5月17日杭州 5月19日上海
2016年世纪电源网的福利技术培训一直伴随大家,邀请多位专家就当前热门技术问题进行了多场讲座。2017年我们邀请陈桥梁博士在5月17日杭州、5月19日上海举办整天的开关电源设计及功率器件应用培训,希望能够给工程技术人员带来实实在在的技术帮助与提升!
反激变换器和LLC变换器是两种较为常用的电力电子变换器,功率MOSFET是电力电子变换器的核心器件。本讲座首先介绍几种典型工作方式(DCM、CCM和CRM)下的反激变换器(DC-DC/AC-DC)的特性、主电路设计及控制环路分析;其次介绍了LLC谐振变换器的分析与优化设计流程;再次针对单级PFC反激电源的差模浪涌(Surge)能力进行详细分析,并结合仿真计算和实验验证给出常用的改善方法;然后介绍了几种常用功率MOSFET的关键特性,并详细分析了在几种典型变换器中的应用实例;最后介绍了基于几种典型电路仿真软件的电路设计方法和实例。
2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位,同年保送读研,并分别于2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学院电力电子硕士和博士学位。2009年在美国弗吉尼亚理工大学(Virginia Tech.)电力电子系统研究中心(CPES)进行访问学者研究。2007年至2008年,任台湾全汉(FSP)西安分公司总监,2009年至2011年,任博兰得(FSP-POWERLAND)电子科技西安分公司总监,2011年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司,历任技术总监、副总经理。
陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇,拥有7项美国专利,35项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选2012年西安市“5211”人才计划,入选2014年陕西省“百人计划”特聘专家。
帮助工程师可深刻理解几种典型工况的反激变换器的特性,熟练掌握反激与LLC变换器的设计方法;学会对单级PFC反激电源的差模浪涌能力基于仿真计算进行预测,掌握典型的改善方法;深刻理解功率MOSFET的关键参数和典型应用注意事项;掌握几种典型电路仿真软件在电源设计中的应用。本讲座结合理论分析、仿真计算和实验案例分析,有助于提升电源工程师“举一反三”的分析和设计能力。
1.几种典型工况下的反激变换器分析及设计
2.反激电源的输入侧浪涌分析及改善方法
3.LLC谐振变换器的分析及设计
4.功率MOSFET在几种典型变换器中的应用实例分析
5.基于几种典型电路仿真软件的电源设计
【培训地点】
杭州:杭州浙江东方豪生大酒店 杭州市江干区艮山西路288号
上海:上海虹梅嘉廷酒店 上海市闵行区虹梅路2975号 漕河泾开发区地铁站
培训时间:9:00-17:00
报名链接:https://jinshuju.net/f/vjejZQ
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