【邀请函】AOS IGBT/IPM/GaN/SIC 技术交流高峰论坛 特邀IGBT发明人Baliga教授

诚邀半导体行业朋友参加，名额有限请速报名

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AOS 万国半导体将举行 IGBT/SiC/GaN技术交流高峰论坛 。本次技术交流高峰论坛邀请了海内外知名专家（特邀IGBT发明人Baliga教授）就 IGBT/SiC/GaN 以及半导体电力电子行业相关议题进行分享交流，世纪电源网作为合作知名媒体之一将对本次高峰论坛会进行全程报道。

【会议时间】2017年6月23日
【会议地点】上海浦西洲际会议中心
【参会须知】本次会议仅开放半导体相关人员参与，优惠报名：600RMB（现场缴纳）
【演讲专家】

                                                

Professor B. JayantBaliga                                                              

国际知名科学家 IGBT 唯一发明人，现著有19本书和550多个出版物，并获得了美国功率半导体器件领域的120多个专利。在2016年，他作为IGBT的唯一发明人被入选国家发明家名人堂。

            汤天浩         

现为上海海事大学教授、博士生导师。IEEE Senior Member；上海电源学会理事长。在国内外公开发表学术论文200多篇，已有50多篇论文被 EI 或 ISTP 收录。

                                                                                                                          
Dr. Madhur Bobde   
AOS 万国半导体器件技术副总裁，于2000年在北卡州立大学获得博士学位，拥有91项美国授权专利技术，也同时服务于ISPSD技术委员会委员。   


DR.Bum-Seok Suh  
AOS 万国半导体 IGBT 产品线副总裁,于1996年获得汉阳大学电气工程专业博士学位，曾在Fairchild&Infineon&Samsung等公司负责智能功率模块的研究。


Dr.David Sheridan
AOS 万国半导体 Wide Bandgap 产品资深总监，于2001年在奥本大学电气工程专业获得博士学位，对SIC和GaN的研究超过15年。

【会议议程】
——9：30-10:15 精彩开场                    
       AOS VP/Bing Xue      中国半导体协会秘书长 徐小田
       AOS CEO/Mike Zhang
——10:15-11:00
       IGBT器件起源于影响
       Prof.Baliga
——11:00-11:45
       AOS IGBT/FRD发展与历程
       Dr.Madhur Bobde
——11:45-12:50 洲际自助午餐      
——13:00-13:45
       宽禁带半导体功率器件
       Prof.Baliga
——13:45-14:30
       IGBT/SiC/IPM应用
       Dr.Brian Suh

——14:30-14:45 自助茶歇
——14:45-15:30
      AOS GaN/SiC技术发展历程
      Dr.David Sheridan
——15:30-16:15
      电力电子在节能减排与能源中的应用与前景展望
      汤天浩
——16:15-16:45
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【咨询电话】021-63533218-2849
【会议地址】
上海浦西洲际会议中心——上海静安区恒丰路500号
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