值得关注的元研发.设计.计算细节

1.保险丝FUSE

FUSE有

1.MICRO FUSE 微型保险丝

2. CERAMIC FUSE 陶瓷保险丝

3. GLASS FUSE 玻璃管型保险丝

4. SMD FUSE贴片型保险丝

按熔断速度分为快熔型（FAST） 慢熔型（SLOW）

个人经验取值参考：

1. Pin=Pout/Eff

2. Vacmin=INPUT VOLTAGE

取（AC电流值）Iac *2--- 3 倍值为FUSE值比较合适。

举例：ACin=90V—264V Pout=60W

Iac=(Pout/Eff)/Vacmin/PF= (60/0.8)/90/0.55=75/90/0.55=1.5A*2 =3A取 2.5A -3A/250V

功率较大的，可以具实际情况减小

125V FUSE只应用于低段电压，全范围电压用250V之FUSE。

倍压整流

Iac=(Pout/Eff)/Vac/PF

ACINPUT:180V

Iac=(290/0.8)/180/0.6=3.36A

ACINPUT:90V

Iac=(290/0.8)/90/0.6=6.71A

115V段在滤波前按90V算,之后可以按180V输入算.如变压器,MOS….等

2. 热敏电阻

热敏电阻电源主要用到NTC型的

1.负温度系数NTC：电阻值随温度增加而减小

2.正温度系数PTC：电阻值随温度增加而增加（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

输入电路的是抑制开机瞬间，防大电容开始充电时，呈现很低阻抗，产生大电流造成损坏。当温度升高时，阻值变小，对电路的损耗很小。

取值：I =Pout/Eff/ACinmin/PF

最少大于2倍电流值，在根据实际测试温度高低做调整。可以根据实际经验和现有物料等取。（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

经验：与FUSE的电流取值接近即可。

3. 突波吸收器（压敏电阻 METAL OXIDE VARISTORS）

突波吸收器选取主要根据两点

1. 电压值 –是运用在电路中该件的最大端电压，取最大端电压的110％-120％，低端常用241或271，高端电压常用471。

2. 器件所承受最大的尖峰电流

3. 估算出电路所承受最大瞬间的能量的焦耳数。

突波电流值—般在做雷击实验或浪涌时所要求，但过电压也是一个目的限制。我们一般按经验选取。在考虑不做雷击实验或浪涌时和成本时可以不用安装。（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

4. X电容

X电容主要用来消出差模干扰，主要集中在消出中，低频段，一般在10MHZ以下明显。

具体选取值，没有限制，只要考虑以下因素即可：

1． 满足传导测试可以达到要求，可加大，或减小（成本）。

2． PCB板能尽量安装有位置，以避免重新做板，增大工作量和成本。

X-Cap 一般對低頻段(150K ~ 數M之間)的EMI差模干扰防制有效，也会对共模有轻微变化.一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但價格愈高).

相对应泻放电阻要根据X电容变化而变化。一般X电容取值在0.1Uf - 2.uF间。

5. Y电容

1．Y电容主要用来消出共模干扰，对整段有影响,10MHZ以下很明显，一般Y电容越大，传导测试波形越好，不过必须在考虑高压测试时的漏电流的要求可允许下，漏電流(Leakage Current )必須符合安規的需求。OPEN FRAME符合前条件即可， ADAPTER一般要求Y电容最大用到漏電流<0.25mA。（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

2．Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容，若AC Input有FG(3 Pin) 熟I类（CLASS-I）,对地可使用Y2- Cap接FG; AC Input若為2Pin(只有L，N) 熟II类(CLASS-II),使用Y1-Cap接地，Y1與Y2的差異，除了價格外(Y1較昂貴)，絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為Y2的兩倍，且在電容Y1的本體上會有“回”符號或註明Y1)。

一般Y电容取值在471PF—10000PF间。主要有：471,102,152,222,332,472等等。

有的Y电容额定电压标示: 比如CD X1Y1 222 ~400V~250V或 ~250V或~ 400V,实际是一样的,只是针对的应用不同标准的不同标示. Y1一般都是额定电压~400V~250V 承受电压:4000VAC/50/60HZ; Y2额定电压~400V~250V 承受电压:2600VAC/50/60HZ (参考规格资料)

6. 共模(差模)电感

磁性材料主要有：铁素体(FERRITE)，纳米晶，铁粉芯，金属铁芯等。

铁素体:主要有四种：

1.锰锌铁氧体（Mn-Zn Ferrite）（现在常用的）

2.镍锌铁氧体（Ni-Zn Ferrite）

3.铜镁锌铁氧体 (CU-Mg-Zn Ferrite)

4.多合金的

适用高频率变压器，EMI滤波器，能量存储用等。

纳米晶: 对低端频率有好的效果。

可用在EMI电路，对KHZ段有很好的抑制效果，但容易饱和

铁粉芯: 1.碳基铁粉芯 Carbonyl Iron 2.铁硅铝铁粉芯 Sendust

适用高频率变压器，滤波器等，主要常应用在储能电感, 输出DC直流滤波器上。（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

金属铁芯：实用于低频端，宜30KHZ以下。

共差模电感一般用高磁导率铁素体(FERRITE)磁芯，铁素体是EMI电路最常用的材料。（高频率变压器，EMI滤波器等有可能是一种材质，但配比不同，不能通用）

1. 共模电感的计算公式

L=1/(2*Π*Fo)²*Cy

Fo—假设截止频率 Cy--共模配套等效电容

2. 差模电感的计算公式

L 1=L2=0.5* 1/ (2*Π*Fo)²*Cx

Fo—假设截止频率 Cx—差模配套等效电容

输入电感的线径确定：一般具4A-6A/1mm²的电流密度，Φ1mm=r²*3.14*4A =3.14 A

I =Pout/Eff/ACinmin/PF

根据实际经验，可以适当减小线径取值，大于I =Pout/Eff/ACinmin稍大即可。

可以根据实测温度做调整

在设计EMI电路时, 计算结果也许与实际相差甚远, 可根据功率大小，所用电路形式和以往经验，在设计前确定滤波级数，大概取值，然后在EMI 测试时根据实际情况再做调整即可。（最好参考成熟的EMI电路，以节约时间）.

在设计和改善时,共差模电感在正常使用时一定要注意避免接近饱和。还要注意它的温度不能太高或太靠近热体，以造成冷机OK，热机NG现象。

EMI电路总结：

EMI干扰主要是电压，电流在开关时发生突变，影起的干扰现象。

不同的产品相对的EMI测试同频点不良改善方法不一定一致.

1. 加减共模电感的圈数,改变Y电容,主要表现在150KHZ---10MHZ左右,最明显是在几MHZ段.但也会对其他段有影响. 如两级,前级的对KHZ段影响较大.

2．20MHZ左右不好，在输出极线加铁粉芯磁珠，有很好的改善。对辐射也起很好的作用

3． 如果出现差模干扰，可改变X电容容量来改善,如X电容不能很好解决时，可改单边串入带CORE电感，来解决。或改变已有的差模电感.

4． 增大Gate电阻，可减小EMI干扰,主要表现在几MHZ—10MHZ左右,但会增加上升沿时间,MOS发热温度高。(在开关损耗小,是电流不连续模式,在MOS关断有震荡波形时,改该电阻效果不明显.

5. 在低端几百KHZ段,如其他方法不能抑制,可以改用非晶磁环,有很好效果.（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

6. 在Vds对地加小电容,在数十MHZ表现明显,和对高端辐射(100MHZ一下)起很好的作用, 但会增加发热量；

7. 改变变压器的绕法和屏蔽铜皮；整机外部屏蔽等,主要表现在抑制辐射,对传导影响较小. 但变压器的绕法和屏蔽铜皮对传导也有影响.

8. 改吸收回路,或在中串磁珠 ,在MOS脚串磁珠等,对数MHZ---数十MHZ有效果

9. 在输出整流桥,变压器或输出线材中套磁环,对几十MHZ以上有很好的改善,特别对辐射.

10. 在对3PIN接地的ADP产品,接地后将使传导辐射变得很差. 如无限制的情况下,在接地线串如磁珠,将有很好的降低.（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

11. MOS和输出整流管的选用,也对EMI测试有影响.

12. PCB LAYOUT 对EMI影响很大.在设计时,尽量根据以往经验,参考成熟电路的布线来进行.

13. 在AV OK时,QP不一定能OK,有可能是EMI电感有出现饱和现象, 或者EMI电路和主变压器也可能影响. QP是根据AV计算得到的

14． EMI分為传导Conduction及辐射Radiation兩部分，Conduction标准規範一般常用两种:（学习电源知识请关注微信公众号：电源研发精英圈）

传导

FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 ， FCC測試頻率在450K~30MHz，CISPR 22測試頻率在150K~30MHz， Conduction可以用頻譜分析儀驗證，Radiation 則必須到专用實驗室驗證。

辐射

測試頻率在30MHZ~1000MHz

以下是传导的实测波形图一,图二是辐射测试波形.

7. 放电电阻

主要是在关断AC输入后，X电容上的电量在1秒内释放达到安全电压内，测试输入插头端。

取值主要考虑以下因素：

1. 根据放电时间取电阻大小，R=T/(2.21*C) T=取1 S ,C= 所有X电容相加的总容量。（不同的标准放电时间 T 有些不同的取值要求）

2. 是放电电阻根据自身阻值本身承受的功率要求。公式为：P=V*V / R

3. 若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安規規定必須要有洩放電阻。