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| | | | | | | 1)根据Bm=秒伏数/截面积*匝数来看,饱和磁通密度和秒伏数正比关系,所以是小于
2)上面的表格已经明确了原边的匝数,和原边的秒伏数,所以计算依据肯定是原边,但实际上用二次侧也是没问题,因为秒伏数/匝数是一样的,然后从PDF上看,截面积ae=1.5mm²,原边44圈,可以计算出Bm=18.3/(1.5*44)≈0.27mT,(在安全范围内);考虑到高频(fs high)时损耗相对较大,为了温升在安全范围,所以应用秒伏数需要将额(比如降到11)
3)匝数的计算和拓扑有关(基于正激或者反激)
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| | | | | | | | | 若是按您说的是小于的话 那就有一个问题啦
为什么匝数要弄这么多呢
44匝保证了不饱和
那10匝更不饱和呀,为什么匝数不选少一些呢
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| | | | | | | | | | | | | 你好
按照公式Bm=VT*n/Ae
磁通密度正比于匝数
我是这样理解的
那么datasheet上跟据伏秒数,把降额后的饱和磁通密度带进去,算出来的匝数是44
我的意思是,为什么要选这么多的匝数呢,这个44更接受极限值呀,为什么不选20或者10呢
最极端的情况匝数是0,永远不可能饱和
谢谢你哈
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| | | | | | | | | | | | | | | 好吧,看来是我的错,忘了在分母加上括号:根据Bm=秒伏数/(截面积*匝数)
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| | | | | | | | | | | | | | | 你的公式错啦:是Bm=U*Ton/(N*Ae)...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 伏秒积等于磁芯饱和磁通密度、匝数和磁芯截面积的乘积和你的公式一样的呀
没错呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | Bm与N(初级圈数)是反比关系!设计时,要保证磁芯不饱和(即Bm适当取小些0.2-0.25左右),在别的参数一定时,当然是初级圈数越多,磁芯越不容易饱和呀。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您说的和开关电源设计(第三版)上的公式是一致的
dB和N是成反比的,那么意思就是N越多dB越小,这从思想上怎么来认识呢,假设取一个极端的值,N=0,那么相当于说磁芯直接饱和?
这个公式中没有电流,磁通密度应该是和电流有关的呀
另外还有一个公式
B=μH=μNI/l
按这个公式B是和N成正比的,和I也是成正比的,但是和上面的公式结论却相反
请问如何理解这两个公式呢?
非常感谢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的假设不成立,N=0,说明导线根本没有通过磁芯,还何谈磁芯饱和的问题?
关于Bm和电流的关系,L*Imax=U*Ton=N*Bm*Ae 这样是否可以看到它们之间的联系??
你说的这个公式:B=μH=μNI/l
你最好先搞清楚这个是用在什么地方的...以及那个N代表的意思...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我查了一下赵修科老师的《开关电源中的磁性元件》
和您的观点对照了一下
反而更混乱了
能麻烦您解释一下吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 磁通密度:单位面积上的磁通量 磁场强度:在磁场中每一点都具有大小和方向,因此可以用向量H表示该点磁场的大小,方向与磁力线方向一致。 两个B的定义是不一样的,你非要揉到一块去,不是找罪受嘛...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 两个B的定义怎么不一样呢
都是磁通密度
另外
L*Imax=U*Ton=N*Bm*Ae
L=AL*N^2
这样得到Bm = (AL * N * Imax)/Ae
B和NI成正比呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Bm=U*Ton/(N*Ae)
Bm = (AL * N * Imax)/Ae
在你将这两个式子中的Bm与N的关系进行对比时,请你考虑一下别的参数的感受好不???
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