| | | | | MOSFET的尖峰也太高了点啊,如果你用的是国产的管子,那么你的管子炸掉的可能性很高啊,因为国产的管子电压余量一般做的都挺小的。
初级电感800mH?你没加气息吗?还是说800uH啊。
驱动电阻大小会影响MOSFET的开通和关断损耗的,过大会导致开通损耗变大。你减小驱动电阻就能降低温度,就说明原来的驱动电阻还是大了,只不过10N60的管子用5.1欧的驱动电阻有点小了,过快的开关速度过EMI比较难吧,当然不考虑EMI那也无所谓了。
管子温度过高可以想两个办法,一个是继续降低变压器的漏感,还个是调整RC吸收电路,调参数或者加大RC吸收都可以的。
密闭情况下,在环境温度50度工作,管子温度保持在100度么有问题的,再高点点也没事 |
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| | | | | | | | | 一个2045搞的定6A输出,你太狠了?
工艺以及器件品质很重要,看你用什么磁芯,什么规格的线,漏感多少?
还有,整体的温升要分析,看看什么原因造成。 |
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| | | | | | | | | | | 他这个高压输入都进入CCM,正常吗?会不会饱和了? |
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| | | | | | | | | | | | | 这个不是CCM,你是说梯形波是CCM,三角波是DCM吧? 那是指MOS管源极的电阻上的波形。不过你这个真还提醒了我,没去测变压器是否饱和。 |
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| | | | | 5V6A正常可以做到87%效率,非同步的。
加了同步可以做到90+%的效率,我5V12A效率做到了90.6%。 |
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| | | | | | | 多谢大师指点,回头重新测了些参数:
这个是MOS管上的波形图
局部放大图
栅极驱动波形
817的反馈波形
以上都是6A负载的测试图。
变压器: PQ2016, 初级0.35,19T+19T,次级0.4×6, 3T。次级中间分2次夹绕,初次级间有屏蔽带。Lp=800uH。 实测Lp=821uH(820到850左右,电桥10Khz下测得),次级短路测的漏感11.1uH,11.1/821=1.3%,应该算是合格。
裸板测试MOS管温度达到70多度后基本就稳定下来了。 装壳测试很奇怪,大概84度是个节点,连续烤机几个小时,会在84度停留几个小时,合格的就一直保留在84度左右,不合格的温度缓慢上升,一直到90多甚至100多度然后失控,直到140多度爆机。
测试:将很细的感温线贴在MOS管的散热片上,然后从外壳的缝隙里引出来。最后用胶纸将缝隙封住。
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| | | | | | | | | 肯定的告诉你,变压器漏感大了,漏感不是要百分比例,而是要控制在多少范围内!
如果你能将变压器控制在5uH以内,保准OK.(漏感越小,证明初次级耦合越好,传递能量的损耗就越小)
我的5V12A变压器,漏感才3.2uH,否则怎么能做到90+%效率呢?
你说温升有的会高至炸机,你分析了原因没有?
肯定是你的RCD吸收出了问题!!! |
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| | | | | | | | | | | 多谢多谢,板子状况基本上摸清了。确实如上面的前辈说的,变压器有轻微饱和。现临时的解决办法是适度加大MOS管源极检测电阻。RCD回路没有啥问题。800uH感值过大。调到550uH比较合适。变压器选的偏小,散热片也严重偏小。总的说就那么大个外壳,做30W本来就有点勉强。换个好一点的肖特基能降个0.3W的功耗(满载),输出端滤波电感短路后能省个0.6W。但是那样输出纹波会从48mV升到120mV多。
变压器漏感问题估计是没啥特别的办法了,不是我直接控制得到的。涉及到供应商的问题需要采购协调从来都不是简单的事情。
还有请教,我另一款板子,MOS管源极电阻上的锯齿波的起止点都有很大毛刺是怎么回事? 放大了看就是一根很尖的尖峰。 |
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| | | | | | | | | | | | | 热与效率关系很密切的,效率要优先考虑,不提升效率热的问题很难从根本上解决啊。 |
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| | | | | 关于效率问题,我觉得我一直没有测准。输入功率是用功率计测的(显示38点几到39W),输出用电子负载测的电流值乘以PCB板输出端的电压(5.3×6.0=31.8)。31.8/39=81.5%。 但是无论电子负载还是功率计都是比较垃圾的产品,显示数字准不准还两说,更何况还有功率因素没有考虑进去(没仪器测)。现正想办法尽量测准一点。 |
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| | | | | | | 功率值跟功率因数没有关系的。
现在的功率计大体都差不多吧,我用过很多家杂牌的,功率值计算都差不多,没有特别大的误差的,最多1W不到的误差啊 |
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