| 各位大牛好!
小弟最近修改公司的一个基于IGBT的H桥驱动方案,对于这一块公司以前的方案是使用三只IGBT专用正负压电源模块来做的。
但是由于该模块比较贵所以小弟用IR2103设计了同时具备负压关断和门极箍位的IGBTH桥驱动电路,现在拿出来讨论,欢迎各位拍砖。
设计思想:
高位驱动:
高位使能时:
Q2导通,Q1截止,上臂正常驱动。
高位关断时,Q1导通来自栅极的电荷能急速的泄放掉,故此,箍位成功。
此时,由于ZD1和C2的存在,使IGBT1的发射极电压为5V,门极电压为0V,此时上臂IGBT1的门极电压Vge=-5V,负压驱动成功。
低位驱动:
由于本系统15V和200V是共地的,所以采用了一片7905生成了一个-5V。
低位使能时:
IGBT正常驱动,此时, 门极电平为15V,发射极电平是0V,门极电压是+15V,工作正常。
低位关断时,IGBT2的门极通多IR2103连接到COM,即-5V,此时IGBT2的发射极电平为0V,此时门极电压Vge=-5V,负压驱动成功。
附件另外一个文件是参考文献《基于负压关断和栅极箝位的IR2110驱动电路的设计与研究》
还有IR2103的datasheet。
欢迎各位批评指正。
本帖最后由 lpfswadr 于 2016-3-6 11:24 编辑
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