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3颗SPW47N60C3的驱动问题

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LCQ
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本网技师
  • 2010-10-17 16:42:06
10问答币
请大家帮我看看这个驱动波形吧!感觉很烂,但又找不到改的办法。
电路是这样的,全桥电路,现在工作在移相模式,目前相移很小,处于硬开关状态,工作频率200K,三颗SPW47N60C3 并联作为一颗,D,S直接并联,G通过15欧姆电阻并联反向肖特基,然后连接到一起,作为G'。
测试波形为桥臂低端的一颗MOS的波形,与这个mos并联的另外两颗mos的G极被驱动电阻短接到S极,实际工作的只有这一颗MOS,其他三处并联的mos没有变化。
通道4为G'S的波形(驱动板输出的波形,大约为11V)
通道3为GS的波形
通道2为DS的波形
通道1为与这个管子并联的2颗管子的其中一个GS之间的波形(GS通过15欧姆电阻短接了的)

GS和DS波形相当差,但不知何故?这个是一个管子的,从尖峰可以看出其他的三个管子并联的就更差了。





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COOL MOS我遇到的情况也不太好,200KHz没试过,100KHz波形已不太好(推测200KHz更差), G极尖峰大,功率一上去就会自激啸叫。
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晶纲禅诗
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  • 2010-10-17 21:11:39
 
初步断定驱动电路性能不良。
能上个详细一点的图吗?
LCQ
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本网技师
  • 2010-10-18 19:45:22
 

你好,谢谢关注。这个是局部电路图,母线电压为350V,母线的电解电容没有画在这里,输出是全桥整流,另外调试的时候,Rg都换成了10欧姆,为了加快关断速度,Rg上都分别反并联了1N5819二极管,驱动板的最大驱动电流为30Apk,11v。
belief0909
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高级工程师
  • 2010-10-19 11:52:34
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你使用的驱动芯片是什么?
有没有用专用的驱动芯片啊?
LCQ
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LV2
本网技师
  • 2010-10-19 19:44:21
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用了驱动芯片的,但目的只是为了配合分立器件,以增强驱动能力。
巴山夜雨
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高级工程师
最新回复
  • 2018-12-11 09:47:23
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用的是什么驱动芯片?驱动能力多大?
networkpower
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版主
  • 2010-10-17 21:28:20
 
SPW47N60C3的输入结电容非常之大,我印象中有接近10nF,更何况是3颗并联!
这需要驱动电路能够输出很大的峰值电流,否则根本驱动不起来,根据你的波形,你的驱动电路输出电流明显不足。
另外驱动波形振荡那么强烈,估计PCB的设计都有问题。
承上接下
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本网技师
  • 2010-10-18 08:50:19
 
分析的很对,这样的MOS驱动很讲究,这个产品功率应该非常大,可靠性上这个驱动的功劳有一半了
powerliu
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副总工程师
  • 2010-10-18 10:29:31
 
MOSFET并联,应该要注意PCB板走线的,因为 MOSFET并联应用时,除内部参数外,电路布局也是一个关键性的问题。最好是能够对称(对于驱动线)。
powerliu
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LV8
副总工程师
  • 2010-10-18 10:30:16
 
在频率高达MHz级情况下,线路杂散电感的影响不容忽视。。
LCQ
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本网技师
  • 2010-10-18 19:49:21
 
嗯,要是总监能这样说,我就倍感欣慰了。
这一级的功率为12.5KW,输出电压宽范围可调。
另外再补充一点就是,电路进入软开关之后,也就是驱动波形为200K-100K,变频控制的时候,驱动波形,开关波形都变得非常漂亮,电路能正常工作,干扰也都没有了。头疼的就是这个电路有可能工作到硬开关去,比如说轻负载时用移相全桥方式控制,更轻负载的时候或无负载的时候,就有开关管进入硬开关,造成极大的干扰,功率板上的风扇,辅助电源,检测电路,都不能正常工作。硬开关最猛的时候,附近2米的显示器都会被干扰。
LCQ
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本网技师
  • 2010-10-18 19:48:19
 
嗯 ,这个管子的输入电容比你想象的还大,尤其是在ZVS的时候,达到了40nF,所以驱动板花了好长时间设计的,最后的结果是驱动板可以输出30A峰值电流,图中红棕色的波形就是驱动板输出的,可以看出,它是很好的方波,但经过驱动电阻之后,变得很差,关断还是很好的。
另外PCB采用4层板设计,我看了布线,都是比较好的,过电流没有问题,驱动线引出也比较对称。
试验中发现,在10欧姆驱动电阻后,往GS上并联一个44nF的无感电容,也就是总共并联了132nF,驱动波形明显变慢,这些干扰明显的降低,甚至达到了希望的状态,但是一旦带负载,较重的时候(移相模式),当时由于死区时间设得比较长,不能实现软开关的那壁出现了非常严重的感染,导致这种方法无效。
还测试过驱动电阻为2.2欧姆,5.1欧姆,10欧姆,15欧姆,20欧姆,25欧姆,50欧姆的情况,与这个几乎一样,干扰没有减少。另外测试的时候都是监测过驱动板的波形的,除了2.2欧姆有少量被拉低外,其他的时候驱动波形非常好。
networkpower
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  • 2010-10-18 21:59:00
 
个人观点,可能还是PCB的设计问题。
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  • 2010-10-18 23:01:23
 
应该不是pcb的问题,因为我单独用导线搭过这个电路,只用一只管子,做成半桥结构,驱动直接飞到管子的GS上面,结果还是一样的。调试的时候,CPLD发出来的脉冲都有被干扰的趋势,母线上是560uF的电容,空载的时候,电源的恒流指示灯都不停闪烁。
另外,这个电路的dV/dT非常大,有1V/nS以上,高压的时候就更大了。不知道是不是这个原因?
晶纲禅诗
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  • 2010-10-18 23:17:59
 
更换其它品种的MOS FET有没试过? 是否也一样?
LCQ
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本网技师
  • 2010-10-19 19:42:26
  • 倒数9
 
有更换为SPW47N60CFD,效果要好些,但是驱动波形仍旧很烂,震荡还是很激烈。
请问你们在调试半桥或者H桥的时候,没有遇到这方面(在管子还处于硬开关的时候)的问题吗?
networkpower
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  • 2010-10-19 22:50:41
  • 倒数7
 
硬开关的时候有振荡,但没有这么强烈。
晶纲禅诗
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  • 2010-10-20 00:18:21
  • 倒数6
 
COOL MOS我遇到的情况也不太好,200KHz没试过,100KHz波形已不太好(推测200KHz更差),
G极尖峰大,功率一上去就会自激啸叫。
陈永真
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  • 2010-12-1 19:56:50
  • 倒数4
 
COOLMOS用在100kHz以上不是什么好事。最大的问题是输出电容太大,是一般的MOS三倍左右。
如果频率不是很高,选择性能好一点的单只IGBT。多只MOS并联并不像想象的那么简单,稍有偏差,就不能很好的一起导通和关断,也许就是一只MOS在工作。
bkq7758
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高级工程师
  • 2010-12-1 19:17:06
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2.2nF
楚天?
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  • 2010-12-1 23:22:13
  • 倒数3
 
这个料是出了名的难推。
建议每个驱动IC专注驱动1只管子。这个IC布置在管子附近。另外要考虑管子在开通时导致的源级负脉冲。这方面好像IR有文献进行论述。
一般低边驱动会有这个问题。因为不隔离。
建议你换用IXFH44N50.价格要好一些,驱动也稍好点。
另外先降低频率但不减小Rg看看是否有改善。如果变好说明是驱动问题,如果没什么变化恐怕PCB的可能性要大。
xxjiayou
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本网技师
  • 2018-10-25 23:00:06
  • 倒数2
 
这个管子功耗很大,为什么要用这个呢我输出18到40伏,推挽电源,效率才百分之79,管子内阻很大。您是多大电流呢
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