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共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究

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  • 2016-7-27 15:21:31
文章转自 电源学报


《共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究》
作者:董泽政吴新科盛况张军明


中文关键词:  共源极电感  开关损耗  碳化硅(SiC)MOSFET


英文关键词:common source inductance  switching loss  SiC MOSFETs


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