| | xkw1cn- 积分:131412
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积分:131412 版主 | | | 用2.7V逻辑电平的P沟MOS会好很多,适当增大L1也可以减小功耗。 |
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| | | | | 1、可根据LC震荡原理来计算;
2、换成MOS会好些。在同等功率下,电压低自然电流就要增大,所以发热也跟着大。 |
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| | | | | 建议楼主先要一本或一篇讲解开关电源基本拓扑的书或文章,根据里面的理论进行设计,如果还是有问题了,那就再来问,这样解决问题可能更快一点。 |
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| | | | | 现在发现在电压为3V,PWM的占空比增加一定程度后(PWM的频率为10K),8550的电流达到180mA的时候,电流开始不断直线上升,不受控制,发热管发热严重,请问8550这时候是否进入的饱和状态?请问如何改进呢? |
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