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| | | | | | | 方案是光耦反馈。前面的电源芯片采用类似OB2263的芯片,具体哪家不知道,但基本上国内做电源芯片的都有这种芯片。高压MOS采用的是OSF12N60C,是深圳市和芯电子的MOS。次级同步整流芯片没看出来是哪家。同步整流MOS是DFN5*6封装,用的是威兆半导体的VS40200AP。
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| | | | | | | | | 次级同步整流MOS放在正端。多一个绕组来给芯片供电。原理图如下!
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| | | | | | | | | | | 芯片的脚位跟MP6902差不多!MP6902的工作电压要大于8V,所以5V不能直接供电。
MOS放在高端的好处就是变压器只需要三根抽头。但动端面积大,可能EMI会受点影响。
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| | | | | | | 不是快充,是4个USB口充电器,可以同时给4个设备充电。USB口接了识别芯片。所以苹果三星等手机都可以最优化充电~
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| | | | | | | | | | | 0图是带载1A时,初级VDS和次级同步整流驱动波形。此同步整流IC支持CCM模式,所以gate电压追随电流减小而降低,是-Ron*Iods保持在-70mV。当到-Ron*Iods降低到-30mV时关断次级MOS。
1图是带载6.8A时,初级VDs和次级同步整流驱动波形。从波形上来看,次级MOS关断比较好,超前关断的时间比较短。
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| | | | | | | | | | | | | 带载6.8A时效率在88%。带载6.8A常温老化3小时,外壳温度70度。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图0为输如电压120V时初级VDS和次级gate波形,图1为输入230V时初级VDS和次级gate波形。
在120V电源工作在CCM模式,但次级同步整流MOS在初级MOS导通时间关断,提前的时间比较短。效率也还可以在87%+。
待机功耗略高,在230V时超过0.1W。电源IC没有高压启动,前面还有一个0.22uF的X电容,加两个2.2M的泄放电阻。滤波有X电容和两个共模磁环组成。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 板子做工还是不懂的。初次级间的安全距离足够。不够的开槽加挡墙了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 个人觉得这款充电器做的还是不错的。效率温升都还好!RCD用的是A7的慢管,VDS震荡还比较多,变压器漏感提高降低,这样可进一步提高效率。次级的MOS温升没测,但做6.8A用DFN5*6的封装没在老化时没出现异常。
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