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|  |  | | | | | 大概就是这么一个意思，Pmos管UGS=0，但是我用仿真时在漏极出现和G,S极相等的电压，源极不加电压时漏极为高阻态
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| | | |  | | | | | | | 上传显示Security error,能告诉我怎么解决吗
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|  | | | | | | 上传图片之前要单击一下图片再点确定
本帖最后由 1539706682 于 2015-11-19 14:32 编辑
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| | | | | 来点高手帮我分析下啊，我不是学电子的，毕业后转学电子一年多了，对于mos管总是稀里糊涂的，这个真的搞不懂了，是我的仿真出问题了吗，还是什么的，我，我将mos管换成三极管感觉还是存在这个现象，这个让我觉得自己累积的理论都不对了，谁能帮帮我，图片就只有下面那个了，做了个模型也传不上来
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| | | | | | | 你看我的级别，也是菜鸟，会不会二极管反向耐压值有问题啊？还有请问为什么要加那个R39？
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| | | | | | | | | MOS上放个电压探头看看或者复制到一张新图，就可以了。我也有遇到过，就这么解决了。希望有更好的回答，替我们解惑。
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| | | | | | | | | 不是的，这个二级管耐压能到75V,R39是接到单片机的IO口的，R39就是限制电流的吧，我猜的 |
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我觉得应该是图中的三极管导致的，理论上MOS和BJT完全关断，但实际上是流过电流的，从图中看来，BJT的阻抗应该略大于MOS的，导致BJT的分压略大于MOS，验证方法：将图中圈出部分用10K电阻替代试试，有效果你再用可调电阻试试，可调电阻最大阻值应为数十Mohm，没错的话，现象应该是随着电阻增加，MOS漏极电压增加
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| | | | | | | | | | | | | 这样的话，漏极电位直接被钳到0.3V，我画了个简单的，二极管是用来隔离两边电压的 本帖最后由 阅读的旋律 于 2015-11-20 14:49 编辑
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我的理解是这样的：结合前后两张仿真图，可以推算出上图中红圈里的阻抗约为10.465Mohm，这个阻值与10K串联分压可算得MOS G端电压为18.98V，MOS的阻抗约10Mohm，这样MOS G端电压与二极管阴极电压就好解释了
关于二极管压降我是这么认为的：
从二极管伏安特性曲线来看，二极管未导通时，电压变化较大，而电流几乎不变，反过来就是流过二极管的电流略微有变化，就能引起电压较大的变化，将10.465M换位10K，电流增大为原来的2倍多，这就可以导致二极管的压降出现较大的变化，这也就是为什么之前二极管压降为0,后来二极管压降有300mV的原因了，
以上都是个人观点，到底对不对我也不知道，还需要大神鉴定，只是觉得这么理解说得通
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我知道原因了，原谅我不是学电路的，这个电压虽然高，但是电流极小，mos管是关断的，mos管是用电压控制电流的，出来工作一年多了，以前不爱仿真，所以，没发现这个问题，我看你的分析感觉你的基本功很好啊，我都不会算，我分析你说的那部分都是这么看的，三极管关断，mos管漏极源极电压相等，所以mos管关断，但是当我仿真时发现这个电压值的时候就纳闷了，感觉怎么都解释不通了，在小公司没人讲，觉得自己白混了一年了，就来提问了，哎纠结了一周了 本帖最后由 阅读的旋律 于 2015-11-20 16:32 编辑
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只是一个MOS的说明，提到Vgs=0时的Ids，晶体管在关断时并非完全断开，只是断开是阻抗太大，可达数十兆欧姆，可等效为开路，实际上还是有电流流过的，具体为什么我也说不清，你先看看模电上PN节或三极管那一块有没有提到，或者百度，反正记住MOS关断时其实是有电流流过的，只是电流太小，可以忽略而已
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