| | | | | 大概原理是这样:根据130V时的电压计算分压基准,当电压高于130V后,TL431的阴极到阳极导通,P-MOS的G极电压为零,管子开通;当电压低于130V时,TL431的阴极到阳极截止,P-MOS的G极电压为分压所得的11V左右,然后管子截止。
困惑一:TL431在这种环境中是否可以长时间工作?
困惑二:该电路方案是否可行,有没有BUG存在?
请大神不吝赐教!
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| | | | | 楼主是否明白电压低于130V是指输入电压还是输出电压?
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| | | | | | | 版主,还请您指点一下,看这方案是否可行?省得我走太多弯路!谢谢
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| | | | | | | | | 关断输出这个逻揖可能有问题,关断后输出什么状态?电源什么状态?什么条件下解除保护?这些想好。
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| | | | | | | | | | | 感觉一上电MOS好像就要炸,一般VGS能承受多大电压? |
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| | | | | | | | | | | | | 不是感觉..是一定炸开花儿....然后迎来一阵飘香.
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果把431串在R3 R4之间 同时改变R3=5K R4=200K不知431是导通先还是击穿先?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 假设431导通先
当输入高于130V时 此时G极电压约为126 |VGS|=4V MOS导通, 当入低于130 431截止 G极电压为130 |VGS|=0 MOS关断
不知道是否可行
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关键是不止这个值了...你输出刚开不可能是126V.接近0V
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的 那只是理想情况,况且431内部还要做一次比较 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这不好玩的...喜欢折腾.你先折腾试试....坐等香喷喷的半导体味.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 说实话,当时偷懒从别处抄了一张图,原来那电路是用在低压环境下的,我拿过来后只考虑了TL431能不能工作,忘了考虑PMOS的vgs电压;另外也是自己专业知识的一个盲点,因为以前常用NMOS,从来的没用过PMOS,再加上自己缺乏经验,确实没有看出来PMOS的vgs电压已经超过上限;之后一定好好补补功课。
经别人提示,我有改了一个电路,还请版主再帮我瞅瞅,感激不尽。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 实际上要是在主开关电路之外有一路独立的12V电源的话,实现欠压保护的方法就简单了,可以实用比较器加MOS或者比较器加继电器的方式;但是这样的话,要有一个200VAC~12VDC的电路,成本会增加很多!
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| | | | | 楼主,你有实际计算吗? 不管431是否会损坏 你的PMOS 都会导通。假设输入电压120V 设431截止,请计算一下此时的VGS,还有你的MOS管能承受这么高的VGS吗?
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| | | | | | | 刚开始这个电路是用在低压(小于|VGS|)电路中做欠压保护的,我拿来用在高压环境下确实没考虑到PMOS的vgs电压已超过上限,当时一直担心TL431是否能在该环境下工作;现在改了一下电路,不过还是没有十足把握,上传一张图帮我把把关,谢谢。
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| | | | | | | | | 你的N-MOS G被悬空了…… 这种情况会INT,但大多数情况会一直导通。
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| | | | | | | | | 这图画得看着有点别扭....你要把MOS管向左90度旋转,然后GS要加个100-1M都可以,防止悬空,虚电压导通了.
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| | | | | | | | | | | | | 把PNP改成NPN,增加GS放电电阻就可以了。
如果答案有效请给点分
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本帖最后由 真武阁 于 2016-6-29 13:49 编辑
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| | | | | 这电路其实很简单的啊,整流滤波之后大电阻限流,然后稳压管稳压给三极管供电,三极管的C级接MOS的G级。
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