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RCC中的保护电路,能否申请专利?

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二胡
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  • 2010-9-4 15:44:41

此图为RCC,其中DW1与DW2的应用,在我之前还有这样用的吗?
原理:利用DW1、DW2、Q2、Q3组成MOS保护。当整个电路正常时,两个稳压管相当于开路,当电路不震荡时,DW1击穿保护MOS,输出短路或者负载过重时,击穿DW1强制关断MOS达到功率限制保护。

2222222.jpg

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收藏收藏1
WANGYUREN
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  • 2010-9-4 16:44:48
 
Q1的栅极波形正比于输入电压,如果+DW1、DW2,输入电压高到一定程度后Q1的tON会↓,实现过压保护功能。
即使别人用此线路申报实现过压保护功能的专利,你照样可以用相同的线路申报实现功率限制功能的专利。
gaohq
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  • 2010-10-7 21:10:31
 
输入电压高到一定程度后Q1的tON会↓
-----------------------------
没看明白,请详细讲讲好么?
WANGYUREN
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  • 2010-10-9 20:08:23
 
∵RCC正反馈绕组的电压正比于输入直流母线电压
∴输入电压↑→稳压管导通→三极管旁路正反馈信号→tON↓
gaohq
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  • 2010-10-9 22:16:47
 
明白了,谢谢!
nc965
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  • 2010-9-4 18:19:42
 
如果是挣表现,可以申请
如果是想靠这个找生活,奉劝不要申请
YTDFWANGWEI
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  • 2010-9-4 21:07:33
 
可以申请,但象李工说的那样,如果是公司出钱就申请,如果是自己掏钱,连想都别想了,花那钱干嘛?
後會絠萋
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  • 2010-9-5 09:12:18
 
没必要申请,在日本三洋的机芯有个提供副电源就是这样用的,只是比楼主的多了3个元件
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-5 09:16:47
 
同样线路实现不同的功能亦可申报专利,不过进行实审可能有麻烦。
wsh5106
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  • 2010-9-5 10:00:32
 
楼主如果申请专利的话,公司能操办?还是得自己操心?
如果是后者的话,不建议申请,不要把时间、精力花这上了~~
Harley
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高级工程师
  • 2010-9-5 11:36:09
 
这也叫专利?中国的毫无技术含量的东西都去做专利了,看看国外什么是核心技术,那才叫专利。
nc965
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  • 2010-9-5 11:41:54
 
国外的专利也差不多,大部分是垃圾。
cmg
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  • 2010-10-10 21:08:25
  • 倒数6
 
确实如此,国外的专利一半以上也是垃圾专利。
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-9-5 11:48:30
 
真正的核心技术,很多时候都是不申请专利的~~
Harley
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  • 2010-9-5 11:57:20
 
专利太泛滥没什么意思,反而阻碍技术的发展,试想如果当初发明反激式、正激式拓扑结构的人申请了专利,请问一下在座的各位还有几个在电源行业?
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-9-5 12:49:31
 
这话可不大对呀~
专利只在规定的期限内有效,过了这个期限,专利技术就可任由大家使用。
WANGYUREN
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  • 2010-9-5 12:00:24
 
保密技术?贵公司
现在的企业竞争,谍中谍、计中计,没啥可信任的人了。
laoyang
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副总工程师
  • 2010-9-5 12:10:49
 
没有人申请过的都可以申请.
後會絠萋
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  • 2010-9-5 13:13:07
 
恕我直言,中国人就有这样的毛病,搞出一点小技巧就要去申请专利
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-6 08:33:59
 
没好处谁申请专利去?
如果能保密最好不要申请专利:发明专利授权前都以公开为前提,只要不从事商业活动人人都能用;保护期内年年都得交保护费,过保护期还不是公共技术?
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-6 08:35:43
 
公知公用技术不行。
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-6 08:38:24
 
例如:吃饭用的筷子不能申报专利;绕线包充当线包底筒用的筷子可申报专利。
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-6 08:41:00
 
再如《非诚勿扰》里的例子:放礼炮用的圆筒不能申报专利;猜拳用的圆筒可以申报专利。
周挺巧
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  • 2010-10-7 10:05:07
 
专利主要是创新而不是技术含量,并不是复杂的东西才可搞专利。有时候增加个电阻就可以是个专利。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-9-6 10:31:14
 
请说说D5是干啥用的?
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-6 10:35:42
 
↓Q2的hFE
blueskyy
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总工程师
  • 2010-9-6 10:40:46
 
请兄台帮助详细说说:
1.如何能降低Q2的hFE
2.为啥要降低Q2的hFE
多谢。
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-9-6 10:47:31
 
那是楼主想报的专利,俺不敢讲。
俺见过用过Q2发射结上并电阻电容的,目的是非线性降低Q2的hFE,用来抗干扰的。
二胡
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  • 2010-9-6 10:49:58
 
WANGYUREN
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  • 2010-9-6 10:51:06
 
blueskyy
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  • 2010-9-6 10:55:56
 
呵呵,一看电路就忘记了 楼主是要申请专利的
WANGYUREN
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  • 2010-9-6 10:59:08
 
非商业目的可以应用,经过试验才好理解客观规律。
二胡
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  • 2010-9-6 10:59:53
 
纯属闲
WANGYUREN
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  • 2010-9-6 11:04:54
 
要报专利赶快,赶在别人申报前、赶在顶楼线路成为公知公用技术之前……
二胡
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  • 2010-9-6 11:06:28
 
WANGYUREN
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  • 2010-9-6 11:09:20
 
晚了成别人的了。
gaohq
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  • 2010-10-9 22:21:42
 
Q2,Q3形成自锁电路,当输入过压或者输出短路等故障时彻底关断MOSFET,
那个D5是为了防止Q2进入过饱和状态,类似于贝克箝位电路,否则Q2从饱和状态退出时速度就慢了。
如果我这分析的对的话,那D5就应该用个肖特基二极管的。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-10-10 21:16:03
  • 倒数5
 
CMG斑竹:电流方向没有画反。
在TR1关闭瞬间,Lm的电流不能突变 仍然从上到下。
但显然,对于TR2 PNP 三极管来说,电流如此流向又是不合理的,那么该如何让Lm复位到0 ??
blueskyy
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总工程师
  • 2010-10-10 21:27:04
  • 倒数4
 
斑竹说的是Vg=0 时间段内的状况。
我问的是:Vg 从1变到0 的瞬间。由于Lm的电流不能突变 仍然从上到下,此时,该如何让它复位到0
然后,Lm的电流再按照你说的:电流从C到Tr2,再到变压器
lansunhsu
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副总工程师
  • 2010-10-7 08:27:55
 
留个记号!
周挺巧
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  • 2010-10-7 10:17:43
 
感觉DW2没什么意义,利用DW1的正向来保护管子不是更好?
艾青
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  • 2010-10-7 15:59:09
 
我有同感啊
wsh5106
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  • 2010-10-9 20:19:31
 
今天看书,看到这个了,楼主可看看:

blueskyy
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  • 2010-10-9 22:32:50
 
Tr1和Tr2是三极管吧,怎么老感觉这个电路有问题。
初级励磁电感如何复位? Tr2能这样流过电流吗?
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-10-10 14:48:12
  • 倒数10
 
呵呵,这个不解释,老兄再想想。。。
gaohq
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  • 2010-10-10 14:51:41
  • 倒数9
 
解释一下吧,我也很关注。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-10-10 20:00:46
  • 倒数8
 
你这个电路是错误的。
cmg
  • cmg
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  • 2010-10-10 21:05:14
  • 倒数7
 
电流方向反了,这个电路没有问题,那个C就是用来复位的:上管关断,下管通时,电流从C到Tr2,再到变压器。
C的电位始终是左正右负。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-10-11 21:42:37
  • 倒数3
 
这个图中电容上时刻保持一个左正右负的电压来复位励磁,但两个三极管是NPN在上,PNP在下吗?我忘了。
modelmy
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高级工程师
  • 2012-4-8 14:12:57
  • 倒数2
 
Tr1,Tr2轮流工作,你再看C
yinzhihong20
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高级工程师
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  • 2012-10-30 23:04:34
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