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网易多口USB5V6.8A充电器拆解

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yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-11 13:26:09
先上图
yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-11 13:30:56
 
先上图
11.jpg
21.jpg
31.jpg
yutingwen
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LV8
副总工程师
  • 2017-4-11 13:53:50
 
方案是光耦反馈。前面的电源芯片采用类似OB2263的芯片,具体哪家不知道,但基本上国内做电源芯片的都有这种芯片。高压MOS采用的是OSF12N60C,是深圳市和芯电子的MOS。次级同步整流芯片没看出来是哪家。同步整流MOS是DFN5*6封装,用的是威兆半导体的VS40200AP。
yutingwen
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LV8
副总工程师
  • 2017-4-11 14:31:14
 
次级同步整流MOS放在正端。多一个绕组来给芯片供电。原理图如下!
4.jpg
yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-11 14:36:16
 
芯片的脚位跟MP6902差不多!MP6902的工作电压要大于8V,所以5V不能直接供电。
MOS放在高端的好处就是变压器只需要三根抽头。但动端面积大,可能EMI会受点影响。
liu_yang
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本网技师
最新回复
  • 2017-9-29 12:05:24
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6901 MPS
世纪电源网雪花
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超级版主
  • 2017-4-11 14:40:11
 
这是超级快充么 一般不是5V/2A么

yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-11 14:47:40
  • 倒数10
 
不是快充,是4个USB口充电器,可以同时给4个设备充电。USB口接了识别芯片。所以苹果三星等手机都可以最优化充电~
yutingwen
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LV8
副总工程师
  • 2017-4-11 15:39:52
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两个工作波形
TEK0000.BMP
TEK0001.BMP
yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-11 15:53:20
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0图是带载1A时,初级VDS和次级同步整流驱动波形。此同步整流IC支持CCM模式,所以gate电压追随电流减小而降低,是-Ron*Iods保持在-70mV。当到-Ron*Iods降低到-30mV时关断次级MOS。
1图是带载6.8A时,初级VDs和次级同步整流驱动波形。从波形上来看,次级MOS关断比较好,超前关断的时间比较短。
yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-12 11:47:31
  • 倒数7
 
带载6.8A时效率在88%。带载6.8A常温老化3小时,外壳温度70度。
23456789.jpg
寻觅_123
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初级工程师
  • 2017-4-13 11:30:28
  • 倒数6
 
同时充电 要多久呀?
yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-13 13:43:54
  • 倒数5
 
没有测试同时充电,我是用电子负载测试的。
yutingwen
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副总工程师
  • 2017-4-14 15:41:25
  • 倒数4
 
图0为输如电压120V时初级VDS和次级gate波形,图1为输入230V时初级VDS和次级gate波形。
在120V电源工作在CCM模式,但次级同步整流MOS在初级MOS导通时间关断,提前的时间比较短。效率也还可以在87%+。
待机功耗略高,在230V时超过0.1W。电源IC没有高压启动,前面还有一个0.22uF的X电容,加两个2.2M的泄放电阻。滤波有X电容和两个共模磁环组成。
TEK0000.BMP
TEK0001.BMP
yutingwen
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LV8
副总工程师
  • 2017-4-14 15:48:15
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板子做工还是不懂的。初次级间的安全距离足够。不够的开槽加挡墙了。
QQ截图20170414154726.jpg
yutingwen
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LV8
副总工程师
  • 2017-4-14 15:52:33
  • 倒数2
 
个人觉得这款充电器做的还是不错的。效率温升都还好!RCD用的是A7的慢管,VDS震荡还比较多,变压器漏感提高降低,这样可进一步提高效率。次级的MOS温升没测,但做6.8A用DFN5*6的封装没在老化时没出现异常。
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