集电结似乎是正偏,那么,流过集电结的电流应该是正向导通电流,即从集电结的P区经PN结流到N区;然而饱和时,集电极的电流仍然是从集电极流进的,也就是从集电结的N区经PN结流到P区。
您怎么看这种矛盾现象? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 三极管内部工作机制比较复杂,说起来本人也不是了解的很透彻。
关于饱和状态,我们大概可以这样认为:
从饱和状态来看,集电极电流实际上并没有通过发射结,否则无法解释饱和电压低于发射结的结压降。
所以,基极载流子注入,实际上是在发射区和集电区之间(基区)形成了一个电流通道(好像这里应该描述成从发射区注入基区的载流子),集电区电流是从这个通道流向发射区的,这些电流并没有通过任何一个PN结。
在饱和状态,因为集电结反偏,电流从基极流向集电极完全是可能的,我们没有证据证明这个电流不存在,是吧?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 叫兽!别光知道嚎叫,拿出点真观点来!这可是学术论坛! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.饱和时,集电极电流的路径应该是:集电极流-集电区-集电结-基区-发射结-发射区-发射极。由此可以肯定,饱和时,集电极电流肯定通过发射结。
2.饱和时,集电极的电流并未与放大时的流向相反,即电流方向没有改变。这就没有理由说集电结会从放大时的反偏转为饱和时的正偏。对吧? |
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| | | | | | | | | | | 所谓“正偏”、“反偏”是指的“正向偏置”和“反向偏置”的简略说法这点没有异议。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 刁先生就算是讲师又如何?职称高低不是问题,甚至水平高低也不是问题。
起码刁先生是个正常人,可以和他交流、沟通。
再怎么比,也比某些学术流氓强,比某些疯子强。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 大家都认为晶体三极管处在饱和状态时,其内部发射结和集电结都是正偏的。
所有的考试也是照此来判断是对的。
只有刁修睦鸡立鹤群,认为晶体三极管处在饱和状态时,其内部集电结不是正偏! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以要说某人是学术流氓呢,根本不看别人的观点,只要和自己不一致就开骂。
不知道我哪里赞同楼主这个帖子的观点了,我明明反对的啊。
哦,对了,楼主是刁先生,可不是本人。
有错误的观点没什么奇怪的,我不知道这世界上还有不犯错的人。
认知有错,并不等于这个人有什么不好。
起码,刁先生可以和人心平气和的讨论,知道有理说理,达不成一致也不会因此气急败坏,胡搅蛮缠。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 只是善意提醒学生不要上当受骗而已。难道像某些人一样与错误的观点沆瀣一气,并且误导年轻人才算好? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一个巴掌拍不响,起码刁先生和别人讨论问题没吵起来。
楼上呢?好像在这儿每次都在和人吵架。
和一个人吵,可能是别人的问题;如果和每个人都会吵起来,总不至于这些人都有问题吧。
人啊,首先要尊重别人,才能得到尊重。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LZ你看清楚了,https://bbs.21dianyuan.com/209623.html的243楼只是客观地解了一道题,纯粹的学术活动,刁修睦就在250楼“气急败坏”了,把最脏的词儿从他那经常讲课的嘴巴里喷了满地!
因此,那个帖子已经由盛名的admin锁定了,白底黑字,历历在目!
LZ,21dianyuan的副总工程师,这究竟是谁的过错呢!
LZ,你这“21dianyuan的副总工程师”,说话要是太离谱了,怎么能得到大家的尊重呢!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 别人是否尊重我?说实话,我也不是很清楚。但我清楚你说了不算。
至于你的尊重,我受不起。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刁修睦满嘴野兽充斥,LZ装作看不见,就以为大家也看不见!
好一个掩耳盗铃的现代版! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 21dianyuan是学术圣地,可是在LZ眼里,“职称高低不是问题,甚至水平高低也不是问题。”! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | “刁先生是个正常人”?
学术圣地,“兽”字挂在嘴边,好像就是那兽养的!
好一个“正常人”! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我这不是看不惯吗。
这人说不过就乱来,谩骂、揭短,完全就是个斯文败类。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 难道让大家都学LZ“护短”,甚至掩人耳目、颠倒黑白不成? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 没拿资历说事儿,只是告诉大家一些相关事实而已,怕啥呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 优秀人物,很多30多岁上下就成为正教授了。
都快50岁了,还在讲师的位子上蹭着,与他在这里屡教不改的表现很一致嘞!
说实话,要是在部队院校,早就被转业处理掉了! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 看这个雕朽木、刁修睦,已经在这里给大家包围了,没有一个人赞成刁修睦的! 为什么,学术观点站不住脚。
看看他的历史,原来50多岁了,还是一个老讲师!
从小看大,难道不应该?
也就是地方院校。要是在部队院校,这样的人,早就给踢了,免得他一直误人子弟、祸害学生!
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| | | | | | | | | | | | | | | ,我就是讲师。但我从来没有以此为耻!我站在讲台上,丝毫不感觉愧对我的学生! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 基本共射放大器效率,别人说是8.6%,就是错了;刁修睦说是8.6%,就是对了!
这就是潍坊学院信息与控制学院的刁修睦! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 要是在部队院校,刁修睦,你呀,早就被踢到罗布泊里吃黄沙去了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你也就是沾在地方院校的便宜,糊弄那些齐鲁大地的学生罢了! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 把讲师的椅子坐穿,也是便宜了你呢。
换在部队院校,早给你开到罗布泊吃黄沙去了! |
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| | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看你的QQ个性签名“沉睡的狮子已经醒来”,再看你书还没有写出来,就到处张扬要写出一本旷世奇书来,让别人看了还以为你是一个院士呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 晒晒你的老底子,让大家认清你的真面目别上当,也使你清醒清醒,很有必要呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刁修睦,潍坊学院的刁修睦,说的比唱的都好听,做的比熊猫一边吃一边拉还丑陋! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 至于这个帖子,自打3月24日开贴后,本友早在3月28日就来过了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是看看楼主刁修睦每天都喷什么,然后给大家建言以便上当受骗! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 那个基本共射放大器8.6%的效率,是科学。科学发现,又不是哪一个人的专利。
科学发现,谁都可以搞的!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 不知好歹,不辩是非,跟着那几个坏人进攻一个正直的教师,迟早一起受到法律的惩处! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是你第一不懂英语,第二不会数学,看不懂而已!第三不懂人性,肆意污蔑! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刁修睦,下贱东西,不糟践你一顿,心里就痒痒的慌!
刁修睦,你就是那齐鲁大地的破小车子,每天都得用榔头使劲敲打,心里才舒服! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大一学生都能看出来,设Rc/RL=x,就可以以Rc为基准来研究RL的变化对放大器效率及负载最大功率等的影响。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那应该对RL求导,你为何要对x求导?说你数学不行咋了?你不懂什么叫独立变量吗?真是连个大一学生都不如,还教授呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哈哈,刁修睦承认了,都50岁了,可惜那思维能力还比不上一个大一学生! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看起来,潍坊学院给刁修睦一个终身讲师的椅子坐坐,一点儿也不委屈呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 言归正传,x=Rc/RL,对x求导,与对RL求导,就求函数极值来说,又有啥区别呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 难道f(RL)有极值,f(Rc/x)就没有极值了? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刁修睦,快快把你偷吃的f(Rc/x)的极值吐出来! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刁修睦,f(Rc/x)的极值消化不得,快快把你偷吃的极值吐出来! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主起码可以和他正常讨论,不会因为意见相左就吵起来。
你把两人相提并论我觉得不怎么公平。
如果我是管理员,我早把某人给封了。此人根本不允许别人反对,哪怕是学术上的异议都不能接受,多说两句就开骂,纯粹一个斯文败类。
如果你不信,你和此人讨论一下问题试试就知道厉害了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | [size=14.399999618530273px]怪事啊。。。
[size=14.399999618530273px]感觉学会会员比教授修养好,难道人要有个官方身份就不同的?
[size=14.399999618530273px]嗯,多学学马列思想,加深点政治觉悟,比做学术强。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯嗯 希望 大家都互相尊重,共同讨论技术问题。分享探讨结果给坛友们,谢谢。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | 单一的将两个二极管放到一起,那不是BJT,拿只是供极的二极管;可以先找BJT工艺看看。在童诗白主编模拟电路中讲的比较清楚。 |
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| | | | | | | 这不是问题,我们一直都在用童老的书。我希望您能仔细看看我的几个实验,看看有没有错误或者不恰当之处。我觉得这几个实验还是经得起推敲的。为了提高精度,特设计了电桥法,精度也可以满足要求,最高可以达到10-10A的数量级。从设计实验到完成测试,前后用了几个月时间,原始数据也比文中列出的多得多。期间还充分考虑了长时间测量由于温度过高可能导致的不利影响,故大电流测试时,是断续多次测量的。虽然过去了十多年了,但我依然对这篇小文有信心。 |
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| | | | | | | | | 正因为你如此短视,所以即使再过十年,直到你退休了,你也还是坐讲师的冷板凳! |
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| | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | 哈哈哈,没看错你吧,刁修睦,你也就是做一辈子讲师的材料! |
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| | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | 教授的大衣,你是披不上了! 教授的帽子,你是戴不上了! |
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| | | | | | | | | | | | | 请多多谈论与技术相关的内容 谢谢大家的配合和支持。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不管对于错,口头攻击也是不对的了^_^
“对于BJT 编辑 因为BJT是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.BJT在饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量(Ic=Vcc/RL,式中的Vcc是电源电压,RL是负载电阻),而与输入电流无关(即这时已离开了放大状态);该状态是输出电流大、输出电压低的工作模式,相应于开关的开态.”--来自度娘
而楼住的
我是个小兵:说的不好不要责怪 ,楼住的概念是(对于NPN型):Ub(0.7v)>Uc(0.3V),这个是集电结反偏(不知道是不是这个意思)。
我的理解是集电结正偏不等与Uc>Ub,而是P结的电压大于N结的电压,所以,在饱和状态下,如果Ub(0.7v)>Uc(0.3V)(对NPN),在这个时候即P结电压大于N结的电压(0.7>0.3),正偏
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果不考虑三极管内部电阻的影响,你这么说是没有问题的。问题是内部电阻,比如基区横向体电阻,是不能忽略的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主:你好
'''那么集电极电流是应该从集电结的N区流出呢,还是流入?''
我根据个人的理解画了个图(不准确,不是很了解它的内部,会应用 )
如果把C说成是水库的上游,E看成水库下游,B看成控制水库闸门的控制阀门(内部机关不知道),当水库有库成水的时候,向B来注如小的水流来控制水库闸门,当向B注的水流到一定度,即B的水面高与C的水平面(比喻NPN),这时闸门完全打开,再向B注水,水库闸门也不会变大,E的地势最低,水往低处流,就流向E了,至于B里面的水是不是往C里面流(内部机关不了解),有可能有几滴水,但大多数都流往地势最低的E |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图画得很清楚!
按照您的图。是否可作如下推理:
由于是NPN 型管,所以
1. 图中C 区(即集电区)是N 型区,B 区(即基区)是P 型区,E 区(即发射区)是N 型区。
2. 三个区域相互的交界面处均形成PN 结,C 、B 之间的PN 结称集电结,B 、E 之间的PN 结称发射结。
3. 饱和时集电极电流流过三极管的内部的路径:集电极-C 区- 集电结-B 区- 发射结-E 区- 发射极。所以,流过集电结的电流是从N 区到P 区的,即流过集电结的电流为反向电流。
4. 由PN 结的导电特性可知:当PN 结的电流为反向电流时,其两端电压应该是反向电压,即反向偏置。
由此可知:饱和时,集电结仍然是反偏的。
至于为什么反偏电流可以很大,是由三极管结构及工作条件共同确定的,另述。
以上叙述,不知当否,请斧正。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 二极管必须串联阻抗,使自身压降不超过0.7V,
但其实这个0.7V只是二极管模式所需,扩散电流有0.2V就能动了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上图很清楚地表达了BJT的三层架构,电流的成份和分配,
下图应该也是个BJT,不过只画出发射结,以他的话来说,BJT的跨导 近似于发射结(二极管)的伏安特性,
如果在红区顶头加上普通的电极,则这电极上的电压跟左边是一样的,如果不给『空穴』过,只让『电子』流,所需的电压反而不用那么高(集电区就有这效果,但基极仍是二极管,要吃0.7V)。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 340楼上方那个是阁下在262楼的图的其中一个,而那个图你自己贴上来的嘛,你不理解的应该是下面那个去掉集电区的彩图吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也不全是
1.我讲三极管结构,会让学生简单记住一句话:三区、两结、三电极。不知您所说的三层架构是哪三层?
2.我想不只是我一个不理解下面那个彩图吧?您到底是要说明什么? 不同颜色各代表设么意思? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 集电经永远反偏,但饱和时Uce却是小于Ube的,144楼的图也许能解释这个矛盾现像,这可能是因饱和时 Ie 过剩在基区堆积造成类似MOSFET沟道而致。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 26楼cdzx11| 副总工程师 (5422) | 发消息 2015-06-14 17:58倒数5 事实上,基极范围内,接收了大量电子的区域,电子密度完全可以大于空穴的密度,这时候,这部分区域完全可以认为不再是P型半导体了(类似MOSFET的沟道)……。
这是《主题: 双极型晶体管饱和关断速度问题——是不是和二极管反向回复有关?》中的回复,而本帖349楼的发布时间是22:07,他指出这观点的时间比我早了几个小时哩。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.“集电经永远反偏 ”,这里的永远是指什么?你若不说明白,别人可就有可乘之机了。
2.BJT和FET是有相似之处的。有兴趣可以私聊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 雙極性電晶體是電子學歷史上具有革命意義的一項發明, :79其發明者威廉·肖克利、 ..... 飽和區:當雙極性電晶體中兩個PN接面均處於順向偏壓時,它將處於飽和區, ...
(这是维基百科的解释,刚来第一次回帖,练习一下。順便打个招呼,好久不見了,您好!。)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这解释的来源不会有什么质疑。但有些时候,权威并不见得都是正确的。这里也许只要举个特例,就可以看出维基百科的解释的局限性:
我们把C、E两极接在一起,然后在B、E极间接正向偏置电压,则双极型晶体管内部的两个PN结均处于正向偏置,但我们一般不能说此时的三极管处在饱和区。原因很简单,此时集电极的电流方向与三极管饱和时的方向正好相反。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您这样变成二极管不能与具有电流放大的三极管相提并沦,再者这种探讨饱和特性当以共射极回路进行。若要符合您的概念,不妨将标题改成:共集极回路时之....。这样才恰当! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您大概不会否认三极管输出特性曲线的横坐标是从UCE=0算起的。此时的三极管难道不是等效为两个二极管并联?试问,当UCE等于多大时,才不能看作是两个二极管并联,而成为真正的三极管?集电极的电流又是从什么时候开始由流出变为流进的? |
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| | | | | | | | | 好好看看BJT的工作原理,你话一个最简单的放大电路来看,一个电源一个BJT一个电阻,电阻放在基极和集电极之间。这样情况下分析,估计就会好分析一些。 |
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| | | | | | | | | | | | | 你可以看一下半导体的构成;按照你的理解,当CE极对调时,是不可能工作的,但事实可以工作的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 您说的工作是不是指放大?我不知道您是怎么按照我的理解推得:“ 当CE极对调时,是不可能工作的”?
按照我的理解,也是公认的理解,当CE极对调时,也是可以放大的,只是放大能力很小而已。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 有种三极管叫双向三极管,EC交换之后参数差异是由规范的,一般要求控制在10%以内。
事实上,早期的合金型锗三极管(比如3AX31,3AG1等)结构上EC是完全对称的,交换EC完全都能正常工作。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 交换EC完全都能正常工作就不太对了,能工作但谈不上完全正常,放大倍数会很小。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你用过这种管子吗?这类晶体管在结构上是完全对称的,没有任何差别。
时间过去很久了,具体数据我不记得了,在我印象中,这种晶体管EC交换之后,放大倍数在同一个数量级。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 早期的合金型三极管,C、E极的差别可能小点,但肯定会有差别的。这不是本帖讨论的主要问题,感兴趣的可另外发帖讨论。各位以为如何? |
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| | | | | 楼主还应该做一个实验:
IB为一个固定值,比如100μA,集电极悬空,这时候集电极电压是多少V?
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| | | | | | | 这是用Multisim12软件仿真的结果,精度应该也算足够。
该结果与本帖观点不矛盾。在误差范围内,当I B=102uA时,U BE=0.776V,而U CE=0.088V=88mV。当I B=11uA时,U BE=0.715V,而U CE=0.081V=81mV。两次测量中集电极电流只有约0.014uA,远比基极电流小,可近似为零,但注意而且方向是流出的。这也与本帖结论相符合。
在误差范围内,B、E间电压只有很少一部分降在发射结上,大部分电压降在基区体电阻上。
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| | | | | | | | | 有一种精神叫执着,也有一种精神叫固执,说的直白一点固执就是顽固,如果年纪大一点就叫老顽固。
对楼主用这种不着边际的方法验证出的荒谬的结论表示很无语。楼主在高校做教师,想必这种错误的观点已影响了不少学生,贻害无穷。
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| | | | | | | | | | | 1. 其实您用不着这么激动,也不用担心我会贻害学生。在教学过程中我只不过是避开现行教材的说法,但不会把存疑的观点强加给学生。
2. 请注意看看本贴的题目,本身也没有对观点武断地肯定,而是质疑。学术讨论,还是用事实说话比较好,不着边际的发牢骚没有用,你说呢?
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| | | | | | | | | 楼主能不能先别急着下结论?
首先,这东西不适合仿真。
其次,就算有了试验结果,你这样急于下结论也是错误的。
你认为电压大部分都在基区电阻上,你有充分的理由吗?
如果大部分电压降是在基区提电阻上,这个电阻大概多大?
我们把基极电流加大到1mA,这时候VBE该多大?
你别告诉我:这个电阻是会大范围变化的,电流越大,电阻越小。
另外,PN结的结压降是可以用公式(肖克来公式?)计算的,你别告诉我说这个公式是错的。
事实上,只有明显比公式给出的数值大的那一部分电压才是PN结上串联电阻的压降,这在二极管伏安特性上可以很明显的看见——当电流大到一定程度之后,伏安特性曲线会明显的偏离计算值。
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| | | | | | | | | | | 楼主肯定是错的,但有必要说的这么激烈吗?有理不在声高。
像你这样简单的说他不对,其实不如不说,因为说了也没有用。
如果你没心思说服楼主,你不理睬就好了。
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| | | | | | | | | | | | | 大哥所言差矣,论坛的精神重在参与怎可说不理睬就好。
大哥说我简单的说他不对,更是有失偏颇,我上传的文档说得还不够详细?
大哥认为这种无厘头的问题讨论起来很有意思吗? |
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| | | | | | | | | | | 先谢过!
一定好好拜读。我隐约觉得你的确是一位高人。如果有时间,恭请您看看我的另一篇关于基本放大器效率的阐述,并斧正。 |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主可知“斧正”是什么意思?那是自认为自己是高手与别人切磋。
澄清:我不是什么高人。只是认为楼主不应该沉溺在自己挖的坑里,并津津乐道。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 关于“斧正”一词您想多了,仅仅是认为用词不当,别无他意,您不必在意。
关于您的“质疑”,不知哪本模电书上有矛盾的说法?
关于那个什么叫兽,您似乎很在意他对您的言辞,其实大可不必。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 总算看到啥是狼狈为奸了,哈哈哈哈哈哈哈!
两只野兽勾结—— 狼狈为奸! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一方面说饱和时集电结正偏,另一方面又说集电极电流从集电结的N区流到P。这不是矛盾吗?
我早就把那叫兽看透了,就让他叫吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那个人你无视他好了,他说话你就当没看见。
饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。
你要明白这么一个道理:在三极管工作的时候,基区的一部分实际上并不属于基极,而是成为了发射级和集电极之间的电流通道。
还有一个问题:PN结正偏的时候,结压降是一个可以确定的数值。如果电流是从集电极到基极,然后再从基极到发射级,那么集电极电压永远不可能低于发射结的结压降。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦哦,
1.还是第一次听到这种观点:“饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。”
我的理解,基极并等同于基区。基极是从基区引出的一根电极引线,而基区是一种杂质半导体区域。由于半导体工艺的原因,在饱和时(以NPN型为例),基区(P区)的导电特性会有显著的变化。但终究不是发射区(N区),集电极电流不可能从集电区(N区)不经基区(P区)直接进入发射区(N区)。
其实真正形成集电极电流的载流子是发射区的自由电子,按您所说的,饱和时发射区的自由电子岂不是从发射区(N区)直接流向集电区(N区),并未经过基区(P区),你觉得这样说合适吗?
2.只要是基区横向体电阻不为零,并保证B-E之间的外部电压UBE使发射结正偏,那么UBE就一定大于发射结的电压。电流从集电极到基极,然后再从基极到发射级,集电极电压UCE虽然永远不可能低于发射结电压,但完全可以低于基极电压UBE。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好像总对基区横向体电阻感兴趣。
事实上,在低频小电流的时候,这个电阻上的压降基本上是可以忽略的。这时候它的主要作用大概是对内部电流的分布起作用吧。
PN结的结压降主要是载流子通过势垒的能量损失。在电流不大的时候,PN结电压几乎和电阻无关——包括体电阻、引线电阻等。
半导体的类型(P型或N型)本来就不是一成不变的。比如,MOSFET的沟道就是在静电场作用下,半导体类型变化形成的。在双极晶体管内部,有类似的状况出现并不奇怪吧?
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可能是我们各自的的着眼点不同的缘故吧,暂时只能各持己见了。
在我看来,MOSFET的工作原理在本质上与BJT是一致的。附件里有关于这方面的阐述,与一般教材不同的是,这里我把MOSFET内部的PN结在不同状态下的分布及偏置情况明确画了出来。您不妨看看,觉得不对的地方,请不吝赐教。 场效应管.pdf |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有想通的地方,但肯定不完全一致。
晶体管饱和电压具有明显的非线性,而场效应管小电流的时候基本是个线性电阻。
你坚持“各抒己见”我只能觉得你有点过于固执。
二极管的肖克来方程显然不应该用“电阻”来解释。虽然实际的PN结的伏安特性和理想二极管有明显偏差,但和肖克来方程描述的趋势始终是一致的——如果你对这个事实视而不见,说实话,要进行深入讨论是很困难的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.在输出特性曲线上,BJT的饱和区与MOSFET的可变电阻区是对应的。我的理解是二者的主要差别在与其电阻特性的差别,具体讲:
(1)在BJT的饱和区,对应于不同基极电流的输出特性曲线基本是重合的,集电极电流几乎只与集电极电压有关,而且成良好的线性,而不是非线性。这一点从公开的的BJT输出特性曲线上可以清楚看到。当然,这里是指BJT饱和时的电阻特性,而不是放大特性。
(2)MOSFET的可变电阻区,对应于不同栅极电压的输出特性曲线基本是完全分离的,但对确定的栅极电压,该区的输出特性曲线也呈良好的线性,即电阻呈良好线性。显然这个电阻是明显受栅极电压控制的,这或许是把该区称为可变电阻区的的真正原因吧。
2.您很崇尚肖克莱方程,我也是。但要清楚该方程只是对PN结的讨论,并未考虑与其串联的电阻。这与本帖讨论问题不冲突。您说呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 汗,我不崇拜肖克来方程,这个方程只不过是PN结伏安特性的初步近似而已。
事实上,一个PN结的伏安特性往往是3个以上的指数曲线来合成,如果要求精度高,甚至需要更多曲线,这里每条曲线的物理意义基本上都是可以分析出来的,并不是纯理论的东西。有趣的是,这些曲线几乎都服从指数特性。
我并不反对二极管或者三极管内部包含有电阻,但这些电阻在电流不大的时候,对电压降的贡献是有限的。这时候电压降主要还是由PN结的伏安特性决定的。
另一方面,半导体的体电阻大致上仍然是线性的。之所以说大致上,是因为耗尽区尺寸的变化,会导致半导体P区和N区尺寸的变化。至于电流导致温度变化引起的电阻变化,并不能说明体电阻是非线性的,这是另一个问题。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这些观点基本赞同。只说一点
BJT的饱和区,C-E电压肯定是很低的,但集电极电流是可以很高的。当集电极电流很高时,基极电流必然是相对很大的,在基区横向体电阻上的压降是不容忽视的。 本帖无意证明体电阻的大小及线性程度,但足以证明:深度饱和时基区横向体电阻上的压降远比发射结上的压降大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 希特勒猖狂,也不过想把苏联灭了而已!
看看这狂妄丑陋的刁修睦,都想“把全人类灭了” |
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| | | | | | | | | | | | | 基本共射放大器效率8.6%,别人用半页就推导出来了,刁修睦却用了洋洋洒洒10页16开纸!
据闻刁修睦正在写作旷世模电书,哈哈,就把你这比那懒婆娘的裹脚布还要长的大作写在书里,世界第一长,好漂亮呀! |
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| | | | | | | | | | | | | 你这叫兽啥时候又睡醒了?一边歇着去!别在这里污染环境! |
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| | | | | | | | | | | 再次感谢,您上传的文档已经拜读过,我丝毫不怀疑您的翻译水平。有几点看法供参考:
1. 应该承认,我们国家的电子技术无论是理论层面还是应用领域都是与国外有一定差距的,但在学习的同时也不应照单全收。
2.我英文水平不好早就说过了,所以读的英文原版资料有限。您所上传的一篇文档为英文原版,可明明是用.docx文件编辑的。里面的配图也是您自己手绘的吧?我有点怀疑,这是经过您重新编辑过的,或者说是节选的部分内容。
3.您的译文中用光电二极管类比三极管的饱和。其中提到:“在一个光电二极管内部,二极管是正向偏置的(anode +, cathode -),但电流却是从阴极流向阳极。”
请问:您使用光电二极管时是让它加正向电压吗?光电二极管正常工作时流过的电流是正向电流吗?如果您同意这篇英文原版的观点,那么目前关于光电二极管的原理及应用岂不是错的?
4.你在译文中还提到:“。。。晶体管CB结的饱和是因为有了大量的由发射极注入的少数载流子。
为了解释c-b结反偏时的电流流向,。。。”
这段译文前半句没有什么问题,问题是后半句“为了解释c-b结反偏时的电流流向”。既然你和英文原著都觉得饱和时c-b结是正偏的,那么接下来“解释c-b结反偏时的电流流向”会有助于理解饱和时集电极的电流流向吗?您不觉得前后矛盾吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 回楼主4个问题:
1、空话,无实际意义。
2、不知你怀疑什么?
3、看了一下原文,应该是“在一个光电池内部。。。”提醒一句不同的偏置不同的用途。
4、请仔细读几遍,没有什么矛盾。
请楼主不要舍本求末。如果该文不能说服楼主也没有办法了。我已经说过,有一种精神叫执着,另有一种精神叫顽固,希望楼主不是后者。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 不要无端猜疑。
您摘录的两句哪一个词是”正偏“?
光敏二极管、光电二极管、光电池、太阳能电池,请弄清其区别,如果连这些都不懂真该说声惭愧了。
该说的我都说了,如果你还坚持你的”质疑“一文的立场,那就由你了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 难道你不是认为饱和时集电结正偏的吗?摘录的第一句之前难道不是都在力图说明饱和时集电结正偏的吗?从第二句开始突然说反偏的情况,这难道不是前后矛盾?至少是画蛇添足,根本无益于前面的观点。
其实,用光电二极管来类比饱和时的集电结,正好可以佐证饱和时集电结仍然是反偏的。
存疑的问题,谁也无权把自己的强加给别人,在取得一致之前求同存异很正常。如果有时间请关注一下公开发表的关于饱和时的工作状态的文献的,您会发现,持集电结依旧反偏的观点者,并非本人自己。也就是说,这种存疑并非本人自己心血来潮,空穴来风。
事实只有一个,如果原来的说法真的有问题,哪怕是再小的错误,也是不应该一直存在下去的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我是有点明白你的困惑。
但说实话,用“正偏”、“反偏”来描述这个问题本身就是错误的。
原因很简单:当P区电位高于N区,那么这个PN结就是正向偏置的;反之,PN结就是反向偏置的。
记得我叫你做的实验,你做了之后,我们再继续讨论集电结的状态问题不迟。
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你这么理解,我也就没什么说的了。
1.用“正偏”、“反偏”描述这个问题本身的确是错误的,因为它与BJT的三种工作状态不存在一一对应关系。遗憾的是,现行教材大多还沿用这种方法。
2. 动生电动势是绝对不能与外部所加电压划等号的。很明显的,讨论二极管的(PN结)的单向导电性,是绝对不能把内外、电场混为一谈的。二者道理一样。 这里“偏置”的“偏”字不是随便给出的。
3.您说的实验,我做了仿真,我您相信您早就做过实验的,能不能分享一下呢? 期待。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我没做试验,但结果我可以想得到。
之所以叫你做这个实验,是为了告诉你:在饱和的情况下,集电结肯定存在PN结正向电流(从基极流向集电极),至于这个电流的大小,取决于两个PN结的电压差和两个PN结的反向饱和电流。
根据你过去的试验,普通晶体管两个PN结(发射结和集电结)几乎平分电流,这就是说两个PN结的反向饱和电流大致相等。所以饱和状态下,从基极直接流向发射级的电流和基极流向集电极的电流取决于两个PN结两端的电压差。
在存在集电极电流的情况下,我们要证明集电结存在正向电流是比较困难的,除非有办法直接测量三极管内部的电流分布。
在集电极开路的情况下,集电极如果有电压,这个电压只能是从基极流向集电极的电流,再从集电极流向发射级的时候,在集电极和发射级之间的饱和电压——如果没有前面说的这个电流,我们很难解释集电极电压是怎么回事儿。
如果证明了有从基极流向集电极的电流,你还反对集电结是正偏的吗? |
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1.您既然没做实验,那还是别轻易下结论为好。
2.我的哪个实验证明两个“PN结的反向饱和电流大致相等”?
3.是您自以为在饱和的情况下基极电流可以流向集电极吧?我可没这没说。
4.三极管内部的电流分布是很明确的,您如果不清楚,那这问题就很难讨论下去了。
5.还是第一次听说,BJT还有这么一种工作状态:“内部电流可以从基极流向集电极,再从集电极流向发射极”!您了解BJT的结构吗?
6.您是不是以为按您的实验就可证明饱和时“有基极电流流向集电极电流”?您还是先做了再说吧。
PN、BJT看似简单,却是整个半导体技术的基础,有一些问题很有必要进一步明确。
传两个附件,希望能对您有所帮助。不对之处,多多指教。
半导体三极管.pdf
半导体三极管的伏安特性曲线.pdf |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你把发射级和集电结都接地,测量两者的电流这个实验啊,你还画了表格,两者电流大致相当。
之所以叫你做实验,而不是我自己做,是因为这是你的疑惑不是我的。
虽然我没做过实验,但我从理论上分析,这是必然的结果(悬空的集电极上会出现一个不太大的电压)。
是否通过实验证明或者证伪你的观点是你自己的事情。
前面你的仿真结果倒和我的分析相符,但我知道要用仿真的结果来说服你肯定是不够的。
如果经过试验,证明了我的推论,但还不赞成我的解释,那么你不妨尝试一下有没有其他方法解释这个现象。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦哦,请您思考一个问题,按您的思路,饱和时BJT内部的电流是要拐弯的,为什么会拐弯?什么时候拐弯?在哪里拐弯?
我们都不否认实验结果的正确性,只是有截然不同的理论解释。而且谁也不能说服对方。到此为止吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵,我没看见你的解释。
至于说拐弯,原因很简单啊,那里点位低,电荷就会往哪儿去,就会有电流。
电流从那里走电压降最低,电流就趋于往那里走。
最终电流的分布是由各处的伏安特性和输入电流来决定的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么让你做实验?
就是让你看见集电极有电压。
有电压有没有电流?
如果有电流,电流路径如何?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真结果很清楚了。而且我敢肯定仿真的精度比您做实验的精度要高出许多,因为电表内阻带来的系统误差基本消除了。仿真的结果:
1.集电极电压很低,几到几十个毫伏而已
2.电压既然有,当然会有电流,但电流大小同样非常低,只有零点几个微安而已!!
3.不管电压、电流如何小,关键是有!而最关键的是电压是正直!也就是说电流是流出的!!
4.这个流出的电流从哪里来的?当然是从集电极来的,从内部看,当然是从基极-基区-集电结-集电区来的。
5.这时候集电结是什么偏置的?回答当然是正偏的!不止是集电结正偏,发射结也一定是整片的。但请您注意:此时的三极管所处的状态不叫饱和状态!!为什么?
6.三极管的饱和状态,不仅仅是集电极电压很低就可以,集电极电流还要很大(远大于基极电流),方向是流入集电极,而不是流出集电极(NPN为例)!!!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真的时候,集电极电流往外流,流到哪儿去了?仿真电路里面,电压表是理想电压表,阻抗无穷大。就算做实际实验,你顶楼的文献里面也提供了不吸收电流测量电压的方法。
集电极有电压,那么集电极到发射级为什么没有电流?就算基极到集电极电流是微安量级,甚至PA量级,如果电流没有去处,那么随电荷积累,集电极电压最终平衡电压肯定应当相当于基极电压。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ,
这点事您都理解不了?!您不知道电流流到哪里去了?!
实际电压表内阻很大,但不可能是无穷大,这个您难道不懂?!如果真的无穷大,那还会测出电压吗?!
在我给出的仿真里,测输出电压的电压表内阻设置为1000T,我敢说任何一个实际的电压表都不可能达到这个精度。但也不是无穷大,您也不可能设置为无穷大,那样根本就无法进行仿真了,软件肯定会报错。就算您能够设置为无穷大,然后又能测出一个结果,那么您测出的结果也无任何意义。
实际电压表的内阻不可能为无穷大,只要能测出电压,就会有电流通过!!这个电流肯定很小,但绝不会是零!电压表内部产生的电压(显示的电压)也同样遵从部分电路欧姆定律!!
什么是电压表?从电路元件的角度看,它其实是一个可显示自身两端电压的很大的电阻,该电阻很大,以至于把它并联到闭合电路有电位差的两点之间的时候,产生的分流可以在误差范围内忽略不计。注意是忽略不计,而不是没有!
电阻是耗能元件,它不是电容,它不会储能,也不会有电荷积累!!
按照您的实验设计,如果您真的能测出集电极电压最终等于基极电压,那么整个半导体理论或许真的要重新改写了!!
建议您还是静下心来,认真读一下本帖的几个实验,结合三极管的物理模型(其实这个模型不是我创造的),好好体会本贴提出的质疑。想通了,再发表看法吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真电路里面的电压表难道不是理想的?如果是,你是认为仿真有问题还是你的理论有问题?
实际电路,我说的是你用检流计+分压电路,用电桥的方式测量电压,这样在检流计的误差范围内,可以认为不分流被测电压——近似无穷大内阻。
你就知道让我看你的实验,问题是你的实验根本不够完善,根本证明不了你的论断。
当然,你肯定不信,不服气。但问题是,你成功说服了谁?好像在这儿没有一个人承认你的结论。
如果你一点要认为你比我们所有人都高明,说实话我只能说你是牛黄丸。
我前面的推论,纯粹都是理论上的,逻辑推理。我怀疑你就没有试图顺着我的思路去理一遍。
除了现实中没有内阻无穷大的电压表之外,你认为还有什么矛盾的地方吗?无论是自相矛盾,或者其他矛盾。
就电压表来说,你认为接电压表,电流可以从电压表漏掉。那么不接电压表的时候又是什么状态?集电极电压等于基极电压吗?
说到底,就是一些简单的判断……
到此为止
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一、仿真里的电压表是理想的?亏您说得出口,您了解仿真多少?您做过吗?您知道仿真参数可以调节、该怎么调节吗?
仿真如果真的如您说的那么不可信,那人们为何要用它?人家做都做出来了,自己用都不知道怎么用,于是就说仿真不靠谱,这是自欺欺人,还是夜郎最大?
给您个简单的例子您不妨做做看:两电阻串联,用一个电源供电,参数您随便给,只要不太离谱。为了便于分析计算,又具有一般性,建议您电阻均设为1K,电源电压设为12V。然后用电压表测其中一个电阻两端的电压。您不要说这个实验太简单,不值得做!请您耐下心来作三步仿真:
1.电压表内阻选默认设置,你可别说默认值是无穷大!
2.将电压表内阻设置为软件允许的最大值
3.将电压表内阻设置为与选用电阻阻值相当,比如就设置为1k。当然现实中,您不可能找到内阻为1k的电压表,这就是仿真的魅力所在了。
你做完这三步仿真,分析一下结果,看看电表内阻带来的系统误差。您可别说您不会分析这个系统误差!
电流表内阻带来的误差防此进行。把您的分析结果和仿真结果对照一下,看看仿真结果到底值不值得您信赖!
二、不接电压表时的集电极电压我已经通过仿真告诉您了,只有大约几十mV。你难道没看到,还是根本就不屑一看?你不接受这个结果,那么请您把您的结果告诉大家是什么?您的理论结果该是么?实验结果又该是什么?您该不会只知道提问题,让别人去瞎琢磨,然后又回过头来抱怨别人不按您的思路考虑问题吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 难道实际中有内阻无穷大的电压表吗?内阻真的无穷大了,还能测出元件两端电压吗?实际中既然没有内阻真正无穷大的电压表,你仿真即使能仿真无穷大内阻的电压表,它还有实际意义吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有,仿真软件在通常情况下结果都是有效的。
但通常情况有效,并不等于所有情况都有效。
仿真软件的结果取决于仿真模型,但所有仿真模型都不是100%完善的,所以出现仿真结果不准确不足为奇。
就这里讨论的问题而言,你认为编写仿真软件的公司也认同你的论点吗?如果不是,你用仿真软件来证明你的论点,是不是有点缘木求鱼?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好了,不跟你玩了,不再回复这个帖子了,你爱怎么认为就怎么认为吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真源自实际,高于实际。
1.仿真软件里电压表内阻可以在0和最大值之间任选,实际电压表是不可能的。虽然可以任选,但极端值是不能选或者选不了的。也就是你不能选内阻为零,那会什么也测不出来。你也不能选内阻为无穷大,因为根本就没有穷大内阻选项。你只能选软件约定的最大值(说心里话,这个值我也不知道,这受软件和计算机硬件所能表示的最大值限制),这个最大值再大也是一个具体数值,而不可能是理想的无穷大。
2. “仿真软件的结果取决于仿真模型,但所有仿真模型都不是100%完善的,所以出现仿真结果不准确不足为奇。” ”这么说没错,但这不影响仿真结果对实际工作的指导意义。除非你设计理念不对,或者模型参数与实际参数相差甚远。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主:
你好!
‘’如果集电结零偏,则集电结电流为零‘’--------(NPN)这种状态也属于截止状态了
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| | | | | | | 157楼是个好主意。
XW:有啥好啦?
东方:要楼主测集电极开路时的集电极电压。
XW:派啥用场?
东方:cdzx先生断定是有电压的,而且就等于基极电压。那么就来下一个问题:楼主你不是说基区电阻大,b'点电压拉低,怎么集电极开路电压这么高呢?
XW:使出一套组合拳对伐?但楼主也不是戆大,会中招吗?
东方:你这是以小人之心度君子之腹,人家是潜心开发新理念,立志攀上更高峰。没你那些私心杂念。
XW:蛮高尚的啦。结果啥样?
东方:做了仿真,集电极开路电压出乎大师的意外:当IB=102uA时,UBE=0.776V,而UCE=0.088V=88mV。
XW:这有啥好奇怪的?
东方:怎么不等于基极电压呢?cdzx11先生不乐意呀。楼主可高兴了:
楼主:在误差范围内,B、E间电压只有很少一部分降在发射结上,大部分电压降在基区体电阻上。
XW:C先生吃瘪啦?组合拳没派上用场,反而中了一枪……几家欢乐几家愁。
东方:怎么会?人家会出招也会变招。
XW:还有杀手锏?
东方:这当中Lahoward先生也没有闲着,一会儿教授也醒来了,论坛一片欣欣向荣的景象。还开展仿真有效性大讨论。
185楼wyizao:一场毫“无厘头”的崂山论锄!
XW:来轧轧闹忙。
东方:你不要添乱。大师岂是等闲之辈?就在189楼著名的cdzx理念横空出世,如惊雷震响环宇,似闪电划破夜空,在一片黑暗中指明前进的方向。
189楼 Cdzx11:饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。
东方:我选择我喜欢。我点100个赞!
190楼 楼主:还是第一次听到这种观点:“饱和的时候,电流并不是从N区(集电极)流向P区(基极),而是直接流向另一个N区(发射级)。”
XW:第一次听到就对了,如果以前就有,那就不能叫cdzx通道了。对不啦?
东方:这回你讲对了。以后就是东方参与的了,按cdzx理念提示,引进R23等效电路,一举解决了质疑,得出明确的结论。此非东方之力实乃cdzx之功也!这里也要感谢楼主精美的实验数据和仿真结果。也要感谢论坛诸位同仁的鼎力相助。更要感谢世纪电源网给我们搭建的技术平台……
XW:你这是怎么啦?别忙发表获奖感言!就你那个等效电路没人认可。而且要你变成Y接法你行吗?这可是非线性电路,能等效变换吗?侬倒好,说结题后另开新帖变给他看。
东方:重在参与,这不还没开新帖嘛?不着急。先巩固本帖讨论的成果。
266楼 楼主:这个( R23)是真的不喜欢!
几个事实:
1. 集电结和发射结在物理空间上是两个各自独立的内部结构
2.集电极和集电结在同一电流路径上
3.在基极和发射极之间加正向偏置电压,集电极开路,不可能有集电极电流,自然也不可能有集电结电流。
可是,可是,东方兄非得在C、E间等效出个不大的电阻,而又不让集电结擅离岗位,这不是为难人家嘛?你说集电结该怎么办?只好遵命啊!
XW:这不是你喜欢不喜欢的问题,楼主可以不喜欢,但你的对手不会不喜欢。
东方:当然要把人家十几年的传统观念纠正过来,得有个过程。相信楼主也会觉醒的。
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| | | | | | | | | 时间肯定会说明一切,但这似乎与时间又无关。
糟糕!怎么又前后矛盾了!!?
挨。。。。。。
没完没了,没完没了,没完没了了。。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | 因为爱着你的爱
因为梦着你的梦
所以悲伤着你的悲伤
幸福着你的幸福
因为路过你的路
因为苦过你的苦
所以快乐着你的快乐 追逐着你的追逐……
东方:楼主是一个有思想的人,也是追求梦想的人……
XW:只要有这点精神,就是一个高尚的人,一个纯粹的人,一个有道德的人,一个脱离了低级趣味的人,一个有益于人民的人。
东方:说谁哪?谁低级趣味了?
XW:我伲弄堂口那老李,你不认得……
东方:是吗,但是楼主被R23折磨得不轻。
XW:得帮帮他走出困境。你要证明这R23是存在的,不是“我喜欢”可以强迫他的。搞不好产生逆反心理。
楼主:在基极和发射极之间加正向偏置电压,集电极开路,不可能有集电极电流,自然也不可能有集电结电流。
东方:如果真的是没有R23,确实是这样。
XW:还是不知道到底有没有R23的啦!
东方:还有推论,如果没有R23,I[sub]B[/sub]为一个固定值,比如100μA,集电极悬空,这时候集电极电压就会很高,比较接近于Ub。大大超过0.088V!
XW:这只能算你的“东方猜想”,没办法证实。
东方:可以做实验嘛,很简单,取两只二极管,搭试成上述电路,下管100μA,测量一下上下管两端电压就知道了。
XW:是多少V?
东方:估计是0.7>Uce>>0.0079V 比如说是0.4~0.5V。
XW:这又说明什么问题呢?
东方:很清楚如果没有R23,开路时集电极电压也应该是0.45V左右。也说明没有R23的等效电路是不符合实际的。
XW:楼主说还有rbb’呢,你这里没有。
东方:楼主可以按他自己的喜欢加上任意阻值的rbb’,也不可能把电压降到几十mV!
XW:加上R23,开路时会得有集电结电流吗?
东方:那就有了。
东方:集电极开路,Ic=Ice-Ibc=0 即Ice=Ibc≠0 这里Ibc就是集电结电流。
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢楼主发来这么多仿真图片,请先介绍一下几块表的功能,如图一,U2是电流表,U6是电压表吧,U3是什么表? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真的结果很好。全部的数据指向同一个方向:R23等效电路可以解释所有的现象,反之,去掉R23就会矛盾重重。
楼主:传统观点认为发射结正向导通电压与二极管接近,硅管大约0.7V,而实验结果却显示发射结导通时,结电压只有大约几十mV。仿真结果也与实验结果基本一致。为什么?
东方:因为你没有考虑R23的存在。
XW:有了R23不还是几十mV吗?
东方:那几十mV就不是发射结电压,而是集电结和R23的分压,就应该这么低。
XW:嗯。你再分析几个仿真结果好不啦。
东方:实验三。
[数据]Ub=0.883V U2=0.103mA Uc=0.382V
D2正偏使集电极电压提高。U[sub]D2[/sub]=0.5V刚好是PN结的导通电压。这也证实了R23的存在,把D2送过来的电压拉低。0.382V 就是D2和R23的分压值。
XW:如果没有R23呢?
东方:那就是实验四,集电极开路,切断了D2和R23的联系。
[数据] Ub=0.778V U2=0.102mA U7=0.776V
集电极开路,D2没有电流,压降极小,U7只比Ub降低2mV
XW:这时D2导通吗?
东方:没有电流当然是不导通的。
XW:那U7的电压是怎么过来的?
东方:这么说D2还是导通的。如果是根玻璃棒就不会有电压过来了。
XW:UD2=2mV二极管能导通吗?不是说发射结几十mV也不能导通吗?
东方:这个问题还是留给楼主和cdzx先生讨论吧,他们有一套说法。但楼主要做出选择,而且不管是喜欢不喜欢都要选择:是选择R23的△等效电路呢,还是坚持Y形等效电路?,选择R23△电路的好处是没有矛盾,和仿真完全符合。缺点是楼主“真的不喜欢”。
楼主:流过集电结的电流始终等于集电极电流,因为它们始终处在同一支路里。
东方:这就是你的Y等效电路的观点,事实不是这样的。R23和集电结不是同一支路,这样矛盾就没有了。
楼主:集电结电流明明从N流向P,却为什么非的说它是正偏的理由,给出一个令人信服的解释。
东方:还是一个道理:按楼主Y电路,就自然出现这个矛盾,就没有“一个令人信服的解释”。肯定是这样的结果。
XW:那按R23电路呢?
东方:很好解释啊,Ic有两条支路路,一条是“集电结电流从N流向P”,另条路是R23从C流向E。而集电结是正偏的。仿真也完全证实了这一点。只有楼主拒不承认,非要把两条支路并在一起,这样倒行逆施没有不跌跤子的。
XW:这件事情老奇怪了,楼主一方面坚持Y电路,另一方面又不断提供数据支持R23△,但就不肯承认,真弄不懂。
列*宁:几何公理要是触犯了人们的利益,那也一定会遭到反驳的。 |
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首先知道(或者说是合理推理)东方兄是电子方面专家,要不也不会给出如下图所示这么对称协调的图表。
各位看清楚了,该表可是连BJT反置的情况都包含在内了,不能不说是全面、系统。但是不是真的无可挑剔,我想解决了本帖的质疑也就揭晓答案了。
首先感谢东方兄对仿真结果的认可。窃喜
可没想到是,高兴的太早,一不留神,自己的仿真结果却被用来解释别人模型的正确性,真是自取其辱了!!!
楼主是百思不得其解!像东方兄这样的电子高手,竟能做出如此的答复!!!难道国人真的都是这样的???专家都是这样的吗????
唉!发牢骚没用,还是说正事吧,群里可有很多双眼睛在看着呢!
BJT的发射结正偏,集电极开路时,集电结两端有偏置电压吗?集电结中有电流流动吗?用什么模型是可行的?
其实这个论题早就开始了,有两个可谓截然不一样的观点:
观点一:楼主认为,集电结两端没有电压,并称其为零偏;既然没有偏压,也就不可能有集电结电流。楼主给出了相应模型电路(东方称其为Y模型),并在273楼作了六项仿真实验予以充分验证。
观点二:东方等认为,集电结两端有电压,而且是正向偏置;既然是正向偏置,也必然有集电结电流。东方等给出了一个与楼主的模型完全不能等效的模型(东方自称为D 模型),却也用楼主的仿真结果进行了验证。
于是问题来了,同样的数据怎么会同时支持完全不一样的观点呢?要是真的分不出个真假对错来,怎么对得起下面那么多双渴望的眼睛!怎么有脸在这世纪电源网论坛里混!
世纪论坛,难免不会有老外偶尔光顾,那更是让他们笑掉大牙!事关国体,不能不说!!!!!!
虽说BJT是非线性元件,非线性会难倒无数英雄好汉!但对于“BJT在发射结正偏,集电极开路时,集电结偏置情况”这个问题,用不着那么纠结、害怕、恐惧!一个简单的欧姆定律足矣!初中生都学过的一个基本电学常识。
下面是楼主和东方兄关于这个问题的对话整理,为了便于理解,适当的时候会引用楼主在273楼的仿真结果,并把图重新给出,新图中元件标识可能与仿真图不同,但测试数据会一样,不防碍阅读和理解。但为了不致引起误解,重画图时,数据作了合理近似:电流精度精确到1mA,电压精度精确到1mV。这个精度,我希望东方兄可以接受,也希望看帖各位可以接受。
首先给出东方和楼主各自的BJT模型
东方说,他的模型中,引入的电阻R[sub]CE[/sub]阻值很小。问题来了,我们讨论的问题,条件之一是“集电极开路”,请问东方:您引入这个很小电阻之后,集电极还能够开路吗?还没开始讨论呢,条件就已经变了,错误的前提下的模型,还有继续讨论的必要吗?
各位有所不知,东方可有名言,叫做什么“我选择,我喜欢”,不是很准确,但意思不会错。唉!作为专家,说玩笑也就罢了,若玩起真的也这么任性,就该考虑一下了。
本来想逐条和东方讨论的,无奈东方拉来个助手,弄得我插不上话。只好先让他们说,打断人家不礼貌。适当的时候插上几句。
为了各位方便阅读,把二人对话提到的楼主在273楼的仿真电路分两种模型重画如下。其中一个是楼主给出的电路三:
1.电路中的BJT已经分别替换为楼主和东方的两个模型。
2.图中红色二极管是在B、C两电极外部并联的二极管,下文中称为D。
3.图中数据最大限度尊重仿真结果(保证足够误差精度);
1. 二者对话中引用楼主数据有误的的地方在文中用红色字体标出,正确数据以图中数据为准。对话中所用符号为和新图对应,作了必要修改,但不会改变对话观点。
2. 也非常愿意相信对话中所引错误数据是东方一时疏忽,毕竟仿真图不是很清楚,这也是我的一个错。而且巧的是,8和6、6和5的确容易混。所谓无巧不成书,看一下图和二者对话,各位就明白了。
以下为东方和助手XW(楼主猜的,嘿嘿)二人的精彩对话,蓝色字体标出。黑色为楼主在可以插话的地方的观点。
仿真的结果很好。全部的数据指向同一个方向:R[sub]CE[/sub]等效电路可以解释所有的现象,反之,去掉R[sub]CE[/sub]就会矛盾重重。
楼主:传统观点认为发射结正向导通电压与二极管接近,硅管大约0.7V,而实验结果却显示发射结导通时,结电压只有大约几十mV。仿真结果也与实验结果基本一致。为什么?
东方:那几十mV就不是发射结电压,而是集电结和RCE的分压,就应该这么低。
楼主:讨论前提之一为集电极开路,加个很小的电阻RCE上去后(不管是从内部所谓等效出来的,还是在外部单独外接的),条件已经不再满足了,你就是使出吃奶的劲,集电极也不会开路了。后面的讨论已经没有意义了。此乃东方模型错误之一。XW还以为很对,东方更是信心十足呢。他们继续了:
[数据]UBE=0.883V I[sub]B[/sub]=0.103mA UCE=0.382V
外接二极管D正偏,使集电极电压提高。UD2=0.5V刚好是PN结的导通电压。这也证实了RCE的存在,把D送过来的电压拉低。0.382V 就是D和RCE的分压值。
楼主:首先UBE数据引用错误,正确数据为UCE=0.683V,对UD电压的推理自然不对,不是0.5V,而是只有0.401V,传统理论认为此时PN结尚未导通。电流也将很小,这个很小电流流过很小的电阻RCE怎么可能产生0.382V的电压?难道是RCE有孙悟空的本事,会自己变了不成?
其次,实验显示,此时A1示数已经不再是IB了,此乃又一引用数据错误。
其三,实验数据显示,当UD=0.401V时,流过的电流ID=101mA,这与传统理论似乎矛盾,那么到底那个对呢?东方没有对此提出异议,但正确的只会有一个。建议东方做个仿真验证一下吧。实验呢,就不建议做了,说真的,我不认为东方会做出满足误差精度要求的实验结果。什么结果?就是实际测一下,一个二极管加0.401V的正偏电压,会产生多大的正向电流?
各位,负责任的说:仿真数据是真实可靠的!为什么?真正的专家来不说自明。不赘述!
其四,按照东方的观点,没有外接二极管D的时候,由于UCE很小,只有88mV(仿真一的数据)。RCE很小,对集电结正偏电压的抵消作用有限(683mV对88mV的关系),所以集电结和发射结近似平分基极电流,然后,东方给出的RCE阻值然也就有了。东方早就算得很清楚了,约为1.76kΩ。具体一请参看其在238楼的分析。之后,还是在238楼,东方又拼命把其降低为0.073 kΩ。理由充分与否,各位看后自有评说,不表。这里呢,就以东方按仿真数据计算出的、这个他自己也以为偏大的值,来计算一下,在实验三的情况下,集电极电压会有多大?咱给他望大里算啊,不防认为发射极电流全部从RCE流来(唉,这还要两个PN结干啥呢,东方?)。则:
有人说了,楼主真啰嗦,初中物理用得着在这里显摆了吗!
唉,有什么办法,东方一直很善于这种计算。这里重要的不是过程,是结果!什么结果?按照东方模型显示,此时集电极电压只有不到181mV。而楼主的仿真结果是382mV。可是,东方一直认为它的模型正好解释楼主的仿真结果。
其四,仿真实验三是在仿真一的基础上,仅仅在东方模型的结集电结上同相并联了一个二极管。按照传统观点分析,该二极管应该和集电结平分集电结原先的电流,也就是两个电流各自大约为51。仿真结果怎么样呢?请看:
ID=101mA,由此推出IB=103mA -101mA=2mA。继续推理,集电结和发射结的电流又该是多少?唉!可能东方还会认为我的数据有力支持了他的模型。这不,他们谈性未减呢。[sub][/sub]
东方:那就是实验四,集电极开路,切断了D和RCE的联系。
[数据] UBE=0.778V IB=0.102mA UCE=0.776V
集电极开路,D没有电流,压降极小,UCE只比UBE降低2mV
楼主:这是第三个引用数据错误,仿真显示UBE=0.776V=UCE,唉!木有办法,它们飞得在误差范围内相等,各位说该怎么办?还是看二位咋说吧
东方:这么说D还是导通的。如果是根玻璃棒就不会有电压过来了。
楼主:亏得东方是专家,反应就是快,还举出这么恰当一个例子。可是,可是,东方先生想过什么是半导体吗?什么是非线性吗?什么是。。。。,唉!别什么,什么了,我知道在下面静观各位,有不少在此也糊涂了。还好,这不是重点,略过。二位等不及了呢
XW:UD=2mV二极管能导通吗?不是说发射结几十mV也不能导通吗?
东方:这个问题还是留给楼主和cdzx先生讨论吧,他们有一套说法。但楼主要做出选择,而且不管是喜欢不喜欢都要选择:是选择RCE的△等效电路呢,还是坚持Y形等效电路?,选择RCE△电路的好处是没有矛盾,和仿真完全符合。缺点是楼主“真的不喜欢”。
楼主:东方啊,你可不是要坚持不住了?把球踢给我也就罢了,怎么也踢给cdzx11(这才是人家的真马甲吧)了?要知道cdzx11先生可是站在您的阵营中的哦。到现在还说您的模型处处和我的仿真结果符合,内心是不是也该开始发毛了?
楼主:流过集电结的电流始终等于集电极电流,因为它们始终处在同一支路里。
东方:这就是你的Y等效电路的观点,事实不是这样的。RCE和集电结不是同一支路,这样矛盾就没有了。
楼主:集电结电流明明从N流向P,却为什么非的说它是正偏的理由,给出一个令人信服的解释。
东方:还是一个道理:按楼主Y电路,就自然出现这个矛盾,就没有“一个令人信服的解释”。肯定是这样的结果。
楼主:唉,亲爱的东方,你是怎么从我的模型推出“集电结从N流向P,而集电结还必须是正偏的”这个矛盾的?你这是在肯定我的模型,还是在否定您自己的模型?
东方:很好解释啊,Ic有两条支路路,一条是“集电结电流从N流向P”,另条路是RCE从C流向E。而集电结是正偏的。仿真也完全证实了这一点。只有楼主拒不承认,非要把两条支路并在一起,这样倒行逆施没有不跌跤子的。
XW:这件事情老奇怪了,楼主一方面坚持Y电路,另一方面又不断提供数据支持RCE△,但就不肯承认,真弄不懂。
楼主:唉,唉!没完没了了!!!按照您的模型,IC当然是可以有两条支路了,而且是您创造性的发明了一条RCE支路,关键的是您让它避开集电结而独立存在!!!!!!
列*宁:几何公理要是触犯了人们的利益,那也一定会遭到反驳的。
楼主: 看来东方还真不愧是电子老专家,能背诵列宁语录的,就算是当代才俊也很少会有这等高的休养啊!
既然东方用到了实验四的数据,就不得不多说几句,为什么会给出实验三、四?就是为了说明单独的二极管和BC内部有本质的差别,基极体电阻不能被忽略!如果是二者是一回事,那么实验三、四仿真数据就该是一样,至少是差不多!
可是,可是,可是,。。。。。。东方专家就是视而不见,各位说该怎么办?
难道这么点小事,真的要没完没了,没完没了了。。。。。。??????
至于楼主的仿真结果如何支持楼主的模型,如何解决看似矛盾的问题,273楼的六个实验已经足以说明一切,不再赘述。有疑问请的继续提出,欢迎赐教,包括东方专家。
最后,对本帖中可能的不雅、不当之措辞,若伤及到东方专家。还请东方您大人不记小人过,先给您道个歉!请多包涵!
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| | | | | 看了楼主的观点,有自己的想法,东方以为是应该鼓励的。其实很多时候不是没有问题,而是不去多想,不少人糊里糊涂也就过去了,难得楼主这样执着地质疑,才发现原来没有仔细想过。包括有人问整流后的脉动直流有交流分量吗? XW:他说什么呢?
东方:说整流后就是直流,没有交流成分。
XW:这不是无理取闹吗?怎么有这样的想法?
东方:是在定义上把自己搞糊涂了。但讨论也有意义,使大家知道基础是从定义开始的。
XW:本帖会不会也是这样?
东方:没有仔细看,也许吧。好像讨论饱和时集电结是正偏还是反偏?
XW:什么叫集电结?
东方:三极管有三个电极,基极B、发射极E和集电极C,有两个PN结,一个是发射结,电压U[sub] BE[/sub] 一个是集电结,电压是U[sub] BC[/sub] 。
XW:这楼主会不懂吗?
东方:懂就好。还有什么叫正偏,什么叫反偏?
XW:以NPN型为例,U[sub] BE[/sub] >0叫正偏,U[sub] BC[/sub] <0叫反偏。
东方:很好。看看饱和的情况,试举一例:U[sub] B[/sub] =0.7V,U[sub] C[/sub] =0.3V,U[sub] E[/sub] =0不就是发射结U[sub] BE[/sub] >0,集电结U[sub] BC[/sub] >0,都是正偏!难道还有问题吗?
XW:楼主为什么要质疑呢?
楼主:如果集电结正偏,则电流必然从P型区流向N型区
东方:这句话有待质疑。不能简单地把集电结看成二极管。就像放大状态,集电结反偏,就不能说“如果PN结反偏,必然没有电流”。
XW:也就是说,三极管的集电结,不符合二极管PN结的规律。
东方:是的,反偏时电流可以由N→P,而正偏时电流也不一定P→N,而可以是N→P。
XW:反正是N→P。
东方:也不是。有时是P→N。见东方以前帖子里对三极管四种工作状态的分析:
东方:注意“反置”状态时,集电极作为发射极用,这时电流P→N。
XW:就是说,正偏、反偏也就是一种说法,具体是不是有电流,电流方向怎样,还要分析。
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| | | | | | | | | 那就再讲几句
东方:如说PN结U>0是正偏,但硅管U=0.4V一般还没有电流。不能说正偏时一定有电流P→N。 XW:正偏是二极管导通的必要条件但不充分。
东方:所以说楼主认为“集电结正偏,电流必然从P型区流向N型区”也是不对的,还要看电压高低,饱和时,UBC=0.7-0.3=0.4V,也不可能有正向电流的。
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若从工程的角度看,东方兄的表述更加合理。
在工程上,一般认为当电流比正常导通以后电流小到可以忽略时,就认为是没有,也就是截止了。这正是从伏安特性曲线上看,一般称为的正向死区。
但从原理上看,又不是很严密。本人认为,事实应该是:只要PN结正偏,就会有正向电流。区别在于电流的大小、以及电流增加的速度不同。在正向电压较低时,正向电流很小,小到一般仪器的精度测不出来的程度。 |
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| | | | | | | | | | | 呵呵……饱和时,我认为电流是会从集电结反向流动的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 不只是您这样认为吧,我也这么认为,大家都这样认为。您还是先看清楚别人说什么以后再发言比较好。 |
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| | | | | | | 三极管的集电结同样遵从PN结的规律!
1.PN结加正向偏置电压导通,电流由P→N;PN结加反向偏置电压截止。这里截止的真正含义电流很小,近似为零,但并不是说反向偏置真的没有电流,只是电流很小而已。反偏时很小的电流方向一定是从N→P,绝不是从P→N。
2.从电路元件的角度看,一般的二极管(不包含光电池)在电路中是用电器,而不是电源,也就是耗能元件,在稳态情况下,可等效为电阻,通过的电流方向和外部偏置电压极性之间的关系受欧姆定律约束,方向必然是一致的。在一定电压下,电流的大小取决于其电阻大小,或者说取决于其内部可参与导电的载流子数目。不管电流大小,方向肯定与电压方向一直,否则,它就不是用电器,而是电源了。
3.三极管的集电结导电规律同样离不开上述约束。具体讲,集电结外部偏置电压与通过集电结的电流方向之间的约束不会改变。正向偏置,电流由P→N;反向偏置,电流由N→P。电流的大小同样取决于可参与导电的载流子数量。
4.放大时,集电结反偏,都没有异议;集电结(极)的电流由N→P也没有异议;反偏的集电结(极)电流为何还很大?原因很简单,放大时,由于发射结正偏导致很薄的基区少数载流子数量急剧增加,自然会使集电结的反向漂移电流急剧增加。其实,这也没有异议。
5.饱和时,集电结同样是反偏的,这就有异议了!本帖就是对一般以为饱和时集电结正偏的质疑。其实,在一般的输出特性曲线的饱和区,集电结存在正偏和反偏两种截然不同的状态。其分界线也很清楚,那就是对应于集电结零偏,集电结电流也为零的点。实验测定,在发射结正偏的前提下(UBE=0.7V附近),使集电结零偏需要的集电极电压UCE只有大约几十个毫伏。远远低于发射结的正向导通电压几百个毫伏。
6.输出特性曲线的饱和区的绝大部分区域,集电结都是反偏的,集电结电流由N→P,大小可以远大于基极电流。而两个PN结均正偏的情况只占传统输出特性曲线饱和区很小的一部分,该区域对应的UCE电压很小,只有约几十个毫伏,只有在这个很小的区域内,集电结才是正偏的,集电结电流由P→N,数值小于等于基极电流,这部分区域的特点,实际更接近两个二极管并联时的情况,不属于一般认为的饱和状态。这就是本帖的观点。真实的输出特性曲线形状示意图,本帖附件里有。
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| | | | | | | | | 楼主说“三极管的集电结同样遵从PN结的规律”。这点依据不足。 XW:PN结的特性是单向导电性,正向导通,反向截止。但集电结可以N→P导电,就和二极管的PN结不同。
楼主:截止的真正含义电流很小,近似为零,但并不是说反向偏置真的没有电流,只是电流很小而已。
东方:但集电结反偏时可不是近似为零,而是电流很大。这就不是二极管PN结的性格。不能说遵从PN结的规律。
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| | | | | | | | | | | | | "集电结反偏时的电流与电压同样受部分电路欧姆定律约束"这个当然没有问题,但这里是三端网络,就不能单独把集电结孤立出来考虑。这可能是关键。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 请注意“部分电路”的真正含义,集电结是集电极回路中的一部分。它的导电特性固然受发射结偏置情况的影响,但不妨碍其服从欧姆定律的约束。
关于饱和区的实际情况,本帖附件所述有一个总结性的图五(b),重新·给出如下:
最近,对该问题用Multisim12进行了仿真,得出同样的结果,具体如下:
注:下面所有贴图的电路及仿真参数完全一致,只是为了观察通常所说的饱和区的细部特征,而对坐标刻度作了不同调整。具体参数在贴图中一并给出。
1.这是按照一般理解设置坐标参数的结果:横坐标-0.01V~5.5V,纵坐标-50uA~16mA。
该图线与传统的输出特性曲线几乎没什么区别,不过别急,请看:
2.将纵坐标参数修改:横坐标1mV~5.5V,纵坐标-5mA~16mA,会看到明显的反向电流。
3.将横坐标展开:横坐标-0.01V~ 700mV,纵坐标-5mA~16mA。可以看到明显的反向电压和反向电流。
4.将横坐标再展开一点:横坐标1mV~ 200mV,纵坐标-5mA~16mA。会更加清楚
仿真结果结果显示,只要精度足够高,就可以将U CE足够小时的集电极电压、电流情况精确的测出来。结论与本帖叙述观点完全吻合。 |
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XW:225楼讲的三端网络,那按三端网络怎样分析?
东方:最常用的等效电路是这两种:你用哪一种?
XW:哪种好?
东方:没有最好,只有更好。反正是可以等效变换,随便用吧。不过适合楼主的应该较好。
XW:看看楼主是怎么用的?
东方:楼主和cdzx11已经吵不清楚了。他被问了一个问题:
Cdzx11:楼主还应该做一个实验:I[sub] B[/sub] 为一个固定值,比如100μA,集电极悬空,这时候集电极电压是多少V?
楼主:当I[sub] B[/sub] =102uA时,U[sub] BE[/sub] =0.776V,而U[sub] CE[/sub] =0.088V=88mV。
Cdzx11:应该等于基极电压。
XW:用等效电路行吗?
18楼lahoward:楼主认为的三极管模型复制如下:
东方:那就和左图结构相同,是星形接法。但不能用两个二极管这样近似。实验时I[sub] B[/sub] =100μA,U[sub] CE[/sub] =88mV。
楼主:B、E间电压只有很少一部分降在发射结上,大部分电压降在基区体电阻上。
东方:我们看一看问题出在哪里?基区电阻rbb’是可估算的,一般用300Ω(或者更小),那么压降是多少呢?300×0.1=30mV,可知发射结上的电压还有776-30=746mV,不可能“大部分电压降在基区体电阻上”!
XW:楼主对体电阻寄予厚望,就靠它把集电结降成反偏呢。
东方:如果真的“大部分电压降在基区体电阻上”,发射结只有几十mV,这个PN结就还没有进入导通状态。哪里来的100μA?
XW:愿望很美好,现实很骨感……可是,楼主的试验怎么解释呢?
东方:试试右图的等效电路吧。
XW:好。令1是基极B,2是集电极C,3是发射极E。
东方:注意这个等效电路出现了CE间的电阻,为什么集电极开路时U[sub] CE[/sub] 很小呢?
一定是R[sub] 23[/sub] 很小,U[sub] BE[/sub] ≈0.7V,UBC≈0.7V,但和R23一分压,U[sub] CE[/sub] 就只有几十mV了。
XW:关键是,这时的集电结是正偏还是反偏?
东方:当然是正偏。
XW:集电极有电流吗?
东方:没有。
XW:如果集电极有电流怎么样?
东方:列出关系式:
I[sub] E[/sub] =I[sub] BE[/sub] +I[sub] CE[/sub]
I[sub] B[/sub] =I[sub] BC[/sub] +I[sub] BE[/sub]
I[sub] C[/sub] =I[sub] CE[/sub] -I[sub] BE[/sub]
解之得:I[sub] E[/sub] =I[sub] C[/sub] +I[sub] B[/sub]
XW:这什么意思?
东方:如果集电结反偏,I[sub] BC[/sub] =0,是放大状态。
XW:关键是饱和时……
东方:饱和时集电结正偏,有I[sub] BC[/sub] 出现,符合楼主讲的全电路欧姆定律。
楼主: 如果集电结正偏,则电流必然从P 型区流向N 型区。
XW:I[sub]BC[/sub]正是如此!可是……为什么不是“ 集电极的电流从集电极流出晶体管”?
东方:这是因为集电极电流是两部分组成,I[sub]CE[/sub]比I[sub]BE[/sub]大得多。按照少数服从多数的原则,于是电流流进了晶体管。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我不如东方。
跟我讨论问题,懂的自然就懂了;不懂的还是不懂。
1. 要有数据,比如基区体电阻,有数据很容易就说清楚了。
2. 要画图,我就是懒得画图,嫌麻烦。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | cdzx11先生谦虚了,画的图漂亮得很,彩色3D风力发电机图。
东方也是受先生的启发:
cdzx11:集电区电流是从这个通道流向发射区的,这些电流并没有通过任何一个PN结。
XW:所以你就加了一个电阻R23,形成了cdzx11通道!但现在楼主要你讲出R23到底多大?
东方:有这么多资料,估算出来大概也是可以的吧?
XW:楼主说的“2、3端开路时的情况”是不是指的集电极开路?
东方:也许吧。如果2、3端都开路,就只剩基极光杆司令,电流没法流呀。
XW:但是集电极开路不就是双端网络,还有R23吗?
东方:我以为是有的。你保留端口,把C开路看成Ic=0的特殊情况。
XW:此时的R2仍然还是R2吗?如果不是R2,那该是多大?
东方:你这个问题提得好……
XW:不是我,是楼主……
东方:不论谁问的,也要回答。这里R23不是一个常数,究其本质,是个受控电流源。
XW:楼主关心R23是多大?
东方:可以。受控源在静态时可以等效于某个电阻。
XW:楼主说:当I[sub] B[/sub] =102uA时,U[sub] BE[/sub] =0.776V,而U[sub] CE[/sub] =0.088V=88mV。这时的R23多大?
东方:可以估算一下,由于假设R23很小,粗略讲I[sub] BC[/sub] ≈I[sub] BE[/sub] 不会有多大的误差
又I[sub] B[/sub] =I[sub] BC[/sub] +I[sub] BE [/sub] 可得I[sub] BC[/sub] ≈50μA
R23=0.088/0.05=1.76kΩ
XW:这个电阻也不是非常小呀?
东方:在微安级的电流目前,也不算大。而且和楼主的数据有关,不用仿真,按实际数据:
Ic=0
I[sub]B[/sub]/μA
| 4.90
| 9.90
| 15.1
| 25.5
| 35.4
| 50.9
| 61.0
| 71.0
| 81.0
| 91.0
| 100.0
| U[sub]CEZ[/sub]/mV
| 15.6
| 13.6
| 12.3
| 10.6
| 10.0
| 8.78.
| 8.30
| 7.99
| 7.49
| 7.46
| 7.29
| I[sub] B[/sub] =100μA时U[sub] CEZ[/sub] =7.29mV
求得:R23=7.29/0.05=145.8Ω
XW:这还差不多。如果集电极有电流R23是多大呢?
东方:设Ic=4.6mA U[sub] CE[/sub] =335mV R23=0.335/4.6=0.073kΩ
XW:R23更小了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不管咋说,也算有理有据。
1.“R23=0.088/0.05=1.76kΩ”,这个结果是根据仿真结果算的,看似正确
2."R23=7.29/0.05=145.8Ω",这个结果是根据“质疑”文中实验数据算的,似乎也无问题。
继续问东方老兄:
1.当“I[sub]B[/sub]=102uA时,U[sub]BE[/sub]=0.776V,”时PN结是不是正常导通了?如果算正常导通,当其两端电压在此基础上较小88mV,你以为通过PN结(集电结)电流还会是I[sub]B[/sub]的一半吗?如果不是,您的这个估算还有效吗?
2. 按您的说法,我给出的电路是一个星型等效电路,您给出的是一个三角形等效电路。请注意,这是对线性电阻网络而言的,而且是在两端口都存在电压和电流的情况下(既不能开路也不能短路,这些情况根本用不着变换)的等效变换,是对端口外电路的等效。对非线性元件或受控源电路,您怎么等效?您以为能等效,那么这个变换公式是什么?你可别说和线性电阻网络的变换公式一样。
3.如果我们两个给出的电路无法等效,那么您的推导、证明还有意义吗?
4.“设 Ic=4.6mA U[sub] CE[/sub] =335mV R23=0.335/4.6=0.073kΩ”, 照您的模型这么算,饱和时集电极电流既不用流过集电结,也不用流过发射结了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主:1.当“IB=102uA时,UBE=0.776V,”时PN结是不是正常导通了?如果算正常导通,当其两端电压在此基础上较小88mV,你以为通过PN结(集电结)电流还会是IB的一半吗?如果不是,您的这个估算还有效吗? 东方:PN结是正常导通,电压低,电流就小,但因电压仅低了10%,不算太大,可以忽略不计。这不是主要矛盾。你看按仿真和实验结果,计算R23的大小相差十倍,楼主也认为可以接受,还去计较这10%,有意义吗?
XW:人家精益求精,一丝不苟。
东方:一定要算准也是不难的。有公式,问你们老师就知道了
其中U[sub] T[/sub] ≈26mV
XW:这个好办,楼主就是老师,我向他请教。
楼主:我给出的电路是一个星型等效电路,您给出的是一个三角形等效电路。您怎么等效?
东方:没法等效。
XW:啊?不要太失望了。
东方:一定要等效,就有条件。
XW:那还差不多。什么条件?
东方:把二极管分段线性化,变成电阻和电压源。就可以参与变换了。
楼主:如果我们两个给出的电路无法等效,那么您的推导、证明还有意义吗?
东方:有意义,证明有一个电路是对的,另一个电路是错了。
XW:哪个错了?
邓爷爷:实践是检验真理的唯一标准。
楼主:照您的模型这么算,饱和时集电极电流既不用流过集电结,也不用流过发射结了。
东方:这是cdzx11先生说的。我选择我喜欢。楼主可以有不同意见。不过真理只有一条,且不以你我的选择为转移。
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非线性元件不同条件下等效为不同电路不算为奇吧?等效电路(d)可以用来很好解释饱和时BJT的工作特点,而且可以很清楚的解释由饱和区过渡到放大区的整个过程。并与实验结果有很好的符合度。用您的模型试着去解释一下看看,会不会在哪里卡壳?
东方兄继续,您总不能对别人的问题只做选择性回答吧?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | XW:不一定楼主就不喜欢。 楼主:C、E间可以等效为一个很小的电阻我赞同,这是一种综合外部等效。但有了这个等效电阻后,您要再把两个PN结这么硬生生的按上去,就有点问题了(关键是安的方式不对)。
XW:很好。那不就是在楼主的b图上加上一个电阻吗?楼主会同意吧?
东方:那就好。
XW:但是他认为“有了这个等效电阻后,您要再把两个PN结这么硬生生的按上去,就有点问题了”
东方:这个就说不通了,因为b图里的两个PN结是楼主自己事先装在那里的。东方只是就地取材而已。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主:您不否认饱和区和放大区是连续衔接的两个区域吧?那么再请问: (1) 在这个过程中,按您的模型,集电极的电流是怎么随着电压的增加,在您给出的R23和集电结之间重新分配的?
XW:这个问题问到点子上了,东方够呛啊。
东方:当集电极电位增大到超过基极电位时,集电结反偏,I[sub]BC[/sub]=0, Ic=Ice
(2) 到了真正的放大区域,这个电阻是否还存在?若存在,是不是还像您说那样很小?
东方:是的很小,而且是更小。这回不是我选择我喜欢,而是事实是这样。有楼主的数据为证。
(3) 若不存在,或者说大小变了,或者说这个模型不再适用了,从什么时候开始不适用的?
东方:大小变了是正常的,模型还是适用的。就像调压变压器的电压变了,但还是变压器。
(4) 若仍然适用,您又怎么用这个模型解释放大状态的恒流性?
东方:这个……那个……
XW:看来这位没辙了。
东方:可以用楼主的资料说话。
XW:是不是撒贝宁时间 证据在说话?
东方:哎!怎么你也知道啦?不过这次是楼主的证据在说话。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | (1)东方:当集电极电位增大到超过基极电位时,集电结反偏,I[sub]BC[/sub]=0, Ic=Ice
楼主:照您这么说,到了放大区,集电结就没有电流流过了?
(2) 楼主:到了真正的放大区域,这个电阻是否还存在?若存在,是不是还像您说那样很小?
东方:是的很小,而且是更小。这回不是我选择我喜欢,而是事实是这样。有楼主的数据为证。
楼主:我有多个实验数据,哪个证据可以证明你的这个电阻依然存在?退一步讲,用别人不同的模型数据证明自己的模型的正确性,这是什么逻辑?
(3) 楼主:若不存在,或者说大小变了,或者说这个模型不再适用了,从什么时候开始不适用的?
东方:大小变了是正常的,模型还是适用的。就像调压变压器的电压变了,但还是变压器。
楼主:大小变了很正常?引起变化的原因是什么?范围多大?这个比喻不错,电压变了,变比变了吗?变比若变了,还是原来的变压器吗?
(4) 若仍然适用,您又怎么用这个模型解释放大状态的恒流性?
东方:这个……那个……
XW:看来这位没辙了。
东方:可以用楼主的资料说话。
XW:是不是撒贝宁时间 证据在说话?
东方:哎!怎么你也知道啦?不过这次是楼主的证据在说话。
楼主:请问您需要我的哪个证据说话?我的证据可以说明有恒流区,您的模型需要证明为什么会有恒流区才对吧?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | XW:但是他认为“有了这个等效电阻后,您要再把两个PN结这么硬生生的按上去,就有点问题了”
东方:这个就说不通了,因为b图里的两个PN结是楼主自己事先装在那里的。东方只是就地取材而已。
楼主:再次说明,非线性元件在不同条件下用不同等效电路!把两个不同条件下的等效电路凑到一起,那算是什么? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.你这可不能算是在我的图上简单并了一个电阻吧?其实您也知道,我的模型和你的模型根本就不可能进行等效变换,那您和XW谈所谓的变换还有意义吗?
2.请注意我说的是“综合外部等效”,这里的“综合”的意思是:考虑到BJT内部三个区域和两个PN结具体情况的综合结果。好了,您综合为一个R23了,然后再把两个PN结硬拽出来,而且一向情愿的让基极与R23我有任何联系。请问:什么是元件(变量)的独立性?
3.关于这个电阻,在前面的附件“三极管工作原理”中,最后有一个表,在这个表里,我把它表述为:在饱和区满足IC=KUCE,此时IC只与UCE有关,而且是良好的线性关系。也就是说在饱和区,描述C、E内部的对外等效电路,只需K这一个参数就足以。这个K是什么,不用我说吧?再加其它的参数,那就是画蛇添足。注意,仅仅适用于BJT的饱和区。FET另当别论。
另请注意,这个K仅仅用来近似描述对外等效电路,不能用来解释内部导电机理! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 等效变换的关键是“等效”,不等效的电路是不能变换的。
XW:这不是等效变换的错。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您拿两个根本不能等效的的电路谈什么等效变换?期待您给出你那电路旳星型等效电路,记着不要忘了给出等效变换公式。群里的可不都像您一样都是高手。
请继续把问题回答完,不要选择性回答,拜托! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 等效电路是为了分析问题方便推出来的,而不是自找麻烦。R23的引入已经取得很大的突破,至少解答了楼主的质疑。
【重要结论】
1、三极管饱和时的集电结是正偏的。
2、三极管的基极体电阻很小,对讨论PN结偏置无多大意义。
3、饱和时尽管集电结是正偏的,但P→N的电流一般很小或没有电流,不影响集电极电流流入三极管的电流方向。
4、逐渐降低Uce的电压,使Ic=0的那一点,并不是集电结正偏和反偏的转换点。
5、集电结正偏和反偏的转换发生在Uc=Ub的那一点。
6、一般说集电结正偏是饱和状态,但有时正偏时还是放大状态。所以有临界饱和之说,这是渐变的过程。
搞清楚上述概念比等效变换更重要。
XW:楼主要求“期待您给出你那电路旳星型等效电路”
东方:那就是研究Y-△转换,不是本帖的内容,如果有兴趣讨论,可以另开新帖,东方一定捧场。但这个主题帖先要结掉。
XW:如果不结呢?
东方:那就会没完没了;没完没了,没完没了,没完没了……
XW:快逃呀!贾玲来了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主:一些结论明确写在这里了,对错先不表。
东方:这可不好,讨论到现在,有没有结果?特别是肯定饱和时,集电结是不是处于正偏?还要不要质疑?大家都很关心。
XW:你这话说的……不是已经讲了,饱和时集电结是正偏,教科书没有错,质疑之后搞清楚了,下回不敢质疑了。
东方:那敢情好,但楼主不一定同意,日后会翻案的。
楼主:20楼给出的BJT模型,如果您的模型也对,您这替代是不是也叫等效变换?
YTDFWANGWEI:就这么说吧,从别地方复制粘贴过来的,一般很少人会去参与。如果是自己的一些心得什么的,参与的人会多一些。
东方:20楼是Lahoward发表的,您还是和他讨论。不知他还愿不愿和您对话?
XW:楼主就是要和你理论理论。
东方:可以,但也有个条件,先把本帖给结了。
XW:你怎么有这么多附加条件?
东方:关系到网友们的智慧能不能得到肯定。具体说,是不是承认cdzx通路的作用,以及【重要结论】的内容?
XW:这很重要吗?
东方:是的,看了楼主253楼的发言,有点不寒而栗:
楼主:我觉得在I[sub]B[/sub]支路加上基区体电阻,可以清楚解释饱和时集电结的偏置问题。
XW:235楼不是已经计算,基区体电阻很小,对偏置没有多大意义。而且236楼他也承认“可谓有理有据!”
东方:现在需要巩固论战胜利成果;合作共赢。不能把过去的讨论来个“对错先不表”就过去了。
XW:忘记过去就意味着背叛!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 回答余下的问题:
XW:235楼不是已经计算,基区体电阻很小,对偏置没有多大意义。而且236楼他也承认“可谓有理有据!”
楼主:“可谓有理有据!”就是同意您的观点吗? 东方兄怎么推理的?
XW兄, 235楼怎么计算的这个电阻?
其一,235楼计算的是他所主张的R23,不是楼主主张的基区体电阻。
其二,235楼是怎么计算这个R23电阻的?使用了我的实验数据,我的什么实验数据?我的开路电压和我的短路电流!然后用这样计算出来的一个电阻等效C、E间的内部电路。说到这里,XW兄是不是已经看出点端倪?
为了让更多的人能够看懂,多啰嗦几句:
无论是放大状态还是饱和状态(只要不是截至状态),从C、E两点向BJT内部看去,都是一个有源二端网络,戴维南说这个网络可以用他的等效电压电源定理等效替代,替代以后保证端口电压电流关系不变,这个等效电压源怎么构成?戴维南说用一个理想电动势(电源)和一个电阻串联代替。这个理想电源的电压等于该端口的开路电压,这个串联的电阻等于从C、E端口看进去的等效电阻。开路电压怎么算,方法有多种,最简单的就是用电压表直接测开路电压;这个电阻怎么算,也有多种办法,其中有一个算法235楼已经给出了。就是用开路电压除以短路电流。
重申,235楼用的楼主电压数据是开路电压,集电极开路时,集电极是不会有电流的(严格的说法是,由于电压表内阻很大,这时集电极电流很小,可以忽略,近似开路)。用戴维难的定理算出的等效电路换上去,在集电极开路的状态下肯定不会有集电极电流。235楼只把这个等效电阻代替进去,得到的结论还用说吗?
如果还有看不明白的,请回头去查一下电路书。 |
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东方:我们看一看问题出在哪里?基区电阻rbb’是可估算的,一般用300Ω(或者更小),那么压降是多少呢?300×0.1=30mV,可知发射结上的电压还有776-30=746mV,不可能“大部分电压降在基区体电阻上”!
XW:楼主对体电阻寄予厚望,就靠它把集电结降成反偏呢。
东方:如果真的“大部分电压降在基区体电阻上”,,这个PN结就还没有进入导通状态。哪里来的100μA?
1、 具体估算基区电阻rbb’对PN结电压的影响,776-30=746mV降低了4%,所以可以忽略;
东方:从一个错误的前提出发,推出不合理的结果,进而否定错误前提。
假设楼主说的“大部分电压降在基区体电阻上,那么发射结只有几十mV电压”是对的,但这个结果和事实相符吗?几十mV的电压PN结是不导通的。但事实上有100μA的电流!这是什么原因呢?很显然,楼主说的“大部分电压降在基区体电阻上”是不存在的。
东方:楼主一方面表示“有理有据”,但一转身,又重申:“饱和时基极体电阻上的压降不可忽略,该压降对PN结电压的影响更不可忽略。 ”(257楼)
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非常的抱歉,错把238楼的计算说成235楼了。不该的疏忽!该打!
1、原先也简单认为这个电阻就应该是一般教材上说的横向基区体电阻,当时也没太多去细想,也没有做具体估算,现在看来有些草率。
2、通常认为的基区横向体电阻rbb[sup],[/sup]是在放大交流等效分析时给出的,它
包含在发射结交流等效电阻rbe之内,是rbe的一部分,也就是小于rbe。
rbe大小可以近似等于输出特性曲线上静态工作点Q处的曲线斜率的倒数。如图所示
3,在图中,连接原点O和静态工作点Q的连线也确定一个电阻,我们不防称作静态直流等效电阻RBE。很显然这个电阻要比rbe大得多,当然也比rbb[sup],[/sup]大得多。
4.对BJT饱和状态的分析是静态直流分析,而不是动态交流分析,基区的那个体电阻似乎更应该接近RBE ,而不应该是rbe。是不是可以类比一下,有一个与直流等效的电阻RBB,,当然这里只是一个猜想,本人愚钝,对微电子不精通,欢迎发各位发表高见。
5.到目前为止,仍然没有充分理由证明讨论饱和时可以忽略基区体电阻的影响。
[sup][/sup]
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 东方兄的问题,的确是一个问题:
传统观点认为发射结正向导通电压与二极管接近,硅管大约0.7V,而实验结果却显示发射结导通时,结电压只有大约几十mV。仿真结果也与实验结果基本一致。为什么?真相只有一个!所以楼主决定新开贴,专门讨论一下该问题。望高手们不吝赐教! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | <span style="font-size:14px;">
【基于事实的合理推演】
1 、饱和时电流很大,不仅集电极电流很大,基极电流也相对很大。基极体电阻上的压降不可忽略,该压降对PN 结电压的影响更不可忽略。
2 、饱和时,VB>VC。但由于体电阻的存在,当VB>VC时,不能断定集电结一定正偏。“VB>VC”是“集电结正偏”的必要条件,而非充分条件,更不是充要条件。
3、假设一开始BJT处在放大区,然后在保证其他条件不变的前提下,逐渐降低UCE,则工作点逐渐向饱和区移动。请耐心读完:
(1)在放大区,集电极电流IC不随UCE的降低而变小。
(2)只有工作状态随着UCE的降低而脱离饱和区后,IC才随着UCE的降低开始减小。这个电压值不是在UCE=UBE时,而是在UCE降到等于UBE之前,集电极电流就开始逐渐降低,脱离放大区向饱和区移动,只是电流变化速度较慢。这时,集电结显然反偏,电流依旧很大。
(3)经过短暂的过渡,当UCE降到等于UBE以后,集电极电流就开始迅速降低,进入饱和区。
由于这期间电流没有产突变,在UCE降到小于UBE附近,集电极电流依然很大,而且方向未变,显示集电结依旧反偏(受欧姆定律约束)。
(4)进入饱和区后,随着UCE降低,IC迅速减小。但只要电流方向不变,集电结就会在欧姆定律约束下保持反偏,只不过幅度逐渐减小(有文献称为“弱反偏”)。
(5)当UCE足够低(已经远小于UBE,但不是零,依旧大于零)时,IC减小为零,此时集电结零偏,依旧遵从欧姆定律约束。
(6)由于零偏时没有集电极电流,所以集电极电压等于发射结电压,但不是基极电压。因为此时基极电流未变,一直保持原来的大小,基极体电阻上压降不可忽略。
(7 )当IC减小为零后,继续减小UCE,此时集电结开始正偏,IC电流开始反向,有反向电流变为正向电流,依旧遵从欧姆定律约束。
(8)直到减小到UCE=0时,相当于集电极和发射极短接,两个PN等效并联,两个PN结均正偏,且大小相等,均分基极电流。
【由推演得出的结论】
在BJT输出特性曲线上,一般认为的饱和区内,即在UCE<=BUE的绝大部分电压区域内,集电结都是反偏的,都存在反向的集电结电流,其外部表象为集电极电流向里流动。
只有当<span style="color:black;">U CE<< |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 几个事实:
1,三个区掺杂着不同,E重掺区,B较高掺区,C轻掺。电子空穴移动特征会导致两个PN结不是独立无关的PN结
我们两的根都不一样,所以没法讨论。
半导体工艺和半导体物理学有对各个状态的说明,可以去看看希望对你有所帮助。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
既然要讨论理论知识就应该把该定义的定义清楚,不然定义不清,讨论不清楚。我只是个学生,层次比较LOW。见笑。
1,按我的理解不通过化学变化就可以表现出来的性质就是物理性质。物理空间应该包括物理特性,因此也包含了载流子的运动。好了不纠结这个问题了。
2,“对饱和时,集电结电流明明从N流向P,却为什么非的说它是正偏”===按你的意思:集电结电流从N流向P,则它就是反偏。不知道我理解是否有误。电流方向跟正反偏关系不大吧。
我对正反偏的理解:反偏,在这种外电场作用下,基极(P区)的空穴和集极(N区)的电子都将进一步离开PN结,使得耗尽区厚度加宽,此时PN结的电场阻碍了多数载流子的扩散运动。正偏,在这种外电场作用下,基极(P区)的空穴和集极(N区)的电子都将进一步进入PN结,使得耗尽区厚度减小。 耗尽区的大小决定了可通过的电流的大小
3,根据你的第四点和你论文理解 ——若UBC>0,则集电结不一定正偏。因为有等效电阻,是吗?我的理解有问题没?因此你要具体看内部场强或者是等效以后PN结状态
4,对于共发射饱和应用来说,器件中电流确实是有集极向发射极。这点我承认,在此过程具体细节是这样的:电子由发射区注入到基区,最后通过扩散流向集区。(记得是扩散两字,具体为什么,怎么着,学生学艺不精,还给我们老师了)何为扩散呢?扩散是外部电场的作用。因此外部的电场从P区指向N区(这是正偏),对应就是基极指向集极。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1. 请认真阅读一下原帖,什么是物理空间独立,说得更明确一点,无论饱和还是放大状态,基极电流和集电极电流都是分别处在两个不同的支路中的,而流过集电结的电流始终等于集电极电流,因为它们始终处在同一支路里。
2.电流方向跟正反偏(外部电压极性)当然有关系,会严格受部分电路欧姆定律约束。
3.这一点没异议。
4.问题出在您的“扩散”二字上。为何?您只不过是将“正偏”换了种说法而已。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 东方兄,想请教几个问题:
1.您模型中的那个R23,是BJT内部固有的吗?若是固有的,就该有个确定值,至少有个大概的取值范围吧?这个范围又该是多大?
2.若不是固有的,那会受什么条件控制?怎么控制?该有个数学模型吧?请给出。
3.R23的大小会与集电结的电压有关吗?什么关系?是电压控制着电阻,还是电阻控制着电压?
4.R23的大小会与集电结的电流有关吗?什么关系?是电流控制电阻,还是电阻控制电流?
这很重要,请务必回复! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是请楼主做楼主模型的实验。两个二极管加上一个楼主认为合适的Rbb',验证b'点的电压,是否会因Rbb'降到几到几十mV,如果不想做也就算了,不是东方有意下个套让楼主钻。
XW:你觉得怎样?
东方:我认为不论Rbb'多大,Ub'也不可能降到几到几十mV。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样的结果在我意料之中。
或许,再说就只能重新从晶体管原理说起,从PN结说起了。
只不过重新从PN结开始说,感觉好像跟这个论坛的方向不太匹配。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请仔细看看,六个仿真实验!难道没有,你说的那个实验吗?唉! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 问题不在实验,而在怎样去理解。
我是死心了,我不敢指望通过实验说服你,所以我都没开口和你辩论了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该说,实验很重要,理解更重要!
您可不要死心,这也不只是个人的事,不过你倒可以先歇会,东方兄似乎还有话说呢,其实我还是愿意和他继续的,就是怕有点难为他。人家既然挑战了,咱没有不应的理由啊,很多人都在等结果呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 东方是请楼主做这个实验:
XW:有什么要求?
东方:这就是楼主的Y等效电路。模拟集电极开路,模拟基极和发射极之间加电压0.776V,任意选择Rbb'的阻值,看Ub'电压能不能降到0.088V?
XW:能不能降到0.088V呢?啥人晓得?
东方:网友大家伙儿认为不可能。
楼主:由于Rbb'的存在,Ub'电压只有0.088V,但发射结还是导通的。所以发了新帖“BJT发射结的导通电压只有几~几十毫伏!?”
东方:目的就是验证一下,什么样的Rbb'可以使Ub'降到0.088V而且PN结还是导通的?听说楼主做了仿真,去看看。
XW:好呀!物事还不少。
[数据]Ub=12V Rbb'=400Ω Ib=28mA Ub'=0.709V
东方:基极电压不是0.776V高达12V,这不是主要的,关键是Ub'=0.709V还是正常的。
cdzx11:这样的结果在我意料之中。
东方:高人啊!再看看,有没有Ub'=0.088V的?
XW:22个仿真,Ub'恒等于0.709V。一致性倒是蛮好的。
【结论】楼主用他出色的仿真,初步验证,Rbb'的存在,不能把发射结的导通电压降到0.088V。
楼主PK电子学基础理论
法官:我宣布:该轮PK,基础理论胜出!如有新的仿真,楼主可作为当庭供证提交法庭,进入第二轮PK。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 东方:说句笑话嘛,何必当真呢。
XW:楼主,开玩笑。
楼主:这样的玩笑我可担当不起呀!(拂袖而去) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我说早料到,就是说最后只能不了了之。
你也别说了,再说只能是意气之争。
真要说清楚这个问题,恐怕只能另起炉灶,从物理层面来说了。
起码,我本人对半导体内部的物理过程了解的也不透彻。
虽然对这个问题有了一些想法,但基础理论知识不太够,怕被人抓住把柄,又陷入无谓的争执,所以只能暂且藏拙了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你那算物理层面吗?
半导体内部的物理过程,难道不需要考虑载流子的输运、产生、复合这些物理过程吗?
要不就是我水平太低,理解不了吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的意思是,我给出的模型,是公认的在BJT内部实际存在的东西,至于各自的特性,就像您说自然会根据外部条件产生的变化而相应的变化。两个PN结是如此,体电阻也会存在类似的问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个就不用我动手了,看东方自己的了!来个自问自答。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 但是电流呢?
楼主:请您千万别再拿出我其中一个数据来, 孤立地去支持您的模型,我有点受不了!请千万要全盘考虑!!!!!!
东方:好的,cdzx11要求Ib=100μA,请楼主把Ib也标出来吧。
Ib=100μA
Ub=0.776V
ub'=0.088V
这样够全面吗?
XW:Rbb'呢?
东方:这个可以任意,楼主有充分的自主权,他的地盘他做主。
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比如100A二极管,不行1000A的。
当然,关键不是额定电流,而是反向饱和电流。
反向饱和电流足够大的二极管肯定能在在100μA耐压只有几十毫伏。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | cdzx11先生威武。又给楼主指出方向。按照这个提示,如果是硅管,可能还不行,几百A的二极管漏电流也是微安级。但如果是锗管,0.088V时的电流说不定有100μA。
XW:如果还达不到呢?
东方:那就加热,肯定能达到100μA
XW:这样帮楼主能解决他的难题吗?
东方:也就是死马当活马医。
XW:明知事情已经无可求药,仍然抱万一希望,积极挽救做最后的尝试。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问东方,您的条件还得怎么进行限制,您就是这种治学态度?
说老实话,这次我是真的做不到了!。。。。。。,无论谁、谁、谁都做不到了!
除非你有神通,帮忙把体电阻给拿出来!!!!!!
请返回去看看那22个实验吧!!!!!!
给您点提示,就看看图3中的电压表U4,所测的电压就是电流表U5两端的电压!!!!!!你再睁大眼看看U5的内阻多大?1纳欧,我用它来代替基区电阻,够小吧??????
您再看看二极管D2上会有电压吗?这才叫集电极开路开路,集电结是不会有偏压的,也不会有电流的!!!!!!
好,这图有点繁琐,你是不是又看不懂了?那就往后看。看看图12,也该看出点眉目了吧??????
你是不是非的等我把22个图一一解释给你听不成??????
您也算是论坛里有头有脸的人物了,真不想太薄你的面子!
就你那模型,为了解释很低的集电极电压,你一厢情愿得接个R23上去,请问这叫集电极开路!!!!!!你就是这样来满足前提条件,然后解释实验结果的?????? |
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东方:是的。
XW:楼主认为有了R23,集电极就不是开路了。
东方:这还是对集电极开路的定义不清楚,所谓“集电结开路”就是对BJT的三条腿中的集电极外部的所有电路都断开。
XW:楼主的意思是BJT内部也要断开。
东方:这不是强人所难吗?
XW:你那个R23不是可以断开吗?
东方:R23是等效内部电路,不能断开的。你傻呀,一断开不就变成楼主电路了?实践证明,楼主Y电路是不成功的,他为了实现Ub'=0.088V真是煞费苦心,居然把Rbb'加到5MΩ,但他一时又忘了,这可以他的等效电路里的电阻,基区体电阻会有5M吗?
楼主:是东方讲Rbb'由我来定的。
XW:你也不动动脑子,东方的话你也信?他不是已经讲了下个套让你钻的?
东方:怎么我的话就不能信?但他不能违背cdzx先生的约定呀。 |
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XW:仿真也会错吗?
东方:当然。仿真毕竟不是实践。
XW:实践是检验真理的唯一标准。
东方:是的。不能改成仿真是检验真理的唯一标准。仿真也要受实践的检验。 |
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仿真怎么了? 仿真原理源于实践,高于实践。
仿真怎么了? 仿真省时、省力、省金钱。。。。。。。
20年前还没WINDOS,为了做《质疑》一文的几个实验,先后花了几个月时间;
20年后,用仿真做同样的实验,先后用不了几十分钟!得到与原先试验一致的结果!是你偷梁换柱,张冠李戴、断章取义。。。。。。
实践是检验真理的唯一标准,但在错误理论指导下的实践也可以检验真理???????
连人家基本的要求条件,你都可以肆意更改,你不知道皮之不存,毛将焉附!?
有本事呢,你就指出仿真错在哪里?有本事呢,你就按照人家的条件,亲自去做实验!
别在这儿里拿大帽子压人了,你以为自己真的是专家啊? |
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楼主:各位,负责任的说:仿真数据是真实可靠的!
东方:这时楼主就要犯错了。
XW:现在是用仿真验证楼主等效电路和东方等效电路。
东方:欢迎。
XW:你说所有的数据都证明东方等效电路正确。
东方:应该讲正确的仿真数据都支持东方等效电路。
XW:如果和东方等效电路不符呢?
东方:那就是仿真出错,不能以仿真为准。
楼主:有本事呢,你就指出仿真错在哪里?
东方:这可是楼主逼我讲的。
实验三。
[数据]UBE=0.883V I[sub]B[/sub]=0.103mA UCE=0.382V
外接二极管D正偏,使集电极电压提高。UD2=0.5V刚好是PN结的导通电压。这也证实了RCE的存在,把D送过来的电压拉低。0.382V 就是D和RCE的分压值。
楼主:首先UBE数据引用错误,正确数据为UCE=0.683V,对UD电压的推理自然不对,不是0.5V,而是只有0.401V,传统理论认为此时PN结尚未导通。电流也将很小,这个很小电流流过很小的电阻RCE怎么可能产生0.382V的电压?难道是RCE有孙悟空的本事,会自己变了不成?
其次,实验显示,此时A1示数已经不再是IB了,此乃又一引用数据错误。
其三,实验数据显示,当UD=0.401V时,流过的电流ID=101mA,这与传统理论似乎矛盾,那么到底那个对呢?东方没有对此提出异议,但正确的只会有一个。建议东方做个仿真验证一下吧。实验呢,就不建议做了,说真的,我不认为东方会做出满足误差精度要求的实验结果。什么结果?就是实际测一下,一个二极管加0.401V的正偏电压,会产生多大的正向电流?
东方:以上是楼主认为仿真结果和东方等效电路不符的实验。
XW:哪里和东方理论不符了?
东方:就是楼主说的“很小电流流过很小的电阻RCE怎么可能产生0.382V的电压?”先看一下实验三的图,净化后是这样的:
XW:你怎么能断定是仿真出错呢?你的等效电路就不能错吗?
东方:这里是用得到科学推理,东方等效电路经过严格检验,得到所有的真实数据的支持,只有这一个仿真例外,如果相信这一个仿真,那就要否定所有其他真实的数据,你信谁?
XW:当然相信真实的数据。
【结论】实验三的仿真数据错误!
XW:楼主会不会太伤心?
东方:不会,又教他一招,用东方等效电路检验相关仿真结果也是个好办法,如果和东方等效电路不符,一定是仿真出错。
XW:但是怎么能用你的理论来检验实践呢?
东方:应该说经过检验的理论也能指导实践。
列宁:没有革命的理论,就不会有革命的运动。
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东方若说不会也不要紧,那就做个真实的实验。然后把实验结果如实告诉大家!
预测:东方这回又该顾左右而言他了。
东方定律:不符合我的逻辑的一切实验结果肯定是错的。
东方:列宁,救命啊! |
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只是提醒一句:可要记得测出ub'哦! |
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| | | | | 楼主仿真功不可没。有好多概念有待深化。 XW:这个好得来。楼主肯定喜欢。
东方:一是rbb’的说法,教科书的300Ω依据不足。经不住实践检验。其实发射结或集电结和普通的二极管也差不多,也可以用于整流,电流至少可以达到几百mA,压降也只有0.7V,这个直流电阻Rbe也就是几欧姆,哪有300Ω?
XW:这个楼主还是“真的不喜欢”,他认为rbb'很大,你这是在楼主头上动土。
东方:那就是据说是仿真用的那个等效电路有毛病。如果集电结反偏,iR为零,下面的恒流源为零,相当于开路,不知能不能工作?
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| | | | | | | | | 279楼看了没有?对仿真结果的分析。
结论是:R23等效电路可以解释所有的现象,反之,去掉R23就会矛盾重重。
请楼主审阅。欢迎不同的意见。
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| | | | | | | | | | | 请问东方:
去掉R23,加上RBB/呢?是不是还矛盾重重?
当然,您非得一口咬定,只要UBC>0,则集电结肯定正偏,那就没有办法了?神仙也无能无力,更不用说列宁了。 |
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| | | | | | | 这个好。
XW:上次的图数据不清。给楼主带来可乘之机,说你引用数据错误。
东方:没事。改正数据后应该能给出更好的科学解释,只是可能楼主更没有机会了。
XW:楼主对你279楼进行了点评。
东方:欢迎不同意见。
楼主: 首先感谢东方兄对仿真结果的认可。窃喜
可没想到是,高兴的太早,一不留神,自己的仿真结果却被用来解释别人模型的正确性,真是自取其辱了!!!
东方:别人也在纳闷:楼主干嘛老配合东方等效电路呀?
XW:我给出彩!不能忘记楼主的功劳。但楼主还有疑问呢,怎么弄?
BJT的发射结正偏,集电极开路时,集电结两端有偏置电压吗?集电结中有电流流动吗?用什么模型是可行的?
东方:首先这里有个定义的问题,什么叫发射结正偏?
XW:不就是Ube>0吗?如果Ubc>0就是集电结正偏。
东方:是的,这是大家公认的定义,所以,本帖的质疑,就是一个模糊的概念。
楼主:我国多数教材[sup][1]-[5][/sup]认为晶体三极管处在饱和状态时,其内部发射结和集电结都是正偏的。
东方:问题是,不是“内部发射结”而是三极管三个电极,Ube就是发射结电压。加了“内部”两个字,就要产生异议,不明确了。所以说定义很重要。参阅东方214楼第一次在本帖出现时的提醒。
214楼:
东方:三极管有三个电极,基极B、发射极E和集电极C,有两个PN结,一个是发射结,电压U[sub]BE[/sub]一个是集电结,电压是U[sub]BC[/sub] 。
XW:这楼主会不懂吗?
东方:懂就好。还有什么叫正偏,什么叫反偏?
XW:以NPN型为例,U[sub]BE[/sub]>0叫正偏,U[sub]BC[/sub]<0叫反偏。
东方:上述概念不知楼主有没有异议?
XW:这会有什么异议?要有不同意见楼主早就会提出来了。
东方:没有异议?你能确定?
XW:能,没啥问题。
东方:好,那就不存在饱和时集电结反偏的说法,因为这时集电结Ubc>0,按定义就是“正偏”的!
XW:好,精彩不容错过!说明楼主的开题就有瑕疵。不能深追。
东方:不过楼主已经陷入很深,要纠正过来也有困难。
XW:解铃还须系铃人,只有楼主自己纠偏了。这个你也管不了。按定义,“BJT的发射结正偏,集电极开路时,集电结两端有偏置电压吗?”
东方:这就简单了,量一下Ubc就行了,有楼主仿真结果,集电极开路,Ubc=0.688V,按定义是正偏。
XW:那“集电结中有电流流动吗? ”
东方:当然有了。PN结正偏有电流。
XW:这个……集电极都开路了,你说还有电流?“ 用什么模型是可行的?”
东方:用楼主说的“东方模型”,集电结电流经Rce流向发射极。
XW:那用楼主的Y模型也行嘛?
东方:绝对不行。用△模型才行。
XW:因为“我选择,我喜欢”?
东方:不能把因果颠倒过来说。应该是,因为△模型符合迄今为止楼主提出的所有问题和仿真结果,符合实践的检验,所以才选择。
XW:对Y等效电路,楼主更是喜欢的。他有rbb'。
东方:光喜欢不行,得符合实际。
XW:你们这样没完没了;没完没了……不好,能个一针见血好不啦?
东方:可以啊。用两只二极管和一个电阻搭试成Y电路,如图楼主模型,看能不能使Ub'降到0.088V。
XW:关键是rbb'取多大?
东方:这个我们呢不要对楼主有任何限制,他认为应该多大就用多大。
XW:那他如果能做到呢?
东方:就承认楼主模型是有效的。
XW:如果楼主也要对东方模型做试验呢?
东方:太欢迎了。辛苦楼主了。
楼主:一不留神,自己的仿真结果却被用来解释别人模型的正确性。
XW:所以这次用实物试验,小心一点,不要被别人利用。而作为检验真理的唯一标准好不啦?
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| | | | | | | | | 唉,真是成了“鸡”和“鸭”说话了!
还说什么好呢!基本的概念原来都还没取得一致,还有什么可谈的呢!?
“NPN三极管,只要UBC>0,集电结就是正偏的。”权威们都是这样说的。可以作为判断集电结正偏的公理、定义。东方等也是这样人为的,权威的理论怎容怀疑!
可是,可是,可是。。。。。。,可是东方等到现在还没搞清楚,这正是本帖所质疑的问题之精髓。东方把搂住质疑的问题当作定义、公理,再来证明楼主的质疑不对,怎么会不无往而不胜呢?!
本帖没有更多可回复的。不在一个频道上了!
各位稍等,等把六个仿真结果和两种截然相反观点一一对比分析之后,再请大家来评说。光有结果还是真的不行啊!
楼主不得不感慨:基础理论不容忽视;权威也是一个很好的制胜法宝;皇帝的新衣天天都在上演!
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| | | | | | | | | | | 基本的概念还有不一致的。
楼主:东方把搂住质疑的问题当作定义、公理,
东方:不能把定义和公理混为一谈。定义是描述或规范一个词或一个概念的意义用的,就好像起名字,有一定的任意性,比如可以叫刁俢睦也可以叫雕朽木,但一经定义就不能变了,以免引起混乱。所以再把楼主叫雕朽木就不可以。
XW:定义要不要有道理?
东方:不一定有道理,也不用证明。比如书,外国人叫book,不用讲道理的。也不能质疑“书”。
XW:公理呢?
东方:那比定义要求高的多,不能随意把什么命题定为公理。但两者相同的是都不用证明。
XW:定义和理论什么关系?
东方:定义不是理论,因为理论需要逻辑上的论证,也需要与事实的符合一致。而定义不用证明。
XW:所以,把NPN三极管UBC>0,定义为集电结正偏。
东方:对!至于电流向哪里流,定义中没有讲。没有说“集电结正偏时电流一定流出三极管,或者是一定流入三极管”。
XW:都可以。那楼主的研究呢?
东方:不是质疑定义,而是探讨不同条件下电流走向。也是很有意义的。这样和传统理论也比较和谐,也不会有人骂雕朽木。不是更好吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 呵呵,怎么有点叫兽的味道?!
什么叫集电结正偏?集电结的P区电位高于N区电位,即UPN>0,定义为集电结正偏!
不在一个频道上啊! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 楼主有点上火。
XW:怕上火喝×××。
东方:不能做广告!
其实,饱和时集电结正偏也是一种粗略的说法,让初学者好记好用,大部分情况是适用的。
XW:有例外吗?
东方:有的,如功率管电流大时,可能饱和压降UCES>1V,这时集电结就不是正偏;
同样,电流小的时候,UCES可能很低,<0.1V
XW:这又说明什么问题呢?
东方:还悟不出来?多想,你得使劲想呀!
XW:这怎么使劲啊?……我晓得啦:当UCE处于0.1~Ub的范围时,可能已经进入了放大区,但此时集电结是正偏。对不啦?
东方:我给你一个赞!有楼主的图为证:
XW:楼主是不相信的!
东方:让证据说话。
XW:这图是哪里来的?
东方:感谢楼主“质疑”的精美资料。在0.2V以上就进入放大区。
XW:哇塞! 真的“一切皆有可能”啊。
东方:所以楼主不要太介意。
生活的路 总有一些不平事
请你不必太在意
洒脱一些过得好
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没关系。只要楼主看了就行。
XW:人家不值得回答。
东方:可以。我的论点已经摆出:
1、什么是正偏,什么是反偏,这是由定义规定的,一般规定Ubc>0为集电结正偏;
2、三极管饱和时集电结和发射结都处于正偏是一种习惯的说法,也容易理解,但要注意条件,不宜深追也不能硬套;
3、实际上,有时集电结正偏也可能是放大,而集电结反偏也可能是饱和;
4、要求高时要用其他的参数来判断截止放大和饱和。
XW:楼主挑战的是传统理念“晶体三极管处在饱和状态时,其内部发射结和集电结都是正偏的。”
东方:对于这么一个不是非常准确的概念,有其简单有效的优点,是广大电子工作者喜闻乐见的。流传也很广。要注意的是任何理论都有一定的适用范围,牛顿力学就是低速运动的理论。饱和条件也是同样。适用于电流不太大也不太小的大多数情况。
XW:楼主的质疑意义何在?
东方:对基础理论加深了理解,得到明晰的结论,功不可没。
再一次谢谢大家。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看来楼主又要到顶了!
XW:问题解决了吗?
东方:有点吃不准。
cdzx11:问题不在实验,而在怎样去理解。
XW:能不能给出一个dxm判据,用来判断dxm是否已经理解了问题的实质?
XW:为什么叫dxm判据?
东方:这就是定义,不需要说明什么理由。现在有种dxm现象……
XW:什么是dxm现象?
东方:也是定义。懂得一些电子技术,知道一些新名词,摆弄一些新设备,还会思考新理念。
XW:很好的啦。
东方:突然之间,小宇宙爆发了,开始挑战权威理论。
XW:值得鼓励!
东方:是的。但有时也会出现问题。因为他们的论点没有脱离传统理论,不是像爱因斯坦发现光速不变,或罗巴契夫斯基提出过直线外一点至少可以做两条直线和它平行。
XW:他们呢?
东方:是根据传统理论的一点知识,加上模糊不清的定义,进行推理,反对公认的一些传统理论。
XW:我认为这也有意义,说明传统理论可能也有不完善的啦。要不你举个例子好不啦?听也听不懂。
东方:有人根据“直流电的方向不变”说法,推出交流电整流后就是直流电,所以没有交流成分。进一步认为滤波电容也不是滤去交流成分的作用。最后推出傅里叶展开只是数学运算,没有实际意义。
XW:一派胡言!
东方:其实就是定义模糊不清造成的。
楼主:基础理论真的是非常非常重要!
东方:还有人根据“二极管正向导电,电流P→N”的说法推理,说三极管就是两个二极管反串联而成,也应该符合二极管导电规则,当集电结正偏时,电流就应该P(基极)→N(集电极)。
XW:这没啥问题吧?
东方:还没听出来?问题大了去啦。他说传统理论说饱和时集电结正偏是个错误。说怎么可能正偏时电流N→P?
XW:好像是有点矛盾。
东方:认识到有矛盾是可以理解的,那就要认真学习,找出自身问题。
XW:请教他的老师就好啦。
东方:他自己就是老师!
XW:那就请教网友。
东方:听不进去。
Lahoward句式:搞不懂三极管导电原理不是你的错,但不懂装懂还不讲道理就是你的错了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先要找出来Vce即使接近零,而hFE仍然维持在标准范围,的三极管型号。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主已乘黄鹤去,此地空余质疑楼。黄鹤一去不复返,蓝天白云空悠悠
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| | | | | 其实,模型毕竟有模型的限制,所有有此列举的模型,似乎都未能把 恆流源跟正偏二极管的联动(及正偏二极管对恆流源的单向控制性)关系 表达出来。 |
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| | | | | 352楼 ddxxmm_001 2015-06-15 12:35 1.“集电经永远反偏 ”,这里的永远是指什么?…………
我是菜鸟,本来就没多少干货的,上论坛参与讨论,也是学习,
既然在饱和时 集电结仍然反偏,那么 到底有没有正偏的时候呢?
射随(共集极)电路,如果讯号幅度超过Vcc,集电结是真的会有正向电流的,这算不算正偏,
集基耦合式的级联放大电路,是不是一个可以造成 集电结正偏 的布局,是不是举凡 集电结正偏 都属于非正常状态呢? |
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| | | | | | | 您谦虚了。
1.射随(共集极)电路,如果讯号幅度超过Vcc,集电结也不会有正向电流的,当然也不能算是正偏。不信你可以亲自做一下实验。
2.集基耦合式的级联放大电路,不管是处于放大状态还是饱和状态,都不会造成集电结正偏的布局,因为集电结都不会有正向电流。不信也可以亲自做一下实验。
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| | | | | 先不论结论是否正确,职位是否高低。
为刁老师这种执着与怀疑的精神必须点赞。
我最近也深深的卡在这个三极管的饱和工作状态了,虽然说结果是显而易见的,但是原因我目前是没从之前的教材里得出答案。
刁老师能否提供个人邮箱,我想向您请教下。
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| | | | | 建议楼主研究一下电子管。。。那个直白多了。。。。
还有电子的发展历史。。。。不然没办法理清这发展脉络。。。
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