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未解决

有一个需求400V to 48V非隔离DC,请问有没有什么方法

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1
wowfarwell
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副总工程师
  • 2015-4-26 11:34:06
10问答币
400V to 48V
6-10A
工作温度200
非隔离
请问用一级还是两级降压比较好
有没有什么合适的控制芯片
实在不想用分立管子搭......................
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gaohq
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总工程师
  • 2015-4-26 12:10:46
 



wowfarwell
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副总工程师
  • 2015-4-26 12:28:23
 
只有一个400V,TA=200
所以PWM控制器不好选型
荨麻草
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版主
  • 2015-4-26 12:31:31
 
工作温度200
摄氏温度?华氏温度?
wowfarwell
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副总工程师
  • 2015-4-26 13:54:11
 
石油测井用的
肯定是摄氏撒







cdzx11
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总工程师
  • 2015-4-26 14:04:54
 
环境温度200度?
或许,只能带制冷机了。
荨麻草
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版主
  • 2015-4-26 14:05:55
 
工作在200摄氏度的环境温度,都超出航空航天级的温度范围了,估计一上电很多半导体器件都直接报废了,更不用说控制芯片了,...除非采取什么特别的措施,比如采用循环液冷,控制IC采用军工级的UC1843(国内买不到,需要特别的途径才行),所有的半导体、电容均采用特种元件
cdzx11
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总工程师
  • 2015-4-26 14:09:44
 
直接工作在200°C基本不可行。
虽然碳化硅、氮化镓器件本身可以工作在这么高的温度,但封装、内部连接大概都适应不了。
其他元件要配齐能工作在200°C的,基本也是做不到的,除非从头研制。
荨麻草
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版主
  • 2015-4-26 14:16:19
 
这样可行否?
将电源密封在全金属的外壳中,灌入导热优良的导热胶。然后在将整个模块置入一个有循环流动的有机液体管道中,如此环境温度就被限制在了液体的沸点(如100℃)
cdzx11
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总工程师
  • 2015-4-26 16:18:15
 
问题是你需要得到比环境温度更低的温度,热量只能从高温传递到低温区,除非用制冷机。
荨麻草
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版主
  • 2015-4-26 16:50:37
 
液体的沸点就是环境温度呀
cdzx11
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总工程师
  • 2015-4-26 17:01:58
 
汗,用水吸热理论上是可行的,实际应用估计问题多多
wowfarwell
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副总工程师
  • 2015-4-26 19:17:36
 
混合集成电路是可以实现的
只是一个工艺实现的问题而已
wowfarwell
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LV8
副总工程师
  • 2015-4-26 19:14:31
 
TI和ADI都有高温器件
比如TI的TPS40200-HT,只是我感觉400V转48V用它有些不合适,我还没有理顺呢所以来求助一下线路方案
关于工艺实现绝对是没有问题的
高温材料的肖特基,MOS,三极管,运放,电容,磁性材料,都有比较容易的渠道可以买的
forestgump1003
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LV8
副总工程师
  • 2015-4-27 11:11:30
 
求购买渠道~
rj44444
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版主
  • 2015-4-26 21:28:25
 
井下石油电子确实是要求175的环境温度下工作,200度倒是没有听过。允许工作在这个温度下的确实是有的,多数是从第三方手里买。
wowfarwell
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LV8
副总工程师
  • 2015-4-26 22:52:24
 
大师请问一下400-48这种压差算大还是算小啊
PWM也有10%左右的占空比,我觉得还是OK的
如果搞得到器件,可以一级BUCK直接降下来吗?有没有什么坏处
二级和一级降压的区别主要是什么?有没有一个什么说法,在一个阈值之上需要用二级降压,之下只需要一级呢
非常感谢哈
rj44444
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版主
  • 2015-4-26 23:40:13
 
我不是大师。
这个如果单讨论拓扑,我觉得一级buck就行。如果不要求共地,低边buck就更简单了。这个占空比本来就很正常。
“二级和一级降压的区别主要是什么?有没有一个什么说法,在一个阈值之上需要用二级降压,之下只需要一级呢”,没有,完全取决于设计。

eric.wentx
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版主
  • 2015-4-27 11:27:05
 
200deg,膜拜!
st.you
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总工程师
  • 2015-4-27 11:33:01
 
半桥,变压器降到合适电压。然后再一级DC-DC稳压。CD4069是比较合适的PWM控制芯片,LM399电压基准,非晶环是比较合适的BUCK开关。这个级别的电流,同步整流是比较合适的。
wowfarwell
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LV8
副总工程师
  • 2015-4-27 12:33:13
  • 倒数10
 
请问不用变压器可以吗,有体积要求
变压器降压,再来一级buck的目的是什么?
会增加很多器件,更复杂的线路,更大体积和更多损耗
和直接一级不隔离的降压相比有什么优点呢
另外4069不是反相器吗
st.you
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LV10
总工程师
  • 2015-4-27 13:55:32
  • 倒数9
 
这个压差,双端方式用变压器体积会比直接用电感会小很多。CD4069也可以是振荡器,有了荡器,在我看来就等于有了控制芯片了。
wowfarwell
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LV8
副总工程师
  • 2015-4-28 11:09:16
  • 倒数8
 
请问控制IC,驱动IC供电怎么实现呢
如果用变压器
400V到15V这样的,绕的匝数少不了,体积没有办法接受啊
我准备做成INTERPOINT那种样子的电源模块,体积最多只有80*40*15左右


另外,请问一下,如果不隔离,用线性稳压给控制IC和驱动IC供400-15,等输出稳定建立后,切换到输出的48V-15线性供电,这样可以吗
st.you
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总工程师
  • 2015-4-28 11:54:18
  • 倒数7
 
IC启动,直接高压线性降压实现好了,启动后电感或者变压器辅助绕组供电。你说的供电方式也是可以的。
王昆仑
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LV2
本网技师
  • 2015-5-3 18:36:02
  • 倒数6
 
你是在做神器么?
能源消耗
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总工程师
  • 2015-5-4 09:43:22
  • 倒数5
 
采用2级BUCK降压,效果好点。6-10采用的T36铁硅铝2只,一级降压120V,分1/3,约0.3的占空比,这样的效率比较高,就是造价偏高点,整版越60元-80元吧,
wowfarwell
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副总工程师
  • 2015-5-4 10:11:52
  • 倒数4
 
非常感谢哈
成本不是问题
但是您说的6-10采用的T36铁硅铝是什么意思呢?不明白请讲一下好吗
另外为什么2级BUCK效率就比1级BUCK高呢?
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2015-5-4 12:10:51
  • 倒数3
 
因为单级占空比太低。
BUCK电路开关管电流等于输出电流,耐压等于输入电压,高压MOSFET压降大。
高压、大电流条件下,续流二极管损耗也大。
能源消耗
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总工程师
最新回复
  • 2015-5-4 16:57:40
  • 倒数1
 
铁硅铝损耗小,绕线,方便,36环,(6-10A),但然一级最好,问题是占空比太小,影响效率,续流管占空比大。BUCK电路占空比0.5时效率最高,也就是说,电压比是一半,(400变200V)。所以分2级。
400:48,占空比约0.1,那么开关管是0.1占空比,开关管电流应力要高,
续流管0.9占空比,导通时间长,损耗占很大比例。不利于效率和稳定性,对管子要求更高。
选用A75-A125铁硅铝很适合,电感量可以做到位,而且绕线会少点,1股1-1.2平方电磁线绕越28圈就可以了
释迦雨果CN
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高级工程师
  • 2015-5-4 16:41:13
  • 倒数2
 
就电路讲;直接降压是最好的方法。可以用非晶铁芯做电感。
半导体器件相对难选。
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