| | | | | 当下管MOS开启时,Vds<< VDon,二极管开个锤子
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| | | | | | | 没错,Vds小于Vdon但是mosfet怎么能流过从s到d的电流呢?mosfet只能处理从d到s的电流啊。
根据我提到那本书的66页,the MOSFET is normally operated with i≥0
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| | | | | | | | | 楼主的问题在于半导体器件工作原理不理解,看相关书就好了
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| | | | | | | | | | | 我觉我已经很理解了,下面这图是MOSFET的截面图。
下面这图是正常用D到S的电流图,此时G到S的PN结正偏,形成沟道。正偏方向我画成红色
由于MOSFET是多子器件,载流子是电子。电流经过n->n-->低阻抗沟道->n就流向了S极。
但是如果加一个反向电压,也就是S高于D,此时,PN结反偏。如下图。
红色还是来自Vgs>0,但是此时Vsd>0,用绿色表示。当绿色的力量大于红色时,PN结反偏,此时产生高阻抗的空间电荷区,沟道消失。
导电沟道消失了,怎么流过反向(S->D)电流?
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| | | | | | | | | | | | | | | 我觉得理论指导实践,拿个管子试试肯定没问题。实践没问题,就说明理论错误了。
问题是理论错在哪
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| | | | | | | | | | | | | 如果MOSFET导通时,Vsd>0导致Isd>0,所有电流流过Ron,那么同步整流没问题。
但是根据我上面的分析,Vsd>0时,导电沟道关闭。
所以问题的所在就是为何能流过从S到D的电流?
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| | | | | | | | | | | | | | | 不说研究多深刻的问题,如果遇到了大多数人都认同而你却不认同,但又拿不出证据的问题,怎么不去先找到依据再说,还要振振有词,
楼主还是看看书吧,Vsd>0和Vsd<0和沟道存不存在有因果关系么
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109908 版主 | | | MOS管导通的时候,电流就走MOS管不走二极管了,你先弄清楚什么叫同步整流。
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| | | | | | | 问题是mosfet能流过从s到d的电流?
s高于d的时候,沟道附近的pn结反偏,这时候由gs大于0形成的导电沟道就形成高电阻区,这时导电沟道消失。
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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- 主题:142
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- 帖子:45931
积分:109908 版主 | | | | | MOS管导通后,电流时可以双向流动的,具体原理我大学的时候电力电子没学好,真说不出来。
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| | | | | | | | | 楼主,谁说 S极电压高于D极时, S极电压就一定高于G 极了,只要G极高于S极,电流就可以反向流动,是你思维误区
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| | | | | 续流管导通时,体二极管被导通电阻旁路了。
除非你选了一个大导通电阻的MOS去做同步续流。
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| | | | | | | 您说的我理解,问题是MOSFET在Vgs>0时,为何能流过从S到D的电流? |
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| | | | | MOSFET会有体寄生二极管,先要确认你这个二极管是额外加上的还是压根就是MOSFET里面的那个。 |
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| | | | | 只知道MOS导通电流可以双向流动,原理还真没有研究过 |
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| | | | | 同步整流是将二极管用MOS管替代,同时MOS管会和往常不一样的是它要反接(先S后D),这样导通电阻会更小,至于导通问题,前面有人说过可以双向流动 |
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| | | | | 我也在看这方面的书,以前只是大概了解了下!我的理解是,二极管导通压降大于MOS管导通压降,加了二极管后,能够在同步死区时,两MOS管闭合情况形成环路,使得电路电流不为0,当MOS导通后,由于压降小于二极管的,那主电流从MOS流过,进而降低了损耗,提高了效率!同时,由于加了这二极管,那么同步BUCK电路就介于CCM与DCM之间了!
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