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怎样合理计算单端反激电源中mos的耐压值？

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Dream_catcher

Dream_catcher
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2016-1-15 09:26:50

10问答币

单端反激中，mos关断时，由次级互感产生在初级的电压该怎样去计算？还有单端反激的原理怎样用楞次定律去理解？先谢谢各位前辈的指点！

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		2 eric.wentx eric.wentx 离线 LV7 版主积分：46973 \| 主题：485 \| 帖子：17006 访问空间发消息积分:46973 版主 2016-1-15 09:34:33 倒数10
		说得再多不如看一张图： QQ截图20160115093547.jpg (20.81 KB, 下载次数: 53) 下载附件 2016-1-15 09:34 上传回复 \| 举报 \|

			4 Dream_catcher Dream_catcher 离线 LV2 本网技师积分：125 \| 主题：5 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:125 LV2 本网技师 2016-1-15 10:09:43 倒数8
			文工，你好！之前在帖子中看到过您的这个。现在这里有几个疑问？ 1.在mos关断时？次级产生的在初级的电动势，计算VON+VFN，VON是不是可以按最大值它是和Vinmax相等的？ 2.还有mos关断时传递能力，这个原理上怎样解释？我用楞次定律没有想通！本帖最后由 Dream_catcher 于 2016-1-15 10:18 编辑* 回复 \| 举报 \|

				9 eric.wentx eric.wentx 离线 LV7 版主积分：46973 \| 主题：485 \| 帖子：17006 访问空间发消息积分:46973 版主 2016-1-17 23:17:04 倒数3
				1. 还是没明白你说的什么 2. 能量传递角度，你也不需要用楞次定理去看吧，反激的就是一个隔离型的电感，你直接看能量的 ‘充’ 与 ‘放’就好了。回复 \| 举报 \|

		3 one-piece one-piece 离线 LV8 副总工程师积分：2556 \| 主题：17 \| 帖子：422 访问空间发消息积分:2556 LV8 副总工程师 2016-1-15 09:40:50 倒数9
		这是[size=11.818181991577148px]荨麻草草大神的笔记，足够解决你的问题了反激小结V1.01.pdf 2016-1-15 09:39 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 1.62 MB, 下载次数: 3104, 下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

			5 Dream_catcher Dream_catcher 离线 LV2 本网技师积分：125 \| 主题：5 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:125 LV2 本网技师 2016-1-15 10:19:20 倒数7
			谢谢分享！我会认真研读！回复 \| 举报 \|

			6 mingchristian mingchristian 离线 LV8 副总工程师积分：2304 \| 主题：26 \| 帖子：387 访问空间发消息积分:2304 LV8 副总工程师 2016-1-16 17:25:06 倒数6
			读不了了？回复 \| 举报 \|

			11 liuzhun007 liuzhun007 离线 LV2 本网技师积分：104 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:104 LV2 本网技师最新回复 2019-8-5 15:56:26 倒数1
			很有用，谢谢！回复 \| 举报 \|

		7 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93789 \| 主题：115 \| 帖子：27390 访问空间发消息积分:93789 版主 2016-1-16 22:22:23 倒数5
		【文原创】反激变压器设计要领 187楼摘录关于【6】最高反射电压 Vr 的取值：数据来源及备注：需先设定一个目标值（比如120V)，再按【32】修订（付边匝数取整后的修正）帮助按钮：典型值110V~130V，此值在满足MOS耐压的先决条件下取较大值为宜（这样副边二极管耐压应力较低、占空比较大）例：392【最高输入电压277Vac的峰值】+120【Vr】+100V【尖峰电压与漏感有关】=612 < 650V【MOS管耐压】此值需按【32】修正，充分考虑余量，最后以实装特性为准，可以达到副边绕组变化1匝都不是最佳的精度。进一步解释：典型值110V~130V，是根据0.4KV市电系统（即220/240Vac单相供电系统）一般情况来的，也是根据这时的反激开关 MOSfet 耐压600/650/700V 的常用参数来的，很大致，仅供参考。对于其他供电电压等级，可大致按比例来增减，初步确定。 Vr 最后取值多少？要实测确定，也就是要先绕一个变压器来，看波形。看啥呢？ 1、看最高输入输出电压时，尖峰离MOS耐压还差多少？考虑点余量为更特殊的工况（比如开路、空载打嗝、输入电压意外彪高等）留点余地。 2、看最高输入输出电压时，付边二极管反压尖峰离其耐压还有多少余地。如果不够，靠RC吸收后能不能满足其耐压要求。看了以后：如果原边紧张就减小一点 Vr，如果付边紧张就增加一点 Vr，如果两边都紧张，就要考虑增加器件的耐压等级（比如输入电压 277Vac 时想用 600V 的 MOS 搞定) 如果两边都不紧张，可以考虑减少器件的耐压等级，如果两边都不紧张，器件的耐压等级也没有减少一个档次的机会时，可以小范围调整 Vr：如果 Vr 高一点，占空比会大一点、气隙会小一点、漏感会小一点（因此尖峰不一定会高一点）、但原边 MOS 电压应力会大一点，效率不一定会高一点。所谓 "一点" 也就是一点点而已，影响不显著，怎么弄，自己权衡了。回复 \| 举报 \|

			10 lxj8835 lxj8835 离线 LV2 本网技师积分：181 \| 主题：1 \| 帖子：21 访问空间发消息积分:181 LV2 本网技师 2018-12-3 18:44:50 倒数2
			谢谢。去隔壁听课去了回复 \| 举报 \|

		8 nytbwp12 nytbwp12 离线 LV8 副总工程师积分：2215 \| 主题：3 \| 帖子：45 访问空间发消息积分:2215 LV8 副总工程师 2016-1-17 13:31:02 倒数4
		一般按下式计算：最大输入电压+反射电压+漏感引起的尖峰电压。因为最后一项很难事先确定具体数值，一般取输入电压的10%估算。实际中若mos的ds耐压超出范围，要么换管子要么减小漏感等。回复 \| 举报 \|

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