| | xkw1cn- 积分:131400
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积分:131400 版主 | | | |
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| | | | | | | 不知可否具体讲解一下,并且分析一下这几种状态下的实际情况。还有,对于小弟上面的几个问题,不知版主能否解答一下,谢谢!!
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| | | | | | | 版主若有什么资料,可否也一并上传,供电源网的兄弟一起学习
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| | | | | | | | | 供参考
本帖最后由 qq80644864 于 2015-11-27 08:03 编辑
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| | | | | | | | | | | 对于兄弟所画的图,当MOS放电的时候,电流有没有可能会从发射极流到地的同时从发射极流到基极呢?而且MOS结电容持续放电,电容两端电压下降,当下降到0.7V时,下管即将关闭,那输出是不是0.7呢?
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| | | | | 驱动信号为10v同样可以工作吧,这个10v只是控制三极管通断,15V是到MOS的电平,不知理解对不对供参考
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| | | | | | | 从个人的理解出发,驱动为10V时,可能也能工作,就是不知道这种能不能达到跟正常图腾驱动一样的效果。在这种情况下,到MOS的电平应该是10-0.7=9.3
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| | | | | | | | | 驱动电压确实是9.3V,驱动MOSFET够了,至于三极管是饱和还是放大,需要看你基极的电压了。
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| | | | | | | | | | | 平时我们的应用中,驱动信号的高电平基本上是小于等于图腾供电的,那上下两个管子均处于放大状态,在管子上就会有一定的损耗喽。版主能否解释一下驱动为低时,为何输出也能达到0呢?
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| | | | | | | | | | | | | 图腾柱下端不是有一个PNP管,驱动为0的时候,PNP饱和导通,把MOSFET钳位到0V. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 三极管要饱和导通,最基本的条件不是要保持发射结正偏吗,那当电容放电的过程中,不是会出现电容电压小于PN结压降的时候吗,那此时三极管不就截止了吗,输出应该就不能达到0了啊!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 一般是可以拉低到0.7V左右的,这个电压确保MOSFET不会导通,没有问题的。
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| | | | | | | | | | | | | 您的意思是说图腾柱的下面三极管也是出于放大状态吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,我用saber仿真软件做了一下仿真,从仿真来看应该下管也是放大状态,我上网搜了一下,好像有个叫PNP型的射极跟随器,有时间您看看,共同学习。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,非常感谢,但是我听一些有经验的老师傅说,上下管都处于饱和导通状态的才能算是图腾柱,现在我也搞不清楚,十分的苦恼,希望有比较懂的人出来解释一下这个问题
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 饱和状态,那不就成了开关状态了吗?那就不是射极跟随(共集电极放大电路)了吧,确实不是很清楚,期待版主们有机会给讲讲,学习一下。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 能够做到饱和导通的话,当然最好不过了,实际应用中,由于各方面的原因,上管有时候是放大的状态的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那,下管呢,下管的C接地,即使是驱动为低的时候,对于下管而言,集电结还是反偏的,那下管是不是也只能处于放大状态啊
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 下管不是被拉低到0.7V了,不用太关心饱和和与否。
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| | | | | | | | | | | | | 你指的是最上面的图?驱动电压有14.3V啊,管子基本上是饱和导通了啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | 是指最上面的图,但是MOS要饱和导通,栅极电压不是应该高出漏极电压几伏的吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你的漏极电压不是0V吗?栅极电压只要高于5V,大部分MOSFET都可以完全导通啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我这个是NMOS,漏极由RL100K接到了15V,不是0,版主看错了把
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是我的图,但这个图不应该下面是源极,上面是漏极吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ,被绕进去了,MOSFET开通是栅极和源极之间的电压,不是和漏极的电压。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Rb取值太大了,电流太小,阻值可以减小一些,MOSFET的损耗并不大啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦,我在漏极接了100K电阻,损耗的确不大,但如果接成最简单的BOOST,但输出电流在2-3A时,MOS上的损耗就比较大了把
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 损耗问题,要看MOSFET本身的参数,这个要具体情况具体分析了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请教一下,MOS的dv/dt具体是指什么参数,对mos的驱动有什么影响呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | MOSFET的电压的上升下降的斜率,关系到MOSFET的开关速度。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那这个dv/dt是受什么影响的呢,是受体二极管影响的还是其他的什么
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | TOSHIBA 功率器件骨灰级代理
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老帖子了,不知道版主能否帮忙分析一下,我的pwm峰峰值为3.3,图腾柱驱动电压为9V,从发射极输出的电压是不是应该差不多9V?可是我的实际输出是和pwm输入一致的,版主能否解决一下,谢谢 |
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| | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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积分:131400 版主 | | | | | | | | | | | | | 图腾柱是射极输出结构;只放大电流,电压跟随输入,凭啥要人家把3.3V放大到9V?
如果要实现这个功能;建议用IRS44273L。
数据表见附件。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | N-MOS管的饱和导通是指Vgs-Vth<Vds,此时电流Id不随Vgs变化,Vds电压高,损耗大。
而你指的N-MOS管的“饱和导通”不知是否是指Vds压降小,相当于一个开关或较小阻值的电阻。这个情况对应的应该是Vgs-Vth>Vds,N-MOS工作在三极管区,导通电阻小,Vds电压低,损耗小。(开关电源中的开关管导通时一般都工作在三极管区)
通过图腾柱放电,N-MOS的栅极电压在0.7V左右应该就截止了,但可能是由于GS存在泄放电阻,会继续存在放电回路,电压泄放到0V
以上是个人理解。
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| | | | | 使用图腾柱就是为了增大驱动能力,所以是放大的作用,至于射极跟随器,估计是概念不清,然后,推荐去看看模电书上功率放大部分, |
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| | | xkw1cn- 积分:131400
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积分:131400 版主 最新回复 | | | | 射极跟随器;就是电流放大器。实现低阻抗驱动。
三大基本放大电路;射随输出阻抗最低。
由于大多数情况下,输出脉冲幅值已经足够,而输出电流能力不足,所以;射随比较常用。
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