半桥VS全桥

突然有这个想法，以下面这个案例：
输入380VDC，输出48V20A，分别用半桥LLC和全桥LLC来实现之，谐振频率一致为150KHZ，副边整流管也一致为300V 30A的快恢复二极管，因为两者的原边谐振腔电流是两倍的关系，那么对应的谐振电感以及主变压器原边绕组漆包线股数也是同比例的增减，主变压器副边绕组则漆包线股数是一样的，并假定两者都实现了ZVSZCS，依据以上这些情况，半桥LLC的整机效率会不会比全桥LLC低那么一些？因为半桥的谐振电流为全桥的两倍，那么单单从MOSFET的通态损耗而言，这个电流的平方之后便是4倍的关系，虽然半桥因为电流大了，可以选用相对而言更小Rdson的MOSFET，但是通态损耗是电流平方的这个增速相对比较大，此外，由于谐振电流比较大，引起的循环损耗也比较大。而就变压器而言，这两者倒是差别估计不是那么的明显，大家看看是否可以这样认为呢？