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| | | | | 网友们大家对本演讲稿有什么问题和异议的话,都可以在本帖中留言,李工会继续和大家探讨的! |
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| | | | | 说实话NC965版主分析的非常到位,真是学了不少主要是这些东西平时很少关注,感谢李版主整体出来和大家分享。 |
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| | | | | 多谢李版主了 刚才下载和我们同事看了下讲的很实用。受用了啊 感谢!!! |
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| | | | | <script>window.external.__tuoextfunc__(function(str) { return eval("(" + str + ")"); }, function(obj) { return __tuojson(obj); });(function(){function f(n){return n |
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| | | | | 请教nc965,文中的"拓扑吸收 设计仿真举例(Boost)"那页图中的C3在哪里啊? 没有看到. |
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| | | | | 非常精美!李工确实是下了很多工夫,这里楼主要我们提问题,网友们大家对本演讲稿有什么问题和异议的话,都可以在本帖中留言,
那我就讲有两点不足之处,一是未用正向恢复时间作为计算的基础,而是一味依赖仿真,有时是发现不了问题的。
请指正,谢谢! |
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| | | | | | | 多谢楼主。
在第4面(拓扑吸收)中,下面有个图是C2为10n,1n,0时的数据对比,我用SABER仿真也是如此。只是有个小技巧询问一下,楼主如何将不同值的曲线在一个图中获得,SABER中什么操作?谢谢。 |
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| | | | | | | | | 把几个上下排列的波形图的右边名字用鼠标拖到某个图所在的纵坐标范围内即可 |
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| | | | | | | | | | | 李工,请问您讲义里说到尖峰425很宽裕,这是什么意思?相对谁来说? |
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| | | | | | | | | | | | | 一般MOS或者二极管耐压600V,实际电压尖峰425V,不是很宽裕吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 管子的余量留多少合适呢?高压的和低压的管子留的余量是否有区别呢? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢,这个余量在高低压下的MOS都通用吗?还是高压下留有的余量要大? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 通用,最好低压余量大些,比如20V的管子,你按10%留余量,仅2V,危险。 |
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| | | | | 虽然暂时没时间看,但是我想还是很好资料,谢谢楼主和李版! |
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| | | | | 短路时,超过mos管耐压怎么解决?800V mos 正常工作500V左右(输入220VDC),短路时候已经850V了。特别是短输出线,比在电子负载上短差很多。
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