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半桥开关电源高侧MOS管热

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zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-5 17:20:14
本人在做一个半桥开关电源给功放供电用,开环式结构,发现一个问题,我在带载时发现高侧比低侧MOS管热,我是带260W时管子没打散热器摸的,两个管子温度差距还是满大的。
另外还有一个问题这种开环式的半桥结构输出是否一定要加电感,如果不加电感是否可以?因为加了电感虚压较高。
xkw1cn
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  • 2008-11-5 17:24:32
 
辅助电源电压多少伏?
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 09:24:31
 
xkw1cn
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  • 2008-11-6 09:40:47
 
高侧MOSFET发热一般有两个原因:
1)驱动内阻可能比较大,在硬开关工作时,低边MOSFET开的过程中,高边MOSFET由于密勒感应;会瞬间进入线性区,引起发热。可以增加栅电阻并且反并联二极管的方法解决。
2)如果是自举模式驱动的话,多半是驱动IC被干扰或高边驱动不足,可以测量驱动波形和测量高边驱动电压验证。
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 09:47:45
 
是用494+2181驱动的 VCC为15V 驱动电阻为2.2+6.8加反并二极管的 测量高测上升时间要比低侧大 不知什么原因 低侧上升时间200nS 高侧上升时间1.2uS MOS是IRF460A
xkw1cn
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  • 2008-11-6 09:57:47
 
2.2欧改成15欧试一下。估计多半是IR2181/460A是假货。
2181的驱动能力是1.7A,460的QG小于210nQ,上升沿不会高过200nS!
irfp460.pdf
ir2181.pdf
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 10:01:03
 
改成15会不会把上升时间加大呢 2181和460A都是IR代理处申请过来的 应该是正品 460A比460Qg小很多 460A 15V时Qg为90多nC
xkw1cn
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  • 2008-11-6 10:10:21
 
换成15欧后可能会好些。至少可以避开密勒感应。
IR代理有几个家伙常偷梁换柱,已经发现好几次了!不知是谁给的货,方便告诉我吗?另外;IR早不做IRFP460A了。
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 10:29:40
 
上海增你强的 我在宁波 我加你为好友了 IR是不做了 高压MOS都卖给威士了 另外我想知道开环结构的输出是否要加电感 加电感虚压太高 我整理了一下波形图 详见附件
波形图.doc
xkw1cn
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  • 2008-11-6 11:13:40
 
终于有点明白了,电路设计有点问题:
1)正负母线离半桥最近的地方接一CBB18 630V 104的电容,半桥带载输出有过冲是引线(PCB)电感自感应引起的。
2)主变压器要开点气隙,减小激磁电感,增加激磁电流。它会抑制带载时;半桥输出电压在一半的时候的振荡。
3)输出是否带电感要看你的拓扑,按你前面说的开环用法,建议用输出电感。
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 12:17:37
 
靠近MOS管地方我用了一个224的电容,半桥电压一半时出现的振荡可以通过初级并RC吸收电路就可以消除,我已经试过了。
输出用电感时变压器次极方波的上升下降沿就有一个很大的尖峰,而且用电感空载电压跟带载电压差距很大,如果不用电感就不会有这样的问题了。
xkw1cn
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  • 2008-11-6 14:25:55
 
224电容是啥型好?
最好别用RC吸收,可以在MOSFET上直接并电容;同时加大变压器励磁电流(开气隙)可以试MOSFET工作在ZVS状态,电源效率会非常高,变压器输出的过压尖峰也会因此而减小。
二次加滤波电感是必须的,看看在MOSFET上并电容后,是否还有过压。
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 14:47:46
 
224是CBB22的 并在母线上作退耦的 你说的是把电容并在上下MOS的D,S上吗 要不要在初级上串谐振电感?谐振电感和电容怎么计算的 是不是谐振频率跟电源频率一样?
xkw1cn
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  • 2008-11-6 14:53:29
 
从你拍的照片看,CBB22的电容可能离MOSFET半桥比较远或干脆是假货,正常的带载时半桥输出上升沿不会有如此高的过冲!
处级最好开气隙,这无法用串电感来代替!
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-13 13:59:44
  • 倒数10
 
这两天刚打样来一个变压器(带气隙),确实效果非常明显,高低侧MOS发热都很小,输出端不用加电感也行,不过就是一开始的那种空载功耗6W多,开了气隙后空载功耗有11W多,一般半桥都是不用开气隙的,为什么我做的这种就要开个气隙呢?
xkw1cn
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  • 2008-11-13 15:30:20
  • 倒数9
 
几乎所有半桥用变压器都有气隙,只是比较小。
开气隙后,空载/轻载时,半桥MOSFET进入零电压开关。
损耗增加有多种原因,对于200W左右电源,空载损耗控制在12W以内是正常的。减少气隙;将励磁电感量控制在一合适范围内,增加变压器匝数可以减少空载损耗。
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-6 14:50:27
 
能把你的QQ告诉我吗 还需要跟你多请教请教!!
xkw1cn
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  • 2008-11-6 14:54:26
 
不好意思,不会用QQ
liu100149
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高级工程师
  • 2011-8-6 22:21:22
  • 倒数2
 
输出串电感和初级串电感有什么不同呢
wizard546903189
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2015-7-23 11:30:14
  • 倒数1
 
求教:
1.去耦电容是否几十uF和104并联更好一些?
2.看过您一篇回复,似乎是说半桥的续流二极管换成电容,加上变压器开气隙可实现ZVS。硬开关半桥续流二极管是需要的吧?本身mos的二极管没法用吧,除非选用mos内部自带sbd的。并在mos上的电容应如何选择才能实现ZVS呢,不大明白,嘿嘿
vip-power
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高级工程师
  • 2008-11-6 13:38:14
 
应该是驱动的问题,多数是因为布线干扰的原因。
L10X10
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LV6
高级工程师
  • 2008-11-7 11:23:57
 
好像有点明白了。。。
ding86361953
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  • 2008-11-8 08:12:22
 
看来这个电源也是给功放用的呀!
我以前也做个类似的,我用的494+2110+460LC
功放输出300W没问题,开环的.
zlb0305
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LV4
初级工程师
  • 2008-11-11 07:55:55
 
能否把你做的电源原理图给我发过来我参考一下好吗? 我的邮箱zlb0305@126.com
ding86361953
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版主
  • 2008-11-11 08:13:10
 
兄弟,我刚学开关电源的.
我做的那款电路,只能在实验室用.
我就是把两个IC电路拼在一起了!
zlb0305
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初级工程师
  • 2008-11-20 19:01:03
  • 倒数8
 
谢谢大家的帮助,已经搞的差不多了。就此结贴!
vip-power
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高级工程师
  • 2008-11-23 13:34:05
  • 倒数7
 
都不说说是怎么解决问题的~~~~~~
zlb0305
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LV4
初级工程师
  • 2008-11-25 09:50:52
  • 倒数6
 
就是按上面 xkwicn 兄说的变压器开个气隙就搞好了。
lirui0913@163.com
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LV3
助理工程师
  • 2008-12-2 11:08:13
  • 倒数5
 
你好, 我用494做了一个逆变电源,可是494根本就不工作,可否把你的设计具体参数告诉我一下我.
ding86361953
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  • 2008-12-2 11:15:37
  • 倒数4
 
建议你现在拿个494按资料上的电路做个简单的电路去实验,这样比要别人的参数来的更实在些.
在后面的调试中也方便自己.
1,2,3,15,16脚是控制的,4脚死区时间控制,14脚是两路输出波形的控制.
vip-power
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高级工程师
  • 2008-12-10 14:39:26
  • 倒数3
 
网上有很多实用电路都可以直接拿来套用。
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