| | | | | 是不是没有弄明白全桥的占空比定义啊,其定义为:D=Ton/2*Fs,也导通时间等于半周期时,占空比等于1
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| | | | | | | 当占空比为1的时候,这个时候中心线在中间根据副边可得到△B=Vin/(Ae*N*2Fs)那么假设中心线在-Vin上,那么磁通密度变化率△B应该不变啊,此时的波形相当于单端正激一样,不过电压变成了Vin-(-Vin)=2Vin,占空比为0.5的方波,那么此时△B=2Vin*0.5/(Ae*N*Fs)=Vin/(Ae*N*Fs),不知道哪里不对
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| | | | | | | 我的意思是说:
当占空比为1的时候,此时波形为上下对称,幅值为-Vin,0线在中间,那么我把0线向下平移Vin,此时的波形相当于单端正激一样,不过电压变成了Vin-(-Vin)=2Vin,占空比为0.5的方波,那么磁通密度变化率△B应该不变啊,那么此时△B=2Vin*0.5/(Ae*N*Fs)=Vin/(Ae*N*Fs),跟0线在中间时的磁通密度变化率不一样,不知道哪里不对
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | 你去看看第一个公式里的△B是指的是从0到B还是从-B到B。而第二个公式里的△B指的又是什么。虽然都写的是△B,但两个含义是不一样的。
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| | | | | | | 第一个公式是-B到+B,磁通密度变化率应该是一样的,我的意思是当占空比为1的时候,此时波形为上下对称,幅值为Vin,0线在中间,那么我把0线向下平移Vin,此时的波形相当于单端正激一样,不过电压变成了Vin-(-Vin)=2Vin,占空比为0.5的方波。那么磁通密度变化率△B应该不变啊,那么此时△B=2Vin*0.5/(Ae*N*Fs)=Vin/(Ae*N*Fs),跟0线在中间时的磁通密度变化率不一样,不知道哪里不对
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| | | | | | | 查了阮新波的DC-DC直流全桥软开关技术,开关电源设计,都是第一个公式,磁通密度变化是-B到B,但是如果等效成单端正激的方波,相当于0线往下移,其磁通密度变化量是不变的啊,我没弄明白哪儿不对,
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