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BOOST电路问题

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stone12346
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LV2
本网技师
  • 2016-11-29 13:28:22
我们做了一个BOOST电路,用直流100V升压560V,负载为50Ω电阻,负载有15A左右电流。IPM用的三菱PM150CL1A120(耐压1200V),C8作为吸收电容,电感L选的0.1mH76AC3C4作为电能储存部分向后端供电。程序上并没有使用分时交叉驱动,而是三路同时工作,工作频率10K,下图为升压部分原理图。

IPM BOOST原理图

IPM BOOST原理图

启动升压的一瞬间,前端的变压器嗡嗡声比较大,应该是一开始冲击电流比较大,进入稳定状态后变压器声音就比较正常了。
现在我们试验把原来的IPM改为用IGBT升压,下为IGBT部分原理图。

IGBT BOOST原理

IGBT BOOST原理

具体参数如下L=0.1mH 76A;IGBT=400A,1200V; 吸收回路选用RCD吸收C9=0.1uf 1200V,R=50Ω(两个100Ω并联), D=200A 1200V 快恢复,C8=0.47uf.
可是升压一超过500V时,驱动板GE的稳压管,快恢复二极管DIGBT就坏。
下图为100V升压400V时的波形,通道1IGBT的驱动波形,通道2IGBT CE之间电压(表笔倍数200,示波器倍数100.通道2实际电压值=通道2显示数据×2),通道2顶端的震荡为加入C8之后才有的。
图片3.png
下为去掉C8的波形,直流100V270V时的,在使用RCD吸收后,驱动关断的一瞬间会有个高尖峰。
图片4.png
现在的困惑是升压超过500V,驱动板GE的稳压管,快恢复二极管DIGBT就坏。
如果按理论计算升压500V时占空比就为0.8,最终直流升压目的为550V,占空比就要大于0.8,占空比过大是不是会比较危险。

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