反激拓扑RCD吸收耗散能量的读书思考

   

      开始做反激小电源的时候，总想搞清楚RCD吸收电路对效率的影响。最初的想法（想法来自前同事）是用漏感储存能量来估计，漏感一般在绕制时定义为3%以内，一般以为漏感占电感多大的比例就会有多大比例的能量被吸收，此处是由于图1和电感储存能量得出。以上结论可得出以下结果，以800W为例，漏感能量为24W，而一般反激拓扑效率在漏感有3%的时候效率可能会在85%左右，而漏感所占比例只有3%，而且由实验得知我们调整RCD的电阻时也会有效率的差别。
      有调整电阻影响效率的经验所以一直觉得最初的想法并不完全正确，直到在《精通开关电源设计》P95的介绍中，以下做一下摘抄。  

       3.1.6齐纳管钳位损耗      
       若消耗漏感能量，则其对效率的影响很大。有时直观的认为每个周期漏感消耗的能量为，其中为开关电流峰值，为一次漏感。此能量是（在开关关断时刻）存在于漏感中的能量，但其非漏感钳位所消耗的全部能量。
       一次绕组与漏感串联，故较短时间内，漏感一直都在试图复位。变压器一次绕组被迫跟着变化并且连续提供此串联电流，通过齐纳管续流。虽然可以肯定一次绕组总是试图通过二次侧续流，但一部分能量还是被转入齐纳管钳位电路，直到漏感完全复位（钳位电流为0）。换句话说，一次电感中有些能量被串联的漏感“迅速拿走”，并连同漏感本身所具有的能量，一起通过齐纳管电路续流。于是通过详细计算便可得到齐纳管所消耗的能量为
       （公式一）
       附加部分来自一次电感，其中为钳位电压，。
     由摘抄可知钳位电压越接近，耗散的能量也越大，关于哪一点可以做为最合适的点，书上也做了详细说明即，也就是实际的能量是漏感储存能量的3.5倍。
      关于公式一的由来书上未介绍，后来还是前同事有推荐一份AN1680-D的一份资料做了比较详尽的分析，附件是那个文档，可做参考（版本比较多，内容相近）。