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已解决

LLC谐振电流在死区期间出现尖峰,造成强EMI

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龙行tianxia123
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高级工程师
  • 2016-10-10 16:08:13
10问答币
如下图所示波形为谐振电容电流波形,电流波形有向下的电流尖峰。电流尖峰位置在上下臂驱动波形死区内。该电流尖峰造成很强的电磁干扰,实在是不知道什么问题,望高手指点一二,救我于水火!!!
TEK00999.PNG

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这么说是管子DSc太小了。加个电容驱动负担就更大了,不可取。另可换管
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2016-10-10 17:38:02
 
跟我前端时间遇到一样,我是尖峰朝上,我是适当加励磁电感圈数,不调整k值。
龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-10 17:57:17
 
电流尖峰朝上是励磁电感饱和了吧?
我这个电流朝下的尖峰就很奇怪了,电流突然减小。我没想出来有什么情况会导致电流突然减小的,仿佛是谐振回路突然开路了一下一样。
hanruifang1988
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LV4
初级工程师
  • 2016-11-28 23:17:42
 
弱弱问一句,LLC拓扑对偏磁如何处理的,是仅靠谐振电容抑制偏磁吗?还是有其他措施?
龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-11-29 17:47:52
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不会有偏磁啊,谐振电容同时起到了隔直的作用
炎黄的后人
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副总工程师
最新回复
  • 2016-12-16 16:54:34
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LLC拓扑结构会有偏磁现象吗?,不会的了
ailuer_shijidianyuan
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LV8
副总工程师
  • 2016-10-10 21:53:56
 
初步感觉是变压器原边寄生电容引起的,你负载加重应该会消失吧或者减小
龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-11 09:37:10
 
这是负载功率增加一倍后的谐振电容电流波形,感觉电流尖峰没有变化。
TEK01009.PNG
ailuer_shijidianyuan
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LV8
副总工程师
  • 2016-10-12 20:30:35
 
你是全桥LLC?
龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-13 09:10:00
 
是全桥,下图是我测得的波形图。从图中可以看到Vgs变化很陡峭,下臂Vgs在关断瞬间有震荡(负压-5V),不知道是不是驱动震荡的原因。另外,LLC的MOS需要加吸收电路吗? TEK01021.PNG

绿色---谐振电容电流;黄色---下臂Vgs;紫色---上臂Vds;蓝色---上臂Vgs


laura1226
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-13 10:06:43
 
有的时候你也要注意一下测试的方法,测试方法有的时候也会导致出现这种尖峰的
龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-13 10:58:45
 
电流是用罗氏探头测量的。另外我用差分探头测谐振电感两端电压,也确实有很大的尖峰电压。最重要的一点是,EMI太强,导致我CAN通信错误。
沧海v桑田1
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-13 16:57:43
 
贴上来的波形太少了,应该多些信息才容易确定。
从你这两幅波形上看,估计有可能是上下管共通了。

上下管共通时,一个很大的电流将线路上的寄生电感储能,共通消除的瞬时,寄生电感上的大电流,往谐振网络上释放,致使谐振电感上的电流瞬时倒流,而产生图上所示电流瞬时回落。

龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-13 21:01:34
 
感谢回复,我也怀疑是被关断的MOS管又被冲开了(首先从波形上看,死区时间肯定是够的),从驱动电压波形看,还没达到MOS管的开通阈值。另外给MOS管DS并联电容,也没有改善。请问有什么解决办法吗?
沧海v桑田1
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高级工程师
  • 2016-10-13 21:23:05
 
如果驱动波形死区够的话,上下管共通的还有一个原因,就象你说的是,一个管子导通将另一个管子冲开的情况。
这种情况解决的方法,是加大GS电容(不是DS哦),比如在管子GS脚就近并一个2-10n的电容。
GS电容加大后的一个副作用时,会让GS上的驱动波形上升下降变得缓慢,如果影响严重,那就要加强驱动电流的能力。


能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2016-10-14 09:25:20
 
这么说是管子DSc太小了。加个电容驱动负担就更大了,不可取。另可换管
沧海v桑田1
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-14 10:25:48
 
你说的没错。
加电容的方法是会增加驱动负担。可以先在MOS管G极串小电阻,小电阻上再并联一个二极管,让MOS打开变缓。这样,也不容易冲开另一个管子。
龙行tianxia123
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高级工程师
  • 2016-10-14 23:23:05
 
我已经换过管子了,从49A的换成了39A的,还是会有尖峰。我在DS并联电容就是想要Vds上升下降沿变缓慢一些,改善不明显。下周去试试把关断电阻再增加一些。
沧海v桑田1
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高级工程师
  • 2016-10-14 23:28:04
 
你确认一下,电容应该并在GS,并在DS是没有效果的。
龙行tianxia123
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高级工程师
  • 2016-10-14 23:37:49
 
MOS管是靠DS电容实现软关断的啊,并联电容就可以使MOS管关断时,Vds上升缓慢一些
沧海v桑田1
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LV6
高级工程师
  • 2016-10-15 00:35:20
 
在DS并电容,在这种情况下,刚好起反作用。

我们以下管关断,上管打开的过程举例:
当下管关断瞬时,谐振电路上的电流本来往下管再往地走的电流,经过一个死区后,正常应该将中点电压充到电源电压的,而如果DS电容增大后,反而充不上去,假设一直维持在一个较低的电压,此时,上管打开,将中点电压迅速充到电源电压,这个迅速上升的电压,会通过下管DG电容的耦合,使下管G极电压瞬时抬高,从而使下管也导通,形成上下管共通,这就是臭名昭著的米勒现象。要消除米勒现象,就是降低开通时的上升沿速度,以及加大GS电容,让GS电容死死钳住G点的电压,不让米勒现象将管子打开。

所以,正确的做法,应该将电容并联在GS,DS的电容应该减小。


如果上段话,你觉得还不同意,建议你在网上查一下“MOS管的米勒现象”等相关资料。
维修钳工
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LV2
本网技师
  • 2016-11-29 16:23:06
  • 倒数10
 
在GS上并联一个1-10nf的电容是要给每个驱动管都要并吗?
龙行tianxia123
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LV6
高级工程师
  • 2016-11-29 17:45:33
  • 倒数6
 
你说是电容并得很大的情况,你想想MOS管是怎么实现软关断的。
当然你的办法应该也是一种解决办法,只是我实际驱动电路驱动能力偏小,不能再增加GS电容。
维修钳工
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本网技师
  • 2016-11-29 16:24:41
  • 倒数9
 
你的问题解决了吗?
lzy090713
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高级工程师
  • 2016-11-29 17:24:52
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我怎么觉得是电容的问题,这个出现尖峰要么就是电容,要么就是电感的问题,个人意见,尽做参考。。。
维修钳工
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本网技师
  • 2016-11-29 17:29:20
  • 倒数7
 
谐振电容或者谐振电感?

lzy090713
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高级工程师
  • 2016-12-1 11:14:58
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en嗯嗯
维修钳工
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本网技师
  • 2016-12-1 17:00:55
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电路板铜箔太薄会不会导致一些故障?
yyt562001
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助理工程师
  • 2016-12-7 12:01:52
  • 倒数2
 
主要是原因是励磁电感太大,励磁电流太小引起!
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