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| | | | | | | 这个IC是什么,有没有内部的结构图,这样看起来模模糊糊的。不太明白。 |
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| | | | | 自举电容先充电,随着MOS的“S“电位升高,boost电容被boost二极管放电阻止,
IC boot脚电位 水涨船高~ |
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| | | | | | | 很想知道最初的Highside MOSFET是怎么打开的,NMOS打开需要 VGS>VDS+VGSth,对吧?! |
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| | | | | | | | | NMOS的开通只需要Vgs>Vgsth,对于VDS是没有什么关系的 |
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| | | | | | | | | 最初的Highside MOSFET是怎么打开的?
这里面有个正反馈的过程~
NMOS打开只需要:VGS>VGS(th) |
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| | | | | | | | | | | 蓝天兄,可否讲一下启动到稳态的过程啊,刚开始时是不是下管先开通,自举电容充电,上管打开,phase点电压升至VIN(忽略mos压降),BOOT点电压为VIN+5V,之后怎么样进入稳态的啊? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 之前想问,boot电压被一直抬高之后上管怎么关段的,脑子想叉了,自举电压只是给IC内部上管驱动部门供电的,又不是直接驱动hign side mos的!搞错了。。。。 |
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| | | | | 分析是对的。
boot电路就是为了给内部H-MOS的驱动器提供一个比较高的VCC电压。
当驱动器输出高电平时,其幅值就可以接近这个比较高的VCC电压。 |
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| | | | | | | 请教下 MOS管的栅极电压不是IC内部提供的吗 还有再请教下 这个Cboot电容上面的电压会是多高呢 不是很明白自举的原理 麻烦了 |
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