 |  | | | | 1、Dmax=Vor/（Vor+Vinmin）
2、70%的功率为临界点，那此时算出来的峰值，应该才算70%时候的峰值，并不是最高负载时候的峰值
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|  | | | | | | 那Vor是90v没错了。
那满载峰值电流=5.22/0.7=7.45A对吧？
如果峰值电流变了，电感计算也要变？
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| | | | | | | | | 我觉得应该不是5.22/0.7的，而是就是本身的5.22A，你自己也想想
电感量定了之后，是不会改变的
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| | | | | | | | | | | 是的，所以我困惑在这一点。电感确定了。我反推了一下。Ipk也是5.22A，公式不变的。
主要是下面这句话不理解。
如果继续增加负载电路，变压器进入CCM，占空比不变，所以，峰值电流也就是这个值
如何理解？难道CCM下，原边峰值电流恒定的吗？还是CCM下，占空比不边的情况下，峰值电流不变？
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| | | | | | | | | | | | | | | 是的，刚刚我也在找这个资料。
反激电源工作在DCM模式的时候，占空比会随着输出负载增大而加大。
而进入CCM模式时，改变负载占空比不变，输入电压变化占空比才会变化
这样的理解没错吧？
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那么问题来了，既然占空比不变，负载在增加，那么原边靠什么增加输入的能量？
是靠改变初级Ip的斜率吗？ 因为输入能量要增加，输入的电流均值肯定要提高，CCM是怎么提高的？
提高了电流均值，对原边的峰值电流有没有影响？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 理解是没错的
你不理解的这点，建议你画出CCM模式下的原边电流波形，就可以理解了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯。好的。多谢指教。
那麻烦您粗略看一下我上面的变压器计算方式。没有什么大问题吧？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 计算是没什么问题的，实战吧，做出来才知道具体到了哪一步
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的。那我就心里有点底气了，第一次接触开关电源，入门不易啊。
怕计算错误。用了其他两个工具验证了下，电感也微调了一下，调整为170uH这样，50%负载以下进入CCM模式， △B为0.2T左右，应该不会那么容易磁饱和吧？
下面用50%功率计算出来的
Ipk0.5= 4.10A
匝数还是不变 26:7:5
初级电感为 169uH
初级电流有效值为 1.58A
次级电流有效值为 4.68A
上图是利用邵博士的表格验证了一下。参数相差不大
△B为0.19T左右，原边峰值 4.76A，原边Irms 1.82A-2.00A，副边Irms 7.72A
其中次级电流有效值和我计算的相差悬殊，其他的都还行。
这是poweresim的仿真，用175uH的仿真，因为Ae参数不同，他计算的 △B为0.23，其他也都通过了。
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三方互相验证过了，还有Q版您的悉心指导，终于有信心去打样了。
我原边打算2x0.5的线，副边用3x0.6的线，或者 0.1x40 x3的利兹线， 电流应该够的吧？
线径没计算过，从拆解的变压器里估算和poweresim里的值互相中和一下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 麻烦您线径再帮我看一下
我原边打算2x0.5的线，副边用3x0.6的线，或者 0.1x40 x3的利兹线， 电流应该够的吧？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器已经打样回来了。PCB还没回来，
这几天在看别人计算的变压器，发现别人的变压器初级好像都在40T以上，我算出来只有26T，
是不是初级匝数越多，磁芯越不容易饱和？ 还是只要关心△B值尽量不超0.25就可以？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 别人是别人，你是你，每个人做的项目所考虑的点都是不同的，为何要去跟别人一样？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没底拿个demo回去抓波形来看最好了，哪里不懂看哪里
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 它的意思是继续增加负载峰峰值电流不变，也就是电流变化率不变，峰值电流还是变化的。
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| | | | | | | Q版，请教您一个问题：
100W以下（例如：24V/4A）的反激式开关电源可以都用DCM模式来计算吗？
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| | | | | | | | | 根据你这IC的话，用CCM+DCM来，低压时候CCM，高压到200V左右转入DCM比较合适
具体的计算你要参考了王版的帖子了
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| | | | | | | | | | | Q版，我打算设计一款40W的电源。但是根据王工的资料C△U=I△T算出来的电容值都大于3倍Po了。如果我实际取47uf的话，Vdmin和Vor该怎么算呢？
Vdmin是不是只要大于Vor就可以了？
如果我随便取Vdmin=182V,Vor=100V的话，得到Dmax=0.35.那么后面的计算是不是也用Dmax=0.35来算呢？
麻烦教教我呀~
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| | | | | | | | | | | | | 做单电压的话，大电容取1U/W左右就差不多了，具体得看你的要求，想要保持时间和纹波电压在什么程度
你输入电压确定，反射电压确定，那么占空比也就确认了，但是得注意，反射电压的选取要看MOS管的耐压来取舍
占空比D的确定，看你最终的匝比选的是多少，然后反回来确定Vor是多少，才能最终确定D到底是多少
是一个迭代过程，不是一下算完的
建议使用的计算软件：Mathcad
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