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已解决

脉冲变压器驱动mosfet问题

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wings20
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高级工程师
  • 2010-8-1 16:05:29
10问答币
请问以下电路图中的两个二极管作用 圈红色地方的

谢谢各位帮助!!!!!

最佳答案

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Vcc 要11~15V  
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allen-leon
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  • 2010-8-1 20:07:41
 
保护mos,防止+-电压超过+/-Vgs上限
星宇
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  • 2010-8-1 22:02:05
 
那个二极管不是防止正负电压超过VGS吧!
fanyucheng12345
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副总工程师
  • 2010-8-1 22:59:25
 
我同意楼上的观点。
allen-leon
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  • 2010-8-2 08:43:43
 
请楼上2位指点一下二极管是做什么用的啊。有不同看法就写出来啊
allen-leon
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  • 2011-7-28 12:38:15
 
防雷击的么?
xkw1cn
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  • 2011-7-28 12:57:00
 
一次侧没隔直,变压器很快就会饱和。不用雷劈,自己就冒烟啦。
真武阁
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副总工程师
  • 2010-8-1 20:09:29
 
好像少了个隔直电容吧
allen-leon
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  • 2010-8-1 20:17:14
 
加个电容,防止饱和。。。‘不然有问题。。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-1 21:37:17
 
谢谢 电容是和那两个二极管并联吧??
那还那些变压器的选择呢??请问这些都是根据什么去选的呢??
谢谢!!!!!!
晶纲禅诗
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  • 2010-8-1 21:40:42
 
电容是串在两个三极管的射极与驱变之间。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-2 13:05:47
 
请问是再蓝色这个地方加隔直电容吧
allen-leon
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  • 2010-8-2 13:19:20
 
对,没错,就是这个地方,加多个电阻也可以,适当调整。。。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-2 14:42:17
 
恩恩 直接在输入那端直接接DSP就行了吧??还是要通过三极管放大呢!!
allen-leon
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  • 2010-8-2 14:46:05
 
直接接入。。
真武阁
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副总工程师
  • 2010-8-2 15:53:19
 
中间最好有个缓冲电阻
allen-leon
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  • 2010-8-2 16:20:44
 
加个限流电阻。。。。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 16:25:40
 
哈哈,电流从何而来?
allen-leon
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  • 2010-8-2 16:27:16
 
这个电阻很小,估计几欧姆而已,
电流从DSP ic内部过来的。。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 16:30:35
 
既然如此,IC 的输出电流怎么测量?难道要加限流电阻才可以测量吗?
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 16:53:31
 
串联电阻没有什么意义。反而影响了MOS瞬间“所需”驱动电流。
除非是走线长了,抑制震荡用的。
allen-leon
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  • 2010-8-2 18:39:27
 
他说电阻加在图腾柱之前啊?
你想到是加在哪里??
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 19:25:29
 
我觉得没有必要加电阻。为什么要加呢?
allen-leon
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  • 2010-8-2 19:46:28
 
理论上可加可不加??看实际效果要不要加了。。。你说的抑制振荡,有些道理。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 20:06:20
 
是的,俺就这样认为。21楼重编辑了一下。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-2 21:33:17
 
请问您说的缓冲电阻是和上面所说的隔直电容串联的吗???作用是为了限流的吗??
真武阁
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副总工程师
  • 2010-8-2 22:51:02
 
我的意思是在你的DSP和图腾柱之间,加个缓冲电阻可以避开电流级对DSP可能的干扰,同时万一后面有什么闪失,不至于殃及池鱼
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-3 08:06:21
 
如果是这样的目的, 是有这个必要。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-3 12:29:51
 
明白了 谢谢真武阁大师!!!
还有请问真武阁大师 在图腾柱电路的左边 那个电阻起什么作用呢??
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 21:55:32
 
DSP一般也是推挽输出的话,那这个电阻就没什么作用了。假如是单端输出,那就是下拉电阻的作用,比如像TL494射极输出这种情形。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 21:58:01
 
另外更正一下,真武阁还年轻呢,没到“大师”级别
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-5 14:55:50
 
不会的 那谢谢真武阁兄!!
lisa
  • lisa
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助理工程师
  • 2011-3-24 21:02:53
 
真大哥的帖子真不错
gel2011
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助理工程师
  • 2011-3-18 00:59:56
 
DSP能直接接在驱动电路上吗?
zjnuzzl
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初级工程师
  • 2012-8-14 09:14:30
  • 倒数9
 
加隔直电容的大小,哪里有计算公式。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-2 20:22:56
 
这个地方加隔离电容的很多,但真正的目的是隔离吗?我怎么觉得是为了提供一个反向电压?加了这个电容,可要注意占空比的变化范围了。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 20:28:13
 
是克服磁偏,变压器励磁复位。电容自动跟踪出这个“直流”电压。你就将这个电容理解成让磁复位的电压源吧。。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-2 21:01:37
 
那么加了这个电容之后,驱动电路的占空比调整范围是否是受到限制了?
真武阁
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副总工程师
  • 2010-8-2 22:45:17
 
没有隔直电容的话,这个电路能正常工作?
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-3 08:25:32
 
也是,没用过这种驱动,一时没转过弯来。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-3 08:57:22
 
类似半桥。。。。。
allen-leon
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  • 2010-8-3 09:51:24
 
是喔,越看越像了。。防止半桥原边变压器磁饱和
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-3 10:58:11
 
如果加上电容后就是一个典型的非对称半桥电路了吧.
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-3 11:56:53
 
allen-leon
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  • 2010-8-3 08:37:25
 
驱动线路的占空比不会受此电容的影响。。。这个电容好似叫做开关电容吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-3 12:48:17
 
占空比是不受电容影响,可你的驱动电压呢?
allen-leon
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  • 2010-8-3 12:50:32
 
驱动电压就看匝比关系了。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-3 13:25:03
 
电容上电压跟占空比是成正比的,必然造成变压器原变电压变化比较大,那么占空比在最大情况下满足,最小情况下可能就不满足驱动要求了。
allen-leon
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  • 2010-8-3 13:48:45
 
好好琢磨一下再回复你,比较久之前做的,现在要重新推一下,
allen-leon
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  • 2010-8-4 13:48:32
 
Vp:驱动变压器原边电压
Vp=Vcc-D*Vcc=Vcc(1-D),这个电路一般用在正激变换器,D一般在0.1~0.5变化,这个推导有问题么?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-4 14:23:17
 
原边加了隔直电容,大占空比时候,次级得到的驱动高电平受到限制。
这时候在次级加 电容和二极管配合,还原驱动高电平。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 14:34:16
 
此时的次级相当于“峰值检波”,
幸亏MOS 驱动,对平均电流索取要求不高 (瞬间电流索取,检波电容是完全可以满足的)
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 14:37:13
 
非也~
驱动电流达到要求了,驱动电平达不到也没用。
当占空比达到0.7时,次级驱动高电平,只有vcc*0.3了。
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2010-8-4 14:42:33
 
如果检波电容足够大:
△V = 1 / C * I *△t ,电容完全可以提供MOS 所需的Qg ,而检波电容自身电压跌落的较少。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 14:49:22
 
如果在初级加了隔直电容,稳态时,这个电容上的压降是VCC*D。
假设驱动变压器是1:1,那么次级得到的驱动电压高电平只是VCC*(1-D)。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 15:08:28
 
理论上输出的“直流电压”是这样的。
可实际和理论是有区别的,加“检波”的确能提高次级电压。
可能是变压器不完全偶合的原因,导致偶尔有瞬间的尖峰串入。
“检波”电容就是这个瞬间的尖峰的历史总结。累计的宏观体现哈哈。。。。
有个很简单的例子:简单的BUCK 线路,输出再串联二极管和电容。
输出电压就总比:Vin*D 高。
wings20
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LV6
高级工程师
  • 2010-8-4 20:14:05
 
请问这个D是什么常数吗??还是二极管的什么呢??谢谢
allen-leon
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  • 2010-8-4 14:53:00
 
对,二次侧有见过这样的用法。。。当时就不是很明白,
不知道是否有详细的数学推导呢??
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 14:57:22
 
嘿嘿。那个电容和二极管的组合,有种奇妙的效果,就是能还原原边的高电平。
是带我入门的一个高手,告诉我这么用的,我一直印象深刻。
楼主这个驱动电路,如果初级加了隔直电容,次级不加还原电容和二极管,用在大占空比驱动中,效果可想而知。
至于数学上的推导,我推导不来,只能定性分析。
allen-leon
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版主
  • 2010-8-4 15:05:59
 
真羡慕,有这么好的师傅带入门。。。
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2010-8-4 15:12:34
 
俺也羡慕。。。。。
wings20
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LV6
高级工程师
  • 2010-8-6 15:09:47
 
我也是只能自学的 希望蓝天兄 能给我点经验!!
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2010-8-6 15:35:59
 
惭愧,我哪有资格谈经验。。。。。。
业精于勤,荒于嬉;行成于思,毁于随 与君共勉。
allen-leon
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  • 2010-8-6 17:39:26
 
echizen20
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  • 2010-8-7 15:03:07
 
请问下allen兄 对于我下面这个电路图能不能用上面的电路图驱动mosfet?


同一周期内驱动波形如下 主开关和辅助开关 开关频率100KHZ 

用DSP来弄的
allen-leon
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  • 2010-8-7 16:28:17
 
可以用上面的电路图去驱动,但是没有这个必要,楼主所说这个电路多数情况下是用在双管或半桥等类似线路的上臂驱动,为了高压绝缘着想。。而你这个线路,都是低压端的,直接驱动就可以了。。
echizen20
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LV3
助理工程师
  • 2010-8-7 21:18:03
 
是不是因为我这个电路图的mosfet都是接地的原因呢??
所以是低压端的
那你能不能给我个直接驱动的电路呢??
有人说可以用芯片ir422X的??
希望allen兄能帮我!!
谢谢
allen-leon
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  • 2010-8-9 08:58:34
 
对,这2个Mos都是低压端的,没必要采用高压隔离式的驱动;
你这个如果怕DSP驱动能力不够的话,就采用你下贴中提及的图:你增加了图腾柱,驱动能力加强,但是图腾柱的Vcc最好是11~15之间,会比较合适一些
echizen20
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LV3
助理工程师
  • 2010-8-7 23:35:06
 
请问下 allen兄 我直接一边接输入那边接DSP的PWM模块
这样驱动行吗??就如我上面说的那个电路图
你说的直接驱动 我用这个行吗??
fanyucheng12345
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-9 08:28:08
 
这个我估计你的不行,你的DSP模块输出能达到12V吗?DSP模块一般输出的电压都是3.3V或5V.还有你这个MOS管驱动电压是几伏的,如果是10V的就不行了.具体的参数都不说,那怎么能说的清嘞.
allen-leon
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  • 2010-8-9 09:29:48
 

Vcc 要11~15V
fanyucheng12345
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副总工程师
  • 2010-8-9 11:04:23
 
你这个电路跟之前的图有什么区别,只是速度快了一点,可是根本问题没有解决,

你这个电路的3904发射极电压是多少?
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-9 11:06:43
 
仅仅是跟随器,跟随DSP 电平(但提高了DSP电平的电流输出 / 吸入能力)
allen-leon
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  • 2010-8-9 11:07:41
 
3904规格书: VBEsat=0.65V
http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/228/265759_DS.pdf
你说的根本问题是??
这里是需要跟随器,并提供驱动能力等,
你觉得还需要什么功能?请明示一下。
fanyucheng12345
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副总工程师
  • 2010-8-9 13:50:38
 
还是楼主把整图发上来吧,这样说说不清.
allen-leon
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  • 2010-8-9 14:47:55
 
DSP部分不熟悉,之前接触了一下,你们说的是那些TSM*****ic?
外围电路跟MCU的差不多吧。难道还有什么特别之处?
fanyucheng12345
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副总工程师
  • 2010-8-9 16:38:18
 

如果前面接MCU的话,那你的MCU电压能达到12V吗?
也许是我见识的太少了,没有见过输出那么高电压的MCU,一般常见的都是3.3V或者是5V
如果是3.3V或者5V驱动这样一个电路是不可能驱动10V GS的MOS管的.所以我说这个电路不行.如果你用低压MOS倒还是不错的.
allen-leon
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  • 2010-8-9 17:37:08
 
只要Vcc电压大于10V(小于15V),就可以驱动Mosfet, MCU/DSP输出只要把图腾柱2个三极管工作在开关状态就好了。自己再琢磨一下吧。
fanyucheng12345
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副总工程师
  • 2010-8-10 16:14:44
 
你觉得图腾驻上面那个三极管发射极你觉得可能高过MCU输出电压吗?
这个问题之前已经讨论过了,而且有结果了.你去看看.
allen-leon
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  • 2010-8-10 16:40:02
 
在那讨论有结果?
那个贴?这个帖子么?
请麻烦找出来一下。。
fanyucheng12345
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副总工程师
  • 2010-8-10 16:53:58
 
那个帖子我找了一下没有找到了,你自已试一下看看上面那个NPN管子的发射极有没有可能比基极电压更高不就可以了.
allen-leon
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  • 2010-8-10 17:23:47
 

A点为低电平时,Q2 Vce导通,Q1截止,B点为低电平;当A点从低电平转为高电平时,Q1 饱和导通,Q2截止,B点电压也从低电平变为高电平,且=Vcc-Vce,,这个分析有问题么??
如果B点已经为高电平,然后A点送3V驱动信号,当然是Q1不会导通。。。动态分析一下。。
星宇
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  • 2010-8-10 18:19:42
 
你们还在折腾啊?当A点送3V驱动信号时,Q1肯定要导通,这个电路是射随器,输入高电平为3V那么输出的高电平也为3V,要驱动MOS管用12V的电压就可以了,在这个电路的前面用三极管做个反相器就行了!如下图!
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-10 21:17:53
 
我想问的是怎么把那个12V和DSP的3.3V用同一个电源呢??
就是直接用个74hctxx系列让3.3V升到12V就行的吗??
星宇
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  • 2010-8-10 23:35:29
 
做个升压电路不就行了嘛!
真武阁
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副总工程师
  • 2010-8-10 18:33:22
 
当A点从低电平转为高电平时(假设为5V) Q1 并不能饱和导通,B电电压=A点电压减Q1的Ube(约0.6V)
这种图腾柱也叫射随器(射极跟随)是没有电压增益的,也就是说并不能以一个小电压来输出一个高电压,只是电流放大
wings20
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LV6
高级工程师
  • 2010-8-9 21:05:33
 
总的电路图 我看是我同学在112楼发的那个的
现在是仿真出来的 想要做实物的
就是这个地方还没搞定的!!
wings20
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LV6
高级工程师
  • 2010-8-9 17:47:15
 
这个VCC 有人说用个74HCXX系列的非门IC也能做电荷泵
这个地方我不理解的!!就是用升压用的
这样VCC就可以升压到10几V的!!
allen-leon
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  • 2010-8-9 18:05:41
 
电荷泵??不了解,是否为自举升压?请将你的思路用电路形式完整贴出来,我再看看。。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-9 18:21:41
 
干嘛还要整电荷泵呢,直接用TTL兼容的MOS驱动器不就可以了,比如TC442X,其内部就是一些门+图腾柱驱动
做多大功率呢,要用到DSP,如果只是为了做个zvs驱动的话,用几个门电路就可以了
blueskyy
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  • 2010-8-9 20:16:46
 
就是个电平移动的问题,哎。。。。。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-9 21:00:11
 
用几个门电路 请问能不能再说明白点呢??
我还是不怎么懂的 由于只是开始学不久 很多都不懂的!!!
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-9 21:05:05
 
131楼的图 就再明白不过了。。。。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-9 21:28:09
 
恩恩 算是清楚了 就是直接用mosfet驱动器就可以的吧
就不用上面的图腾柱电路 也不用去管那个VCC 是不是这样的呢??
是不是直接DSP的PWM引脚接mosfet驱动器的输入端 输出端接mosfet栅极就行的??
星宇
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  • 2010-8-11 13:48:21
 
哎。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-11 14:46:13
 
DSP的输出驱动能力不足以驱动MOS管,必须用增强驱动。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-11 16:45:21
 
我知道DSP的输出不能直接驱动mosfet,因为驱动能力不足的
所以我就是说131楼说的那个TC442X的mos驱动器的
DSP通过驱动器之后 驱动器链接mos的G极的
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-11 16:48:55
 
是的,这就是电平转移。
真武阁 131楼的图不就是这样说的吗?
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-11 17:00:03
 
是的,TC442X我用过,还不错的,呵呵。
真武阁
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  • 2010-8-11 13:46:14
 
小雨清风一点通
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高级工程师
  • 2013-10-2 01:32:49
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请问这个4148是干什么用的?加快关断速度吗?还有那个10K的电阻取值依据是什么呢?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-4 15:14:06
 
呵呵。所以我觉得幸运,遇到这么一个绝顶高手,对他也是很感激~
你不妨把这个还原电路贴出来,貌似bluesky没闹明白是怎么个情况~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 15:31:31
 
我说的是以前的一个经历,记忆也很深刻,当时找了半天的原因。
类似的情况如下图。

allen-leon
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  • 2010-8-4 15:35:24
 
这是什么拓扑?升降压??降升压??
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 15:45:36
 
啥都不是。。。。、
那个二极管是用来防反灌的。后来加个电阻到地,就OK 了。
原图现在找不到了。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-4 15:59:47
 
你这个图只有空载的情况下才可能出现二极管后比前高的现象。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-4 16:01:02
 
而且是快开慢关。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-4 16:27:45
 
这个好像跟开关速度没有关系的。就好比不接后面的电容,测二极管后电压也是比前面高的。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 17:22:30
 
快开慢关
是不是就相当于D变化到D' ,
而Vo= Vin* 占空比 。
导致实际输出超出“期望”。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 20:07:05
 
张兄,这个跟“快开慢关”没有多大关系吧。
有反馈存在,假如输出偏高,反馈回路会自动调整输出以降低占空比的“平顶”时间。
满足D‘ =D ,输出仍然不变。
(另,建议大家将自己贴的图大小编辑一下,这样就不会楼层错位,便于阅读)
allen-leon
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  • 2010-8-5 08:47:47
 
是不是图片弄小一些而又不影响阅读那样??
我还真不知道怎么弄呢,
blueskyy
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  • 2010-8-5 10:30:51
 
allen-leon
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  • 2010-8-4 16:38:55
 

大致手工画了一下,这个电路要实际工作记得还要加些东西,
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-4 17:39:40
 
次级是这个样子的。
D1和C1起到还原初级驱动高电平的作用。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 17:47:23
 
张兄, 王兄,allen-lenon兄:
你们可以点击编辑,在编辑对话框中点击图片,选择“属性”,在接下来的对话框里有图片大小的编辑,
让自己的图片大小合适。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-4 20:18:26
 
请问下 那个三极管的作用呢??
allen-leon
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  • 2010-8-5 17:30:01
 
让mos关得更快。。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-5 19:23:18
 
D2呢?让Q1 PNP 可靠截止 or something else ?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-5 19:46:52
 
你的回答正确。
你不妨分析下,D1和C1怎么复位这个原边驱动高电平的。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-5 20:50:15
 
C1是用来储能的 然后升高电压??
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-5 21:41:45
 
问题:次级如何恢复原边驱动高电平?
分析条件:假如输入电压Vin=10V ,占空比=0.7 , 得出初级抗磁偏电容电压= 7V
分析过程:
A开关OFF ,B开关ON :
初级:励磁电感启动消磁过程(消磁电压=7V),初级变压器电压上负下正,按照同名端,
次级变压器线圈电压上负下正,二极管D1导通,电容C1充电7V。由于b电相当于接次级的地,所以:Va电位=-7V
A开关ON ,B开关OFF :
初级:励磁电感启动激磁过程(激磁电压=10V-7V=3V ),初级变压器电压上正下负,按照同名端
次级变压器线圈电压上正下负,Va电位=3V 。也就是Va电位又上面的 Va电位=-7V,跳变成现在的 Va电位=+3V,由于电容C1的电压不能“突变”,所以Vb电位也同时上跳相同的幅度:+3V-(-7V)=10V ,这就是驱动MOS 10V电压的来因。这个Vb=10V 电位通过二极管D2,迅速给MOS 结电容充电,VCgs =10V 。随后,二极管D2被反偏,Cgs记忆了最高电压10V 。
随后二极管D2被反偏?如何理解?
C1的电容通过R1,R2自放电,“滕空位子”,为下个周期(A :OFF,B:ON )来临作准备。
R1:Vb 给MOS 结电容充电的限流电阻。次级被驱动MOS管开通(发生周期:A 开关:ON,B开关:OFF)
R2:Va 让Q1 PNP 导通,基极限流电阻。次级被驱动MOS管关闭(发生周期:A 开关:OFF,B开关:ON )
上述分析,请兄指教。
(一开始我将你的电路看错了,将D1看成是并联在次级变压器两端。这样就分析不出来。)
allen-leon
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  • 2010-8-6 08:41:02
 
定性分析是这样,不知道如何定量分析一下,请用你前面所说的阻抗变换试试推导一下,
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-6 09:03:24
 
这不是定性的分析,是定量的。
allen-leon
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  • 2010-8-6 09:11:27
 
嗯,对,你这个也算是定量吧,你是用了具体的数值,我是想说从数学上推导一下,
xiaoxiaoniao420
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LV3
助理工程师
  • 2011-7-27 23:10:52
 
蓝天大师,原边和副边的电容值如何计算?
blueskyy
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总工程师
  • 2011-7-28 08:23:10
 
晕,我要是大师,来这里的就都是太太师(太比大还多) ~
怎么算,你问倒我了,让高手来回答吧,我也跟着学习~
xiaoxiaoniao420
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LV3
助理工程师
  • 2011-8-2 23:08:42
 
蓝天,你上面那个图是不是有点小问题?前面的图腾柱你不能等效为开关,图腾柱是工作在发达状态,放大电流。占空比0.7,也不能得出原边隔直电容7伏。前两天我实测了,好像是3伏四伏。反正明显小于7
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-6 10:31:58
 
原来你编辑过了。。。
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2010-8-6 10:39:17
 
哈哈,我觉得昨天晚上写的不够详细,不方便于你的理解。
请兄指点一二。。。。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-6 10:46:54
 
我当然理解了。
你这个只属于定性分析,定量分析很难的。这些电阻、电容的取值都要考虑进去。
你编辑之前的分析,昨晚我看过了,当时你把同名端考虑反了,居然也能分析的头头是道,真不简单~
A开关OFF ,B开关ON ,这个时刻, 你还少考虑了一点。
这个时候,PNP三极管集电结正偏,给mos的栅极电荷提供泄放通路。
这个电路输入是单端的pwm信号,经过变压器变换,可以分成两路互补信号,提供给有源嵌位正激、有源嵌位
反激、非对称半桥等拓扑,从而节约成本。
但这个驱动电路的功率不强,不适合来做大功率。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-6 10:55:07
 
当时你把同名端考虑反了
哈哈,我很心烦打字,能COPY 就COPY 。可能是COPY后没有改过来。。。。
allen-leon
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  • 2010-8-6 11:37:09
 
这个电路输入是单端的pwm信号,经过变压器变换,可以分成两路互补信号,提供给有源嵌位正激、有源嵌位 反激、非对称半桥等拓扑??? 假如用在AHB,死区时间问题如何解决?互补信号?
AHB应用时,D*T+D2*并不等于1啊,
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-6 12:20:41
 
通过调缓到达场效应管栅极的脉冲上升沿,可以降低它的有效占空比。
有源嵌位正激、有源嵌位反激、非对称半桥,这些驱动脉冲,大同小异,基本互补,不同者就是死区。
可以通过调驱动电路的参数,从而改变死区。
sx1103142
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LV3
助理工程师
  • 2012-7-14 17:06:30
 
为什么这个电路的功率不强呢?一般能达到多大的驱动能力啊?不是加了图腾柱了吗?
gaohq
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总工程师
  • 2010-8-6 13:09:02
 
看看倍压整流的原理,当变压器次级上负下正时,正电压通过D1对C1充电,C1的电压左负右正,当变压器次级上正下负时,变压器次级的电压和C1上的电压是串联的,它们一起为MOSFET的G极提供开启电压。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-6 13:12:05
 
就是这个理,言简意赅。
98楼是微观上的过程分析。
98楼分析有问题吗?
gaohq
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总工程师
  • 2010-8-6 13:18:15
 
98楼你的分析没错,哈哈,我就一菜鸟。
tinghai899220
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副总工程师
  • 2012-8-13 21:25:45
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变快的原因呢,能详细分析一下吗
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-4 15:20:23
 
看看这个驱动,原边跟楼主的一样,不对称半桥。这个是副边的。可以基本不受占空比限制。
allen-leon
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  • 2010-8-4 15:32:52
 
对,就这样的接法:驱动次级,R211=1K是否太小了??
输出再串联二极管和电容理论上等于升压电路,我想起来了,
或许可以找个时间推导一下。。。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 15:39:52
 
看来我又理解错了。。。。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 15:41:58
 
王工方便的话,请将驱动部分完整地贴出来。。。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 15:50:33
 
对的,就是类似王工贴的这个电路,V218和C215配合,还原原边驱动信号的高电平。
假设原边驱动信号15V,占空比0.7,驱动变压器匝比1:1,
那么驱动变压器副边得到的脉冲幅值只有15*0.3=4.5V。这个电平,驱动能力是不够的。
这时候的V218和C215配合之后,可以在C215的左侧,得到15V的高电平。
这个效果很奇妙,定量分析有点困难,只有用过了的人,才知道好。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 15:56:01
 
貌似除了这个二极管和电容配合的还原有点相似,
你这个驱动,跟我用的非对称半桥驱动,还有些差别。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 17:12:44
 
这样的话岂不是没了负压?
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-4 20:20:36
 
这个电路图是不是对应驱动两个mosfet呢??
还有原边那边是不是接产生PWM的IC呢??例如DSP呢?
谢谢
lsz318
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本网技师
最新回复
  • 2018-4-18 11:42:09
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高端驱动,要变压到 桥供电电压+10v,给栅极是吧
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-4 17:37:21
 
张兄,或许用阻抗变换的观点,能够解决计算问题。
allen-leon
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  • 2010-8-4 18:06:37
 
V1指原边变压器电压?
继续啊,还没推导完,对,就应该是阻抗变换。。。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-8-4 18:13:14
 
他贴的这个驱动电路有问题。。。。
allen-leon
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  • 2010-8-4 18:16:35
 
呵呵,是我手工画的基础上修改的,这是记忆中的线路,有些误差。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-4 18:26:02
 
可参考下72楼的电路。。。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-4 20:22:46
 
希望allen兄能把总的修改后的电路图贴出来 学习下!!
可以吗??
谢谢!!!
allen-leon
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  • 2010-8-5 08:50:43
 
好的,我找时间把整个图整理一下贴出来,
allen-leon
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  • 2010-8-6 09:17:19
 
98楼的bluesky兄已经贴出来了,请看看吧。
wings20
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高级工程师
  • 2010-8-4 20:15:44
 
请问次级不加还原电容和二极管 这个不怎么理解!
是不是串联进去的??还有作用??二极管是不是防止反向的呢?
晶纲禅诗
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  • 2010-8-1 21:45:30
 
驱变参数(如磁芯型号尺寸大小、匝数等等)是与开关频率、MOS管的功率大小相关联。
jpvnui
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LV6
高级工程师
  • 2010-8-2 08:58:44
 
1,根据
AP=Ace*Aw=(0.68Pout*Dw*10^3)/Bmax*f
2,Bmax是工作时的最大磁通密度,这个可以根据公式
Bmax=(E*10^8)/KNAce*f
E为绕组驱动电压(V),Bmax(GS),Ace(cm^2),f(HZ)
K方波时为4.0,正弦波为4.4
也可以根据单位体积磁芯损耗于频率和Bmax的关系曲线确定
3,而Dw一次绕组的导线截面积有点不好选
blueskyy
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总工程师
  • 2010-8-2 10:55:00
 
好眼力。
ljpshand
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本网技师
  • 2015-1-26 23:31:09
  • 倒数6
 
脉冲变压器不需要隔直电容,只要初级加电时间不长就不会饱和。
初级短暂加电后再断电,断电后通过续流回路使得磁路实现复位。
真武阁
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  • 2015-1-27 10:00:47
  • 倒数5
 
我想问一下这种图腾柱驱动不加电容的话他的复位通路在哪里
xkw1cn
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  • 2015-1-27 10:02:07
  • 倒数4
 
一般是钳位吸收;能耗复位。
真武阁
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副总工程师
  • 2015-1-27 10:08:19
  • 倒数3
 
哪里有前卫,上管关断下管就开通,直接吧原边短路了
gaohq
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  • 2010-8-4 21:29:27
 
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  • 2010-8-5 19:01:53
 
三极管的VCC上端是多少V,高了可不通哦?3.3V吧,DSP多少就多少,推挽放大就是增加驱动能力吧,如果上啦到12V就驱动不了了啊。。要加隔直电容的,否则磁性饱和,其实你弄个74HCTXX就够了,何必呢?除非变压器要隔离,类似半桥的上管这类的S不是接地的地方
wings20
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  • 2010-8-5 20:54:05
 
74HCTXX这个是可以把DSP 的3.3V直接升到10几V的吗??
请问你有没有相关的电路图 给我参考下呢??
最好能贴出来 谢谢
jimmy
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  • 2010-8-10 23:03:03
 
如果用3.3V的DSP输出信号来驱动的话,MOS实际得到的驱动电压在3.3-0.4V左右,所以肯定是不能驱动MOS的,低压MOS的驱动电压也要在3V以上。就算加上个1:1的驱动变压器也不行,除非改变变压器的原副边匝比
xkw1cn
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  • 2011-7-28 08:53:34
 
这个电路;上电就烧!
netkiller
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高级工程师
  • 2011-8-3 12:29:58
 
DSP 通常使用光耦隔离,
使用变压器隔离有问题。
leesirleesir
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  • 2014-12-10 09:09:40
  • 倒数7
 
很不错的帖子,学了很多驱动方面的东西
duplicate
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