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反激的断续和连续

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1
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 15:10:51
反激的工作模式有断续和连续两种,有时候同一款电源,难免在两种工作状态中来回切换工作。高压轻载容易进入DCM模式,低压重载容易进入CCM模式。因为变压器寄生参数的影响,工作时序还是很复杂的。
希望有兴趣的朋友,能一起讨论下:
1、反激变压器寄生参数对反激工作状态的影响;
2、反激的环路补偿有哪些要注意的地方~
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 15:14:04
 

这是反激变换器工作在CCM模式下的典型波形,上面的是开关管和整流管的电流波形,可以看到二极管的反向恢复会在变压器初级形成一个尖峰。
下面的是MOS的DS电压波形,可以看到mos关断时,会有电压尖峰发生。震荡的频率和幅值又和哪些参数有关呢?
wsh5106
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 15:33:54
 
CCM下:
振荡频率与Lk,Cp,Cds有关。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 15:38:17
 
那就烦请老兄分析下,mos关断后发生了什么呢?要考虑进各种寄生参数,比如变压器的分布电容、初级漏感、次级漏感、mos的Coss、整流二极管的Cj~
wsh5106
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 22:56:10
 
考虑进各种寄生参数,可以发论文了,直接不可能。只能抓抓主要的,枪打出头鸟。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 23:09:38
 
呵呵,那就简单说几句啊,定性分析,不需要定量分析~
关于工作时序的问题,论坛里以前也讨论过,但没有系统总结过~
庞展
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  • 2011-6-3 00:28:37
 

话说搞懂反激,月薪不是问题。
baobao1975
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助理工程师
  • 2011-8-16 09:30:47
 
cq852
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  • 2012-2-1 13:46:43
 
那人在静思湖吧
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高级工程师
  • 2019-7-24 16:27:58
  • 倒数6
 
做了一年多反激,调了三个反激电源,原理图设计,变压器打样都会。但是环路补偿、开关噪声、RCD嵌位等个人认为的核心问题却没能从理论高度彻底独立推算一遍,形成自己的见解。心中甚是纠结是要去做电源还是做模块大机储能呢
feiniao2008
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高级工程师
  • 2011-2-21 13:41:56
 
能不能说直白点
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-11-28 19:53:38
 
问个小问题:你图中iD在CCM模式时,当开关管开通瞬间有一个很高的尖峰电流,能否讲讲这个峰值电流产生的机理?可否有什么抑制办法?谢谢
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-28 20:19:10
 
这个电流就是CCM下的整流二极管的反向恢复引起的,措施就是用快恢复的二极管,但无法避免反射的电流尖峰。
我上传的这两个图,来自这个文件,我觉得很有味道,有很多细节值得去探讨~
flyback. DCM CCM.pdf
wsh5106
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 20:31:13
 
继续9楼的:
按张兄的说法DCM模式应该没有电流尖峰了,可上面的图仍然有哦~
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-28 21:06:31
 
上面的图是CCM模式下的,当然有了,下面的图才是DCM模式下的,是没有电流尖峰的~
wsh5106
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 21:18:57
 
虽然没有二极管的反向恢复电流,但变压器有杂散分布参数。
DCM模式下仍然有电流尖峰,只是没有CCM模式下那么大而已。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 21:26:10
 
哦?DCM模式下的这个电流尖峰,从何而来?请兄台详解~
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-11-28 21:34:23
 
两个主要来源:
1,MOS管Cds放电形成;
2,Cp与初级侧的回路杂散电感Lo谐振放电形成。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 21:39:37
 
老兄既有此说,不妨答复下5楼的问题。
按照你的意思,不仅限于反激变换器,任何开关管导通的时候,都存在你说的问题~
wsh5106
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 21:47:32
 
不完全是,谐振放电是需要有回路的,如果没有回路的话就振不起来了。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-28 21:59:01
 
硬开关下:任何开关管导通的时候,应该都存在5106所说的Cds瞬间放电,出现的电流尖峰。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-28 22:04:29
 
呵呵,想想miller效应吧,开关管导通的时候,ds的电压下降产生的电流,不一定是通过导电沟道的吧?
我觉得还是把5楼的问题,弄清楚一步步来~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-28 22:21:51
 
张兄的疑问,引起了我再次思考:
在miller期间:Vg的电位几乎保持不变,Vd的电位在线性下降,
此时:miller电容Cgd的电流方向是:from g to d ,记做Igd
因此:Cds电压下降产生的电流应该I-c(sd)和Igd一起通过Rds。
(注意电流I的下标字母,表示电流方向)
兄以为何?
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-28 22:44:48
 
越来越偏离我想要讨论的方向了,我的本意是想搞清楚5楼的问题,关于弥勒效应,你不妨另开贴去讨论~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-28 22:53:31
 
5楼的问题,感觉太难回答。

你前面领军,俺在后面跟随。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-29 08:33:42
 
呵呵,因为难回答,所以才讨论~
你是做charge的,对反激比我们了解得更多些~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 09:13:26
 
汗颜,通常是DC-DC 的。
HolyFaith
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-29 20:15:13
 
一遇到这种问题,二位老兄就要展开一番大战,呵呵
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-29 11:02:25
 
我觉得工作时序是这样的~
1、MOS关断之后,初级励磁电感和漏感储存的能量,对变压器杂散电容和MOS的输出电容放电,这个过程近似线性充电过程,当然也可以看做谐振过程,只是谐振的Q值很小,近似线性充电~
2、当DS两端电压,上升到Vin+Vor=Vin+N*(Vo+Vd)的时候,如果次级没有漏感,那么能量就会向次级释放。但次级不可能没有漏感,所以为了克服次级漏感的影响,DS的电压会继续上升一些,次级才会建立电流。DS的电压会继续上升多少,跟次级漏感有和定量关系呢,这是我想问的~
3、次级电流的上升过程,也是初级电流的下降过程。而初级电流和初级漏感中的电流是串联的,两者是同一个电流。漏感电流下降为零的时候,也是次级电流的峰值。所以漏感电流的下降快慢,关系到初次级安匝的转换速度。而漏感电流的下降速度, 明显与反射电压与RCD中C两端的电压有关。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 11:10:17
 
这段话先记下,等脑袋清醒的时候再来辩驳。
昨天夜里失眠,今天晕晕的。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 11:12:14
 
呵呵,好的,这只是我个人的理解,不一定正确。理越辩越明,请老兄指点。
老兄不是搬家了吗?怎么还失眠呢~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 11:46:07
 
家人还在住那里,我时而回家一趟住。
两者相差1公里左右。
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2010-11-29 12:45:38
 
1、我觉得应该说是MOS管关断过程中比较合适,而不是关断后。
2、即使副边有漏感,在DS两端电压上升到Vin+Vor=Vin+N*(Vo+Vd)后,副边电流会逐渐增大,增大的速度受漏感影响,由于实际上漏感都比较小,我们看到的CCM过程电流上升比较快。类似梯形,但实际上还是有上升速率的。
3、既然是串联,能量传递过程中,漏感中电流就不可能降低到零。因为漏感干副边也是串联的,漏感中电流变成零,其不是副边没电流了?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 16:59:09
 
1、第一条指正得很对,是我表述不准确,确切的开始时间,应该是驱动脉冲的下降沿~
3、至于漏感中的电流能否降到零的问题,我觉得是可以的。在这里说的是初级漏感。
初级漏感中的能量,除了一部分给变压器杂散电容和MOS输出电容充放电外,剩下的部分,全部被RCD电路吸收了。这时候的初级回路相当于开路,已经不再有能量存在。而RCD吸收了漏感的能量之后,D断开,开始RC放电过程。
flyback_power
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高级工程师
  • 2010-11-29 19:36:14
 
“3,漏感电流的下降速度,明显与反射电压与RCD中C两端的电压有关。”
请问楼主,确切的说,是不是漏感电流的下降过程,是与钳位电容的电压和反射电压的差值有关呢
flyback_power
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高级工程师
  • 2010-11-29 19:39:09
 
C上电压和Vor的差值越大,漏感电流下降越快,转换的效率越高,
而这个过程是电压和电流叠加的过程,
那么,楼主觉得TVS做吸收相比RC来说有什么优点呢
go123
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高级工程师
  • 2010-12-3 11:11:19
 
1. 对于一个特定规格的输出,其匝比定下来后,反射电压也应一定了吧?对吗?
从漏感的下降速率几个参数来看△illk/t=(Vc-Vor)/Lllk,要减小开关关断后LLKCoss引起的振荡而产生的损耗,Lllk对反击式来说2-5%*Lm漏感可能是一个合理的要求了吧?那幺剩下VC给我们变动来提高效率了,如何调整来提高VC
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-3 12:18:35
 
反射电压Vor=(Vout+Vd)*N1/N2,也就是输出电压加上一个整流二极管的压降在变压器初级的折算。
单一靠Vc变动,不能得到最优值,提高Vc的话,降低嵌位电容C的值就可以了。但这个值太大太小都不好~
go123
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高级工程师
  • 2010-12-3 13:56:19
 
我是看到79楼“C上电压和Vor的差值越大,漏感电流下降越快,转换的效率越高,而这个过程是电压和电流迭加的过程“ 去理解,
漏感电流下降越快,我是理解为Di(t)/Dt,所以我就有上面这段理解,我还有一个猜测就是是否漏感电流下降越快,初级能量传递到次级的时间越快,而效率越高,另请教:从Di(t)/Dt=(Vc-Vor)/Lk
来看,通过漏感的电流方向从VcVor(Lm)方向吗?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 10:19:31
 
是的,漏感电流的下降速度Di(t)/Dt=(Vc-Vor)/Lk,反射电压越大,下降的越慢。
牛角
  • 牛角
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高级工程师
  • 2011-2-27 11:46:21
 
5楼的问题,感觉很难,很复杂
blueskyy
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  • 2010-11-28 22:03:27
 
严重同意,这两个图对弄清反激拓扑,有重要指导意义。
wzycccc
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本网技师
  • 2011-7-14 11:13:15
 
楼主:PDF怎么看不到呀???
情系星夜
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本网技师
  • 2012-10-1 23:02:12
 
好帖子,,膜拜了,感谢精彩的回复,受益匪浅
那人在静思湖吧
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高级工程师
  • 2019-7-24 16:30:14
  • 倒数5
 
用合适的肖特基行不行?
andy_ma
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本网技师
  • 2010-11-29 09:12:23
 
请问lz,二极管的反向恢复会导致变压器初级形成一个尖峰?怎么理解?谢谢
l93327
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LV4
初级工程师
  • 2010-11-29 09:18:12
 
根据N初*I初=N次*I次
可以理解
flyback_power
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高级工程师
  • 2010-11-29 19:42:24
 
这个就是初次级安匝数守恒的公式,原理就是磁动势没法突变
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 09:24:28
 
磁动势不能突变呀。。
次级对初级的反射。计算如37楼。
l93327
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初级工程师
  • 2010-11-29 10:00:46
 
不明白你说的,按我的理解方向恢复电流就是按照NI=NI反射,还请解答
blueskyy
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  • 2010-11-29 10:02:04
 
你的NI=NI
成立的依据是什么?
zkybuaa
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  • 2010-11-29 10:55:30
 
就因为磁动势不能突变,所以才会有的反射电流尖峰~
反激变压器的磁动势为次级安匝和初级安匝之和~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 11:00:25
 
哈哈,我是让39楼去看38楼。
l93327
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  • 2010-11-29 12:09:41
 
是啊,所以为什么你说我的这个说法有错误?
l93327
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初级工程师
  • 2010-11-29 12:11:10
 
我理解的这个尖峰由几个因素:RSD吸收的D的反向恢复;输出二极管的反向恢复,变压器结电容放电。
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-11-29 12:15:35
 
还有个就是我上面说的Cp与Lo谐振放电产生的,这个比较隐蔽。
l93327
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  • 2010-11-29 12:18:14
 
请问你的CP,LO指的是什么
wsh5106
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  • 2010-11-29 12:30:28
 
Cp:初级线圈杂散电容
Lo:初级侧回路杂散电感
l93327
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初级工程师
  • 2010-11-29 13:05:41
 
哦,确实,这个比较隐蔽
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 12:53:41
 
我哪儿有这样说呀?兄台?
l93327
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初级工程师
  • 2010-11-29 12:20:24
 
我理解你的意思了,但是输出二极管的反向恢复电流并不影响变压器你的这个原理
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 12:52:34
 
输出二极管的反向恢复电流反射须服从这个规律。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-11-29 13:04:19
 
说实在的,我从前面38楼那里开始看到这里,我也没看明白你想表述什么思想。
l93327
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初级工程师
  • 2010-11-29 13:04:43
 
你认为他怎么违背这个原理了?
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 13:13:05
 
我还是不说话了。反正说了,别人也能得出相反的意思。
l93327
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初级工程师
  • 2010-11-29 13:23:40
 
可能我理解错你的意思了,大家讨论而已
l93327
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  • 2010-11-29 13:24:34
 
我只是想知道什么原因你说我的思路什么地方有问题,不知道原因心里不爽。。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 13:29:05
 
我是在解答35楼的问题的原因,并让他看你37楼的计算。
不说别的了,
集中精力回答楼主的问题。
zkybuaa
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  • 2010-11-29 16:59:56
 
说实在的,我也没明白你前面要表达什么意思~
cadypower
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  • 2013-4-10 07:45:54
 
关注
l93327
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  • 2010-11-29 13:57:38
 
很久没有注意看基本定义,连NI定义为磁动势都不记得了,自卑一下
HolyFaith
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  • 2010-11-29 20:15:55
 
这是安匝守恒啊
sl_power
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  • 2010-11-29 21:48:48
 
久闻zkybuaa大名,今日见贴,果真贴如其人,学习了
决战
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  • 2011-3-7 13:46:34
 
有时间仔细拜读。
feiniao2008
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  • 2011-4-6 15:07:37
 
不知道这个尖峰会对纹波造成什么样的影响
k432613
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  • 2011-5-18 08:26:45
 
‘不能让它沉下去。。顶起来。。
nc965
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  • 2012-8-2 15:24:23
 
你不是说低压输入时才容易进入CCM模式吗,这时候总体电压较低,有点尖峰有什么关系呢?
liuyan
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  • 2019-8-16 09:54:03
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看不懂,只能努力学
zkybuaa
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  • 2010-11-28 15:17:37
 

这是反激工作在DCM模式下的典型波形,上面的是开关管和整流二极管的电流波形,可以看到二极管已经没有了反向恢复。
下面的波形,是MOS的DS电压波形,可以看到有两个震荡:一个是MOS关断时的震荡,一个是能量释放完毕后的震荡。两个震荡的频率有很大的差别。
而且可以看到mos关断和次级整流二极管的电流,有一小段时间上的延迟。这段延迟跟初次级的漏感,有何关联呢?
wsh5106
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  • 2010-11-28 15:35:44
 
第一个高频振荡,Lk在分母;第二个低频振荡,Lm在分母。Lk与Lm不在一个数量级,频率当然差别很大。
l93327
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  • 2010-11-29 08:28:52
 
这个影响仔细想想就能够知道,MOS关断时,DS电压谐振上升,一直要上升到输出电压的反射电压+输入电压时输出就应该建立电流,但是这个过程由于输出漏感的影响,电流不可能马上建立,需要有一个过程。
l93327
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  • 2010-11-29 08:31:07
 
变压器等效电路图中输出漏感是与输出串联的,想想就能清楚为什么
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 08:35:30
 
MOS关断时,DS电压谐振上升?我倒感觉是线性上升的,因为这时候的励磁能量还没有向次级释放,能量很大,变压器初级类似个电流源,向Cds线性充电。
l93327
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  • 2010-11-29 08:42:48
 
测测波形
l93327
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  • 2010-11-29 08:58:16
 
关断的时候相当于通过一个电感对一个电容充电
YTDFWANGWEI
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  • 2010-11-29 13:43:21
 
这个应该跟副边的漏感没有关系,主要由原变电流及MOS管DS之间的电压决定。
l93327
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  • 2010-11-29 13:55:03
 
是啊,对于单路输出可能影响不明显,但是多路输出的时候就会有较大影响
YTDFWANGWEI
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  • 2010-11-29 14:09:44
 
这个延时,属于恒定的原变电流给电容充电,充电到副边整流二极管之前的正偏之前的一个延时,这个延时跟多路输出有什么关系?
l93327
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  • 2010-11-29 14:18:05
 
没什么关系,我只是想到其他方面,我的想法是,多路输出的时候,各路漏感不一致会导致每一路的延时不一致。如果各路输出漏感完全相同就不会出现调整率问题了
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 17:02:20
 
对于王工64楼的观点,认为这个时间延迟跟次级漏感无关,我不敢苟同。
我认为次级漏感越大,这个时间延迟越长。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-11-29 19:59:27
 
我不参与了,要不还是吵成一锅粥,大家回复之前,可以自己好好的想想,把思路在脑子里好好的过一下,然后整理出来。别跟吵架一样,你一句我一句。自己最后都不知道自己说的是啥。
个人观点:你可以再看看对不对,
1、在原边MOS管电压升高到输入电压+副边反射电压之前,也就是变压器副边电压升高到输出电压+二极管压降之前,副边是肯定没有电流的,这个没问题吧?
2、再从理论上来说,不考虑布线压降但考虑副边漏感,只要变压器副边电压高于输出电压与输出整流二极管压降,也就是副边漏感就会有一个电压,那么副边电流就会增加,这个时候副边已经有电流了,从无限小的阶段来说,这个电流应该是有一个增加的过程的(受漏感电流不能突变影响)但从大的方面来看,这个上升还是可以忽略的,也就是CCM中电流上升我们不考虑上升时间。
3。你把你图无限放大,你应该能看到,在下图电压升高到输入电压+副边反射电压的时候,电流就已经开始上升了。之前的时间属于延时,后面的不属于延时。只是一个上升过程。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 20:53:45
 
谢谢王工的解释,很精彩很受益。
可能是我表述有点问题,我想问的时间是:次级电流从零上升到最大值,需要一定的时间,这个时间跟哪些参数有关呢?应该跟次级漏感有关吧?能否定量分析~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-30 09:51:00
 
想插嘴,插不上呀。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 09:53:16
 
老兄谦虚了不是?
做charge的,对反激会比我们一般人更精通些~
老兄不能太保守啊,多多指点才好啊~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-30 09:57:57
 
晕死了,
对你是知无不言,言无不尽。哪里有保守之说?
我---你是知道底细的。呵呵
真的,插不上嘴。
再找找看。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 10:00:54
 
当然知道你了啊,老兄的思维很发散,同时也很缜密,对于细节上考虑,常常出人意料,是你的强项~
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-11-29 20:58:28
 
谢谢王工,
喜欢这种总结性的发言,能够学到东西,我总结起来也容易,
gaohq
  • gaohq
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副总工程师
  • 2010-12-22 20:51:35
 
请给出这个图出处的资料好吗?我很需要。
eric.wentx
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  • 2010-11-28 18:56:43
 
先占个位置,这段时间上网少,别遗漏了好帖
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-28 19:36:09
 
围观,学习。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-28 19:51:48
 
呵呵,你们两个也发表发表意见阿~
关于反激,我想很多人都有不少话可说,有必要深入地探讨探讨~
对于有些问题,我也不是很清楚,才在这里提出来的~
slamdunk
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高级工程师
  • 2010-11-28 21:04:35
 
此贴收藏,等过段时间来看大家讨论的结果,为了方便看帖人,希望大家少灌水哈
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 11:07:41
 
DCM模式下,工作时序是大同小异,跟43楼描述的情况差不多,只是会多一个时序。
变压器中的能量释放完毕之后,次级各输出绕组相当于空载。
初级等效回路,类似于Vin--初级励磁电感---初级漏感---mos输出电容---地。
这是一个典型的LC谐振回路,谐振频率为1/[2*pi*sqrt((Lp+Lk)*Coss)],一般来说,初级漏感为初级励磁电感的2%~5%。所以谐振频率更多的与Lp有关,频率较低,是一种频率较低的欠阻尼振荡。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-29 17:24:52
 
赞同你这个分析。
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-11-29 18:45:44
 
CCM模式下,次级等效电感与滤波电容也是形成LC回路吧
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 18:48:40
 
按你的意思,正激LC输出滤波器,也会发生LC谐振。因为参数的原因,它们震不起来~
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-11-29 20:17:03
 
正激确实也是LC啊,那个储能能量就是
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-11-29 20:17:32
 
不过分析的时候这么分析是可以的吧?请教张兄
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 20:40:20
 
我记得你以前问过一个关于正激滤波器的问题,里面有讲到这个谐振问题。正激的LC滤波也是会谐振的。
cheyne
  • cheyne
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高级工程师
  • 2010-12-22 22:24:48
 
大师可以分析下MOSFET开通这个过程怎么样?为什么VDS有个下降的小平台?


zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-23 09:21:52
 
我觉得这个小平台,是由次级整流二极管的反向恢复引起的。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-12-23 09:31:18
 
严重同意~
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-23 09:37:39
 
至于具体怎么引起的,为何是这样子,bluesky兄答复一下?
blueskyy
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总工程师
  • 2010-12-23 10:01:39
 
在ON 时刻,可认为整流管瞬间短路(反向恢复电流导致),(VO- 二极管反向恢复电压)乘以 匝数 N 折算到原边。相对于原来的N*Vo折算,减小了:N*二极管反向恢复电压。N*二极管反向恢复电压 就是这个小平台~
兄以为如何?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-23 10:07:09
 
兄弟这个解释,我觉得说的通~
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-12-23 10:13:29
 
说的不错
blueskyy
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总工程师
  • 2010-12-23 10:18:02
 
呵呵,过奖了~
greendot
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  • 2010-12-23 17:34:20
 
为什么不是n*正向压降Vf (忽略漏感的话)?
之前是n*(Vout+Vf),这时是n*Vout。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-12-24 20:13:33
 
我觉得这个解释更合适~
赞~!
z5071507
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  • 2013-4-5 15:52:36
 
你俩说的是一个意思啊 我觉得,不过是他用了公式,你用了描述 呵呵
libang
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  • 2010-12-24 23:25:58
 
回GREENDOT,
那个平台肯定不是n*Vf
直觉上就可以否决。二极管压降0.5V*10=5V?*20=10V,那个平台看上去都不止10V。所以上面的结论是错的。即使忽略漏感的影响也是错误的。
忽略漏感,从原理上讲,二极管恢复的过程就是初级电压从VOR开始缓慢(相对)下降的过程。
恢复的过程有可能是由Vor下降到某值也有可能极性已调转。一量恢复完成,初级线圈电压迅速变为源电压-Vrds
不忽略漏感,那个平台跟漏感有关系,情况要复杂一些。
总之那个平台绝不是n*Vf.
欢迎拍砖!
greendot
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  • 2010-12-24 23:50:15
 
呵呵,我只是顺着bluskyy的解释(瞬间短路)而提问的,不是认为那平台就是n*Vf,反而像是Lk*di/dt,虽然觉得那波形图有点问题。
libang
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高级工程师
  • 2010-12-24 23:54:06
 
是的。实际上,因有漏感存在,平台主体应是Lk*di/dt决定的。
都双休啊。精神这么好。还是因为是平安夜呢。呵呵!
gaohq
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  • 2010-12-25 12:04:07
 
这个小平台的问题还在讨论啊,不知大家有没有看到我179楼的关于二极管反向恢复过程的图没有,我的理解:
MOSFET关断时 Vd = Vin+Vor = Vin + n* (Vout +Vf) Vf是整流二极管压降
这个小平台就是由这个Vf 的变化引起的,在这个二极管的反向恢复期间这个Vf有一个小的下降,所以就出现了这个小平台。
不知对否,如果错了别笑话,哈哈。
blueskyy
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  • 2010-12-25 12:47:34
 
挺你~
zkybuaa
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  • 2010-12-25 12:56:04
 
184楼和187楼,两楼的意见不一致吧?
blueskyy
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  • 2010-12-25 13:12:38
 
我支持187楼~
模拟的世界真真假假说不清楚,一个模型,一个说法
能用最简单的方法去解释一个客观事实,就是好的方法~
问题复杂化,那是科学家的研究工作,工程师在于应用~
简单明了就是好的。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-25 13:23:00
 
184楼的说法,跟187正是对立面的,而且184楼的说法,也是说得通的。
greendot
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总工程师
  • 2010-12-28 16:33:57
 
169楼的图,是考虑有漏感的(看那振荡波形),二极管的电流变化率,在漏感上便感应一个电压,其值 = -Lk*di/dt,如下面的inductive switching波形:



至于反向恢复期间Vf有一个小的下降,尽管很小,应该也有它的一份。
edaworld
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  • 2011-1-6 14:00:02
 
跟老师 学习了
zkybuaa
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  • 2011-4-21 09:58:38
 
greendot大师在193楼波形,是仿真波形还是测试波形,跟169楼的波形非常吻合。
对于反激CCM的理解,我们更多关注MOS关断时刻。
其实MOS开通时刻的时序,同样也非常复杂。
MOS的Id电流也是线性上升的,跟整流管的电流有个交叉。
我看过PI的一篇笔记,里面说,MOS导通的时候,先是次级漏感放电,待次级漏感放电完毕,整流管会反向偏置,反向恢复电流尖峰会反射到原边。
greendot
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  • 2011-4-21 12:27:41
 
是某appnote里CCM Boost的实测波形,与CCM反激情况相若,拿来举例一下。
zkybuaa
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  • 2011-4-21 15:17:36
 
flyback的简化模型应该是buck-boost才对啊。
大师能否上传此application note?thanks a lot~
greendot
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总工程师
  • 2011-4-28 13:15:27
 
Boost在开关管导通时,L有电流,D有反向电流,phase node 有分布电感,
这跟反激变压器有电流,D有反向电流,有漏感等很相像。
Appnote要找找,实在记不起是那篇了,好像不是专讲Boost的。
z5071507
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  • 2013-4-5 15:59:12
 
我觉得其实你的意思跟他们差不多了,他们是把二极管反向恢复的时候看做二极管短路,你是直接说Vf管压降下降,个人认为半斤八两
z5071507
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初级工程师
  • 2013-4-5 15:55:32
 
他说的有点让人误解,但你没仔细看他下面一行吧,下面一行的结果是对的
sky**
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  • 2011-3-12 20:17:09
 
小平台前面为什么是缓慢下降,而不是直接
就降低到N*(Vo-二极管反向恢复电压)

libang
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  • 2011-3-13 15:38:23
 
驱动及米勒.
gaohq
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  • 2010-12-23 22:27:35
 
刚搜到的。

blueskyy
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  • 2010-12-24 20:15:35
 
赞,这个图对理解二极管特性非常有帮助~
ppsh
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  • 2012-1-5 22:51:39
 
请问一下如何消除这个低频振荡?我换个MOS,Coss小了不少,结果这个振荡加剧了很多。
eric.wentx
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  • 2012-1-5 23:23:29
 
Coss对这个后面的低频振荡应该没有影响吧
YTDFWANGWEI
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  • 2012-1-6 08:37:26
 
那这个震荡是跟谁形成的?
eric.wentx
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  • 2012-1-6 09:46:20
 
思维短路了...谢王版指正


<span class="Apple-style-span" style="font-family:Tahoma, Helvetica, sans-serif;font-size:12px;line-height:15px;">[table=560][tr][td]

[/td][/tr][tr][td=1,1,25][/td][td=1,1,25][/td][td][/td][td][/td][td=1,1,13] [/td][td]
aipoul
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  • 2012-7-7 14:17:25
 
永远绝对的经典贴,
同时也希望自己能早日修成正果
allen-leon
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  • 2010-12-2 19:26:40
 
俺漏了好帖了。。
泡泡鱼
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  • 2010-11-29 08:38:57
 
学习,不发言
sswcwy
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  • 2010-11-29 09:08:23
 
占个位置听课
s1971
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  • 2010-11-29 13:59:30
 
搬个板凳坐下来听
liangry2005
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  • 2010-11-29 17:16:27
 
我也来看看你们讨论
HolyFaith
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  • 2010-11-29 18:44:15
 
张兄开贴了,过来学习
zkybuaa
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  • 2010-11-29 21:25:41
 
我发贴是来请教的阿~
记得老兄以前发过用双零点双极点补偿反激环路的帖子,老兄多多发表下意见啊。
我先传两份文件上来~
右半平面零点-详解.pdf
右半平面零点的物理实质.pdf
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-29 21:29:10
 
反激CCM模式,平均模型是个类似二阶系统,含有一对LC双重极点,一个ESR零点频率,一个右半平面极点,一个1/2开关频率处容易引起次谐波震荡的极点。
反激DCM模式的平均模型,就简化了很多,近似一阶系统,含有一个极点和一个ESR零点,没有次谐波震荡问题,没有右半平面零点。
所以两者在环路补偿上,也有很大的不同。
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-11-29 21:52:33
 
DCM下,双环控制也是近似一阶系统?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-29 22:10:05
 
我觉得双环控制下的DCM是个一阶系统,双环控制下的CCM模式,我暂时还没搞清楚。
老兄说的双环控制,应该是一个较快的电流内环,和一个较慢的电压外环。这种控制下的变换器模型,目前尚无统一的定论。
不过,无论是双环控制还是单环控制,都无法消除CCM模式下的右半平面零点,也就是反激CCM模式,在占空比大于50%的时候,都需要加斜坡补偿。
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-11-29 22:25:45
 
现在的变换器很少只有电压单环控制的吧,但却只分析单环的,所以这点上感觉还是有缺陷。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-11-29 22:34:54
 
现在的技术资料和书籍上,讲到环路补偿,大都是基于单环控制的。
双环控制下的变换器模型,采用不同的建模方式,得到不同的模型。看来老兄对电流控制下的反激模型有些心得,不妨指点一二~
wsh5106
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副总工程师
  • 2010-11-29 23:35:00
 
还指点,关于双环控制的,我自己都还没弄清楚,得补补功课了。
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-11-30 09:49:52
 
老兄不要谦虚,来一点吧
HolyFaith
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  • 2010-11-30 09:49:33
 
电压型的就属于单环吧
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 09:58:44
 
电压型的是属于单环。
我们经常说的双环,是指峰值电流模式控制~
叶紫1987
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高级工程师
  • 2012-8-2 15:29:46
 
峰值电流控制 和 电压反馈&nbsp;,合在一起可是叫双环控制啊?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 10:06:03
 
就老兄而言,同一款变换器,工作在DCM模式下的带宽高,还是工作在CCM模式下的带宽高?
blueskyy
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  • 2010-11-30 10:19:28
 
还没有看张教授书中DCM模型这个章节。。。。。
尝试地回答:自己的推测和判断。
应该是DCM带宽可以更宽。因为DCM没有右半平面的零点。
CCM应该考虑如何避免右半平面的零点,因而带宽不能做的很宽。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 10:23:08
 
这个右半平面零点的位置,一般都是在高频的,远小于开关电源的穿越频率~
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2010-11-30 12:51:37
 
这个帖子,我本来还是想看看学习学习的,可现在感觉又成了空谈的了,你们现在讨论的这些,跟帖子的标题有一点点的联系吗?虽说是交流,也总的有个提纲吧?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 13:41:42
 
怎么说没有联系啊,我觉得一点都没偏题啊~
我在第一帖就说明了要讨论的问题,我有两处不太明白的地方,一个是工作时序,还一个就是环路补偿方面。
工作时序上,在前面讨论的不就是吗?
环路补偿上,不得考虑它的小信号模型吗?然后再考虑如何去补偿~
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 13:53:39
 
至于第一个问题,各种寄生参数对工作时序的影响,问题纠结在 次级电流从零上升到最大值,需要一定的时间,这个时间跟哪些参数有关~
这种东西看不见摸不着,不还是得靠分析和讨论吗?
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-30 14:10:30
 
问题纠结在 次级电流从零上升到最大值,需要一定的时间
转换一下思路:
初级的电流如何从最大值跌落到零?和哪些参数有关?
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 17:15:05
 
其实对反激电源,平时里讨论得最多,但很多细节,我们可能平时不太注意。这个时间,对变换器的效率影响很大。
老兄说的挺对,我也认为是初级电流下降到零的时间,就是次级电流达到峰值的时间。而初级电流也是漏感电流,初级电流下降到零,漏感电流也会下降到零。漏感电流下降到零的快慢,和漏感大小、反射电压、RCD吸收回路有关。搞清楚这点,有助于优化参数,提升效率。
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-12-1 20:45:18
 
回105楼的问题,
DCM状态下的带宽,高于CCM模式下,我认为是变换器从控制端到输出端的传递函数的直流增益,DCM要大于CCM。所以DCM状态下的带宽会高于CCM。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-1 21:02:00
 
这是不同负载和输入电压下的反激DCM增益,红色的是高压轻载下的,最难补偿,所以也最容易发生震荡。

那人在静思湖吧
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高级工程师
  • 2019-8-14 10:14:11
  • 倒数3
 
大神你好,我现在就碰到了这问题低压满载都没问题,高压轻载确有问题,驱动大小波,UC2844的COMP电压不稳,,调试了好久,不见效果啊,很是烦恼
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-12-1 14:28:02
 
又看到“交流”,看到这个我想的是和直流相对的,呵呵
blueskyy
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总工程师
  • 2010-12-1 14:29:44
 
129楼这话 看不懂。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-1 20:46:26
 
小简最近很热心,回贴率比较高。129楼的回贴,可能是对前文没看清,呵呵~
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-12-24 19:45:23
 
NO !
看128楼




这个帖子,我本来还是想看看学习学习的,可现在感觉又成了空谈的了,你们现在讨论的这些,跟帖子的标题有一点点的联系吗?虽说是交流,也总的有个提纲吧?


王工想说大家交流吧,我一想到是直流还是交流,突然就转不过来了,呵呵 那时候刚仿真完,累的脑袋胀,呵呵
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-24 19:47:34
 
你真行,人家王工说交流,是动词,是讨论的意思,你弄成交流电压的意思,说明当时没认真看贴就回复了阿~
greendot
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总工程师
  • 2010-11-30 13:14:45
 
2楼的图,为什么说第一个振荡只与Lk1有关,Lk2呢?应该也有关的。
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-11-30 13:43:10
 
Greendot大师所说的Lk2是什么呢?是不是次级漏感折算到初级?
wsh5106
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  • 2010-11-30 13:53:45
 
看LK1是怎么定义的了~
实际操作上,我们测LK1的时候,也把LK2折射到初级的等效漏感也加进去了吧~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-30 14:14:24
 
实际测LK1不是将次级全部短路的么?
此话怎讲?
我们测LK1的时候,也把LK2折射到初级的等效漏感也加进去了吧
greendot
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  • 2010-11-30 14:17:58
 
要看原图出处,是不是有个Lk2的 ?
blueskyy
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总工程师
  • 2010-11-30 14:25:44
 
再看了原图:是有个LK2(次级漏感)。
LK1 和LK2分别是初级漏感和次级漏感。
LK1并不是包含了次级对初级的折射漏感。
kandy20021
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本网新手
  • 2010-11-30 15:42:11
 
留个脚印,慢慢看
zkybuaa
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  • 2010-11-30 17:19:08
 
greendot大师的意思是,MOS关断后的震荡,是有初级漏感、次级漏感和MOS输出电容发生的。但我看大部分资料上和教材上,都排除了有次级漏感参与这个说法。这个震荡频率经实际测试,和f=1/(2*pi*sqrt(Lk*Coss))的值相差不大。
greendot
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  • 2010-11-30 18:58:04
 
公式里的Lk,已包含Lk2折算到初级的等效漏感,即 Lk=Lk1+n^2*Lk2。
从2楼的波形图,可以看到二极管电流ID有振荡份量,所以Lk2一定参与谐振,
Vds的上升沿,在到达Vin+Vor后,也跟Lk2有关。
zkybuaa
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  • 2010-11-30 20:58:59
 
VDS到达Vin+Vor之后,会继续上升一小段电压,以克服次级漏感的影响,才能向次级释放能量。
次级电流从零建立到峰值,这一小段时间,跟哪些值有关呢?
greendot
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  • 2010-11-30 23:25:15
 
如果没有RCD snubber,继续上升的,就不会是是一小段电压了。
次级电流从零建立到峰值的时间,应该跟励磁电感,漏感,Coss+,Vor,RCD 箝位电压等都有关。
zkybuaa
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  • 2010-12-1 10:01:42
 
如果没有RCD snubber,继续上升的,就不会是是一小段电压了。
此话何解呢?
我的理解是:如果没有RCD snubber,漏感会引起很高的电压尖峰,幸运的话,不击穿MOS。但次级电流从零建立到峰值的时间,会大大减少。
qinzutaim
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  • 2010-12-1 11:09:06
 
偶光看,不插话!
slamdunk
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  • 2010-12-1 12:57:15
 
可不可以这样理解?
没有RCD sunbber时,漏感的能量没有泄放通路,如果是通过MOS管寄生电容和沟道漏电流来泄放,那么会在MOS管D端产生一个瞬间高压,加快初级漏感电流的下降。初级电感电流下降的过程,也就是次级电流建立的过程,这个高压显然会加速初级电感电流的下降,从而加速次级电流的建立。
zkybuaa
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  • 2010-12-1 14:52:38
 
我也是这么认为的,没有RCD Snubber,漏感的能量释放是瞬时的,产生的尖峰电压也是非常大,足以击穿MOS.
但实际中,去掉RCD电路,尖峰电压依然是个有限值,mos不一定损坏~
l93327
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  • 2010-12-1 12:07:04
 
次级电流从零建立到峰值的时间,应该跟励磁电感,漏感,Coss+,Vor,RCD 箝位电压等都有关?
仔细看看波形,次级电流从0到峰值建立的时间怎么会于这些参数有关?你说的原边电感什么的应该只影响延迟时间,这个建立时间由输出漏感等影响,下降时间由△I*L=V*△T去理解(注意人家说的是电流的建立)
zkybuaa
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  • 2010-12-1 15:33:47
 
老兄在126楼末尾提供的式子:△I*L=V*△T
四个参数各个代表什么意义?
greendot
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  • 2010-12-1 13:10:41
 
回124楼。
1。那讲的是Vds的上升沿啊
2。次级电流的峰值,初以为是指谐振的峰值,还是除去谐振成分的'峰值'?
zkybuaa
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  • 2010-12-1 14:55:39
 
次级电流从建立到峰值,这个过程很复杂,参与的器件也非常多.按大师的意思,到达谐振峰值的时间,和除去谐振成分的峰值时间,有何不同?貌似这两个时间很难区分,除非是次级没有漏感,但次级不可能没有漏感.
greendot
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  • 2010-12-1 19:06:49
 
有和无谐振成分的峰值时间应该不同,后者似乎比较长一点。
次级有漏感也不成问题,电路分析可以计算出来,不过有点复杂。
如果忽略所有电容,便没有谐振,这时模型就比较简单,如左图,


近似的模型如右图,次级电流峰值时间是 t =Lp*Lk/(Vclamp-Vor)
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-1 20:36:10
 
greendot大师给的这个模型很简洁,对于分析次级电流从零升到峰值很有参考价值。
还有一问请教,我们平时接触的反激变换器模型,都是基于单环的。大师能否给下CPM控制模式下的模型?
greendot
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  • 2010-12-3 14:09:37
 
zkybuaa
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  • 2010-12-1 20:42:34
 
TOP类的控制器,是基于电压单环的吧?实际应用中,UC384x系列的控制块子市场占有率更大,它是基于CPM模式下的。
CPM模式并不改变电压模式下的零点,但改变了极点,并且增加了次谐波震荡处的极点,在1/2开关频率处。
这个极点是单极点还是双重极点呢?我认为,如果是单极点的话,就不会发生次谐波震荡问题了,所以应该是双重极点。但CPM模式又不一定会发生次谐波震荡,所以这个双重极点应该是有阻尼的。阻尼越大,发生次谐波震荡的概率就越小。
那么,这个双重极点的阻尼,跟什么有关?这个问题,困惑我很久了。
zkybuaa
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  • 2010-12-1 21:10:06
 
另外克服这个次谐波震荡,主要有两个措施:
1、在误差电压上添加负斜率;2、在电流斜坡上添加正斜率~
大师能否分析下,这两种方式有何优劣呢?
采用前者的话,在误差电压上添加一个负斜率,而添加的负斜率,需要大于次级电流下降斜率的一半,这在计算上是很方便的。
而工程上,我们更多的是采用后者。是不是后者相对前者更容易使系统稳定,或者是我们更容易得到一个负斜率?
连着问了大师三个问题,如得指点,不胜荣幸。
greendot
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  • 2010-12-3 14:10:38
 
张兄太客气了,我也只是一知半解。
1。直接的反激的CPM模型好像不好找,一般参考Buck-boost 的,加上匝比就是。如果只是考虑低频特性,张卫平等的书应该有的,如果高频动态也要考虑的话,我只想到用Ridley的模型。
2。fsw/2的是双重极点,是电流采样动作引进来的,其阻尼,或Q值,根据Ridley,是=1/(π*(mc*D'-0.5)),跟compensation 和duty有关,补偿足够时,双极点便会分离。不过即使有peaking,增益裕量足够的话,也未必有持续的振荡。
3。这个问题真未想过,老兄有何高见?
zkybuaa
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  • 2010-12-3 20:18:35
 
1、CPM模型,我看大都是将主功率回路和电流控制环放在一起,建立一个近似一阶系统,然后用电压外环控制这个模型。只是CPM模型没有一个统一的说法,张卫平的书上,CPM模型还是比较准确的,更难得的是,可以在CCM模式和DCM模式下自由的切换。
2、次谐波震荡频率处的双重极点的阻尼,我觉得除了跟占空比和补偿力度有关外,应该还跟电感的大小有关,电感越大,电流的斜率越小,阻尼越大,斜坡补偿力度越大,阻尼比就越大,次谐波震荡的几率越小,当然这有点电压控制模式了。
大师提供的公式里面的mc是什么?是音频衰减率的直流增益吗?
3、关于第三个问题的话,我觉得工程上采用添加正斜率的方式,可能是正斜率较容易得到,而且可控,负斜率不容易得到。
我看您经常提到Ridlay这个人,敢问大师,他和middlebrook有何渊源?貌似他的电流模型,也是根据middlebrook的状态空间平均法衍化而来,他和李泽元什么关系?
呵呵,问的有点幼稚,让方家笑话了~
greendot
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总工程师
  • 2010-12-4 13:21:01
 
张卫平书上的较精确模型,还是不能模出fs/2的极点,Ridley的可以。
电流采样是次谐波震荡的成因,是个大信号离散函数,Ridley用一个连续小信号s函数来近似,加进模型内,这样fs/2极点便出来了。
fs/2极点的Q=1/[3.1416*(mc*D'-0.5)],D‘=1-D,mc=1+(Se/Sn),Se,Sn分别为补偿和电流斜率。没有补偿时,mc=1,可见Q跟Sn,亦即电感,无关。
下图是一个基于Ridley模型的Buck CCM的vo^/vc^ Bode Plot,fs=200KHz,mc=1,D=0.45 (红线)


可以看到,不用D>0.5,也有peaking,增益够高时,振荡就有机会发生,所以要加补偿了。
Ridley和Middlebrook好像没什么渊源,他的模型用的是平均开关法而不是SSA法,应该有点分别。
Ridley的博士论文评审委员主席便是Fred Lee,师生关系乎?
zkybuaa
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  • 2010-12-4 20:06:34
 
大师的这段话,我先收藏着,暂时还理解不了,需要以后慢慢学习体会了。不过,还有几个问题。
1、电流采样是次谐波震荡的成因,是个大信号离散函数。为啥说,是个大信号离散函数呢?这里的信号模型,是在静态工作点附近的吧?
2、关于这个次谐波震荡极点的Q值,跟电感到底有无关系。我是在《精通开关电源设计》这本书中看到的,上面的意思,好像是跟电感有关系,在这本书的第218页。


3、不用D>0.5,也有peaking,增益够高时,振荡就有机会发生,所以要加补偿了。
我看好多技术手册上,都是说需要在D>0.5的时候,从理论上才需要加斜坡补偿。但大师的意思,好像D<0.5,从理论上也需要加。

4、平均开关法,我一直认为是SSA法的衍化,看来还是我认识不够深刻。Ridley提出他的电流模型的paper,大师有没有呢?还有他的这篇博士论文,要是能传上来,就更加的perfect了。
slamdunk
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  • 2010-12-4 20:53:13
 
A new small-signal model for current-mode control .pdf
我传给你吧,这篇是Ridley的博士论文,还有一篇是中文的,一个台湾人写的,加入了作者自己的一些理解。
用Ridley\'s理论对DC-DC电流模式进行小信号建模.pdf
zkybuaa
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  • 2010-12-4 21:05:05
 
谢谢兄台了,多谢~
对于上面的问题,兄台有什么愿意指点的吗?小弟洗耳恭听。
slamdunk
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高级工程师
  • 2010-12-4 21:12:22
 
张兄说这话让我很惭愧哈。我是小弟哈
这资料刚好下在了电脑里,结果一直没静下心来看过,现在正好奉献给张兄这样有需要的人,希望能够帮到你。
zkybuaa
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  • 2010-12-4 21:15:45
 
呵呵,兄弟你太热心了。
那两份文件先保存下来,慢慢学习,有不懂的地方,再向兄弟讨教。
slamdunk
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  • 2010-12-4 21:27:06
 
汗颜了,是我向你请教,那我得抓紧时间看看,免得到时候无法和张兄讨论了。
greendot
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  • 2010-12-6 16:55:32
 
1。不记得那paper说的,电流采样动作是大信号,好像说有扰动时,采样量不是连续地线性变化,记不起了,也许记错了。
2Maniktala说的也对,不过如果设计参数Qmc定了,Se/Sn就定了,L的影响就隐没了。
3。看增益,D<0.5时,可能需要加,>0.5时,也许不用加? 参看149楼的图(已更新),红线D=0.45,蓝线D=0.55
4。平均PWM开关法,只平均了开关上的电流电压,所以保留原电路一些非线性的东西,例如小项的乘积。Buck CCM 例子,理想模型时,跟Conventional SSA的结果一样,非理想时,有点分别。
greendot
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  • 2010-12-6 17:01:57
 
blueskyy
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  • 2010-12-6 17:06:11
 
谢谢大师,ZKYBUAA 看到这些宝贝,又要热泪盈眶了。。。
zkybuaa
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  • 2010-12-6 18:27:04
 
楼上bluesky兄代我说出了心声~
HolyFaith
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  • 2010-12-6 21:39:13
 
或者说bluesky兄太了解你了吧,呵呵
zkybuaa
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副总工程师
  • 2010-12-6 21:51:49
 
呵呵~是啊~
上周日看到你们有不少的交流哦
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-12-7 19:37:38
 
是上周六哦~
blueskyy
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总工程师
  • 2010-12-7 20:45:47
 
HolyFaith
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副总工程师
  • 2010-12-6 20:41:57
 
这些很高深了,呵呵 有时间再看吧
luxgum
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  • 2011-4-6 11:43:31
 
太好了,谢谢大师!!
z5071507
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初级工程师
  • 2013-4-5 17:34:43
 
二位大师讨论的问题好高深啊,在下看不懂真是惭愧,看来还需要多多学习啊
maryxiaomeng
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初级工程师
  • 2011-4-22 22:50:29
 
学习了
鸟鸟
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  • 2010-12-1 21:15:28
 
haold
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本网技师
  • 2010-12-22 13:45:30
 
不错!!谢谢了!
credible-w
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助理工程师
  • 2010-12-6 20:32:52
 
等待听课……
haold
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  • 2010-12-22 13:50:55
 
学习了!!谢谢了!
zhengwu_zhou
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高级工程师
  • 2010-12-23 18:40:08
 
在CCM状态中,原边峰值电流较低,但开关晶体管在TON状态时有较高的集电极电流,因此导致晶体高功率的消耗,同时为了达成CCM,就需要有较高的变压器原边电感值LP,在变压器磁芯中所储存的残余能量则要求变压器的体积较DCM时要大,而其他系数是相等的
haha1
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初级工程师
  • 2010-12-28 10:28:12
 
好帖!
zhuxiaoxiao
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初级工程师
  • 2011-2-11 18:51:39
 
好帖!!!
comandos
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初级工程师
  • 2011-2-28 22:44:23
 
hao2834199
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助理工程师
  • 2011-3-9 21:18:04
 
有点困,明天再看,哈哈
52RD
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  • 2011-3-24 08:17:38
 
收藏先
durwin
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高级工程师
  • 2011-4-1 09:50:01
 
最近才有机会看到这个网站,以前看论坛少,现在才发现精华就是精华,确实很给力!
haiyzngzhixin
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  • 2011-4-11 20:39:10
 
是的。很给力,先收藏了。
james002
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高级工程师
  • 2011-4-28 15:06:39
 
好!
jimmmy1125
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LV8
副总工程师
  • 2011-6-1 14:23:17
 
呵呵。。
学习了。。
看来我以前对那个平台电压的理解还有问题哟。。。。。。。。
wuyong
  • wuyong
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LV6
高级工程师
  • 2011-6-8 17:17:38
 
牛人太多,搞不懂!占个位置,学习了
caspore
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LV3
助理工程师
  • 2011-6-15 08:59:57
 
好帖&nbsp; 顶
misterxie
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LV2
本网技师
  • 2011-7-14 22:36:22
 
很好很强大!!!
powercheyne
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LV6
高级工程师
  • 2011-7-20 12:20:36
 
学习
tinghai899220
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LV6
高级工程师
  • 2012-3-22 14:18:11
 
很好,学习了。
aa1006610071
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LV6
高级工程师
  • 2012-5-8 21:48:58
 
张工的帖子总是让人受益匪浅,拜读中
hgzeng
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本网技师
  • 2012-5-13 22:16:23
 
很好的贴,留个脚印先!!
ericqin
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LV8
副总工程师
  • 2012-5-14 11:38:22
 
这个就是我疑惑的症结所在啊!仔细看
andywang
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LV6
高级工程师
  • 2012-5-16 13:37:26
 
好贴,学习!
叶紫1987
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LV6
高级工程师
  • 2012-8-2 14:31:49
 
期待高手的抛玉
zhumou1989
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LV6
高级工程师
  • 2012-8-9 16:37:42
 
好贴,收藏之
zhojianjin
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LV6
高级工程师
  • 2012-8-11 08:46:08
 
留个脚印,慢慢看
andy19863093
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LV2
本网技师
  • 2012-9-19 09:27:01
 
这种贴要看了又看
longzebiao@163.com
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LV6
高级工程师
  • 2012-9-20 21:40:28
 
能不能将一下讨论的内容,在仿真软件里实现???
cx123
  • cx123
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  • 高级工程师
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高级工程师
  • 2013-4-18 21:35:45
 
zhangzhanglili
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LV3
助理工程师
  • 2015-5-12 22:43:43
 
楼主MOS关断时,DS电压谐振上升?还是线性上升的?
天空依然蓝yy
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-21 16:52:33
 
请教您个问题,设计变换器的时候怎么检查是工作在断续还是连续?
gaohq
  • gaohq
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LV8
副总工程师
  • 2015-5-21 16:57:03
 
gaohq
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LV8
副总工程师
  • 2015-5-21 16:58:54
  • 倒数10
 
都是谐振上升的吧。
世纪电源网-九天
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超级版主
  • 2017-5-27 10:55:34
  • 倒数9
 
没事翻翻还是不错的
武二狼
  • 积分:315
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积分:315
LV4
初级工程师
  • 2018-1-22 11:14:26
  • 倒数8
 
我想请教一下,我们什么时候按断续模式设计什么时候按连续模式去设计呢?两者优缺点是什么?谢谢帮忙解释一下
极限2020
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积分:644
LV6
高级工程师
  • 2018-9-27 18:47:45
  • 倒数7
 
看看开关电源设计第三版把,上面对了断续和连续的区别,哈哈。
梦楠紫藤
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LV4
初级工程师
  • 2019-8-12 17:24:40
  • 倒数4
 
好帖,慢慢消化。多谢各位前辈
tennyni
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2019-8-19 19:00:30
  • 倒数1
 
DCM模式下,振荡分两部分
1,输入电压+副边反射电压+由漏感引起的尖峰
2,输入电压+由励磁电感和Mos管结电容的谐振所引起的自由振荡
CCM模式,振荡只有一部分
输入电压+副边反射电压+由漏感引起的尖峰

可以参考张兴柱老师的文献和讲座



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