| | | | | 第一部分
先上传一些选型手册
1.1
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 11:26 编辑
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74系列中文资料(非常全).doc
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CoolMOS选型.xls
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IGBT.xls
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IGBT选型.xls
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infineon_IGBT.xls
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Sinopower 大中半导体-选型表.xls
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英飞凌低压MOS选型.xls
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英飞凌功率二极管选型.xls
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NTC热敏电阻的主要技术参数说明.pdf
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常见热敏电阻规格.xls
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| | | | | | | 1.2
一些较为特殊但是挺有用的东西。
78L12(待验证)。
有内置稳压管的MOS。
SUPER247封装的MOS散热面积更大的247封装,还有一些MOS是G的S和D的S是分开的,减小干扰,损耗能做的更小等,很多新型MOS的封装都能做到更高的效率。
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-9 15:35 编辑
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| | | | | | | | | | | 1.4 说说最简单的电阻
电阻有个参数叫瞬间能抗的冲击能力,对于有些设计时还是比较重要的,私拍照片,可见不同功率等级电阻抗冲击能力是不同的。
0欧电阻也不是0欧姆的,一般是小于50毫欧。功率也是有上限的,
0欧电阻允许的最大电流与产品的功率和最大阻值有关系,一般1206的0欧电阻最大阻值不超过25毫欧,最大允许电流为3.2A(注:美军标mil规定),中国国内目前还没有相关的标准规定 1206电阻的标称功率是0.125W,0欧电阻最大可能阻值是0.025欧左右,所以只要散热良好,长期2A以下电流是没问题的,较短时间到3A也没问题 0.125=I*I*0.025
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 11:28 编辑
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| | | | | | | | | | | | | 1.5
TVS的一个曲线
如果你查TVS参数,一般找不到反向恢复时间等和时间有关的参数,百度都是说TVS有“瞬间”吸收过冲的能力,这个“瞬间”到底有多快?不知道,但是比超快恢复要慢,对于吸收很窄很窄的毛刺是没什么用处的,TVS如果吸收功率过大,会把焊盘的锡弄化掉的,而不是坏了而已这么简单,如果TVS在板子背面,直接就掉下去了,所以要小心了。 本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 11:28 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图文并茂!好贴啊!
话说,TVS管吸收太大功率焊点的锡就融了,这种情况是很少见的吧,焊盘做大一些可以防止这种情况么?我觉得功率再大,就得用螺栓接口了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是很少见,正常设计是不会有的,故障时可能会出现,就是某些其他器件坏掉了导致,但是出现后要是TVS掉到机器里面就麻烦了,可能把其他电路短路了搞坏了你还分析不出来为什么,TVS可能被运输还是怎么的掉在一边呢。焊盘做大也是不行的,温度都几百度了。
还有一些比较坑的维修现象是4层板PCB,一个焊盘,中间两层断掉了,其他一个器件都没有坏,这些都是曾经把我搞伤了的东西。
还有就是1A保险丝在大电源中第一次调试也少用,虽然功率也许很小使得电流绝对不会超过1A,但是开机瞬间冲击电流有时还是很大的,导致你开一次爆一次保险丝,搞的你还以为哪里坏掉了,也不敢轻易直接短路保险丝,那样搞不好总闸都跳了,同事会来投诉你的哈哈。所以我一般用2A或者2.5A先上。
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 11:29 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.6 三极管
三极管是电流型的,频率不高、功率一般不大、速度一般不快等等等等……
大家都知道,不废话了。
三极管有个参数放大倍数“β”,等于集电极电流除以基极电流,这个β到底有多大呢,给大家说说:
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
β是一个变量,是由基极电流决定,不是定值。
而且不同后缀的三极管β值不一样,差距还是挺多的。
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 13:31 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.7 二极管
二极管有N多种,光快恢复就从50ns-500ns分几种,在不同的电路中,不是恢复速度越快越好的,这个要注意。
下面我们主要谈谈二极管能不能并联使用的问题,先上传一组我的实验数据:
3个1N4007并联,均过0.5A以上电流,均流效果很好,且长期不会因为温度积累而使电流往其中一只管子偏的趋势
用三个不一样的二极管做并联均流试验: SB160 0.7V 1A 肖特基 实际过电流0.49A BYV28-200 1.1V 3.5A 30ns快恢复 实际过电流0.1A
1N4007 1.1V 1A 整流管 实际过电流0 A
知识点:肖特基和快恢复的VF都是负温度系数;只有SIC是正的, 整流二极管和整流桥也是负温度系数的,而且电流越大,导通压降越大。
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-9 15:32 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.7 二极管
误区:没有所谓的0反向恢复的二极管,肖特基也有10ns,在分析问题时要知道这一点。
而且,多个二极管串联,其实不用并均压电阻的,我的实验结果是这样的。
上传个二极管内部照片
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 14:09 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.7 二极管肖特基、SIC、快恢复对电压的承受能力和雪崩能力是一致的,如果每个周期都有尖峰过压,超过最大值,会折寿的。这些在实验室是试不出来的,要上量长时间可能才会反应出来,所以很多产品我们在实验室做N个循环老化实验不坏,批量出去就坏了,这就是其中一个原因。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.8 MOS管
1、MOS并联:当然是可以并联的,最好在同一个散热器上。并联时有一点要注意的,那就是MOS管并联使用时,导通和关断延时更明显。因为C大了。一个MOS使用时一般栅极串个10欧电阻,GS并个10K的,当N个并联时,如果还是10K电阻的话,并联后相应就减小了,切记切记,运气不好你就会看到类似这样的GS波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.8 MOS管
2、对MOS管,跨导不随输出电流增加而减小,是稳定的。
3、MOS100K频率左右 正压10V以上 如果正压低于8V,可能会出问题,现象是烤机几分钟炸鸡,一切波形正常。MOS的负压也不是越大越好,这样会占用驱动从负到正的时间,影响XXXXXX。
4、非常时髦的COOLMOS 的雪崩能量较小,耐电流冲击能力不如普通MOS管,也就是说更容易炸,过流保护功能需快速灵敏.
上传一个MOS内部图
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 14:30 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.8 MOS管
MOS管的安全区域扫把图,其实是一个很详细描述当前MOS特性的一个图,需要仔细了解的
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-7 14:33 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS管的安全区这个图,能给仔细介绍一下什么意思吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在图形最上方和最下方的两行已知条件下,
先看横坐标,确定了此MOS管此时的工作电压
再看纵坐标电流和斜杠时间,表示,举例:100V的DS电压,可经受10A多一点电流,工作1MS时间长度
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 最上面横线对应的呢?是1us还是10us
本帖最后由 灰狼行天下 于 2015-11-27 17:51 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 王伟大师,我试了一下你的这个电路,发现你的电容耐压就是输出电压,二极管耐压比输出电压还低不少,电阻的话4个应该不超过2W,用的是200欧一个的,能解释下这个电路吗,我目前这个参数试出来吸收效果不是很明显,是不是哪里配错了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果不需要吸收的,加这些吸收也没什么作用啊,这个跟反激的RCD吸收,原理是一样的啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是CCM全桥,需要吸收的;或者还有什么强力吸收电路吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这种吸收电路只有对于峰值不太高的地方才有效果的。
到几百上千V的峰值的时候,这种吸收电路可以直接扔掉了。
大功率高压输出的还是不建议用这种吸收的,效果太垃圾了,跟RC吸收一样,没有什么用。
一般都是原边钳位+副边钳位+RC吸收这种混合吸收的,否则完全搞不定尖峰
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.9 IGBT
1、IGBT能不能并联使用。
IGBT分PT型和NPT型,PT技术的IGBT不适合并联应用。但是NPT技术的IGBT适合并联应用。
2、IGBT的频率能接受多少。
IGBT目前业界应用,有到了50kHz,但是绝大多数的应用还是停留在20K。-----注意这是对于IGBT模块! 有的不能超过20K,有的25K,有的40K…… 具体要仔细查阅手册。
也有上百K的IGBT,比如单管IGBT,TO247封装。
3、为什么会有频率上限,超过了使用可以吗,大不了我加大风扇吹吹。
答:一般不可以。IGBT、包括其体二极管、以及很多大功率二极管 限制频率40-50KHZ 超过频率会怎么样呢,可能会爆炸! 在模电书P15页有原话:“二极管的最高工作频率,超过此值时,由于结电容的作用,二极管将不能很好的体现单向导电性” 也就是说 相当于并联了个电容,而不是二极管了,IGBT的CE也相当于一个电容了,当然爆炸了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.9 IGBT
关于IGBT的一些技术论点
4、
MOS的结电容比较大,应尽量零电压开通减少损耗。 IGBT有电流拖尾现象,应尽量零电流关断减少损耗。
5、
IGBT可以10us直通不炸,很多资料都这么说 MOS可能只能1us左右。 6、 “一般而言,IGBT的正压驱动在15V 左右,而Mosfet 建议在10—12V 左右;驱动电压负压的作用主要是防止关断中的功率开关管误导通,同时增加关断速度。因为IGBT 具有拖尾电流的特性,而且输入电容比较大,所以建议在-5—-15V 之间,而Mosfet 因为拖尾电流的特性不明显,所以建议加-2V 左右的负压。” 这段话我觉得不一定正确,过高的负压也会造成加大开通时的延时,负压值的增大不一定能提高关断速度。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.0 其他器件的一些观点
1、“判断LM339好坏的方法。由于LM339的内部为 4个电压独立的电压比较器,4个电压比较器与电源都是并联的接法。因此测量时,将万用表的一只表笔接集成电路的电源正极,另一只表笔分别接在4个电压比较器的个个输入输出引脚上,此时同相,反相端和输出端所显示的数值应分别相同。用表笔接负极,用相同的方法进行测量,比较各相应数值的比较,一般可判断出好坏。”
答:上述是错误的。今天恰好坏了个339,用电阻档测量好坏比较,VCC对每个其他脚,好的都是2.2M,坏的有些就是几百M。GND对所有脚,好的就是1.5K(还是M忘了),坏了就0.9M,几十M交替。
这种芯片坏了的,判断方法最核心的还是测量芯片每个脚对相应“地”的阻抗。
2、
这是某种继电器参数,15ms是操作时间,10ms是复位时间,也就是说,继电器最少也要15ms才能开,设计时延时1ms实际就是16ms。 3、 几个外观没有任何问题的,NTC热敏电阻,用烙铁一烫,阻值上涨,难道热敏坏了后会变成正温度系数? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不一定需要,主要是有时候拆下来很麻烦,或者再拆焊盘就掉了,可以与好的板子上的芯片对应脚阻抗做对比测试,都不拆下来。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一般都会并的,保护。
不并也不是说一定不能用。
没有二极管,继电器听不到咔的那声,开关速度慢一点。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是,指的是桥式拓补,上下管同时导通造成的电路短路
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不能超频使用是因为:频率超过SPEC后,电流应力会大幅度衰减;比如 50A的IGBT,频率规格是40K 那么到60K的时候,他的应力只到了30A;一般厂商不会在规格书上写明,问他们要才会给;
所以一般做IPEAK保护时,迟滞要设的比较大,放置连续开关超频
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.1 由整流桥压降引出的疑问。
整流桥其余3个点对“+”压降一样,用了4个1N4007二极管组合成一个整流桥发现“-”和“+”压降1.1V,每个1N4007压降0.55V,两个1N4007并联压降还是0.55V。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,谢谢提醒,上传个这个图,看看大家能否理解我的意思了,不行我再画
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果是整流桥,比如2,3,4脚对1脚压差都是0.5V
换成四个二极管,4对1压差变成1V,其余不变
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我测了几个都是这样的,目前只能认为是工艺制作的问题,其他说不上来
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你测了几个都是这样,你是如何测量的?你将一个电流从桥的负输入,正输出,然后你再实际测量一下压降,你看是否还符合你说的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我是用二极管的万用表档测的,我们公司没有恒流源……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ???不是吗
二极管不都一般用万用表二极管档测量吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 问题是,用万用表二极管档测量的,是压降吗?或者说,这样定义整流桥的压降,是否正确呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “数字万用表二极管档位测量出的数字表示的不是阻值,而是PN结的电压降。”
实际测试的结果是我描述的那样,原因不详……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵,要按照你说的这个来推论,整流桥内的二极管的阻抗特性就是线性的了,很明显不是这样。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2\3脚对1脚,是一个二极管压降,如果是0.5V,那么4对1脚,是两个串联再并联,如果也是0.5V压降,那说明什么?说明电流I流过一个二极管压降是0。5V,而0.5I电流流过两串的二极管,压降仍然是0.5V,一个二极管压降就变成了0.25V。这是从你的结论退出来的答案,很明显,这是错误的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 平常还真没注意,量整流桥好坏,我都是用万用表分别量交流输入对+、-端的值,每次只牵扯一个二极管。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哈哈,楼主暂时也不知道原因,但是有利于判断整流桥好坏,不要因为看压降小了就以为坏了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS管的体二极管的压降和MOS管的性能有什么联系么
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 体二极管压降越大,MOS损耗越大,
单单从压降来看,对MOS的性能是不利的。
你想问的是这个吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2 由运放产生的疑问
在单电源供电的运放中,输入越接近0V,运放输出越不按比例,如何减小这个失调电压呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不知道所谓的轨到轨运放是采样什么技术减小失调电压的,哪位有所了解吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一般来说,接成放大器比接成跟随器,失调范围要小
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-12 10:28 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.3 电容
网上的说电容的资料也很多,各种精辟资料一箩筐,在此讨论下电解电容的容量选择,因为电解电容很重要,所以提前在元器件章节先聊聊,第一部分快要结束了哈。
关于电路中输入和输出电解电容的计算(实践和实践的讨论)。 输入电解电容计算: W/2=1/2*CU2的平方-1/2*CU1的平方 不太会编辑公式~ U2为峰值 U1为谷值电压。 实测,明玮系列电源的输入滤波电容,都比此法算出来的值要小一些,不知道是不是为了省钱…… 输出电解电容: 以前做小功率正激类电源时,要求纹波很小,一般按输出1A1000UF取值就对了,后来做大功率,输出电流几十几百A,发现成品电源的输出滤波电容根本没有这么大。不说反激,讨论下正激类输出电容是怎么个选择规律呢。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.4 补充知识点
关于NPN三极管的饱和区,我的理解是bc结要正偏,同时be结当然也正偏,这样才是饱和区,否则只是放大区。
如果大家还对哪个器件感兴趣,我可以找找有无资料和数据,一起交流。
第一部分正章更新篇,完。
可以继续交流第一部分,准备几天资料,准备第二部分内容技术交流。谢谢大家参与
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-16 13:21 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有的,模电书中讲三极管和PN结时就说到过了,只是上大学时有的人没太注意。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问是针对NPN型还是PNP型?或者是两个种都适用?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 三极管工作在放大区,发射结正偏电压大于导通电压,集电结反偏。三极管工作在饱和区,发射结正偏电压大于导通电压,集电结也正偏。三极管工作在截止区,发射结反偏电压,集电结也反偏。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有无朋友知道输出电容怎么选取呢 按纹波电流还是纹波电压
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 正激类输出的滤波电容哪有这样选的,你这是反激类的吧?几十A输出也不过才1000uF而已。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我以前看半桥开关电源成品大约是这个数值的,保证纹波小于50mV还是1%以下
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 正激类的,输出纹波的大小,不仅仅取决于输出滤波电容的大小,因为不是反激,输出纹波电流时可以受电感影响的,因此,相通的滤波电容,不同的滤波电感,理论上纹波电压就不一样。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 原因暂时说不上来,应该和基本运放的基本构造有关,用节点法应该能推算出来,但是懒得算了,自己搭板子实测的结果是这样 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS并联时,会共用一个驱动电阻吗?驱动会震荡吧!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主您好,我现在8MOS并联,想问下您图中的尖峰和下凹是怎么回事儿,是因为什么引起的?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 25楼的GS波形,我遇到过下凹,但尖峰没有。我想问下尖峰和下凹是怎么形成的,是由于di/dt么?
做MOS并联,通常是在各MOS加门极电阻,但加10K的GS电阻的不多吧?
楼主能说明下这张波形的测试条件么?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、10K指的是GS并联的电阻,不是G串的电阻,串10K的那只有三极管
2、尖峰是由于这个10K电阻变小了,如果几百欧甚至更小你就能看到了,普通探头测试即可
3、下凹那是放电放过头了,特别是下降沿越快这个越容易出现,算是寄生LC引起的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1和3可以理解,但2怎么理解啊?10K的电阻的作用不就是门极关闭的时候做泄放么,楼主说开启时的尖峰是因为DS并联电阻小了,是不是有些牵强,个人感觉说不太通啊,还请楼主指正。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先呢,这是实验的结果,所以一定是真实的结果。
这个电阻小了,开启时GS阻抗就低啊,冲击一下啊,你测GS电流波形就知道电流是一个冲击的,在低阻抗的电阻上正好反应出来。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,我并不怀疑这图片是真实性,我这是觉得在理论上说不通1、你这个电阻是并在MOS外部的而不是内部,这个阻值低会分走一部分电流,增加驱动负担,如果是一定驱动能力的驱动的话上升沿应该会更平缓(个人猜测!)
2、MOS内部GS为电容;您说的开启时GS阻抗低,可以理解为di/dt增大吧,但是这变化更大程度上应该实在外部的这个并联电阻上,而对体内的电容没啥影响吧?
个人观点,如有错误地方还请严厉指正,谢谢!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯哪。
1、MOS管充电通常不是恒流充电,充电时间仅仅是T=RC而已,所以起码这里不存在你说的沿的问题(个人认为,没有特意做实验),当然,也有恒流给G充电的驱动电路,伟大的恒流充电电路,不知道你是不是用的是那种。
2、DI/DT是大了,电容是没有影响的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好吧,明白您的意思了,当初填写账号不是要起个名字么,刚巧在看海贼王,就取了这个
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “肖特基、SIC、快恢复对电压的承受能力和雪崩能力是一致的” -- 是什么意思?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是相同电压电流体积的,这方面能力是差不多的,没有说哪个比其他强很多,贵的好的管子不是任何参数都比便宜的好的,强在基础的比较热门关注度高的参数上
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 二极管的击穿电压与雪崩电压在数值上是不一样的,并且是两个概念。
雪崩能力是以焦耳来表示的,比较雪崩能力需在相近参数的二极管之间才能进行比较,否则说他们的能力相同不具说服力,不知楼主有否实例?
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| | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 这你也信?只要有电容;就会因电容充放电过程,就会有反向电荷,就会有反向恢复时间。你难道能把电容弄成0不成?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 0反向恢复时间的碳化硅肖特基二极管推出已有十几年了,与你相信不相信无关,其机理请向厂家请教不要凭自己老旧的知识瞎猜。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那是反向电压和Qrr的关系。知不知道Qrr是怎么测量的?Trr是怎么测量的?
顺便说一句你不是说厂家的数据不可信吗?既不可信为何又要看厂家的数据而不是自己去实测?我还以为你有自己的数据了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先;Qrr是啥东西?其次;啥叫无反向恢复电荷?
原厂数据是否可信是一个次要问题,关键是不要用自己的鞋底抽自己的脸。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先;Qrr是啥东西?其次;啥叫无反向恢复电荷?
原厂数据是否可信是一个次要问题,关键是不要用自己的鞋底抽自己的脸。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先;Qrr是啥东西?其次;啥叫无反向恢复电荷?
原厂数据是否可信是一个次要问题,关键是不要用自己的鞋底抽自己的脸。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Qrr、Trr怎么测量的你根本不懂。另外请说话放尊重点。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 摘录一段Wiki关于肖特基二极管的反向恢复电压的话题供有兴趣者阅读
Reverse recovery time
The most important difference between the p-n diode and the Schottky diode is the reverse recovery time (trr), when the diode switches from the conducting to the non-conducting state. In a p–n diode, the reverse recovery time can be in the order of hundreds of nanoseconds to less than 100 ns for fast diodes. Schottky diodes do not have a recovery time, as there is nothing to recover from (i.e., there is no charge carrier depletion region at the junction).
更多内容可见原文: https://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_diode
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 今天作业:背诵Qrr定义。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你确认你能看懂Qrr的定义?
你是不是一个偏执狂?以后天气预报报零度你可以去抗议了,告诉气象台是0.0001度不是零度,你还可以去质疑医院的无菌室是不是一个细菌都没有?另外你以后告诉别人你的身高是165.01厘米不是165厘米,怎么样?这是不是你的性格的真实写照?对了,你为什么只有1.65米?弯弯绕太多了?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一周多才憋出这些?东扯西撤的,这么么多天都没数据,还不面壁。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 告诉你吧,厂家的数据手册就是许工测试后写出来的。细微末节都是了然于心,岂是我们这些只是看数据手册的人所能评头论足的?说不定你摘录的那些描述就是许工写的。因此我耍大刀时都要看看关公是否在场,也一般都不会在鲁班门前去弄斧的。
本帖最后由 nc965 于 2015-9-11 10:46 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你确认你打这些字的时候没有处于急性短暂性癔病发作期?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 憋了7、8天,才憋出这么一句屁话,别憋出什么毛病来哈,这种毛病貌似与癔病症状明显不同,啥病呢?找大夫吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看把你激动的,都语无伦次了,老兄今年快70了吧,不要过于兴奋,以免弄出个脑溢血什么的可就没得救了,不要说我没提醒过你哦!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你咋这样?无论技术上有多大分歧;也不该人身攻击。希望你下次写出的是数据而不是街骂!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 与某个人发生冲突可能是偶然的,与所有人都不愉快就是他自己的问题了,一般原因是基因有缺陷。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你眼睛不好使吗?我贴出的数据还不够多吗?你又贴出什么数据了?
你这人够阴险的,本帖就是由你挑起的事端,并且首先使用龌蹉的语言,现在又来装清高的样子。
本帖最后由 lahoward 于 2015-9-19 07:53 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了好几个帖子,都发现楼上的兄弟经常进行人身攻击,严重破坏大家讨论氛围!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LA工,其实自小就有句话说“尽信书不如无书”,何况是供应商的资料呢。芯片有个参数还叫PSRR(时间久了不知道有没有记错) 你要看这个参数所有芯片抗干扰能力都是无敌的。 我对手册的看法是,很多参数,是不能完全相信数值的。只能相信趋势。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好吧,当我没有说。
但你贴了这么多资料不是没有意义吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请注意我的用词
“我对手册的看法是,很多参数,是不能完全相信数值的。只能相信趋势。”
很多--不是所有
不能完全相信---不是完全不信
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 算了,信不信书、信不信手册没什么好争论的,各人自己取舍就是了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不管技术好不好,讲话冲总是不好的,我是菜鸟,有些资料对我们来说是有用的,共同营造良好的讨论环境。如果有好的意见,自己可以开原创帖讨论。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 试验时频率应该是几十K,十几个TO220二极管串联,高压电源,无需并联电阻,老化没问题
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高频的话可能是电容在其均压作用。
有没有记录或者报告?二极管上电压分布离散情况如何?关注中。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,我回家翻翻笔记本看看有无记录数据了,写的时候只想着分享经验了,没有做够数据。离散情况应该记得还好,因为每个管子余量算下来也不是很大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 翻了一晚上,没有找到详细数据,只有以下数据,用的二极管是RHRP8120,数量在10-20个。
有不同实验数据的工程师们可以一起来讨论这个并联问题
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是同一批次的,一致性当时没测呢,万用表测二极管压降看一致性?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 后面一组数据 总电流不是3个4007的那个1.5A
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 整流二极管和整流器都是正温度系数的?笔误了吧~~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主威武,二极管串联后是否耐压是成倍增加的? 本帖最后由 决战 于 2016-1-28 11:12 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 据说TVS响应时间是P秒级的 关于吸收很窄的尖峰无效这个不好说吧 门极加TVS还是很好用的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问 有什么规格书标称是P秒级的吗,我之前看的规格书都没有标注过这个参数。GS并TVS是必须的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | TVS的响应时间为p秒级是常识,一般规格书并不作为参数列出,看看下面的截图
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 搞技术的可能都是很敏感的,常常表示有不足请指正之类的,一旦真有人指出其不足便会变得很愠恼的样子。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 只有你这种侮辱人的指正让人很恼火,看看你自己留言板别人对你的评价吧,再看看别人对xkw先生的评价留言板吧,仁者无敌。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真的是太敏感了,把正常的交流上升到侮辱人的高度,居然还喊起了“仁者无敌” 的口号,这不搞笑吗。
我知道语气重了点,但这是源自于你拒不纠错,也许面子太重要了,比如什么78L12输入12V输出还是12V啦,什么整流桥正温度系数啦,等等,此帖中谬论太多不一一例举。别人向你指出问题,你不是审视自己究竟有没有错而是先计较别人的态度怎么样,这就是你的不是了。算了,不参与你的帖子讨论了。
关于二极管论坛另外有个帖子很好建议你也建议参与本帖的网友看看,必有所启发。
https://bbs.21dianyuan.com/thread-57868-1-1.html
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| | | | | | | | | | | | | | | 赞一个,tvs确实会把焊锡融化,我做开环实验时忘了吧tvs短接,直接把焊锡融了
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| | | | | | | | | | | | | | | 楼主的EMC经验很丰富,化二点赞!——干了近十年的工控系统的EMC与硬件设计,见识的高手,还真不多
——楼主是一个啊
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| | | | | | | | | | | | | 司马大人,为何我印记中的1206是1/4W?是不是1206有分两种? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 是的,大部分是1/4W,这个上传的资料是我看过的功率等级和别人不一样的,在此提醒大家大批量买的时候要注意下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主说1206贴片电阻大部分是1/4W有所不妥,比如风华高科的1206标准型是1/8W,功率型是1/4W,再如国巨的1206通用型是1/4W,高精度的是1/8W,高精度功率型是1/4W,+-1%精度是1/8W,因此如楼主所说批量采购应看厂家的规格书,否则极易弄错给产品可靠性带来隐患。
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| | | | | | | | | | | | | 1206的标称功率是0.25w?电阻实际使用最好留一倍的余量,有一个案例:rcd电阻使用了4颗,1206的电阻,测试电阻上面的耐压,对应电阻功率达到1.25w,在高温环境下使用,几个月以后,pcb铜皮都被烫的翘起来,有些就炸鸡了,但是电阻是好的。觉得有必要我可以上图
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| | | | | | | | | | | | | 用什么电阻,多大阻值即可以做1A保险用,又可以抑制部分浪涌
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个还要看输入电解电容多少UF。
输入电压最大多少。
还有保险丝快断慢断,不同厂家型号的分段能力。
我觉得有空算这么多,不如实验一下速度更快了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这玩意怎么计算真还不知道~~~~用1w的?0.5w的?
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | 嗯,我刚看了一下手册,里面没看出来12转12,但是实测是可以的。
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| | | | | | | | | | | | | 空载测试的吧?看看下面的截图,输入输出最小1.7V。
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| | | | | | | | | | | | | | | 印象中好像是带载了的哎,现在手头没有这家伙了,谁测了不是的欢迎指正
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这还用测?规格书没有用了。
谁测出来是的话应该向厂家指正乱写规格书。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 规格书一栏上的1.7V是典型值,并非最小值,一般的数据手册里的典型值覆盖了高斯分布正负一个标准差的值,
通俗点讲就是将近70%的器件会在典型值以下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 对于78L12的没有留意输入12V输出多少V这个参数,但是在实际的使用中,LDO遇到过这样的一个问题,由于输入有9V 5V的自由跳变,选择的微盟的ME6210 -5.0V固定输出,sot89封装的LDO,输入可以到18V,输出电流500MA。电路使用的电流峰值不大于100MA。这样看似没有任何问题。在5V输入时可以实现5V输出,具体的压降没有仔细留意,只记得是非常小。问题出在5V突然跳变到9V时,LDO输出出现短时间的9V电压尖峰,约100ns,此尖峰严重影响后极电路。这种现象会不会是LDO在5V输入是非正常的工作状态,突然出现的9V让LDO来不及反应?那么,这样的用法真的可靠吗?
后话:我们不得不降低LDO输出电压来避免这个现象,得到了很大的改善。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我印象中是不压差的1V靠上吧,一般几十MA的电流吧,电流越大越差越大,估计不同品牌内部架构有关?估计你很小电流,压差不明显。有时间再实测下, |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | 是的,不可能输入12V输出也是12V,如果真这样,估计有一种可能那就是输入17V输出也是17V,短路了。。。。。。
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| | | | | | | | | | | | | L系列表示输出0.1A,一般对于这种稳压器为了使其能够正常的工作,都要有一定的压差
本帖最后由 凡尘 于 2015-9-7 15:21 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | 稳压啊,比光电容要稳吧。还能减小工频纹波啦。唯一的遗憾就是不隔离啊,要不就神的了,又便宜又好用哈哈
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果前面是开关电源了,可能不能了。
如果是工频变压器直接整流的,12.00转12.00我觉得不能
12.X转12V应该可以
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| | | | | | | | | LLC呢 正想做一款LLC 模拟芯片做 5KW 知道有什么片子不?
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| | | | | | | | | | | 大功率一般都用DSP做了,模拟的可以试试之前论坛在线研讨会的那个芯片,带电流检测的,挺好。
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| | | | | | | | | 客气了,有问题大家一起讨论,我也不是绝对的权威,各抒己见
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| | | | | 这是要写书的节奏么,有图有真相。
本帖最后由 tongfly 于 2015-9-7 14:21 编辑
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| | | | | | | | | 附件大多是IFX 的器件,可以针对英飞凌MOS和IGBT的分类和应用做讲解?因为现在器件种类多,贵得不一定是合适的,合适匹配的才是最好的!
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| | | | | | | | | | | 这个得请xkw版主来了,他熟
我应用IGBT比较少,一般不会做用到IGBT的功率等级呢。
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| | | | | | | | | | | | | 那你讲讲mos 的可可以嘛,每种类型的优缺点~
搬上小板凳,等版主讲课了~
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| | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | 借着人气发个请教帖子,请大家帮帮忙啊。
在调试个机器,低压110VDC输入,1200VDC输出。输出通过三个绕组串联来达到,三组串联后经过一个LC输出。如拓扑图所示。
绿色波形分别为二极管整流前和整流后的波形,红色为igbt输出波形。输入电压一点点在加,目前是开环调试,数字控制的。
在输入电压为80V时,变压器输出二极管之前的波形如图所示,基本正常,但是整流后的波形就不对了,而且第一组的输出尤其厉害。
有把输出电感改成12mh和4mh试验,都不行。
只有在某种情况,比如输入电压70V时,改变占空比,波形会好。
这个时候的输出负载一般都带了两三百瓦左右。负载更小的时候波形更差,试验结果与负载关系很大。
为了验证是不是三组串联的原因,把下面两组串联去除,单独试验第一组输出带电感电容,图像如附件所示。这个地方变更下,单独绕组时不同负载下还是同样现象,波形也有不对的。
现在确定就是轻载的时候比如500W,机器功率是15KW,这个现象负载加大点就好了,加大到900w。是输出电感小了吗,现在都12mh了。
本帖最后由 chenxi0209 于 2015-9-17 08:34 编辑
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| | | | | | | | | | | | | 二极管整流前--指的是变压器次级?
去掉下面2个绕组,就是直接把2个整流后短路是吗?
漏感一致性和分布电容一致性如何
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 就是普通绕法, 另外我传两张输出电感的波形,一张是输出正常时的波形,一张是不正常的。在某种情况下波形是正常的,但是改变输入电压或负载就不正常了。 不正常的电感上负半轴有电压,现在感觉是输出电感导致的。 本帖最后由 chenxi0209 于 2015-9-11 08:27 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 版主您好,上传一个绕法图,就是最普通的。有个数字弄错了。
上午没有办法有试验了个小输出电感,70uh的,还是不行,弄的输入端电流非常大。没有办法了。 本帖最后由 chenxi0209 于 2015-9-11 11:37 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我以前的一般初级都绕在同一侧的呢,这样绕有何好处吗
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| | | | | | | | | | | | | | | 二极管整流前是指变压器输出次级。
就是相当于只有一个绕组了,另外两个断开不用了,把最下面的地移到第一个绕组上面。
漏感一致性比较可以,每个次级绕组漏感都是30uh左右。分布电容我再看看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你把输出电感先放到低位试试看情况如何,从波形看就像是DCM分布电容和漏感的振荡类似。
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| | | | | | | XKW1CN:司马仲达说您对功率管比较精通我想请教一下英飞凌的IGBT模块都没有给出CE电容COSS是多少?业余情况有什么方法测量么? |
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | 对于IGBT模块,Coss是个小问题,关键参数是二极管Qrr。这些参数;需要比较特殊的工具才能测量。
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| | | | | | | | | | | 做移相全桥的时候要算并联到管子的电容大小但是英飞凌的管子技术文档偏偏就是没有COSS这个参数所以没办法确定并多大电容不知怎样解决? |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | 用电桥测出来的结果,你跟PDF对比一下会发现有时候差别较大。
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 第二部分 本来准备考虑先写反激还是自激电路的,前段时间恰好遇到了一个网友,交流下决定先写推挽了。话说推挽也算是电路的鼻祖了,所以按理说也该先说它。在大约5年前,在某非著名开关电源老书籍上看过这样一个故事,最早的开关电源就是推挽自激,是某美国海军尉管发明的……不过推挽没太多要喷的,因为做了几次觉得不好用,也就驱动没有让我头疼过而已,其实我看推挽是有点不爽的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.1推挽 高输入电压的推挽在允许的情况下最好不要做闭环。 “ 初级电流的大小等于所有次级阶梯斜坡电流以各自的匝比折算到初级的电流值加上励磁电流。在一小节里设定当直流输入电压为最小值的时候,此时导通时间最大,占空比最大且为80%。当开关管导通时,初级绕组电流以阶梯斜坡形式变化,我们以斜坡中点值为等效的平顶方波幅值Ipft,则输入功率Pin=Vdc*0.8Ipft,此处取该电源效率为80%(一般情况下都能达到),输出功率Po=0.8Pin 则有:Pin=1.25Po=Vdc0.8Ipft”
关于这个书上著名的一段话推出的公式。 首先DCM不适用,浅的CCM也不适用。 本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-20 20:13 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.1推挽
书上还有一项2个公式
最终的系数分子我觉得不应该是0.5,如果非要定个系数,我觉得0.4更靠谱。
关于输出电容的公式,我验算的结果目前都和实物相差巨大
本帖最后由 司马仲达 于 2015-9-20 20:27 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.1 推挽
推挽的双倍磁通效应大家要注意了,否则可能开机就炸。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 司马叔,有个事儿我想问问:
1.现在采用推挽拓扑的电源产品,磁芯开气隙的占多数还是少数?
2.推挽拓扑的电源产品中,偏磁的毛病大么,我以前听过有一种流言,说偏磁是BJT时代才有的问题。我记得很久以前几位元老的帖子曾讨论过mos的温度特性,也就是说开关管使用mos可以修正偏磁,但不能完全解决问题。还是说小功率情况下偏磁对稳定工作没什么大的影响?其实到底多大功率的推挽才需要考虑偏磁这一毛病?电流模式真的能完全解决偏磁问题么?
当初调试我那推挽的时候,偶然得到一个蛋疼的波形,帮我鉴定鉴定这是咋回事:上面是驱动波形,下面是对应的mos的D极波形。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哎,论坛改版,让我此刻在回复你问题的时候看不全你的问题,真蛋疼。
1、少数
2、MOS是能修复,电流控制模式是可以解决的,偏磁问题没那么难解决的,淡定。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | -_-|||
我忘了这是什么时候测的波形,应该是空载或者反馈分压电阻没调好的时候。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不管你是推挽还是半桥,都是正激呀,只是前面2个把变压器搞成了一个,和闭环开环有啥关系~~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是的哦,开环的话,占空比大,匝比小,初级电流小……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是推挽,是所有变换器都是,占空比越大,初级电流越小呀?和闭环还是木有关系~~~
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高输入电压的推挽在允许的情况下最好不要做闭环
觉得这句话不太适合
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的意思是这样的:
1、开环的话,占空比可以做的最大,比闭环大----这没问题吧
2、占空比大的话,匝比小,初级电流小----这没问题吧
3、匝比小,匝数少,漏感小--对吧
4、初级电流小,漏感也小,MOS尖峰小-对吧
5、于是RCD吸收好做--对吧
还有何问题吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前提条件就是输出不稳压 ,要稳压的话,除了一个偏磁问题,好像和交错式正激没啥不一样哇~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 输出是不稳压的。偏磁问题,目前几百瓦的我还没碰到过呢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一开始我看到那句话,第一个想到的就是和闭环的单管正激的比较,一样的管子要求,2倍的输入耐压,一样的电流值大小,推挽只是把一个mos分成2个小点的。切输出电感小,输出纹波电流小,输入纹波电流小,而实际表示还没有见到的高压输入的推挽电源。既然单管正激都可以闭环,为什么推挽就不行了呐
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 正激有个好东西叫复位绕组,或者叫钳位绕组。
推挽没有这个神器
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就我所知道的推挽有2种,一种是次级只串电感的,一种是有串电感还串电容的。推挽2个开关管尖峰主要是在2个都截止的时候比较大吧?这个时候的尖峰和复位没啥关系吧?
对于次级只串电感的更像正激,串电容的,已经升级为乱七八糟拓扑了。
对于串电感的,那是硬开关,如果不在mos管上加吸收,就像反击电源mos不加吸收一样,漏感能量得不到释放,尖峰肯定很高了,三绕组复位的正激也是一样哇,只加三绕组,不加点吸收,mos的尖峰一样超过2倍输入。我相信mos管加个rcd,推挽在死区时间的尖峰应该就能控制下来了,高压输入的电源原边电流比低压输入的电流小很多漏感能量应该也要小很多。
对于次级串电容的,大家都说是软的,尖峰自然不存在,llc还没搞懂,串电容的就不在讨论范围以内了。
木有见到有人做过高压输入的推挽,自然每个参考,疑虑比较多了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关键是MOS加RCD的话,R的功率太大了,高压输入管子余量较小,得吸收较多才行,理论上尖峰都能吸收掉,但仅仅限于理论,实际上总不能拿个几百瓦电阻吸收吧。就想桥一样,吸收电阻几十瓦,才能吸收可能100V的尖峰而已。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 几百w的r,这有点夸张了,2w左右吧,应该比较合适~~~~我看要不要开个帖子,用龙腾的mos,做一个110v输入,12v 10a的机子,验证一哈 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 110V这个推挽没什么压力。几百瓦可能是夸张点,记忆深刻吗,但是全桥几百瓦不夸张哦。
2W没风 220输入 大功率推挽是搞不定的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大功率的没有做过,我也就做过500w级别的正激,220v输入的话,要900v的mos,然后龙腾的还没有~~~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 900v的mos性能差,不知道是指的哪一点。2颗11n90出500w还是比较正常的?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 结电容啊,导通电阻啊之类的,低压管子性能要好些。
自冷估计不行吧,除非散热器比铁盒电源那种大不少
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 900v的mos内阻比一般的mos是要稍微大一些,但是他是2颗并联,双管正激是2颗串联。2者差了4倍关系,就实际坐下来,12v 30a,双管和单管正激效率上没啥差距,应该说单管的效率比双管稍微高了一点点~~~
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你是软开关吗?
如果是硬开关,开关损耗是主流。
对于软开关,导通电阻就很重要了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得还是要试一把,才行,220v的推挽,输出12v,比如10a吧,30a的pcb面积大,做一个得花不少钱 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我做过的200W推挽,吸收很难搞的,3W吸收电阻。
你可以做一个,参加武DIY
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个人总结:
推挽并不适合在输入电压较高的场合使用,推挽的优点是每个管子电压电流应力比半桥要小,而且驱动简单,相对于上下管的驱动,直通炸鸡的概率很小,但是相对半桥全桥来说,MOS管尖峰较大,吸收难处理。而且推挽有2个初级,不像反激那样可以简单的三明治绕法来解决尖峰问题,既要考虑初级绕组的一致性,又要考虑隔离耐压。 |
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说反激的帖子太多了,做的人也太多了,算是运用广泛的一种。
无论是PSR还是SSR反激,都有很多他们大显神通的地方。 不过既然用的广泛,必有可用之处。
便宜啊,好做啊,管子耐压其实也好选,比正激好。
记得我刚开始学的时候就在想,,我该用CCM呢还是DCM呢。怎么设计的是CCM,通电后还是DCM呢
反激为嘛要垫气息,最多可以垫多大,用什么材料垫都行吗?
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2.2反激
反激的变压器不是一个“纯粹”的变压器,所以他的初次级绕组不满足电压匝比定律,但是次级和次级绕组间满足。
初次级间遵循类似电流传感器的NI乘积守恒定律。
反激变压器的设计也有很多说的资料,在此不啰嗦,注明一点容易忽略的内容:
反激设计变压器时原边电感是包括漏感的!!但匝比计算的公式是不算漏感的!!
而且理论上:反激初级电感越大,输出纹波越小.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2 反激
即使是CCM反激,在轻载时也是DCM的--基础。
反激气息的材料要用比较坚硬的,不能用软的,比如电工胶带。
CCM反激更类似一个电压源,DCM类似电流源。
CCM反激的闭环比DCM难调多了,所以20W以下反激很容易搞定闭环是很正常的事。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2 反激
UC384X系列正常资料上都是做的固定输出PSR,如果你想做可调输出,SSR就更合适了,怎么做呢,上传个我的设计案例。
但是这种反馈有个问题~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2 再上传一个改进型384X反激案例
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改进反激.doc
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2 反激
针对上图反馈系统的一些测试
变CS电阻,初级电流峰值不变,UC2842的1脚电压变;
输出并1000UF大电容,UC2842的1脚电压不变;
光耦次级并的电容去掉,变压器响,UC2842的1脚电压3.18V,不去掉,并104-444的电容均不响,1脚都是3.33V; 无论是CCM还是DCM负载加重或输出电压升高,UC2842的1脚电压均升高;
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2 反激
384X系列异同点总结
3842和3844启动电压都是16V的,欠压保护都是10V.
3843和3845启动电压都是8.5V的,欠压保护都是7.6V.
3842和3843振荡频率由4脚外部RC决定.2脚直流电压决定占空比.占空比可调范围很大.
3844和3845不同的是占空比最大值是50%--70%. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.2反激
自己实验的几个结果
CS脚的滤波小R大C比大R小C的滤波效果好; 气隙电感公式 Lg=μ0*Np2*Ae/Lp-------不靠谱,反激的气息是垫出来的; 输出过压三个钽电容都炸了,间隔着炸了三声,可能布板子有问题,三个钽电容不均流。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.3 正激
正激的复位有两种形式,一种是RCD,一种是复位绕组。
正激的复位绕组书上从来不说用多粗的线绕制,电流有多大,本来我想说,这个电流就是励磁电流换算的,今天突然看到了这个公式,放上来一起分享下到底哪个更准确。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.3 正激@反激辅助绕组比较
做反激时,供电绕组需要和次级绕组同名,原因很简单,辅助绕组和次级绕组一样,只有在MOS管关断后主绕组的反电势时才能释放出能量,所以需要和主绕组反相,就自然和次级绕组同相了。 做正激时,供电绕组和主绕组同相和反相都可以。 反激的辅助绕组设计比较简单,正激的和输出绕组一样,但是在输入宽范围时,正激的辅助供电绕组不是很好做,匝数少了起不了机,匝数多了电压太高,要稳压就造成损耗过大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.4 自激
RCC自激网上很多,我要说的是另一种自激。
半桥自激,最早用于荧光灯电路中,。
优点:成本低,电路简单,自激方波波形非常漂亮,上升沿和下降沿很直。
确定:批量时质量不太稳定
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.5半桥
有两个疑问一直在心中。
1、成品电源,可长期稳定工作,但都存在“偏磁”现象
用万用表分别测上下管DS两端电压,发现读书均有5V左右差别,用调节偏磁的方法进行改进,均无效果,这种测试算不算表示有“偏磁”呢。
2、下图这种半桥和一般看到的LLC那种半桥框架主要区别在哪,我个人认为这种半桥的纹波更小,输出功率可以更大……
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为何可以高不少,半桥成本比正激低?
市场上半桥是很多,半桥单管尖峰比正激小吧,
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第二个是输出电感,正激的像我喜欢用铁柜吕,半桥这一般用换百环
所以半桥的电源总体成本稍低于正激。
200w左右的正激一个管子散热足以,400w左右的,前面没有pfc的,我还真没见过1个管子搞定的,要么双管,要么2个900v并联。
就市场上半桥电源的效率,比正激要稍微低一些,用了好几台36v 10a的半桥,满载效率才82,正激接近89,90,所以发热要小一些,寿命要长一些。但是成本比正激低一些。
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你之前说的频率是怎么回事?
黄白环?半桥和全桥输出不都是铁硅铝吗,你的黄白环是铁粉芯吗?
铁粉芯损耗比铁硅铝大的,不过很便宜。
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正激可以把频率提高些,半桥,就不行了,因为2个管子有死区时间,频率太高,占空比利用率就低了许多,llc,软开关,没有米勒平台,死区小,硬开关,米勒平台在功率大的时候,就很明显了。
正激的输出电感量比较大,用黄白换,很多时候是做不了的,不是因为损耗,是因为绕到那个电感量,和电流,绕不下
半桥的电感量就低了一倍,所以半桥更容易使用黄白换,所以半桥的成本会稍低于正激
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帖子中有错误欢迎指正。
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2.6 全桥
全桥分好多种……
硬开关全桥,移相全桥,有限双极性全桥,LLC全桥,LCC全桥,串联谐振全桥,并联谐振全桥,带谐振的硬开关不移相全桥,高压DCM硬开关全桥等等……
前两种和最后一种我最熟悉
硬开关全桥效率最多我做过89%,移相全桥最多做过应该是94,有几台仪器测出来是96,我目前持保留态度,不知道是不是真有这么高,虽然我的仪器是新的而且电量充足。
硬开关全桥是最早出现的全桥了,不要小看他效率低,可是人家很稳定啊,最简单的开关方式,配合全桥,全波,倍压方式整流,输出不同等级电压。这货真的很稳定(在全桥类中)
有人问我单全桥可以做多少KW,答,我见过的靠谱的是30KW,频率十几K。
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移相全桥呢,主要就是调死区时间,谐振的L,谐振的C,靠谱的变比,小的占空比丢失来实现除了效率以外其他都尽量接近硬开关全桥的参数---貌似很搞笑,搞了半天还是得往硬开关全桥靠拢,可谓万变不离其宗啊。但是移相全桥就算不移相也能实现部分软开关。
高压DCM硬开关全桥,输出采用各种倍压电路,实现几万伏特高压输出哈哈,不过这个拓补也很稳定,响应也快,采用UU这种只在教科书中存在的磁芯搞,也很稳定哦,国际特高压首选产品--------之一,哈哈。
可惜的是各种PWM全桥次级二极管尖峰都很高,想要降低,请选我天朝盛行LLC吧,哈哈。
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不过软开关的缺点就是空载,短路,保护,等不如硬开关。移相全桥不适合做升压的,切记,别大败而归了怨拓补。据说LLC不适合做输出电压太低的或者大范围变化的输出。
最近较忙,其实全桥有好多要写的,先写这么多,有空再补充。
传个软开关波形先
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GS对DS
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BUCK也是个很经典的拓补了,桥类的输出也都是个BUCK,但是BUCK这拓补搞软开关很少也很费劲,效率低是个头疼的问题,那种低压输入低压输出的效率高就另说了,我指的是功率大一些的,输入220的BUCK。BUCK的电感用Z型绕法比较好,虽然绕起来比较麻烦,但是可以减少干扰,不信你搞个200K的BUCK比较一下就知道了。BUCK和BOOST都可以用电感辅助绕组做自供电,省钱。
不过BUCK有个坏处,就是这货坏了的话,输出是=输入的,对负载来说可能不是一件好事,由于BUCK是降压的,所以他的MOS和二极管电流都比较大。
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BOOST的效率就很高了,96-99%的干活,其实至今我还没想明白为何都是220输入,一样功率,差距怎么那么大呢。
不过和稳定的BUCK来说,BOOST就没BUCK那么稳定了,我这只是相对来说,不是绝对。
BOOST软启动搞不好的那是开一次炸一次啊,直接墙上空开都能跳的啊有木有,而且BOOST的MOS沿不能做的太慢,尤其是下降沿,否则也可能炸。
BOOST升压比不要太大,否则也可能炸。
走线要多注意,否则也可能炸,我当初可是炸了N次啊,灰飞烟灭。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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相同功率,相同拓补,
输出电压大,输出电流就小,
纹波电流如果取的还是一定的百分比,输出电感就会很大了,于是我一般取小点,于是电感就小了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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并联式的抗倒灌能力是很强的,可以做配套吸收额外能量用。
顺便想到个问题,一般开关电源是如何抗能量倒灌的,据说一般倒灌进来就死机了……
第二部分,拓补类,完
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 正激没怎么了解过,一般反激搞不定,直接半桥了,用在音响电源上面,我看电瓶车充电器也是反激后直接就半桥了,半桥有品牌可以达到几KW我见过的,上全桥的见过一款,5KW以上了,所以1KW左右的半桥应该有余吧?除了要求特高的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
啥吸收都没加的mos G和D波形,死区的时候尖峰蹦的老高,2Vdc的时候尖峰也是老高的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没有吸收,他一定会跑得很高,能量都没有回路,这不是推挽有的,是所有硬开关的都有的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 第三部分
3.1 驱动
驱动电路各种各样,有简单的有烦人的。
最羡慕做反激和正激的人,基本上栅极串个电阻,多的再反并一个二极管,最多再搞个三极管加速关断就OK了,三板斧搞定,驱动还没问题,还不怎么因为驱动炸,也就影响些效率啊,EMI啊,波形啊之类的。
作为一个桥的忠实粉丝,驱动的好坏对我来说就太重要了,桥是经常直通炸的,修起来也很麻烦。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.1 驱动
驱动无外乎分三种:
常用普通驱动,加速关断驱动,死区有负压的驱动。
第一种,常用,电路本身最可靠(不是系统最可靠),无法有效控制死区内的误导通;
第二种,能减少控制死区内的误导通,波形振荡减少,关闭时直接把GS短路掉,有时候关太快反而不好;
第三种,能有效控制死区内的误导通,但是有个很致命的缺点就是,如果是15V供电的,负压是5V,正压就只有10V了,特别在一些占空比大范围变化的电路中,时而“顾头不顾脚”,对固定占空比的可以说使用是最佳的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.1 驱动
然后说说我截图的哪些驱动的问题
第一个图,那就是个骗子,压根没有负压!下图和他是一个毛病,是我做IGBT时了解到的驱动,也是个骗子,没有领会到负压驱动的本质。
一定要在二极管两端并上电容才会有负压!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.1 驱动
1、半桥驱动那个图,是我目前了解的硬开关半桥的唯一驱动……也可能是我了解的不够多,不够我看到的半桥的都是这种驱动,
这种驱动就是我说的第一种驱动,他在非死区时间内提供的是正负15V电压,电压幅值还是很给力的,RC吸收也是要加的,最好别偷懒。
2、QQ截图20151112135308.jpg 这个图,实验结果是这样的:
本人实测,驱动大小和稳压二极管无关,我用UC2842,VCC24V,驱动输出20V,将两个稳压管换成双向TVS,5.1V和39V,16V对GS和驱动输出毫无影响,电容102-103时,电容两端是大于0的方波,104时,电容两端是接近直线的直流,电容越大,GS电压越大,反向电压和正向电压幅度差不多,把电容两端并个10欧姆电阻就不会有反压了,电容串电阻5-25欧姆对电路无任何影响
最后一幅就是各种驱动图的一个结合,还好,没有什么坑爹的。
这些驱动主要针对的是MOS和IGBT。
功率三极管用的人比较少了,不过在此要说明一下,得用比例驱动或者贝克钳位。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.2 环路
哎,其实我一点也不想说环路,在没有环路分析仪的情况下说环路那是很空洞的事……
以我研究若干个月的结果,看遍零极点转折频率等等一系列专业名词后,现在发现基本都没什么用的,只能说,对我调试的理论基础能起很大帮助,知道改哪个,怎么改,会往哪个方向变而已。
DCM环路那调的和玩似得,就CCM环路难调,得尝试很多,包括过冲啊,纹波啊,负载调整率啊,热插拔啊,空满载啊,短路啊,声音啊等等一堆和环路有关的。
最难的是CCM环路+斜坡补偿一起调,那两货都能让你听到振荡的声音,煞是讨厌!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.2 环路
不想说理论的东西,那些仿真的帖子一大堆,说说实际的。
1、不要指望用PSR做宽范围调节的电源,除非要求低,否则是作死的节奏;
2、漏感大了,负载调整率也降低的;
3、采样电路无论你是PCB的还是不是PCB的,都要绝对保持其独立性,一根线也别和外界公用,也别把神马器件的一根引脚接在这条路上,他就是爷,你千万别碰他!
4、正输出做反馈稳定性好,负输出差;
5、任何能增加反应速度的方法如果造成反应速度还下降了的现象,淡定!那一定是快过头了。;
6、TL431上面的RC都增大调试时引起的闭环效果是反的,别听信某些人说的什么RC积分常数来看闭环的,顺带说一句还有人调RCD积分时也说RC积分常数,哎。
7、两同相放大器或反相放大器串联一起用,可以闭环且负载调整率不变!!!
不会因为两反相放大器引起360°相位滞后而无法调节,我认为360度=0度 8、开环是响应最慢的时候,不要弄反了…… 9、环路的秘籍是多调,仅此而已,理论和实际结合。多读书多看报少吃零食多睡觉 环路讲完。
话说有什么好的电源报纸看没?
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本来想上传文章,毕竟也不是工艺专家,结果发现系统限制超过5M不能上传,哎~
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.4 测试
上传2篇经典文章
*1探头测试的准确度是高于*10的
用电桥测试变压器时,不同频率,不同厂家的,测出来电感量都是有不小差距的,目前还不知道以哪个为准,有待商榷,测试频率目前发现就1K档位最不准,我一般用10K测试。
测了N个电解电容的容量,发现测试值都比标称值偏小。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.5 我的实践笔记:
1、钽电容纹波,这个滤波输出纹波效果是很好的,可能很多人都听说或者知道,但是有多好呢?可能100UF的钽电容比1000UF的电解电容都好,不要以为只好一点点而忽略他,而且爆炸声音比电解电容小很多,但是钽电容有个缺点,就是耐压余量比电解电容差很多,一般取2倍往上;
2、实测,全桥输入电压越高,效率越低,以下是改变输入电压测得的输入电流
293V*1.83A=536W 304V*1.79A=549W 316V*1.76A=556W 3、工频变压器如果输出低压的,即使没什么功率,电解电容也要上千UF的,切记 4、带CS的芯片,如果你测试时发现CS收干扰引起保护了,然后把CS短地,发现电源还不正常看样子像保护,那么恭喜你,多半是走线问题,你测CS会发现短路到地的CS脚还是有过流毛刺。 5、再来个反人类的: 用个工业风扇可以让导线过25倍高频电流
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你可以调个反馈试试。。。。
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6、对于硬开关,如果你觉得峰值电流大了,不要以为在变压器初级或者次级并电容能减小……
7、等效匝比试验,气隙增大,等效匝比变小,同时,励磁电流增大;
8、不要以为加个一匝绕组和主绕组串联分布电容就变小了……
9、CCM的占空比,随着输出负载变化其实是变化的,我指的不是闭环时的抖动,是真的会变大或者变小;
10、自然冷却的温度至少2个小时才能稳定,风冷的要1小时。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉看了《开电设计》的环路稳定章节,没看出什么名堂,知道了非隔离的那种二型三型运放补偿的方法,但遇到TL431还有光耦这些东西,自己不会写他们的传递函数,也就没法算补偿元件的值了,然后就卡在这里了。。。
btw,我没有看过自动控制原理,是不是搞环路补偿之前需要补习一些基础知识?
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就盯着[size=13.333333969116211px]《开电设计》死命看,不懂百度,就能看懂了,看了对理解整个系统还是有不小帮助的
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我最近做一个推挽,输出400V 0.2A 80W,是闭环的,频率50K,用431+817做反馈,在计算输出滤波电感L的时候,按照那书上的算法,电感电流小到额定电流的1/10的时候也不能落到不连续状态,然后算出来的值:(0.5*Vo*T)/Io=(0.5*400*2*10^-5)/0.2=0.02H=20mH。
20mH…………………………………………………………
多大的铁硅铝才能绕到20mH…………………………
连淘宝磁环卖家都拒绝我了。
是不是这输出400V 0.2A的参数太恶心?
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首先,为什么要做80W推挽这么恶心的东西
第二,真要做你做到DCM吧,要做CCM真的这么恶心。
如果你真的真的要做CCM,那你换铁氧体吧……
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磁环只能用仨铁氧体环拼成的24mH。
现在问题就来了,接了个3K的水泥电阻当负载,从0V起调,调到输出320V的时候就开始乱来了:电压调不上去,可调电源不停地过流保护又恢复正常。我测了一下3525的同相端的电压,唔,都掉到2.5V以下了。然后治标不治本的调TL431的参考端电压,总算是把电压升到400V了,只不过现在输出没有稳压的功能。。
下面是电路图。
是不是反馈环路有问题?
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1、输入是一直36Vdc?
2、开环的话正常吗?
3、测量输出电感电流波形有无饱和
4、12V是你那个电池给的从0开始都是12V的温度电源吗?3525供电能力是否充足?VCC掉没掉
5、15V电压是根据输出电压一直在变化吧
6、431是不是已经快挂了
本帖最后由 司马仲达 于 2015-11-16 13:02 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先给3525上12V的电。
然后给俩管子接上36V,从0V起调。
没试过开环,不敢试……怕超450V把那个电容给干炸了。
在输出100V的时候,辅输出已经超过15V了,然后7815就能正常提供15V了。
我觉得431是不会死的,死了的话,光耦也就没用,也就不能拉低电平了。
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2、431半坏不坏是会出现我说的那种现象的,时而伴随着测量431基准不足2.5V;
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假如能正常工作,下一步我该咋搞……调反馈的那俩电容么?
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不会调这个431+817,单独一个运放的二型补偿还会调。
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负载是一个3.9K的水泥电阻,算出来效率是82%。
输入是30V,电流1.67A,用了IRF740,这管子不知道咋回事,这么热。。因为我算出来的初级峰值电流仅仅4A,740的Ids好像是8A。
额,我按照安美森的431指导书算出的反馈补偿电容值,这下该咋调。。要是二型运放,我还会减小或增大RC来慢慢调,对于这个431我是一头雾水了。
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431的C越大,环路越稳定,R越大,越不稳定,你可以先试着调调看
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我看你的照片,是不是740一个散热器都没有,有风机吗?
没有散热器那是不行的啊
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C1的公式在上面,我把穿越频率设为1/5的工作频率,50K/5=10K
我用上面这俩算出来零点是3.65K,极点是27.4K……
然后算出来C1就是87.2pF.
diabolical…
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信司马,我猜224+5.1K就好,都不要算的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 224有点太狠了吧,一般103就够屁美的啦。
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但没什么变化,而且,输出230V左右就升不上去了。
还有一个比较奇特的地方,用万用表测一下采样电阻的采样电压,也就是TL431的Ref端,结果这点电位被拉得更低,输出100V都不到,万用表电压档内阻什么时候这么小了。。
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我从来不用万用表闭环点什么基准的,万用表也有输出电压的,就算没有电压,也会改变采样点电压的。
104串5.1K
然后再不放心就换个431吧,搞不好真坏了
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下午再去串联个电阻试试,我估计效果不大。
本帖最后由 埃_维_针1 于 2015-11-19 12:48 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 换成104+5.6K和102。
…………………………输出电压不超180V就开始乱调节了。
所以我感觉问题貌似不在反馈上面。
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这个是修改过后的图。。
本帖最后由 埃_维_针1 于 2015-11-20 12:44 编辑
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你懂我意思不,你这3525,脚位标一下我看看
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 先把3525内部的运放弄成跟随器,然后Vref=5V给同相端,用817拉低同相端的电压,就能调占空比了。
现在我测到的是,仅仅升到两百多伏,同相端的电压已经被拉低到很低很低的电压,大概就两点几伏,那么输出的占空比就非常低了,电压也就升不上去。
所以我猜是431补偿还是不够,增益太大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 或者是已经饱和了,光耦啊,431啊,内部运放啊都饱和了。核心就是要把这个限制电压抬上去
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是3525 内部运放输出脚电压的大小 和输出电压有关。输出电压越大,这里的电压就得越大,否则就出不了电压
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那是不是可以把光耦反馈输出直接就接反相端输入,经过零极点补偿网络接到3525的PIN9 ,就是误差放大器的输出端,同相端输入是3525内部Vref 5.1V分压一半2.5V ( 我的输出是50V 0.5A /75V 0.1A )
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 将SG3525里面的运放构成电压跟随器,通过改变同相端的电压来控制运放输出电压。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | The error amplifier output, COMP, is frequently used as a control port for secondary-side regulation by using an external
secondary-side adjustable voltage regulator, such as a TL431, to send an error signal across the secondary-toprimary
isolation boundary through an opto-isolator, in this configuration connect the COMP pin directly to the
opto-isolator feedback. On the primary side, the inverting input to the UCx48x error amplifier, VFB, should be
connected to GROUND. With VFB tied to GROUND, the error amplifier output, COMP, is forced to its high state
and sources current, typically 0.8 mA. The opto-isolator must overcome the source current capability to control
the COMP pin below the error amplifier output high level, VOH.
For primary-side regulation, configure the inverting input to the error amplifier, VFB, with a resistor divider to
provide a signal that is proportional to the converter output voltage being regulated. Add the voltage loop
compensation components between VFB and COMP. The internal noninverting input to the error amplifier is
trimmed to 2.5 V. For best stability, keep VFB lead length as short as possible and minimize the stray
capacitance on VFB.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 431哪里的RC是怎么计算的,作用是431稳压输出补偿吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 817光耦反馈输出应该是从C还是E?R,C又是多少,和开关频率有什么关系,3525 补偿端RC又该如何取值
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
双管推挽正激,驱动IC 3525
开关频率50K, 反馈选的是431和光耦隔离一体的FOD2742B
TL431 电路
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3.5 我的实践笔记:
11、电解电容是从底部散热的,靠的是本体,而不是引脚,所以不要以为大面积铺地能有助散热;还有一个很重要的工艺问题就是,为了防震动,电解电容通常底部点胶,别把底部一圈都围死了,你没看见电解电容底部和PCB就是有缝隙的, 围死了散热差。电解电容顶部的温度是最低的,侧面比顶要高的,而且不是高一点点,除非你风冷。
12、运放放大倍数不要超过100倍,电流采样电压最好不要小于50mv
13、霍尔测出来是方波且开关电源灯闪的话,恭喜你,别管规格书写的是可以过多少多少A,他饱和了。
14、输出增加一个450V470UF电解电容,输入到310VDC时就叫了,可见容性负载还是更容易振荡。
15、抗冲击能力水泥》金属膜》碳膜
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这两种我见过都是用在输出电流采样上的,
合金用的都是贴片的,康铜丝是插件的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 输出也需要扛冲击的嘛,难道短路的时候不是冲击???
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那个200W LLC??
那两种电阻我都没有短路坏过,连续短路也不坏,都很结实呢,哈哈。你冲坏过?
不过感觉合金的精度高一些。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所谓合金电阻;有合金膜电阻、合金片电阻和合金丝电阻。
第一种一定有陶瓷衬底,第二种有的有有的没有;需要看型号。只有最后一种;是没有的,但会有切口,有些型号或值的产品强度很低。所以;仅以是否有衬底不能判断好坏依据。
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短路时,功率是有一定范围跳动的吧,你不会那么巧就正负1W的波动吧
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后面买了1KW的,现在带200W都不会,具体的倍数关系我就不清楚了,后面要搞300W的,不知道会不会跳,不知道是不是跟调压器的质量有关
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 额 要是我就一次性买个2KW或者3KW调压器算了
我 以前的单相调压器,绝对是60%都不会跳的哎
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 要是我买肯定是大点好 没发现带PFC的负载都不想买了么,其实就几千块而已
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 调压器的标称功率是实际功率的1/3~5。所以;中间位置满载。。。 过载啦哈。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我有个接触式的调压器,标称500W,现在带200W,低压的时候起不来了,要升到160V最少才能起来
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 难怪呢,我都是大功率的,满载闭环很晚。
那你PFC空载也90V就闭环了
PFC和LLC是输入电压越高,输出电压越低,越容易振荡吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我就觉得频率越高越难控制,至于这个电压太高的说法,我不会搞那么不合群的东西了,电压都在450以下,输出也是常规的范围 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LLC的空载我觉得比较坑……跟变压器都有关系,参数不对,你调什么都没用,一直飘,飘到OVP
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那也可以解释的通啊,什么电源都是增益小输出会漂的,你那个帖子的原理图里面有写你最终的的调试参数吗,比如PID部分 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是,还没时间更新呢,今天把BOM刚好好,PCB和原理图有的地方需要改动的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 常用的有1,2,3三种类型补偿方法。
你想问的是这个吗……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 最常用的是2,单零点双极点补偿
1的可调点少了,效果也差些;
3比较复杂了,效果也不见得一定比2好
1最稳定哈哈
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 板子修好了。我一直觉得我做电源的运气差的很,想我第一次开机时,就把调压器的0和最大弄反了,于是一开机就听到一声巨响……
一开始啥都不懂,只会简单的用用万用表和示波器,认识一些大学里见过的器件,也没有电源的报纸杂志看,也不知道什么电源网,21电源网,有几本破书---当时也不知道什么书好什么书不好,反正都看不懂,拿到就看……其中有一本黄书我觉得很好,做启蒙的,从电子元器件开始讲起的一本书,说实话到现在我都没有看到有第二本书是从这种最基础的器件特性开始讲的,于是这个帖子我也就从基础元器件讲起。
看了一段时间,觉得看懂了,于是去书店里看看有什么好书没。很可惜书店里讲电源的书真不多,有本书挺好的,开关电源设计(当时还是第二版),一看定价,我就默默的把他放回去了,回家上网下电子版,那时候也没钱,过了几年后才又买了回来。
那时候就问师傅,有没有什么书是教人怎么调试,怎么判断问题的基础入门版的开关电源的书,答案当然是没有,这个问题之前也有不止一个网友问过我,我当年也想买这书好吧……于是刚开始靠的都是口耳相授,开关电源这东西知识点太多,问题也太多,一开始还是老老实实跟着别人后面多看看吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 书,我研究分以下几种:
中国人的书:简单易懂,深度不大,很多地方讲的是纯粹理想情况,适合新人看看,不一定适合提高;
欧美人的书:有深度,专业!讲的比较切合实际,但是有的书不是新人一时半会能看懂的;
日本人的书:某些点讲的很好,但是整本书的性价比不高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开关电源设计第三版
开关电源外围元器件选择与检测
开关电源设计入门
环球电源讲义
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,最后上传一些电源类的照片,我觉得有点意思可以分享的,和各种拓补波形,谢谢大家!祝大家工作顺利,生活愉快
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 外形是一个球型,圆形的金属笼子,人可以坐在里面,没看过演示,往笼子的金属通电
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是100KV级的MARX发生器或者串联谐振升压设备对法拉第笼放电。
这是俺以前做的一个。
不足200W,弧很短。。
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直接用手机拍摄就成,只不过拍微信小视频的时候会很蛋疼,因为高频辐射会干扰手机触摸屏,还没录就结束了。
我之前用数码相机在半米的位置拍摄,按快门的时候,手指跟相机拉出一条5mm的电弧,结果相机还没死。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大概比最大号的7815那圆形封装还要大一些的尺寸,也能过几十安电流的。
比例驱动的核心就是三极管是电流驱动的,开始驱动电流要大,加速。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 309楼我写的是没有负压啊,王工没有看我写的文字只看了图片名称吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实,光看你图片名字了,不过你也没画一个能产生负压的图。根据图片名字以为你画的是带负压驱动的呢。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好像是忘了传负压驱动的图了,谢谢提醒,补上一个,参数都配好了,大家拿去用即可。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 试过的,104的话波形的沿和顶就没那么平了,105是可以带载长期通电的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 认真拜读,这么好的帖子今天才看到。请问4、5、6三个驱动的优缺点分析没有啊,希望能够补充,期待啊----
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| | | | | | | | | | | | | Coss ,就算给了参数,也是低压下测试的。(一般是25V)
所以,可参考性也不大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 主流算法都是这么算的,准确度还可以,书上都有这么写
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOS的datasheet一般都会给出Ciss Coss Crss与Vds的曲线,根据数据表里的曲线图取值是不是更准确一些呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 理论上按图表是最准的,这个公式也有一些资料上说过。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你是把他当成线性的了……如果是指数,或其他函数的情况下……
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| | | | | | | | | | | | | 各位,你们能看到楼主上传的图片吗?是直接显示哦,不是下载再看。
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| | | | | 二极管的吸收电路,如何计算相应参数配置,我遇到吸收电路中,电阻电容发热比较厉害 本帖最后由 dq8259 于 2015-9-17 14:14 编辑
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| | | | | 在实验室和现场,管子损坏模块停机都很正常,如何判断管子是电压击穿还是电流击穿,或者热击穿呢? 本帖最后由 dq8259 于 2015-9-17 14:47 编辑
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| | | | | 好贴,跟着学习了 本帖最后由 dq8259 于 2015-9-17 14:03 编辑
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| | | | | MOS管的驱动电路贴片电阻容易烧掉,这个应该是流过电阻的电流过大吧,驱动电路参数配置,仁兄有推荐的文献吗?
本帖最后由 dq8259 于 2015-9-17 14:51 编辑
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | 贴片电阻容易烧毁,那要看你用的多大的贴片电阻,驱动的什么关子,可以根据关子的参数及开关频率粗略估算电阻的损耗的。
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| | | | | 好文,谢谢!期待楼主更新,保持关注。 本帖最后由 dq8259 于 2015-9-17 14:52 编辑
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | 电打火的煤气灶里就有这东西。。。
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| | | | | | | | | | | 感觉比普通棒状电感要大很多,没见过这东西。
某非在家修过……好男人啊
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | 那是的呀。。。反激不也是开气隙的吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那样电感量非常非常的小,干扰非常非常的大哎,为何用这么低级的?
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | 别吓我哈。你看看;那线是绕在尼龙四段骨架上的。匝数超多啊。。。。
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| | | | | | | 今天又看了一下,他这个套管出来,2个脚都是不同颜色的挺好
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| | | | | | | | | 司马兄,讨论个话题。电子方面知识有限暂时无解,还原成物理问题,看看有没有物理学霸能解。如下图:
假设蓝色部分是水,现在正在以K1速度高速流动,同时有水温T1.
右图为流动水管面积增大一倍后,水温仍然保持在T1状态。
细管部分T2的水温和T1比是怎么样的?
(物理法则规定密闭状态下水的压强处处相等,我们讨论现实状态,非完全密闭,考虑有阻力影响或其他因素。)
求T2 ?
本帖最后由 何仙公 于 2015-11-13 16:10 编辑
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| | | | | | | IN兄,我觉得和以下几种因素有关
1、某些芯片只能用于DCM或者临界模式的,那就只能限制于峰值电流了。
2、抗干扰能力,不管是什么芯片,厂商或者他手册中都会写他多么多么的好,抗干扰能力多么多么强,但是实际上上了一定的功率,干扰大了就真的不适用做产品了。
3、TOP系列等这种芯片,内置了MOS,会明白写限制多少功率。
4、LLC的芯片,哎,功率大了短路不及时,于是也不适用做太大太大功率的高频的产品。
嗯,我想到的目前只有这么多了,欢迎补充。
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| | | | | | | | | 1、有些受拓扑限制的就不说了 就像反激 这其实是耦合电感传递能量2、关于正激,我见过双管正激做10KW的 其实这些现在更受成本制约,而不是说能不能做到多大功率
3、我觉得 芯片的抗干扰能力还是相当重要的 这个也许才是一个IC能做多大功率的主要限制(1、2中情况除外),还记得跟你说过,3879的军品IC就能调出来,民品就总挂,也许这也要看干扰的处理方式
4、如果把驱动隔离 然后输出与反馈隔离(光耦),不知道这种抗干扰能力会不会能达到什么程度
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| | | | | | | | | | | 1、不仅仅是拓补,有些PFC芯片,峰值电流模式的就不能太大功率了;
4、很遗憾……能达到什么程度不好说,但是可能达不到你预期的程度,因为大部分桥都是这么干的……
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| | | | | | | | | | | | | | | 不知道是不是巧合,我做的基本都是驱动变压器+光耦隔离呢
除非高压电源,不搞光耦
你说的主要是哪种电源
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 就充电机啊 不过就算这么弄了 干扰也挺大 估计是处理的不好 |
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | 干扰本与驱动方式没太大关系。10KW电源都有控制驱动全热地的。
做电源;就如同做肯德基。只有电路里的电流淌在你的血管里,你才能做好它。“处理”二字,有点“迥”。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 言简意赅 版主觉得铺地好呢 还是不铺好啊 频率200K到顶 本帖最后由 inocencelove 于 2015-11-14 10:11 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我曾经也有这种想法,经过我半年的琢磨和寻找发现:
1、地球人还是铺地的居多,特别是四层板,那是清一色的铺地;
2、这里的地不是流大电流的地,本身不产生干扰,是可以分担干扰的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 版主 我想做个5KWLLC 三相输入的 给推荐个芯片呗 最好有过成熟产品的 貌似大部分都数字的
本帖最后由 inocencelove 于 2015-11-14 10:13 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问一下,控制芯片何时放在次级佳,何时放在初级佳? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么有2个待审核留言??
你的充电机,不会是控制芯片放在次级的吧。
你说的干扰大,是哪些现象呢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 难道有关键词? 就放次级的 无故炸机 偶尔过流保护
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得放初级好一点,毕竟次级都是高频干扰,不像初级还是工频的。
你测过放次级地线上的干扰和VCC对GND的纹波大小吗,在满载时。
你是LLC?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 初级可以接地到大电解电容啊,起码那里是低频的,次级,往哪接都是高频的……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 减小漏感,高频电容,走线,电感CLC,LC,共模滤波,软开关等等方式
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| | | | | 设计一个放大电路时,需要一个抬升电压1.5V,得到1.5V 一般是利用分压+电压跟随器~为啥要加电压跟随器啊~~想不通啊 |
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| | | | | | | 运算放大器,高输入阻抗,低输出阻抗,可以极大的提升抗干扰能力。
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| | | | | 开关电源部分讲解的知识很详细,特别是拓补部分,很有启发。 |
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