步骤7 确定初级波形的参数
① 输入电流的平均值IAVG
② 初级峰值电流IP
③ 初级脉动电流IR=KRP*IP
④ 初级有效值电流IRMS
步骤8 根据电子数据表和所需IP值 选择TOPSwitch芯片
① 考虑电流热效应会使25℃下定义的极限电流降低10%,所选芯片的极限电流最小值ILIMIT(min)应满足:0.9 ILIMIT(min)≥IP
步骤9和10 计算芯片结温Tj
① 按下式结算:
Tj=[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ+25℃
式中CXT是漏极电路结点的等效电容,即高频变压器初级绕组分布电容
② 如果Tj>100℃,应选功率较大的芯片
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步骤11 验算IP IP=0.9ILIMIT(min)
① 输入新的KRP且从最小值开始迭代,直到KRP=1
② 检查IP值是否符合要求
③ 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min)
步骤12 计算高频变压器初级电感量LP,LP单位为μH
步骤13 选择变压器所使用的磁芯和骨架,查出以下参数:
① 磁芯有效横截面积Sj(cm2),即有效磁通面积。
② 磁芯的有效磁路长度l(cm)
③ 磁芯在不留间隙时与匝数相关的等效电感AL(μH/匝2)
④ 骨架宽带b(mm)
步骤14 为初级层数d和次级绕组匝数Ns赋值
① 开始时取d=2(在整个迭代中使1≤d≤2)
② 取Ns=1(100V/115V交流输入),或Ns=0.6(220V或宽范围交流输入)
③ Ns=0.6×(VO+VF1)
④ 在使用公式计算时可能需要迭代
步骤15 计算初级绕组匝数Np和反馈绕组匝数NF
① 设定输出整流管正向压降VF1
② 设定反馈电路整流管正向压降VF2
③ 计算NP
④ 计算NF
步骤16~步骤22 设定最大磁通密度BM、初级绕组电流密度J、磁芯的气隙宽度δ,进行迭代。
① 设置安全边距M,在230V交流输入或宽范围输入时M=3mm,在110V/115V交流输入时M=1.5mm。使用三重绝缘线时M=0 电子小制作
② 最大磁通密度BM=0.2~0.3T
若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,使BM在0.2~0.3T范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小NP值。
③ 磁芯气隙宽度δ≥0.051mm
δ=40πSJ(NP2/1000LP-1/1000AL)
要求δ≥0.051mm,若小于此值,需增大磁芯尺寸或增加NP值。
④ 初级绕组的电流密度J=(4~10)A/mm2
若J>10A/mm2,应选较粗的导线并配以较大尺寸的磁芯和骨架,使J<10A/mm2。若J<4A/mm2,宜选较细的导线和较小的磁芯骨架,使J>4A/mm2;也可适当增加NP的匝数。
⑤ 确定初级绕组最小直径(裸线)DPm(mm)
⑥ 确定初级绕组最大外径(带绝缘层)DPM(mm)
⑦ 根据初级层数d、骨架宽带b和安全边距M计算有效骨架宽带be(mm)
be=d(b-2M)
然后计算初级导线外径(带绝缘层)DPM:DPM=be/NP
步骤23 确定次级参数ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm
① 次级峰值电流ISP(A)
ISP=IP×(NP/NS)
② 次级有效值电流ISRMS(A)
③ 输出滤波电容上的纹波电流IRI(A)
⑤ 次级导线最小直径(裸线)DSm(mm)
⑥ 次级导线最大外径(带绝缘层)DSM(mm)
步骤24 确定V(BR)S、V(BR)FB
① 次级整流管最大反向峰值电压V(BR)S
V(BR)S=VO+VImax×NS/NP
② 反馈级整流管最大反向峰值电压V(BR)FB
V(BR)FB=VFB+ VImax×NF/NP
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步骤25 选择钳位二极管和阻塞二极管
步骤26 选择输出整流管
步骤27 利用步骤23得到的IRI选择输出滤波电容COUT
① 滤波电容COUT在105℃、100KHZ时的纹波电流应≥IRI
② 要选择等效串连电阻r0很低的电解电容
③ 为减少大电流输出时的纹波电流IRI,可将几只滤波电容并联使用,以降低电容的r0值和等效电感L0
④ COUT的容量与最大输出电流IOM有关
步骤28~29 当输出端的纹波电压超过规定值时,应再增加一级LC滤波器
① 滤波电感L=2.2~4.7μH。当IOM<1A时可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠;大电流时应选用磁环绕制成的扼流圈。
② 为减小L上的压降,宜选较大的滤波电感或增大线径。通常L=3.3μH
③ 滤波电容C取120μF /35V,要求r0很小