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 |  | | | | 感量越大越不容易饱和，CCM和DCM中间有个BCM这个就是它们的分界点，在BCM求得感量，若电感大于此感量就是CCM，小于此感量就是DCM，借用百度或论坛普及下基础知识
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|  | | | | | | 说得对。临界功率Pc和临界电感Pc的关系是
Pc = [1/(2*Lc*f)] *[Vin*Vo/(Vin+Vo)]2
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| | | | | | | | | 不对吧，感量大小与是否容易饱和没有直接对应关系。感量大、小的电感都有容易饱和和不容易饱和的，与磁有关。如果没有磁，就永远不会饱和，不管感量大小。
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| | | | | | | | | | | 我倒没注意头一句，不过用同一磁芯，感量越大是越不容易饱和。
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| | | | | | | | | | | | | | | 输入输出电压频率占空比定了，Vin*Ton也就恒定了，
B = Vin*Ton/(N*Ae) ,
Ae不变，感量大，即N大，B不就小了 ？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 从楼主提这个问题就感觉到没问到点子上，回答少了吧解不了惑，回答多了吧理解不了，还可能把自己绕进去，所以叫他先看书。
如果是一个普适问题，磁芯确定后，是否容易饱和与电感量什么关系？
于是，当磁芯确定后，该磁芯的AL（单匝电感量）和最大（临界饱和）安匝数就已经确定，欲增加感量时，必增加匝数，过流能力就会成比降低，即更容易饱和。
如果与Buck Boost拓扑挂钩，情况也是如此。
1、命题是磁芯确定后：
2、感量的变大必然会导致频率的变低、匝数变多、Ton变长（临界模式）。
3、但因为磁是确定的，因而抗饱和能力Bs（最大允许磁感应强度）不变，
4、要实现同样的出力，Ipk不能变，即电流不变
5、匝数与Ipk乘积变大（还是安匝数问题），即Bmax变大，更接近Bs，更容易饱和
这有点绕哈。
即使按你的固定频率模式（增加电感量会更深地进入连续模式）推算，情况也是如此（可能更绕），在这个问题上工作模式并不能改变基本格局。
从业界共识来看情况也是如此：要增加功率密度、让小磁芯出大力（也不饱和），你的基本选项是：提高频率、减少感量（即感量越小越不容易饱和），最高水平是把电感集成到芯片里去。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 记得多年前，在网友cdzx11还是dog72的帖里，我曾经推导过,当N是唯一变量时，Bpk=F(N)，dBpk/dN 是个正数，即N越大，Bpk越大，越接近Bsat。
好久不来了，也生疏了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | B=L*I/(N*A),当磁芯确认了，通过增加N，减小L，在增大I的时候，B可以维持不变。然后P-0.5*L*IPK*IPK*FS*效率。因为IPK的平方比单独增加L来提高固定变压器的输出功率更好。增加N，减小L就是要加大磁芯间隙，增加磁芯间隙就增加了磁芯交流损耗。是这样的吗？我看iwatt的变压器用的比较小，就想是不是这样的呢？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没这么复杂，当磁确定后，剩下的就只是个安匝数的问题，安匝呈反比关系，也就是与频率相关。
而，某家的磁芯用得小，除了频率这个因素外（这个与电路有关），更多的可能是磁用得更好，其Bs值可能更高（比如0.4T），损耗可能更小（比如PC95），再或者是散热做得更好（比如用空心导线水冷）。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在普通情况下，DCM+QR模式中，变压器也是普通的，PC40，用一般的公式，在变压器热量可以接受的情况，可以这样想吗？
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