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QR失效(谷底检测失灵)模式分析

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nc965
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  • 2017-4-14 07:27:02
QR失效模式分析

一、前言
最近论坛上出现很多关于QR失效的求助,一再跟贴,但貌似这类求助贴也没见减少的趋势,感觉很无奈,故开专贴集中讨论一下,意在提高回帖效率,方便大家查阅。

典型问题是:
QR导通是否在谷底?
QR导通是否在第一个谷底?
为什么会在其他谷底才导通?正常的?
为什么输入电压变化时QR恒流失效?总是差那么百分之几?
还有因QR失效导致占空比丢失的。
还有因QR失效导致变压器噪音的。
还有因QR失效导致系统不稳定的,闪灯的。
甚至还有因QR失效导致短路保护失灵的。
。。。

因为这个事比较敏感,之前的讨论也颇有微词,因此设置成讨论贴,欢迎大家各抒己见,但不要恶语相向,也希望最后不仅仅对QR失效模式做出分析或提出见解,更多地希望提出一些有效的工程措施,解决工程实际问题,仅仅争论孰是孰非就没意思了。



nc965
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  • 2017-4-14 08:19:21
 
二、典型案例
现将之前有关的贴尽可能罗列一下,目的在于让大家认识QR失效的表现,不过论坛的追述功能太差,要找到这些贴有点困难,尽量了。
案例1:12V500MA波形为什么会这样?
这位电源宅给出的案例很典型:
08.jpg
分析:谷底到是很准的,但在一串PWM中QR在第1到第5个谷底导通的都有,显然这样的电源是不能交工的。

案例2:同贴9楼qq80644864 仁兄给出另外一个案列:

33r2.jpg
分析:这是另外一种情况,有时能找到谷底,有时不能,一旦丢失谷底就再也找不回,只能靠Toff-max机制重启PWM,显然这已经不是在第几个谷底导通的问题了。这位仁兄认为是(PI)芯片问题,无解?

案例3: IC整流供电的二极管
08.jpg
分析:这勾得有点迟了,过了谷底,啥原因?再迟一点就会错过第1个谷底。他注意到VCC供电二极管选型不当会造成“高低压输入功率误差”,却没有意识到这也可能是QR失效的一种表现。

案例4:PSR不稳定问题
08.jpg
这个案例互动不充分,不了了之。大家可以继续分析。

案例5:PFC+QR 开关波形不在第一个谷底开通?
08.jpg
分析:这个案例讨论相对比较充分。我认为这个波形有问题,需纠正,有人认为没有问题。

案例6:QR模式MOS开通前振荡的次数与什么参数有关?
08.jpg
这是个专题讨论贴,诸多意见,公婆有理。这是我给出的一种QR失效的信号模型,但有人说这是错误的。



案例7:C组 100W单级PFC
08.jpg
这个贴也是qq80644864 仁兄的,说是在低压时正常,在高压时多出一个谷底,电流降低200mA找不到原因。我说(214楼)这就是原因,被不以为然。

YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-14 08:27:16
 
请问李工,出现这样的问题是什么原因导致的?应该如何解决?
nc965
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  • 2017-4-14 08:52:32
 
这就是本帖的主题:出现这样的问题是什么原因导致的?应该如何解决?大家先讨论。
admin
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  • 2017-4-14 10:27:16
 
admin
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  • 2017-4-14 10:27:28
 
thx
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  • 2017-4-14 11:09:20
 
那么就应该回到QR IC内部的机制,具体是如何采样并把当前功率反应到第几个谷底开启MOS的过程

接版主的话,捧个哏,,,,

nc965
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  • 2017-4-14 14:42:20
 
这个事也简单有说过: 再读一块QR的芯片时候有几个不懂的地方,小弟刚进大学,很多基础薄弱. 摘录如下:
问:为什么保证在谷底导通延迟时间是四分之一周期减去RC延迟时间
答:没看这个芯片,不过这作为一种谷底的算法是成立的,其技术目标是不用去检测谷底,而是预先计算出谷底的位置。好处是显而易见的,因为谷底检测要耗时,等检测到了以后再去执行就有点晚了,轻则带勾,重则丢失这个谷底。
算法的意思可以是:检测膝盖点(拐点、顶点),然后再检测过零点,这是个1/4周期,预计再过1/4周期就是谷底,减去一个执行到位的时间,就是计算值。当然实际的检测电路可能不是这样的,但有一点是肯定的,1/4周期已经包含了一个谐振波形的全部信息,由此就可以推算出谷底的位置。

qq80644864
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  • 2017-4-14 16:54:43
 
111.png

类似的案例很多,有些是IC控制的,不是你人为能决定的

在开始用某IC的时候,还是多看看IC规格书为好
nc965
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  • 2017-4-14 17:15:34
 
你认为案例1的奇怪波形是IC控制的?它注定按第2、4、1、5个谷底的顺序导通,人为不能控制?
qq80644864
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  • 2017-4-14 17:23:34
 
看IC为准,有的IC是直接控制来的,有的IC故意让其在其他谷底开通,根据所需能量大小
nc965
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  • 2017-4-14 17:27:08
 
能量所需完全可以通过调节Ton精确而连续地得到控制,通过谷底计数来控制至少是不连续的,这样的电源能稳?
qq80644864
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  • 2017-4-14 17:42:49
 
这问题去年我发过安森美的一款IC内有说过了,看9楼吧
如果这IC想让你在第二个谷底开,你怎么设计让他在第一个谷底开???

另外你说这样的电源不能稳定?再来个NXP的规格书内容

0002.png
321.png
nc965
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  • 2017-4-14 17:49:53
 
这类问题我在案例5中也说过(看15楼吧),问题是,谁什么时候说过什么就能解决工程实际问题?
比如你认为案例1、2、5这三颗个芯片是想让你在第几个谷底导通呢?或者它还没拿定主意?还在举棋不定?
正好,你去年这个贴已经作为案例7。
qq80644864
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  • 2017-4-14 17:57:23
 
你的帖子标题说了,失效模式分析,意思就是这些个情况,都是失效的……
上面我说了,得看各个IC的不同,别一概而论!
nc965
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  • 2017-4-14 17:59:54
 
虽然各个芯片有区别,但是都有一个共同点(可以一概而论),那就是一定可以在第一个谷底导通的,这是QR的标准工况。
还有一个共同点,那就是(稍不留意)都有可能进入第2甚至更多的谷底导通,尽管许多芯片没有对此做出申明(而有的芯片对此振振有词),但都是可以的。
qq80644864
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  • 2017-4-14 18:25:07
 
既然你这么肯定了,我也不多说了,按你的继续理解吧,下面不回复了
lahoward
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  • 2017-4-15 06:23:47
 
什么叫 “一定可以在第一个谷底导通的” ?难道还有一定不可以在第一个谷底导通的说法吗?换句话说:开关电源一定可以输出电压。这是什么逻辑?
nc965
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  • 2017-4-15 06:29:10
 
意思是:任何QR芯片,无论它声称可以在第N个谷底导通,或者声称其在第N个谷底导通可以达成何种匪夷所思的目的,但当N=1时,才是它的主要目的,而且一定允许N=1,无一例外。
或者换句话说:也不能完全排除有某种芯片不允许N=1,只允许N>1,但这一定不是QR芯片,是别有用心。

lahoward
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  • 2017-4-15 06:58:15
 
为何说“N=1时,才是它的主要目的”?
nc965
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  • 2017-4-15 07:10:09
 
N=1才是标准工况,才是准谐振,才好计算变压器,才最接近临界模式,才最能体现拓扑的优势,才是芯片设计的真正目的。。。
lahoward
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  • 2017-4-15 07:16:28
 
这是完全错误的概念。
nc965
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  • 2017-4-15 07:25:26
 
哦,(既然你这样有信心认为 N>1 才是标准工况)那么请教在第7个谷底导通时如何计算 Ipk?第8个呢?
lahoward
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  • 2017-4-15 09:04:56
 
你见过有第8个谷底导通的吗?
nc965
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  • 2017-4-15 09:54:31
 
案例2、案例4,你仔细数一下看,如果你之前没见过的话
或者,就算算第7个吧,如果你认为7和8有很大区别的话
lahoward
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  • 2017-4-15 11:12:36
 
7和8当然有很大的区别,再问,有没有见过在第8个谷底开通的?
YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-15 11:58:56
 
我想问一下,在MOS管两端电压处于谷底的时候,辅助绕组上电压时正:零:还是负?
nc965
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  • 2017-4-15 12:05:33
 
你在问谁?
YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-15 12:14:46
 
29楼,我一般不会错层的,
nc965
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  • 2017-4-15 12:26:51
 
我2岁半孙子可以从1数到5了
lahoward
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  • 2017-4-15 14:54:15
 
看个波形便知

145837ub7q7qd0sjnnsnsq.jpg
YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-15 14:58:22
 
为什么你不直接告诉我,是正、负、还是零呢?我问的是MOS管DS电压处于谷底的时候,辅助绕组电压时正、负、还是零。
lahoward
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  • 2017-4-16 09:28:36
 
负。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-17 08:33:27
 
谢谢,那么请问你给的图里的IC,是如何实现,谷底的时候,检测电路正好是在零的?
lahoward
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  • 2017-4-17 13:08:32
 
具体怎么实现我也不很清楚,要看规格书上怎么说的了。
nc965
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  • 2017-4-15 12:04:26
 
请你去数,是第几个谷底,你视而不见?
lahoward
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  • 2017-4-15 14:48:01
 
数哪一个?何不把图贴上标上第8个谷底。
nc965
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  • 2017-4-15 14:56:58
 
数数是很简单的事,何故为此纠结,有意思吗?
lahoward
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  • 2017-4-15 14:56:09
 
请问那个芯片做的有第8个谷底开通的,希望简短直接回答。
nc965
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  • 2017-4-15 14:57:38
 
所有QR芯片都有可能,这并不是什么值得炫耀的事。
lahoward
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  • 2017-4-16 09:33:11
 
呵呵,耍赖了吧?
nc965
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  • 2017-4-16 09:40:44
 
呵呵,的意思就是没语言了的意思。
不过倒是很好奇你的心态,总是提一些莫名其妙的问题,自以为是多大的陷阱,并不是想知道问题的答案,而是想从别人的回答中挑出点毛病?啥心态啊!
nc965
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  • 2017-4-16 10:22:39
 
再对这位仁兄说几句,不爱听也罢。
搞工程技术的,想证明自己厉害,要以解决工程实际问题的能力来判断,希望你把注意力放在这点上,而不是老想找出别人的漏洞来证明自己,谁都有漏洞,你最爱的教科书的漏洞就不少,但起码人家能写出书,而你只能捡漏。
要谈QR失效这个问题,真想谈,要系统、要备课,要掂量自己能不能把这个问题彻底说清楚,而不是在别人讨论的时候来找茬。我现在已经在后面的楼层大致开出了提纲,空着的,你真有本事(真有很多话想说)就跟贴加上内容,我就把这个可以展现你才能的机会留给你。
lahoward
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  • 2017-4-16 11:18:33
 
呵呵表示藐视,这也不懂?
几句话就可以看出你完全不懂有效值的测量方法,还做过,还写过程序,你也懂程序?不拍笑掉大牙?说不出芯片型号了吧,拿不出所谓的程序了吧?完全在意料之中。
nc965
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  • 2017-4-16 12:20:29
 
正好,我正想开个专贴来说此事,你觉得你比我懂,那就请你来开,试看你真懂还是假懂。
此君颠三倒四,进错了房间,附原帖:关于AC-DC效率计算

注:不是有效值测量,而是效率测量,难道此君不能区分这两件事?难道是和X厂长混久了脑子混出毛病了?
有效值计算我(7年前)另有专贴,就不劳你费心了:附原帖:数字均方根算法
注:此君能看懂标题就不错了,数字均方根算法与有效值算法有啥关系?有效值测量与效率测量有啥关系?
lahoward
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  • 2017-4-16 13:13:23
 
很简单的问题:什么芯片做的?知道你说不出,那就以后不要用大话来吓人。
效率是测量出来的吗?不用计算?
那段程序一看就是抄的,抄也抄错。
那段程序一看就知道是不会写程序的人写的,知道为什么吗?
自己去编译一下那段程序看看,看看有多少错?
nc965
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  • 2017-4-16 13:25:40
 
此君疑神疑鬼,小肚鸡肠,曾经怀疑我有没有暗房?有没有热成像?现在又怀疑我有没有CPU,懂不懂代码?大家认为我需要证明给他(她)看吗?证明给他看了就能消除他的怀疑吗?或者治好他小肚鸡肠的毛病?我的估计,不能。
其实此君的意思是:这世界只有他才有暗房,他才有热成像,他才有MUC,他才懂代码。好厉害!world 娃!l
lahoward
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总工程师
  • 2017-4-16 13:27:55
 
不要胡扯,装疯卖傻的样子。呵呵,你有什么?一张胡编乱造的嘴!
nc965
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  • 2017-4-16 13:33:05
 
看样子是不能消停了,究竟想干什么?
你还有啥我们没有的,赶快秀出来!
想打断此贴节奏?对你有什么好处?或者大家是否同意?
lahoward
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总工程师
  • 2017-4-16 13:47:14
 
hehe, 乱套帽子。自己都不懂如何敢大言不惭的教别人?你继续吧。

nc965
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  • 2017-4-16 13:54:06
 
是在等你继续,这世上只有你才懂、才有资格大言不惭地教别人,学生已经帮你写好提纲(不满意可以改),还是你继续吧,别掉链子才好。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-15 10:44:59
 
你说的是标准负载的时候吧?如果按照标准输出设计的电路,确实是在第一个谷底开通,那么当负载很轻的时候,占空比会很小,如果还是让他第一个谷底开通,那么频率就会很高。(这都是定性分析,没有定量,所以频率到多高没计算过)为了避免频率太高,也许就会不是第一个谷底开通了。
nc965
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  • 2017-4-15 10:57:36
 
王总说得对,确实有在更多个谷底导通的情况,说是可以缓解频率应力,这是肯定的,但这里面隐含了一些问题。
1、这种说法正好说明标准负载一定是希望在第一谷底导通的,芯片就是为这个工况设计的。因此,电源的各项运行参数、变压器等一定要按第一谷底导通的工况计算。
2、问题在于,即使是标准负载,即使远没有进入其声称的轻载,由于输入电压的变化(比如全电压时)或其他原因,仍然有丢失第一谷底而进入第二谷底导通的可能,这是最常见的QR失效模式(高压低压输出差了几个点),我相信每个玩QR的人都会遇到,即使是高手也不能幸免(案例3是新手、案例7起码是熟手),都纠结过。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-4-15 11:18:55
 
其实9楼的图人家也说明了,两个一个是第一个谷底开通,一个第二个谷底开通,是在不同工况下的。
至于你说的第二个情况,我没详细看过QR的,但从很多帖子了解,应该跟变压器有较大关系。从设计来说,肯定是第一个谷底开通最好,因为这时候VDS电压最低。
nc965
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  • 2017-4-15 11:35:34
 
3、需要注意的是,上述情况并没有轻载、并没有频率压力、并没有落入芯片手册预设的工况。但是怎么就跳到第二谷底了呢?9楼的兄弟在案例7中,满载运行,并没有进入所谓轻载才应该发生的工况,怎么电压一高就跳到第二谷底了呢?
4、案例7的截图是在高压265V的,电压降低后会回到第一谷底,但有一个切换点,切换点是多少呢?根据手册的描述能给出这个值吗?在切换点附近是第几个谷底呢?多半如案例5一样跳来跳去。这种占空比都不稳定的东西能用吗?难道你能不允许用户进入切换点附近的工况?有的芯片甚至给出了多达7个谷底对应的负载范围,那就会在连续的工况变化中埋伏了6个突变控制点,怎么用?
5、就算9楼的规定有效,但会事与愿违,它多半会不遵从规定,在你规定第一谷底的时候进入第二谷底。QR失效,它不仅仅与负载率有关、不仅仅与频率有关、不仅仅与输入电压有关,不仅仅与占空比有关,也不仅仅与变压器有关。
6、我有一个芯片,自己写说明书,根本没写出9楼类似的规定,但所有的机制都有,都会在某种条件下进入更多的谷底。如果我愿意的话,也可以给这些QR失效的工况写出与9楼一样的、甚至更加天花乱坠的说明书。就信以为真了?这样的BUG就真成了芯片预设的机制了?
7、我并不能排除某些IC设计想利用这种BUG做一些其他事情的创意,说真话要真正检测到多达第7个谷底还真有点难度(进入第7是很容易的,但要知道它是7就非常难),但事情要有个主次,QR就是QR,在第一谷底导通才是标准工况,其他的只是说说而已。
nc965
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  • 2017-4-15 15:14:04
 
关于缓解频率应力的说法,算是学术诡辩,众所周知,真正需要缓解频率应力的是LLC,缓解非常有价值,但非常难,少有芯片可以做到。即使做到,也是作为保护的某个阀值被触发的1种工况。一个频率应力并不突出的QR芯片这么轻易就做到了?还煞费苦心分为7级去控制?这只能骗那些心灵单纯的人。
或者换句话说,如果有人煞费苦心做出这样一款7级控制的LLC芯片,即使它缓解了很多频率应力,甚至大幅缓解输入电压适应范围,但由于在整个线性工作区内埋伏着6个突变控制点这一个不能容忍的BUG,也只能自己玩玩。
black_cheung
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  • 2017-5-15 11:14:07
 
同意,定义的准谐振就是在第一个谷底要ON
后面变成了在第n(n>1,即2开始)个谷底导通也称为准谐振
nc965
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  • 2017-5-15 12:02:09
 
虽然,后面变成了在第n(n>1,即2开始)个谷底导通也称为准谐振,但是,这一定是在第一个谷底检测失败后才会发生,在本帖,这都属于QR检测失效。
qhm
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  • 2017-5-27 11:30:40
 
N=1才是标准的吗?不理解了
nc965
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  • 2017-5-27 11:36:25
 
N=1才能设计变压器,能理解吗?
实际上,变压器是按临界模式设计的,这时的 N=0.5,即:膝盖点导通才是临界模式,N=1 已经偏离了临界模式,尚勉强可以近似计算变压器,如果 N=2 或更多,偏离临界更多,你如何设计变压器?

YTDFWANGWEI
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  • 2017-6-1 16:52:31
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膝盖点是临界模式?从你说的N=0.5来看,你说的器盖点应该是vor=0的时候吧?如果是的话,N=0的时候才是临界模式。
nc965
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  • 2017-6-1 17:46:06
  • 倒数9
 
是的,膝盖点导通就是临界模式,它就是续流结束时刻,对应小波谐振的第一个峰顶。如79楼图所示。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-6-2 08:14:56
  • 倒数8
 
理解错了你说的膝盖点,但这个时候不是你说的N等于0.5时候的点吧?
nc965
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  • 2017-6-2 08:50:50
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N是个相对概念,知道 N=1 的含义后,可以倒推 N=0 的位置,才有 N=0.5 的位置。都是些概念,实际上没有 N<1 的情况发生。这个事不用纠结吧?
正正
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  • 2017-4-14 17:00:08
 
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我也等结果
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  • 2017-7-26 20:21:04
  • 倒数4
 
图一 开关波形是乱的啊 说明系统不稳定,应该调环路
nc965
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  • 2017-4-16 09:17:57
 
三、谷底检测机制
一)、QR采样端口内部结构简述
简单画了一个谷底检测可能的端口内部功能框图:

08.jpg

其中有几个影响谷底检测的关键结构,分述如下:
1、钳位二极管D

这个钳位二极管是标准配置,一般每个芯片的每个端子上都有此配置,一般认为它是对端口内部电路起保护作用,其实还不仅仅如此。
芯片中承载所有电路的最底层衬底硅原晶,所有电路(包括芯片地 GND)是在它上部展开的,绝大多数 IC 制造工艺要求衬底必须为系统最低电压,衬底上部的电路才具有电气上的有效性。因此,在(可能串入负电平信号的)所有端口都必须配置这样一个二极管,它保护的不仅仅是这个端口,还是在保证芯片内部所有电路的有效性。这一措施导致端口最低信号电平不能低于二级管钳位电压,在小信号时,这个电压可能高于-400mV,因此一般芯片内部所有电路能接受有效信号的最低电压被限制在-300mV左右。这对谷底信号检测而言,意味着反射电压不能超过 0.3V,显然,对如此小幅度(且处于失效边缘的)信号的精确检测无疑是非常困难的。
此外,在 QR 芯片所有引脚中,最可能串入负电压的就是这个端子,因为辅助绕组的信号是交流的,负电压幅值可能比其正电压部分更大更尖锐,这很可能导致超过上述 -300mV的允许值的信号串进芯片内部来,这会在衬底上引入额外的噪音引起整个芯片(而不仅仅是这个端子的相关电路)的不稳定。
2、受控电流源
受控电流源实际上是一个信号幅度动态整形电路,一般芯片数据手册不会给出这个结构,但是这个结构(性能的好坏)对QR采样有决定性的影响。它完成以下任务:
任务一,在信号电压最低时对可能的负压钳位,给出一个对应的电流抬高端口电压,使其不能超出上述最低 -300mV 限值,这等效于将上述二极管正向导通电压降低到 300mV 以内,确保端口不串入噪音。
任务二,在
QR 检测时,抬高端口(平均)电平,以便得到的所有有效信号的幅度变化处于内部运放入口的线性工作区范围内。这意味着内部过零检测电平被显著抬高,QR 谐振幅度因此不再受上述 -300mV 限制而可以采用一个较大的检测值。对于一般 5V 的芯片
内部 Vcc 电压,受控电流源电路本身必须占用足够的电压(它是串在 QR 信号通道上面的)才能确保动态和精度,因此获得的 QR 信号幅度范围只能位于其 1/2 以下位置,典型值 0~2V。于是,经处理后的 QR 信号的过零电平被抬高至 1V 左右,反射电压信号电平应低于 2V,OVP 阀值大约在 1V 左右。
3、RC滤波消噪单元
这是一个在高阻抗回路中插入的一个 Π 形 RC 滤波器,它不仅能滤除高频噪音,也会引起 QR 信号的不同程度的失真,因为 QR 信号也是高频信号(较之 PWM 信号频率可能高出一个数量级不止)。这里说的是:C 为 pF 数量级,因此 FB 端口外部分布电容稍不当(元件和PCB),就会显著影响其 RC 网络特性参数,引起 QR 信号的较大失真。
4、前沿消隐
通常前沿消隐位于 CS 信号端口(防止电流过冲信号被误读),但FB端口内也有类似的机制,它在开关关断时刻(OFF_time)被使能,典型消隐时间 2uS,它可以实现两个目的:
1)防止消隐时间内的电压过冲信号(漏感尖峰)被视为 QR 信号来误读(它也有与 QR 信号类似的过零、谷底等信号特征)。
2)防止 OVP 信号被误读。
显然,前沿消隐时间典型2uS是相当纠结的,取值太小,可能消隐不了应该被消隐的,取值太大,在轻载时(续流时间大幅缩短)很可能把真正的谷底信号给消隐掉,错过前面的谷底。
lahoward
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  • 2017-5-6 00:08:59
 
典型消隐时间 2uS” ? 哪个芯片用2uS的?
nc965
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  • 2017-5-6 00:37:40
 
你在论坛里任意找个DS波形看看,没2uS撑不住。你觉得这里面有什么机会?
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 00:48:17
 
何需从论坛里找,数据手册上都写得清清楚楚。没有见过一家是2uS的。
nc965
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  • 2017-5-6 00:50:01
 
你恐怕搞错,此消隐非彼消隐,有时候甚至不叫消隐,一般数据手册上是没有的,你没见过太正常。

lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 01:26:09
 
不要强词夺理,帮你纠正错误是为你好也是为网友好,不理解什么叫“前沿消隐”没关系,翻书看看。你把莫须有的数据放上来误导别人就不太好了。
nc965
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  • 2017-5-6 01:28:58
 
你有话想说,或者想秀一秀你抄书或者翻书的本事,建议单独开贴,什么叫前沿消隐(估计没人会感兴趣),请不要在这里插入与本帖内容无关的话题。
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 01:47:44
 
好没道理。前沿消隐怎变成与本帖无关的啦?你在谈前沿消隐2uS,我这是帮你,帮助你,帮你纠正错误,再提醒一次,没有一家的芯片前沿消隐是2uS的,不要太顽固,有错不要紧改了就好,你这个态度明摆着是不想改正了,这是要一错到底,破罐子破摔的节奏了。
nc965
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  • 2017-5-6 01:57:02
 
建议看不懂本帖内容的网友飘过
此贴有人急于发言,在60楼已经专门提醒拟好提纲,给他展示的机会,若干天了,没见动静,屁都没放一个。在62楼被别的网友怂得没了语言,终于承认“我也不很清楚”,又等了若干天,刚有44楼的新内容,立马跳出来捣乱,很懂的样子,你真懂,还有若干楼层,你来!
这林子大了,什么鸟都有啊!说了点他不懂的东西,咋就这么大意见?
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 02:15:23
 
不要乱扣帽子好不好?打开帖子随便看看便发现问题很严重,太多谬误。这个前沿消隐时间便是一个大问题,你嘴上不改正也不要紧,心里改正便可。我知道你面子观太强,被指出有错比被打死还难受。但是请网友自己翻翻数据手册自行判断对错即可。
nc965
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  • 2017-5-6 02:18:27
 
你真懂,还有若干楼层,你来!
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 02:20:21
 
好像很笨的样子,“在62楼被别的网友怂得没了语言,终于承认“我也不很清楚”,呵呵,这叫中断话题,明白否?
nc965
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  • 2017-5-6 02:21:55
 
等你
nc965
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  • 2017-5-6 02:40:19
 
关于44楼FB端口前沿消隐机制,描述得比较简单,懂意思就行,为什么要有这个机制,以及它可能导致QR检测失效的机制。
虽然我自己觉得信息量已经足够,但如果有网友觉得没讲清楚,可以进一步讨论。请在这里跟贴。
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 02:48:01
 
FB端口前沿消隐机制” 确实没有听说过,可否稍详细描述一下,如有能举例比如什么芯片有这个功能那就太完美了。谢谢。
nc965
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  • 2017-5-6 03:04:51
 
没听说过应该属正常,因为一般没人会说这个事情。
实际上,由于进入FB端口的信号中漏感尖峰信号是必然存在的,因此这个功能是必须的,多数芯片都有的(虽然说法可能不同)。
对于QR检测来说,漏感尖峰可能被误读为QR信号,这会导致严重后果,因此必须避开漏感尖峰这个时间段,典型值2uS。
对OVP检测来说,漏感尖峰也可能被误读为OVP信号,导致OVP检测失灵,也必须避开。但两者消隐时间可以不同,有共用一个消隐时间的,也有在膝盖点之前单独检测的。
将就4.6楼的图改一下说明问题:

07.jpg


lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 03:53:21
 
谢谢。不过FB信号的来源是输出端通过光耦过来的,也就是说这个FB信号仅与输出电压的大小有关,或者说是控制输出的,这个如何用来消隐呢?

nc965
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  • 2017-5-6 03:58:53
 
这里说的是QR模式,FB端子信号来源于辅助绕组,各个芯片虽然端口可能名称不一样,但也不至于理解为光耦信号。
lahoward
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  • 2017-5-6 04:05:37
 
我知道是QR反激,举例NCP1270,芯片管脚如下:

1.jpg

典型应用如下:

2.jpg

FB信号是从付边来的。
nc965
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  • 2017-5-6 07:18:04
 
QR信号来至于辅助绕组,这个芯片对应的是1PIN。看了一下资料,不出所料,44楼所述内容只字未提。
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 07:33:57
 
什么叫 “44楼所述内容只字未提” ?不懂什么意思。
nc965
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  • 2017-5-6 07:40:04
 
没看懂的同学建议多看几遍,应该会懂的,这方面问题,因专业有差距,只能简述,点到为止,说多了你可能更“不懂什么意思”。
lahoward
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  • 2017-5-6 07:47:14
 
这态度不好,可能是心虚了,实际没有必要心虚,本来就是进行交流的,有错则改之不就好了吗?
我已讲了,FB来自输出反馈信号,你说说FB是什么?
nc965
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  • 2017-5-6 07:49:53
 
有人急于想阐述FB是什么意思(以为这世界别人都不懂),建议单独开贴,广证博引,长篇大论,不要在此胡搅蛮缠。
lahoward
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  • 2017-5-6 08:04:46
 
你在讲解 “FB端口前沿消隐机制”, 那总要把FB是什么搞清楚吧?哪里胡搅蛮缠啦?
nc965
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  • 2017-5-6 08:06:29
 
你就此单独开贴吧,如果实在没有人感兴趣,我来跟贴
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 08:15:34
 
你那样很不友好,好像很急的样子。
nc965
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  • 2017-5-6 08:17:58
 
这位同学,看了半天,只对前沿消隐有疑虑,只对FB有疑虑,看来其他内容还是看懂了的,赞一个。
不过同时也提醒我,阐述还要更加浅显一点,让这些理解力差的同学不要落下才是。
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 08:22:09
 
赞你一个,不辞辛劳为论坛做贡献,晚上只睡了一个小时又继续奋斗,而且这一小时还是睁着眼睛睡得。幸苦幸苦。
nc965
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  • 2017-5-6 08:31:12
 
不好意思,刚才睡了个午睡,没通知你,让你久等,特此致歉。
lahoward
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总工程师
  • 2017-5-6 08:32:28
 
日夜颠倒?
nc965
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  • 2017-5-6 08:33:55
 
这几天没在国内,还不适应。怎么,这你也感兴趣?兴趣够广的!
lahoward
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  • 2017-5-6 08:41:14
 
正好这几天我也没在国内,但挺适应的。
black_cheung
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副总工程师
  • 2017-5-15 11:36:28
 
对应你这边的就是DMG了不同厂家对IC的引脚定义还是有很大差异
比如VDD=VCC
比如SSR的光藕反馈回来的COMP=FB
谷底检测的FB=DEMG=DMG======
lahoward
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  • 2017-5-15 12:09:44
 
可否举一例哪家的芯片是: “谷底检测的FB=DEMG=DMG======
nc965
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  • 2017-5-15 12:34:51
 
lahoward
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  • 2017-5-15 13:18:56
 
呵呵,离文盲不远了, PSR = QR  ?
nc965
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  • 2017-5-15 14:48:41
 
这货以为,PSR就不能QR。刚想可以肯定地对你讲点什么,没想到立马几个巴掌打过来,真的很好玩。
lahoward
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  • 2017-5-15 14:57:18
 
呵呵,你说你是个娘们也完全可以的,只要你愿意完全可以变。
nc965
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  • 2017-5-15 15:05:12
 
不想谈技术问题了?那就一边呆着去!
lahoward
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  • 2017-5-15 15:16:34
 
当然谈技术,不要混淆是非,那几个帖子里有讲过QR吗?本帖我已讲了无数遍了,FB与DEMARG不能乱用,这些本是英文缩写,文盲才不知道,才会硬着头皮撑下去,再说一遍找个厂家QR芯片资料,只要一家把demarg引脚标成FB的我立刻向全体网友道歉,否则请你补充点知识,不要把你**说成你爸还有人会附和说本来应该是**理解成爸就通了,我了勒个去。
nc965
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  • 2017-5-15 15:49:41
 
有人挨了巴掌还不知道为啥,你看看第三巴掌那个芯片,不是PSR,但是是QR,而且用了FB。

YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-15 16:22:18
 
第三个帖子的芯片是什么型号?
nc965
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  • 2017-5-15 16:38:25
 
不知道,你可以跟帖追问。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-15 16:54:57
 
我也看不清楚是什么,好像是什么451,但是你都不知道是什么型号,你如何说他就是QR的呢?从波形来看是无法分辨是不是QR的。
nc965
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  • 2017-5-15 17:02:50
 
这样说吧,这个芯片用 FB 标识没问题吧?FB 的含义没有被扭曲是吧?不需要光耦也允许使用 FB 标识吧?不能说人家不懂英语吧?
至于是不是QR,这个不重要吧?不影响这个脚继续叫 FB 吧?QR 的概念与 FB 没有冲突吧?是否QR这个脚上的信号也大同小异吧,有差异也是内部处理上的差异吧?
同样的电路和功能,非 QR 才能用 FB,QR就不能?这好像没什么道理吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 08:59:32
 
我没说这些,我的意思是:188楼问的是,有那个谷底检测的管脚用的是FB。而你后面举的三个例子,首先都不能确定是QR,又怎么能说明谷底检测的管脚用的是FB呢?

YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 09:06:30
 
我刚看到你206楼的回复。
nc965
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  • 2017-5-16 09:39:10
 
206楼的回复不是个例,那三个例子应该都是QR,2楼那7个案例中也应该还有,还有63楼那颗芯片,一定都是这样。你真想搞明白究竟是不是?你可以自己找到资料核实,而不是靠我证明给你看,因为我觉得这个事根本不是问题,证明这个事毫无意义,并在105楼已经第一时间向你作了说明。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 11:12:20
 
算了,你根本没明白我的意思。
nc965
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  • 2017-5-16 11:16:53
 
也算我不小心,换个标注就没这么多歧义,主要是你首次用QR芯片,刚好是个有光耦的。不好意思。
其实我一直对带光耦的QR芯片不甚理解,都QR了,波形解析到如此精细,啥算不出来?还需要光耦干啥?提高精度?能提高吗?
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 11:32:49
 
带光耦的目的,可以副边反馈啊,你原边反馈的话,输出稳压精度能达到多少?
nc965
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  • 2017-5-16 11:34:18
 
要知道QR是要跳谷底的,一跳,啥精度都没了。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 11:57:02
 
但是,从目前的IC来说,带光耦反馈的,输出精度可以做的高,而不带光藕的,(应该叫PSR)输出精度应该达不到带光耦的精度吧?
nc965
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  • 2017-5-16 12:06:36
 
可能是出于这样的考虑,但能不能如愿就未可知了。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 13:03:59
 
能不能如愿是什么意思?
目前不带光耦反馈的IC,不知道稳压精度能做到多少?
nc965
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  • 2017-5-16 16:15:48
 
一般恒流的用原边控制可以得到较高的精度,表现不输副边反馈控制。恒压输出用原边控制明显精度较差(但也有做得好的)。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 17:02:22
 
做的好的,如果变压器做不好,精度也不行吧?但现在说的,带光耦反馈的,变压器做不好,做到1%的精度也没有问题吧?
nc965
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  • 2017-5-16 17:26:45
 
大约,谷底每跳一个,对应5到8个功率百分点(占空比)的变化。
意思1,你要高精度,你要(负载调整)大范围,建议用CCM模式反激,不要用QR的。
意思2,你想QR,就别太奢望精度,尤其不能奢望大范围。
意思3、你QR了,这些毛病都难免,副边反馈也基本上是摆设。
意思4、你想让QR的副边反馈起作用,精度到1%,你必须保证始终在第一谷底导通,不能跳谷底。也就是不能大范围调整负载。能在基本满载时应付全电压调整范围就不错了。对于这个精度,电流反馈多半做不到,还不如不反馈,电压反馈可能有点优势,仅此而已。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-17 08:30:40
 
1、谷底跳的时候,频率也是变化的。因此对应功率百分比不是你说的那样吧?2、同事用NCP1207做的一个10A输出,如果负载时10A跟1A时候,你觉得输出电压变化范围会是多少?
nc965
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  • 2017-5-17 09:46:55
 
他这种情况,如果谷底固定在某个数值,比如1A输出时为第5个谷底,输出电压会通过反馈得到调节,这没有问题。
但问题是,增加负载电流,谷底可能从5跳到4,在某个电流刻度(及其附近区域)上,比如1.4A,会在4/5个谷底之间无规律的跳动,输出就有5到8个百分比的跳动。你不能规定用户要避开1.4A输出这个工况吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-17 10:00:12
 
我想我明白你的意思。但我有以下的疑惑:你说的这个在两个周期之间来回切换,是电路参数不合理造成的还是IC的本性造成的呢?

nc965
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  • 2017-5-17 10:18:44
 
是调整谷底位置来适应输出变化这种算法本身导致的,违反自动控制原理,控制一定是连续的,而谷底不是连续的,不能用来调节。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-17 12:15:31
 
他可以通过调整频率来适应输出的变化吧,至少从实验情况来说,负载的变化会引起FB(光藕反馈点)的变化,芯片是通过调整频率来适应FB点变化的,而不是调整谷底位置来适应的。
nc965
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  • 2017-5-17 14:15:30
 
QR是单周期控制,每个周期可能是不同的谷底。而反馈是环路控制,要慢很多,你怎么调整得过来?
就算你置一切特性于不顾,让环路响应与单周期同步快,但跳谷底是随机的,一个滞后的谷底发生后,环路立即反应,也要到下一个周期才能实现调整意图,赶紧增加一点Ton(降低频率),这很可能导致超前一个谷底,得到的还是跳谷底的结果,甚至比不反馈跳得更糟。这就是155楼boy59说的情况,两种机制共同起作用时,情况可能会更糟糕。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-17 15:46:00
 
这个我有点明白了,他不像双环系统那样,一个环路的输出是另一个环路的基准。但你前面说的,没跳一个波谷,应该不是输出5-8%的功率变化,而是这个周期传递能量的变化吧?一个周期能量的变化,不一定会引起输出电压变化多少。隔几个周期跳一次,会不会正好是为了调整输出的稳定?
nc965
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  • 2017-5-17 17:21:55
 
是指每个周期的功率变化,这个是不好的,不管隔几个跳一个,或者其他方式跳,都会引起输出不稳、落入音频、振荡这类问题,这也是精度问题。
除非,有上千个谷底位置可以选择(对应数字控制10位PWM精度),才能与你说的双环控制概念弥合。问题是它只有6、7个档位。怎么弄都不能用。
这样靠少数档位来做的控制也不是不能,那叫非线性控制,各个档位之间是连续衔接、过度的,也不是这样跳来跳去的。
boy59
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  • 2017-5-17 20:08:10
 
又试着搭了NCP1380电路,这颗芯片可以不跳周期。NCP1207找谷底类似比较器的方法而NCP1380更类似于滞回比较器。
boy59
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  • 2017-5-18 17:48:12
 
NCP1380的找谷底时刻同NCP1207类似都是RC延迟的方式,通过1脚(ZCD)来实现。
轻载时的多谷底导通是调节8脚所连接的电容Ct来实现。“滞回比较器”功能估计是在Ct setpoint模块中实现的,见下图
滞回器.jpg
这款NCP1380芯片感觉不是很好调(也可能还没有掌握电路的精髓),
第一,25%-100%负载时反馈电压FB要控制在大概0.8-2V之间,那么就要精确计算采样电阻使其上的压降在0.2-0.5V之间(芯片中有1/4处理)。
第二,调谷底个数的电容Ct如果不凑巧选到某一值上还会发生跳周期问题。
nc965
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  • 2017-5-19 12:43:43
 
你确信这个芯片不是积分算法?
boy59
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  • 2017-5-20 15:31:03
 
不确定这个芯片用的是什么方法,仿真的结果跟数据手册比较接近。
负载增加的曲线.jpg
上图为从轻载到满载变化的波形,Uo输出电压、Ct积分电容电压(8脚)、n_1373反馈电压(仿真时同FB信号做了反向处理)、Vds为MOS管源漏电压。
下面几张图是方框部分的波形展开。
轻载.jpg
                               轻载
中载.jpg
                                中载
重载.jpg
                                重载
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 11:34:03
 
你解析的再详细,你怎么保证输出电压的稳定度?变压器耦合引起的负载调整率,通过原边反馈是无法解决的吧?
nc965
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  • 2017-5-16 11:36:27
 
不仅负载调整率,交叉调整率都可以反映到原边,只是没有人去解读罢了。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 11:50:03
 
我现在只是大体了解了QR的工作原理及模式,PSR还不懂,我估计弄懂PSR后才会更容易理解你要表达的意思。
thx
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  • 2017-5-16 14:47:17
 
李工这个问题提的有意思了,能单独开个帖子说下 “”交叉调整率都可以反映到原边“ 吗
nc965
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  • 2017-5-16 15:34:03
 
这就扯远了哈。79楼那个图中,本来应该是平直的采样时间段内,如果出现(由局部谐振开始的)阶梯下跌波形,那就是某路输出(因轻载、空载)率先退磁的反映,跌落幅度和跌坎位置与交叉调整率的参数相对应。
lahoward
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  • 2017-5-16 12:55:12
 
何故什么这么自嗨?精神没有错乱吧?
三个帖子两个是PSR第三个根本看不出什么型号,你老能看见?你有癔症吧硬说是什么QR。
nc965
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  • 2017-5-16 15:24:07
 
你个初中文化能有什么见解?还不嫌丢人?找地缝走人吧。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-15 16:29:18
 
李工,不是说PSR不能QR,而是说,你举的这三个帖子里用的IC,都是QR的吗?
nc965
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  • 2017-5-15 16:37:31
 
我是随便在论坛里找的案例,没有研究是什么芯片,只是看波形是QR,且FB。这种芯片很多,非隔离的QR、原边控制的QR,很多都是用FB标注的。这可以说是一种习惯性标注,QR的和非QR的人家要PIN对PIN。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-15 16:53:12
 
如果你说这种IC很多,那你应该举这种IC的名字,PSR的也无所谓。但是,至少你举的这三个帖子,都不是QR的,就是说你后面的回复,没有回答188楼的问题。
nc965
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  • 2017-5-15 17:49:47
 
出货量较大的可能是晶丰明源的 BP331X、BP991X系列。估计国内多数IC厂家的QR(临界)模式芯片都习惯这样标注。
lahoward
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  • 2017-5-16 12:56:36
 
呵呵,没研究就说是什么QR,典型的胡言乱语。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 13:43:47
 
我觉得你应该去看看206楼。那个更明确一些。
nc965
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  • 2017-5-15 20:38:40
 
我估计三个都是QR的,一般高PF的PSR芯片,都是QR的。反到是低PF的PSR芯片有很多不是QR的,算法不同。
lahoward
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  • 2017-5-16 15:31:41
 
PF和PSR和QR有毛的关系?您老搞笑不?
nc965
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  • 2017-5-16 15:43:10
 
初中娃娃就不要再丢人现眼了。
black_cheung
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  • 2017-5-19 12:29:20
 
你误解我的意思
我是指此PIN的定义,不同厂家不同IC命名不一
有的叫FB,有的叫DMG,有的叫DEMG,等等
lahoward
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  • 2017-5-19 13:47:20
 
应该没有误解。
FB = FeedBack,Demg = demagnetization,意义不一样,通常厂家不会混用。同理 Vcc  Vee 通常用在晶体管电路,c = collector, e=emitter, Vdd Vss 是指MOS管。 d = Drain,s = source,一般最好不混用。你可以留意厂家的规格书一般是区分使用的。



lahoward
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  • 2017-5-15 12:38:50
 
我可以很肯定的对你讲没有一个厂家会将demarg 标为FB的,除非不识英文的。
同理VCC和VDD也不是可以混用的,各自的意义完全不一样,除非不识英文的。

nc965
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  • 2017-5-15 21:24:28
 
再来一巴掌,2楼第一案例:
人家不懂英语,把PSR与QR还TM的混淆在一起,没经过你同意,竟敢用FB标识。

09.png



thx
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  • 2017-5-15 23:22:57
 
也是我勒个去,这一个名称问题也要斗来斗去,有规定说只有光耦反馈的那个脚才允许使用"FB"字眼吗
lahoward
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  • 2017-5-16 15:22:20
 
你老太亢奋了,先打自己一巴掌吧,我把话再重复一遍看不懂的话多读几遍,“没有一个厂家会将demarg 标为FB”,你这个图中的FB是一个demag引脚吗?看看内部结构图:

FB.jpg

看出点名堂吗?首先这是个PSR的反馈信号脚,Feedback,FB,其次才是所谓的demag,feedback画得很详细,demag只画个方框,按官网上介绍,其引脚复用是有专利的,如图:

20170302165832_1794.jpg

这是专利证书吗?不是,写明了是通知书,发文日:2016年9月6日,通知书上写明需按规定办理正式的专利证书,大半年了为何不去办理专利证书而把这通知书放在官网?并且通知书上既没有签名也没有盖章鬼知道是真是假。真正的专利证书是怎样的,见下图:

58ee3d6d55fbb2fb94fa303e4d4a20a44723dccd.jpg

其demag是基于以下公式算出来的:

图2.jpg

其中的T是如图所示的

图1.jpg

这样QR如同您老一样是忽悠人的,难怪用这款芯片做QR问题层出不穷。
nc965
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  • 2017-5-16 15:27:29
 
建议你先弄懂 “瞬时功率是一个点,如何还能平均?”这个问题。其他事情还轮不上你这种文化水平的人操心。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-16 17:01:06
 
从哪里可以看出来这款IC问题层出不穷呢?大家讨论问题,希望是真正的讨论。
lahoward
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  • 2017-5-17 01:53:57
 
此话何讲? “希望是真正的讨论问题”。关于这款芯片的问题请见此贴:

http://bbs.21dianyuan.com/forum.php?mod=viewthread&tid=287825&page=1#pid1133093
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-6 11:57:38
 
李工,没看明白
1、如果说CS消隐,这个是知道的,很多IC资料里都有介绍。原因都差不多一样。
2、FB消隐?FB本身就是一个电平信号,怎么消隐?
nc965
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  • 2017-5-6 12:28:28
 
参阅79楼
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-6 13:10:02
 
以82的IC为例,你说的QR检测了,OVP保护而来这些,存在消隐都是正常的,但这都是体现在IC的1脚,IC的FB端,跟QR、OVP有什么关系?
lahoward
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  • 2017-5-6 13:49:01
 
楼主大脑正在高速运转,思考着如果自圆其说。其实很简单说下自己理解错了即可,硬撑着大脑会过载,导致烧保险丝什么的。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-6 14:28:53
 
这是周末,而且李工也不在国内,这个点估计多休息了,回复的慢一些不很正常吗?
lahoward
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  • 2017-5-6 14:50:25
 
正巧我也不在国内,不知楼主在哪个国家,说不定我还能去找他聊聊。
black_cheung
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  • 2017-5-15 11:42:16
 
李工说的FB对应82的IC就是DMG
thx
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  • 2017-5-6 15:17:26
 
李版这个“FB前沿消隐2uS”描述的含义没问题,当然可能有很多人把这个“FB”当成了光耦反馈给IC的“FB脚”,实际上对普遍意义上的反激QRic,写成
“DEM”脚更适合理解,这个DEM通常来自辅助绕组的分压,在去磁阶段开始时刻,DEM脚会产生正比于漏感和寄生电容产生的初级欠阻尼谐振信号,由于IC可应用于不同DEMO,那么这个信号有可能低于正常产生谷底信号用到的基准电压,令IC误判谷底,于是最省事的做法就是屏蔽掉这一段极可能误判的时间段,也就是
李版描述的“FB前沿消隐2uS”,当然,就这样简单的话,也面临李版下面说的“给多少屏蔽时间值”的尴尬问题,当然这是另一个问题了
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-6 16:30:25
 
如果是你说的这样,那就都理解的通了,我把这个FB当成了FB端,李工的意思应该是控制QR的反馈信号。
nc965
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  • 2017-5-6 18:43:14
 
是的,标题就是QR检测失效,还能谈到别处去?  这个引脚用FB标识,在无需光耦(原边控制或者非隔离)的QR芯片中经常使用,顺手贴来而已。实际上,这个引脚的标识多多,十个不止。
nc965
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  • 2017-5-6 19:24:55
 
很专业的描述,赞一个。可能的话,请进一步描述一下所谓前沿消隐的算法,44楼其他描述是否妥当?给各位进一步解惑。
black_cheung
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  • 2017-5-15 11:40:51
 
我的理解是FB的消隐
就是指IC会强制开,即PWM ON 2us,在2us后才开始检测谷底,OVP之类的采样信息(这些信息一般就是从Aux绕组得来)
black_cheung
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LV8
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  • 2017-5-15 11:28:34
 
这里提及的2us能否理解成PWM最小导通ON的时间为2us?
nc965
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  • 2017-5-15 11:57:42
 
反了,可理解为PWM最小关断OFF的时间为2us。
nc965
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  • 2017-4-16 09:20:00
 
二)谷底检测方法简述
谷底检测算法,包括44楼内容中与之有关的某些技术,一向都被作为IC公司的技术秘密三缄其口,甚至公司内部IC工程师之间也缺乏交流,意在体现技术水平的差异。有的公司有自己的模块,还有的形成若干专利,但更多的是抄来抄去(这也是不愿多谈的原因)。
技术水平的差异体现在:
1、如何准确检测到谷底,这是最基本要求(但个别芯片就是做不到,稍不留意就留下难看的勾子)。
2、如何始终第一个谷底,这就很需要点技术水平,虽然有的算法号称能做到全工况都不错过第一个谷底,但至今为止都没见到样品。意思是这个要求太高,不可企及。于是,
3、如何在尽可能宽的工况范围内检测到第一个谷底,这是真正的技术水平之争。最起码在典型工况(全电压、基本满载)范围内不能跳到第二个谷底。有的在IC开发平台上仿真能做到,制版流片后就不行;在标准DEMO板上能做到,一到IC用户那里就不行。才留下这么多疑问和话题。

4、既然无法保证任何情况下都能检测到第一谷底,检测失败(其实IC并不知道已经失败)以后如何处理?这里面技术含量并不多,不外以下处理办法:
    a、不处理,任由 Toff 推迟到 Toff_max 限值。这样一旦检测失败波形是很难看的,但也能说明其对检测成功的信心。
    b、保持现有谷底检测机制的有效性,等到下一个谷底,碰上第几是第几
(其实IC并不知道是第几)。这样波形比前者稍微好看些,同时还可以给不甘心失败的人留下吹牛的口实,给每个谷底煞有介事地做一些功能性说明。
    c、在过零(其实IC并不知道前面已经错过了几个谷底)后设定一个时间阀值(典型值400nS),超过此值还没有检测到谷底,导通。这相对科学,也容易实现。

谷底检测算法大致可分为两类
1、特征电压识别
虽然谷底电压不是一个特征电压,很难(几乎不能)找准,但是QR信号里有一些显著的特征电压,容易找准。
QR信号来至于辅助绕组,它是交流的,一定会过零,过零电平 V0 即为最显著的特征电压。
QR信号中另一个显著的特征电压就是反射电压Vr,它只与输出电压相关,也容易找准(但须注意短路工况等反常情形)。
由此可催生一系列谷底检测算法:
a、过零时刻,加上一个电路参数的自然延时,就比过零时刻更接近谷底(它利用任何电路都有延时的机制)。CRM芯片就是如此
b、过零时刻,再增加一个设定的延时(典型值250nS),可能更接近谷底(它弥补上述自然延时可能不够的问题)。简易QR
c、过零时刻,再增加一个Vr到V0的时间间隔,这就直达谷底。它必须先检测到Vr突变(膝盖点)的时刻(比如以Vr降低10%为判据)。相当一部分芯片是这样干的。
d、把反射电压换算到谷底电压V-r,理论上V-r=V0-Vr,但理论与实际有差距,需要提高一点阀值,还需要对波形整形,才能得到
谷底。这种算法不典型,如82楼的1270
2、特征波形识别

QR波形的谷底位置,在数学上可归结为求极值运算,对曲线函数求导,当其导数为(过)零时,即为谷底(或顶点)。在这个运算中,其实我们并不需要知道函数的极值(谷底电平),我们只关心谷底的时刻,而且立即可以在现场得到这个时刻。这就避开了上述特征电压识别算法需要预计谷底时刻、或者妄图寻找谷底电平的尴尬,从而成为谷底检测的主流算法。
微分算法
QR波形是从峰值开始的衰减谐振波形,可用余弦函数表达,对余弦求导(微分)即为正弦。这时,该正弦曲线(从正到负)的过零时刻就与QR(余弦)波形的谷底时刻相对应(错位90度)。于是,谷底检测就归结为对QR微分信号的过零检测
但微分算法也有一些问题(因此直接这样干的芯片不多):首先微分参数是无源器件(RC)决定的,不易调整,可能不能适应QR波形频率的大幅度变化。其次微分对噪音敏感,一个干扰即可打乱对谷底的检测。况且,对于时间的计算,一般都习惯于用积分(而不是微分)来实现。
积分算法
积分是微分的逆运算,南辕北辙,也没有求极值的机制,但三角函数是个例外,对余弦无论微分或者积分都会得到正弦,只要积分深度(RC)足够,对于任意频率的(余弦)信号,总可以在积分(相当于RC滤波)后得到与其频率相同且错位(逼近)90度的(正弦)纹波信号,这立即消除了对微分算法的上述诟病。但新的问题是:积分是滞后的运算,与我们最关心的第一个谷底检测时机有冲突。积分会大大降低信号幅度的分辨率。积分有初始值(直流成分)问题,过零电平难有掌控。
积分优化算法
积分之前,搞一个 I = kV 变换, 把QR电压信号转换为对应的电流信号,再用这个电流信号对一个电容积分(充电)。因上述原因,这种对其电流信号的积分等效于对其QR电压信号的微分。由于系数K是人为可以调整的,其积分初始值、时机、阈值、分辨率、甚至后续谷底的检测姿态,均可得到精确的控制。这就是最经典的谷底检测算法,被广泛采用。并由此基本构架上的进一步优化形成各个芯片的特色。
boy59
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  • 2017-5-7 14:51:12
 
最近正好准备做一个QR反激先研究了一下NCP1207芯片手册,下面的是个人的一点理解,如果有理解不对的地方还望版主指点一下。
谷底导通.jpg
上面这张图红色曲线AUX是辅助绕组的电压波形,蓝色曲线是MOS管的Vds电压波形,在辅助绕组AUX过零时MOS管的Vds电压不是谷底(实际约等于Uin)。
从辅助绕组AUX过零点算起经过△t后到底Vds的谷底,这个△t时间参照手册中的电路如下
内部处理电路.jpg
经过这个电路处理后的信号(图中绿色曲线)在低于50mV后判定为谷底,这个电路功能像信号衰减及延迟电路。
nc965
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  • 2017-5-7 15:04:34
 
你这是仿真还是实测?
boy59
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  • 2017-5-7 15:19:54
 
目前还只是仿真,先搞明白了再做
NCP1207的一脚(DMG)一般接一个电阻(Rdem)和电容,从仿真结果看改变这两个参数可以改变△t从而调整谷底的位置。
欠、过延时.jpg
木木很-shy
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  • 2017-5-7 19:00:43
 
小弟觉得,应该是通过调节这个RC延迟来确定第一个谷底位置吧,通过实验波形再来微调参数。
1207.PNG
boy59
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  • 2017-5-7 20:40:09
 
貌似我俩说的是一回事儿······
木木很-shy
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LV8
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  • 2017-5-7 22:04:07
 
哦哦,您是用saber仿真的吗?saber里面没有NCP1207模型吧,不知道您是咋做的?
boy59
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  • 2017-5-7 22:42:43
 
参考数据手册自己搭的电路。以前装saber时没把元件库选项勾上,里面的模型很多都不能用只能自己搭电路。现在重新安装后也没怎么用过电源芯片模型,自己搭的电路灵活随心所欲。
wszdxp2004
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  • 2017-7-31 16:55:23
  • 倒数2
 
你能把你搭的NCP1207的saber文件发给我么?我想学习下怎么搭建IC,先在此谢过!


boy59
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最新回复
  • 2017-8-2 10:13:33
  • 倒数1
 
部分IC功能需自己添加 QR1207.rar (14.49 KB, 下载次数: 39)
nc965
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  • 2017-5-7 18:23:48
 
你反射电压减半,谐振频率倍增看看效果?

boy59
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  • 2017-5-7 15:59:33
 
调节不同功率时所对应的谷底数参考的是下面的电路
多谷实现.jpg
调节电阻Rskip的阻值可以实现谷底数的调节,见下面的仿真结果
谷数选择.jpg
上面的图只是调了电阻Rskip的值,其它参数条件都没有改变。
选择一个合适的Rskip电阻后调节负载功率,目前仿真的效果可实现100%功率第一谷底导通,75%功率第二谷底导通,50%功率第三谷底导通。
boy59
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  • 2017-5-7 16:17:47
 
不过仿真中存在跳周期的问题
跳周期.jpg
在手册中没看到NCP1207芯片是怎样处理这个问题的,亦或者这个问题一直存在?NCP1380芯片貌似有解决这个问题的方法不过只有Block没有电路。
nc965
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  • 2017-5-7 18:19:57
 
加大一点电容就可避免,但会缩小第一谷底范围。
boy59
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  • 2017-5-7 20:41:43
 
明天我再仿仿看,12V2.5A用的2000uF电容还要再增大吗?
nc965
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  • 2017-5-9 11:29:36
 
说的是加大DMG脚外挂电容,它是用于对波形整形的,让后续的谷底低于前面的谷底,一个比一个低才行。
boy59
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  • 2017-5-9 15:11:12
 
加大这个电容的效果就是109楼图(b),MOS管开启的位置往右偏移。
nc965
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  • 2017-5-9 15:29:18
 
后续的谷底低于前面的谷底,一个比一个低,即可改善跳谷底的问题。
gaohq
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  • 2017-5-9 16:23:26
 
正常情况下就是一个以 Vin-n*Vout 为中心的衰减震荡,怎么让谷底一个比一个低呢 ?
nc965
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  • 2017-5-9 16:34:04
 
两个办法:
1、修正QR波形,让它向下倾斜,RC积分可达此目的。
2、渐变过零基准,让它向上倾斜,调整电流源可达此目的。
boy59
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  • 2017-5-9 16:29:20
 
改电容.jpg
好像是有点改善,只在2、3谷间跳了(之前是2、3、4),这个谷低的钩挺大了再改怕是效率不理想了。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 08:21:42
 
82楼的1270应该是利用监测过零加延时的方式吧?
nc965
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  • 2017-5-13 08:43:49
 
不是,它是企图把谷底钳位到0V,然后给个阀值(55mV)与谷底波形相切,这样来找到谷底,因此容易发飙。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 09:46:39
 
那按照你说的,如果我将辅助绕组到1脚的电阻阻值改变,别的什么都不动,DS波形会不会发生改变?为什么?
nc965
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  • 2017-5-13 11:58:35
 
见44.2楼,有个受控电流源在抬高过零电平。抬高Vr,即等效于对谷底0电平钳位。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 12:19:21
 
第一次接触QR的,可能理解还是有差距。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 09:54:47
 
我从109楼仿真看,改变这个阻值,会改变开通的时间。再结合38楼的图,我的理解是这个RC电路,会将辅助绕组正常的波形进行延时,如果参数选择合适,波谷的时候延时后的波形正好到零,所以波谷开通,如果改变了电阻延时时间改变,就不是波谷的时候延时波形到零,所以出现了钩钩。
boy59
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  • 2017-5-13 11:23:37
 
从仿真看确实如此,而且以个人的理解这种找谷底的方法最简单。谷底时刻是由LC谐振决定的,LC这两个参数不变谷底时刻就不会变,所以只要找准一个谷底其它时刻(功率不同)也一定是谷底导通。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 11:34:18
 
那么你觉得这个IC,更符合李工45楼归纳的谷底检测的那种方式?
boy59
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  • 2017-5-13 11:39:01
 
“a、过零时刻,加上一个电路参数的自然延时,就比过零时刻更接近谷底”   这款IC比较符号这一条吧。

YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 11:45:17
 
我也觉得像这个,而且这个也与你的仿真对应,改变了电阻等于改变了延时,所以开通时刻也不同。
boy59
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  • 2017-5-13 11:48:26
 
如果有正在用这款的IC的去实际调一下,是不是这种情况结果分分钟出来。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 11:50:34
 
我这边正在用,确实跟你仿真的一样,改变电阻会改变导通时刻。
boy59
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  • 2017-5-13 11:53:44
 
那调小Rskip电阻始终第一谷底导通可行否?
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 12:16:52
 
Rskip是决定是否跳周期的吧?你调的再小,空载能第一谷底导通?所以肯定存在一个度。
boy59
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  • 2017-5-13 12:35:39
 
Rskip是调输出功率对应第几谷底(比如100%功率第一谷底,75%功率第二谷底······)。轻载或重载情况如何?这款芯片在这个地方还做了一个处理,如果因谷底太小检测不到会在5uS后开启MOS管。空载的时候不知道是不是发生了检测不到谷底的情况。
延迟5uS导通.jpg
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 12:49:15
 
这个就不确定了,不过空载的时候,要满足8uS那个条件啊,即使检测到第一个谷底,也不能开通个,因为如果开通就小于8uS了。随着负载降低,频率升高,等高到一定程度,即使检测到第一个谷底也不能开通的。
boy59
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  • 2017-5-13 11:44:49
 
这款IC的优点是简单可靠,缺点是需要手工调参数找谷底。其它方法比如那个微分求导法就可以自动找谷底了。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-13 11:47:58
 
李工让你做一个仿真你没做,就是让你改变反射电压的,也即是说,你先做一个仿真,然后什么都不改变,只改变副边匝数。看两个电路的DS波形是否改变。
不过这也不好说,因为改变了副边匝数,占空比就会改变,整个频率也会改变,DS波形不知道会如何。
boy59
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  • 2017-5-13 11:51:49
 
149楼有仿真是改过反射电压的谷底比较高。
nc965
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  • 2017-4-16 09:20:50
 
3、谷底检测信号特性
(本章节先空着,有人很懂的样子,请他来)
nc965
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  • 2017-4-16 09:22:28
 
四、QR失效机制

1、精度(分辨率)的影响
2、信号完整性的影响
3、干扰的影响
nc965
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  • 2017-4-16 10:49:32
 
五、工程对策
1、QR失效模式综述
2、工程对策
tomry6666
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本网技师
  • 2017-5-5 13:29:37
 
帮各位顶上去,这么好一篇文章,我用BP3329遇到同样问题,FAE也是回答得很笼统,现在还不敢算Ipk值,怕误差大
nc965
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  • 2017-5-5 15:53:27
 
这些事情FAE也多半是搞不明白的,这是系统定义工程师与芯片工程师之间研究的事情。
Coming.Lu
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  • 2017-5-7 19:58:33
 
我觉得,是不是某些IC设置了最小关断时间(这个时间可能是变的),用来限制最高工作频率。
所以,才会跑到后边几个谷底才导通。

也就是在工作频率较高时,才会跑到后边的谷底。
不知说得对不对,因为很少用QR的IC,不对勿喷。

至于完全都不在谷底的,我不参与讨论。
nc965
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  • 2017-5-7 20:03:41
 
设置最小关断时间是很简单的事情,也直接有效,最重要的是,进入和退出这种状态是连续的,没有突变点,运行稳定。
因此完全没有必要再对谷底计数来实现同样的目的。进入第几个谷底对应什么功能,完全是为谷底检测失效披一条遮羞布而已。
Coming.Lu
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  • 2017-5-7 20:54:55
 
是这样吗。
我一直是觉得是,没到最小关断时间,然后就等这个时间。
时间到了之后,再找谷底。

因为,往往跑到后面谷底才导通,都是频率比较高的时候。
或者说,关断时间比较少的时候。
nc965
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  • 2017-5-7 22:02:40
 
主要是谷底不是连续函数,123之间是跳变的,输出会跟着跳,灯会闪,噪音会增加,电源会不稳定。
boy59
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  • 2017-5-7 21:02:13
 
设置最小关断时间既第一谷底导通,随着负载变轻开关频率在升高。
设置可变多谷底导通,随着负载变轻开关频率在降低(谷多Toff长)。
后者轻载低频率有利于提高轻载效率,芯片设计者是否基于这一角度考虑的?
Coming.Lu
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  • 2017-5-7 21:23:21
 
我觉得有这方面考虑。
轻载损耗,轻载效率等,
木木很-shy
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  • 2017-5-7 22:49:09
 
陆版主,关于您说的最小关断时间在这两个芯片NCP1207和L6565芯片中都有体现,一个是8uS,一个是3.5uS,所以感觉您分析的很对,由于芯片内部关断时间的限制导致会有后面几个谷底开通现象的发生。
NCP1207.PNG
L6565.PNG
Coming.Lu
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  • 2017-5-8 08:13:11
 
嗯,如果是后边的谷底才导通的话,估计是这个可能性较大。

上边说的,谷底都没找到,那就是另一回事了。
所以,那个我不讨论,哈哈。

YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-8 08:39:58
 
我也赞成这点。如果有了最小关断时间的IC,轻载找谷底再准确,也不可能在第一个谷底开通。
Coming.Lu
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  • 2017-5-8 08:52:21
 
是的,不少带ZCD检测(或谷底)的IC,好像都带有这个最小导通时间限制。

口误,应该为:最小关断时间
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-8 08:57:06
 
我刚接触NCP1207,好像就是8uS
Coming.Lu
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  • 2017-5-8 09:01:15
 
哈哈,我上次搞一个PFC,就是因为这个谷底的问题。
THD那个差啊。
nc965
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  • 2017-5-8 09:10:45
 
说漏嘴,不是最小导通时间,是最小关断时间,差别可大了。
Coming.Lu
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  • 2017-5-8 09:12:13
 
我也没发现你说错了,因为心里想的就是 最小关断时间。
nc965
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  • 2017-5-8 09:32:01
 
指你129楼,想的与说的不一样
Coming.Lu
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  • 2017-5-8 09:36:55
 
呀,还真说错了。
XIAOTU80
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  • 2017-5-8 08:20:14
 
好多人可能也想通过这个帖子学习一下,设计一个QR模式,如果通过示波器来检测,观察波形是否正常。
gaohq
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  • 2017-5-9 16:19:52
 
这帖子有些时日了,大家讨论得很热烈,我一直在等
如何让它在任何工况下都在第一个谷底导通 的措施 。

boy59
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  • 2017-5-9 16:38:16
 
用NCP1207吗?始终第一谷底导通可参看110楼电路,把电阻Rskip电阻改小,我仿真的结果用1k电阻即可始终工作于第一谷底。(实际芯片情况不明)
nc965
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  • 2017-5-9 17:14:02
 
摘自45楼
有的在IC开发平台上仿真能做到,制版流片后就不行;在标准DEMO板上能做到,一到IC用户那里就不行了。
Coming.Lu
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  • 2017-5-10 08:32:47
 
理想和现实的差距啊。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-10 08:30:30
 
降低负载也可以一直工作在第一谷底?
boy59
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  • 2017-5-10 09:10:20
 
轻载谷底.jpg
这个是电阻Rskip=1k时满载和轻载时的波形,仿真是自己搭的电路所以不确定NCP1207芯片内是如此处理的参数是多少。
实际电路中可以直接把电阻Rskip短接来进行验证。
nc965
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  • 2017-5-10 09:24:07
 
反射电压减半,谐振电容减半试试。
boy59
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  • 2017-5-10 09:34:18
 
谐振参数减半.jpg
反射电压减半、谐振电容减半后的满载、轻载对比。谐振参数:电感600uH,电容100pF(现改为50pF)
nc965
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  • 2017-5-10 10:06:58
 
感觉还是与实际波形有差距,你看看2楼那些波形,频率减半试试。
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  • 2017-5-10 11:19:04
 
频率减半是指电容改为200pF?波形占空比、斜率发生变化其它变化不大下面的是电阻Rskip=3.5k时不同功率的波形(非满载、轻载存在跳周期)

不同功率.jpg

二楼的有些波形不排除环路没调好。
nc965
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  • 2017-5-10 14:52:07
 
频率是指开关频率减半。
其实电路中某个电阻的取值并不是事情的本质,要找到导致跳谷底的真正原因,一定是波形(阀值)配合方面的问题。
其实45楼已经指出,这颗芯片的谷底算法并不典型,虽然设计巧妙,但仍然不能摆脱谷底电压不易测准的基本现实,属于明知不可为而为之的算法,跳谷底是必然的。
boy59
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  • 2017-5-10 15:50:19
 
我也认同这个观点,只用一个FB信号(反馈信号)同时去控制峰值电流(输出功率)和谷底两个变量必然会有临界功率,工作在临界功率处就会来回跳周期。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-10 16:31:05
 
控制谷底用的是1脚,控制输出功率与1脚有关吗?
boy59
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  • 2017-5-10 16:42:25
 
FB信号我是指的2脚,1脚是调谷底导通时刻(调的不好就会如图片中的谷底带钩),2脚、3脚共同调功率和第几个谷低导通。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-5-11 08:15:52
 
你前面说共用一个反馈信号去控制波谷及功率控制,但控制波谷的信号来自原边,控制功率的信号来自光耦也就是副边,这不能算一个信号吧。
boy59
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  • 2017-5-11 09:08:53
 
应该说成控制波谷数和功率。原本芯片的1脚(DMG)在发现过零点找到波谷后就准备开启MOS管,2脚(FB)和3脚(CS)增加了一个判定条件:当FB>CS时波谷开启才生效。
谷数1.jpg
                            半载图
比如这张半载图,第一个谷底出现时反馈信号(FB)小于采样信号(CS)所以波谷无效不启动MOS管,当FB信号>CS信号后出现波谷则开启MOS管。
下面的一张轻载图
谷数2.jpg
                            轻载图
前面有人说想一直工作在第一谷底,把Rskip电阻改小后就是把CS信号降低了,始终满足FB>CS,也就始终第一谷底导通。
谷数3.jpg
          小Rskip电阻,轻载时第一谷底导通
上面只是个人的理解,芯片的真实情况不清楚,仅供您参考。
nc965
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  • 2017-5-11 11:13:27
 
多数QR芯片是源边或非隔离的,没有光耦信号,但也不稳定,要跳谷底。这个芯片增加了一个光耦信号,它也试图参与调节,就更容易发生冲突,更可能跳谷底。boy59是这个意思。王总莫想复杂了。
纵横风云
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板凳拿来了,示波器准备好了,就等最后看看如何实现第一个钩钩导通
nc965
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  • 2017-5-12 17:44:15
 
看来大家都希望始终在第一个谷底导通。
libang
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  • 2017-5-21 02:05:38
 
对于一个输入90-264Vac 的QR来讲,因为QR是变频的,按90V 50KHZ设计来讲,在高于200V输入后,QR芯片就得在第二个或第三个或后面其他的谷底开通,不然频率会很高,开关损耗会明显高得多,因为高输入时是LVS,轻载时就不用讲了,QR芯片必须选后面的谷底开通,如果谓之为谷底检测失效,恐怕多数人难以认同,系统就是专门这样设计运行的,怎来失效说? (不是芯片检不到第一个或开通谷底前的其他谷底,只是系统决定了他必须在哪个谷底开。把不能开通的谷底滤掉了)普通升频式的RCC就是可以看成锁定第一个谷底的QR,高输入时的能效表现惨不忍睹!










nc965
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就你的问题看,200V第几个谷底?199V呢?能运行吗?
在高压是开关损耗会增加很多?很多是多少?你有数据吗?大约每个做全电压电源的,都是在纠结低压时(而不是高压)损耗大,效率低,你弄反了吧?
libang
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新一代的QR芯片一般见到的是在第二个或第三个谷底开通。我不知道你所讲的大家就是希望在第一个谷底导通是不是就是因为第一个谷底电压最低,损耗是最低的,如果是,那就不对,P=1/2*C*V的平方*频率,第二个谷底虽然电压高了点,但频率也降了10K左右,第二个谷底和第三个谷底与第一个谷底的压差就是几伏而——理论和实践都能证明,在高输入时,选择第二或第三个谷底,效率就是比第一个谷底开通要高。很多芯片厂的新一代QR芯片就是专门这样设计的。如TI ON 等。如果这样设计称之为检测失效,岂不要芯片设计师吐血?
对于60W的电源来讲,0.3W就是很明显了。数年前用NCP1380+NCP4302做过一个12V5A的项目,就是这个数据。
全电压的QR如果全电压满负载锁定第一个谷底开通,频差有2倍有余,即90V输入时 65K,到264V时,就是130K出头了,频差3倍的设计我也见过,高输入时再锁定第一个谷底对能效提升有害无益,所以新一代的QR芯片在高输入时会略过第一个谷底,在第二 第三 第四谷底工作的方案都有。
不是说低压效率低,高压效率就不用提升,低压效率低可以用CCM来改良,高压效率提升就用跳过一些谷底来优化。
现在台资和内资的一些芯片厂为解决QR低输入时的效率低问题,最优化反激效率,推出了CCM+QR芯片,低输入时CCM,高输入时QR。
nc965
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  • 2017-5-21 14:50:47
 
实在看不出你是做电源的呢还只是做教学的,你做过一款谷底这样跳来跳去的电源DEMO出来过没?这种事仅凭分析就能得出有用的结论?
这件事建议看看212~243楼,为什么说跳谷底是不行的,你认为理论上可行,但实际上不行,其实理论上也是不行的(如果你真是做教学的话)。
关于我的第一个问题,你没有回答,你一回答,问题就摆明了,你能回答一下吗?你这颗芯片200V是第几个谷底?
CCM就能改善低压效率(高压时为什么就不能)?这恐怕又是凭空分析的结论。再次怀疑你不是做电源的。
libang
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  • 2017-5-21 15:18:50
 
这有个DEMO,谷底就是跳动。这个方案已经量产数年了。
我不是不回答你200V是第几个谷底,我的意思很清楚,200V后,在第二个谷底开通,比第一个谷底开通的系统效率会高。
为什么你认为大家都希望在第一个谷底导通?为什么芯片设计师会设计新一代的芯片在高输入时会略过一个或两个谷底?老的QR芯片为什么在75%载时要略过几个谷底?
同一个系统,不同代的控制芯片,在230V输入时,一个100K的锁定在第一个谷底开通的系统效率高? 还是65K的在第二或第三个谷底的开通的系统效率高?

TI DEMO.pdf

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  • 2017-5-21 15:21:18
 
200V第一个谷底?201V第二个谷底,你是这意思吗?这个电压附近,输出是稳定的吗(我们先讨论系统稳定性问题,暂不讨论效率)?
锁定第几个谷底,怎么锁定?就算你在201V能锁定。200.5V呢?
可以肯定的是,老芯片也可以这样“锁定”,也会(在电压高时)跳到后面的谷底(跳谷底不是啥新功能,并不是设计出来的),只是人家不(没)说出来罢了。
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  • 2017-5-21 15:47:24
 
谁知道200V是第一个谷底还是第二个谷底?是系统根据工作参数选择的,他可以是第一个,也可以第二个,不管他是200.5V,201V,202V也好,照你的逻辑,待机或极轻负载时跳周期和突发模式就不该存在了,为啥,不稳定。稳定是什么? 照你这么说,电源就该带恒定的负载,电压在那不动才叫稳定。

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  • 2017-5-21 15:56:10
 
你一不注意就说到点子上了,突发模式,这是种保护模式,不是运行模式。引申一下就是:跳谷底也可以归结为某种程度的突发模式,也只能做保护用,不能处于线性调节工作区。
工程上可能也有做跳谷底的产品,比如全电压,我只在160V左右跳一次(还需光耦配合才行),这个可以,因为世界电压没有160V这个档次,你错开了系统不稳定工况。仅此而已。
另一种情况也许可以跳,比如前级(一格一格地)缓跳,母线虽有波动,但后级有个可靠的调节可以调整过来,或许能行。
一句话,你想在176V~277V这个区间启动一个或几个突发模式,跳来跳去,你这电源就卖不出去,自己玩玩可以。
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  • 2017-5-21 16:12:57
 
我上传的DEMO可不是160V 跳谷底,220V也跳,230V也跳,有闭环调节,跳一下不会失控,跳得引起输出变化了,闭环就会调回来,调Ton。就像满载一下断开,输出升高,闭环会把输给调回设计值。
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  • 2017-5-21 16:19:55
 
能不能依靠闭环调节回来?见241楼所述,不是你想调整回来就可以调整回来的。
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  • 2017-5-21 16:32:28
 
输出不稳要看怎认识了,负载跳变也会造成输出变化,同样跳谷底也能引起输出变化,但输出变化不等于就是输出不稳,对吧?
落入音频,这个很多QR的方案厂讲,他有谷底锁定功能及其它技术来防止异音。落入音频不是决定性的,还要看音幅,有些方案厂就控制音幅,让分贝低到一个理想值。
震荡的问题也看怎么认识了,方案厂告 诉你,这就是正常的波形,你就说是大小波,那就只能不用这种芯片,但有很公司用。
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  • 2017-5-21 16:39:50
 
稳定与否、正常与否,谁说了都不算(方案厂家说了也不算),你我怎么去认识也无关紧要,这个事是用户说了算。
如果是灯,不闪才是硬道理。
如果用户允许输出出现波动(比如充电器),你可以跳谷底,这个可以。
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  • 2017-5-21 16:21:11
 
另外照你说的 抖频也不应该存在,抖频跟跳谷底本质一样,也会导致不稳定,这么说PI设计师就有意见了,他们用了很多年了。

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  • 2017-5-21 16:23:44
 
抖频跟跳谷底才不一样,人家频率变化是线性变化的(线性函数)。如果你是搞IC的,这个 F 产生机制应该知道哈,绝不是(能)分成几档跳来跳去。
这件事跟PI设计师有什么关系?
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  • 2017-5-21 17:08:20
 
这种跳谷底也是一种抖频,抖频可不只有一种.
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  • 2017-5-21 17:11:46
 
就是说这种抖频不行的意思。
先不忙考虑抖频,先考虑系统稳定性行不?工程师都应该是这样的思维方式吧?
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  • 2017-5-21 17:06:06
 
请看14页左侧的图.不是谷底检测失灵,是芯片设计师用尽手段让芯片对谷底进行选择!想想一个90v-264v的QR,90V是60KZ,264时是130K,对温升\效率\EMI都有影响,在高输入时滤掉一两个谷底,把频率降到60-80K,对三方面性能都有改善,谁还想在第一个谷底开通.(为免有歧义,加上高输入)

ON NCP1207A.pdf

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  • 2017-5-21 17:07:50
 
想想?先想想稳定性问题,在没有问题后,再考虑效率行不?工程师都应该是这样的思维方式吧?
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  • 2017-5-21 17:11:19
 
NCP1207出货10多年了,现在还在出货。用扭曲的话来讲,能出这么多年,还能不稳定么?
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  • 2017-5-21 17:14:39
 
没有说1207不好啊,如果它出货多,正好说明它可以在第一个谷底。也许你做不出来,但其它人做得出来,不跳谷底。本帖讨论的就是这个主题。
你以为它写了跳谷底就一定跳?没写的芯片就不会跳?
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  • 2017-5-21 17:29:19
 
我啥都没以为,就以为第一不存你说的QR检测失灵的问题 ,是芯片设计师设计本意就是让QR能跳谷底,QR芯片的规格里也有注明。第二,不是你说的大家希望在第一谷底开通。 所以才在这里就理论理来讨论,仅些而已。另:我做不做得出来跟讨论毫无关联,就不展开了。



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  • 2017-5-21 17:33:10
 
那问题最后可归结为:对于跳谷底,QR芯片的规格里有没有注明。注明了,就有若干优势,没注明,这些优势就荡然无存?尽管都是跳谷底。
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  • 2017-5-21 17:36:21
 
这个DEMO 第7页第二图,有讲到芯片会跳谷底.
我用你的思维来思考这个问题,如果跳谷底能造成不稳定,ON的工程题为什要设计芯片有这个功能?
而且台达 全汉 高效以前用在NOTEBOOK上的120W电源我是测过的,按你的思维,都不稳定,如果是这样,这三家公司是不是要考虑被告了?

NCP1207 DEMO.pdf

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  • 2017-5-21 17:37:25
 
这个问题在271楼已经回答了你。你不有意设计这个功能,它也会跳,也有这个功能。
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  • 2017-5-21 17:46:43
 
不一定,RCC也是一种QR,没设计跳谷底,他真不会跳.
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  • 2017-5-21 17:47:31
 
这个确实。因为RCC不需要检测谷底,就没有检测失灵的问题。
不过,你讲的跳谷底的优势,某些情况下确有用武之地。如263楼所述,如果你的电源对精度和稳定性要求不高,确实可以利用之。毕竟跳谷底所引起的不稳定并不是很突出,起码不会引起系统崩溃的后果,总体还是稳定可控的。笔记本电源(充电器)就是这样的。
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  • 2017-5-21 18:05:36
 
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  • 2017-5-21 18:19:54
 
与你讨论,获益良多,谢谢。
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  • 2017-5-21 19:56:14
 
你客气了,我这只是粗浅认识!
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  • 2017-5-26 16:48:53
 
受教了。好好想版主们学习。
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  • 2017-5-21 18:22:24
 
李工:你用许版这个电路做一实物,http://bbs.21dianyuan.com/thread-30694-1-1.html 他肯定不会跳谷底,但照样能稳定工作。没有专门设计跳谷底的电路,是不会有自动跳谷底的功能,系统只会去调节Ton,当然Ton一变,Toff也会变,也能稳定。RCC就是这样稳定的。

nc965
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  • 2017-5-21 18:45:54
 
他这个与RCC类似。
nc965
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  • 2017-5-12 11:30:16
 
大家最关心的谷底检测算法在45楼终于脱稿(可能需要些图形以后看必要再加进去),好累。
wandubin
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版主,能否帮忙看下 该帖问题呢,求助
http://bbs.21dianyuan.com/forum. ... &fromuid=308452
mitobd
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