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关于mos和igbt栅极并联电容

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budaoweng6789
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  • 2015-8-26 23:31:18
小弟愚笨',不知道对此理解的对错。在驱动极并联电容和增大驱动电阻都可以增加开通时间,但是它们的区别在于增大电阻会使整体等效电容充电变慢,包括米勒电容,会使米勒平台变长。但是增加个nF级别的电容只会使栅极电容充电速度放慢而不会影响米勒电容。从而做到既减缓开关速度,又在一定程度限制损耗增加。当然并不是所有管子都这样。以上为个人观点,不知道对否,请各位批评指正。
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XIAOTU80
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  • 2015-8-27 07:10:58
 
经常在MOS的G上加个电阻,很少见加C的
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-27 07:33:42
 
但是我见不少的直流焊机加这个C
XIAOTU80
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  • 2015-8-27 09:02:43
 
那是应用场合有关
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-27 10:10:27
 
可否解释一下呢?我最近在调一个半桥应开关方波逆变,也就是说变压器次级不整流直接带载,开环。负载可等效为RLC,发现管子开启电流尖峰特别大,但是并联这个小电容之后,和单纯增加Rg对比,效果要好很多。
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-27 10:56:39
 
增加串联电阻跟栅极并联电容,对米勒平台时间的影响确实不一样,栅极并联电容对米勒平台的影响不是很大,但增大驱动电阻却是会影响米勒时间,应该是这样的。
XIAOTU80
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  • 2015-8-27 12:19:16
 
增大驱动电阻,可能改善了EMI,但是开关损耗会增加吧
iloveyukwah
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LV3
助理工程师
  • 2015-8-27 12:59:52
 
在频率不高的场合,确实需要并电容来改善EMI的。

budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-27 14:26:03
 
本帖最后由 budaoweng6789 于 2015-8-27 14:27 编辑

知情人,您有过类似经历?不妨说一下?详细点,比如说多大频率用多大电容,或者是什么样的器件用多大的电容
otakukuso
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禁止发言
  • 2015-8-27 14:29:22
 
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budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-27 14:24:43
 
我觉得您说的不完全对,应该说的是在一定频率范围内会增加损耗。如果是在频率比较低,比如我现在(20-50k),增大驱动电阻(大于高频(100k以上)时的电阻),对开关损耗是没有什么影响的吧。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-27 14:21:58
 
有一句话叫什么来着,英雄所见略同,哈哈,当然您是英雄。那是不是就是说,在频率不是很高的情况下(50k以内)并联这个电容可以在一定程度上减小开通尖峰电流,从而降低了开通损耗,并且改善EMI呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-27 15:57:30
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减小尖峰电流?怎么减小的?
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-27 16:35:20
  • 倒数9
 
就类似如图下面的开通和关断尖峰值,并电容之前特别大。

144016136155d71e511dd75.jpg (252.89 KB, 下载次数: 27)

半桥硬开关上管波形

半桥硬开关上管波形
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-28 08:48:07
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哦,并联电容等效降低了开通速度,确实会减小这个尖峰。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-28 09:12:27
  • 倒数7
 
增大电阻和加电容区别您分析过吗
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-28 10:05:36
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增大电阻跟加大电容,在米勒时间上,是可以分析的,只要理解了米勒时间是由谁决定的。
nc965
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  • 2015-8-28 09:31:19
  • 倒数6
 
一个开关器件做的好与不好,很大程度上是看谁的结电容做得最小,这是做开关的人追求的目标。
你到好,反其道而行之!
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-28 09:53:26
  • 倒数5
 
我的开关速度是25k.如果开关速度太快的话是不是会增大开通电流尖峰呢?从而增大开通损耗,望指点
nc965
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  • 2015-8-28 10:55:34
  • 倒数3
 
如果开通时电压电流都是0,或者任意一个为0,再快的开通时间理论上也没有尖峰。就是说:尖峰不是因为开通时间快慢产生的,而是电路(或者器件)不理想产生的。
不理想情况下,有时候是需要减慢开通时间的,这时增加Rg和并电容是等效的,这时,没有人会去并电容,只会去增加Rg,最起码,电阻比电容便宜。
并电容的另一个不能容忍的问题是,它在减慢开通时间的的同时也减慢了关断时间,这个也是你想要的?多数人会避之不及。
并电容的再一个不能接受的问题是,它大大增加了驱动的难度,消耗更多的驱动能量,需要更强劲的驱动电路和VCC供电。
总之,除了十分特别的需求外,没有人会去并这个电容。



nc965
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  • 2015-8-28 11:04:54
  • 倒数2
 
这里就是一个特例,直接由光耦驱动的工频翻转电路,非得并电容,不并还不行。

333.jpg (48.17 KB, 下载次数: 20)

333.jpg
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
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  • 2015-8-28 11:25:15
  • 倒数1
 
大哥言之有理,小弟一定谨遵教诲。
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