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 |  | | | | MOS不仅仅是用来开关的，这里的VDS是指实际电压，与电流IDS对应时刻的电压。
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| |  | | | | | 安全工作区(SOA)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。也就是这个1ms为耐抗时间，也是如你理解的可看做为基本对的
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|  | | | | | | 导通电阻是固定的，当电流确定的时候电压就是确定的，怎么电流小了电压反而大了？如何理解？
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| | | | | | | | | SOA的意思是（散热）功率是固定的，所以电流小了电压反而大了
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| | | | | | | | | | | 那这样岂不是违反了欧姆定律？管子如何才能电压大反而电流小呢？难道是因为热导致导通电阻变化？
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| | | | | | | | | | | | | 与导通电阻无关，因此与欧姆定理无关，与能量平衡原理有关，发热=散热
1楼说“关断”，你说“导通”，思想僵化到以为MOS只是个开关，以为MOS只有导通（电阻）和关断（电压）这两个状态（参数），因此百思不得其解。
殊不知MOS主要还不是开关，它有线性工作区，不开不关。即使做为开关的应用，开和关之间也还有过渡时间，期间也是不开不关状态，这就是SOA主要考虑的状态
实际上，SOA就是MOS线性工作区的极限，你不能按开关工况去理解。
你应该按线性工作区去理解，比如恒流源：
有散热器可以长期工作在某个最大负载 ---- 设计指标
风扇坏了只能坚持10分钟 ---- 热保护
加大负载（增加电流或电压）只能坚持10秒钟 ---- 热保护可能来不及
更大的负载只能坚持10mS ---- 热保护肯定来不及，只能MOS硬抗---- 这就是SOA
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| | | | | | | | | | | | | | | MOS管主要就是开关，一个可控开关，跟继电器一样，只不过一个是机械控制，一个是电控制
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 百度百科：
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET
完全没有开关的意思
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| | | | | | | | | 你从源头就跟这个发帖人一样理解错了。 这里边没有导通后电阻的事，也没有关断后Vds电压的事。 描述的是Vds和Id同时存在时的允许功耗。电流小了功耗不变那电压自然就大了。比如将一个MOS 使用作为一个线性稳压电路的调整管时候这个安全工作区就很有用了。或者用在浪涌电流限制上。
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| | | | | 时间是表示在那个电压电流下，能安全工作的时间。电流是 Id，电压是 Vds .
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| | | | | | | 能坚持的时间，与热阻有关，相同的晶元，塑封比金封差得很多
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| | | | | | | 很好的资料！有个疑问请大佬们指教，下图中，蓝色圈出的那个红圈，是根据什么来确定的？
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| | | | | | | | | 如图中标注所示，D=0即single pulse，Tp分别对应0.01ms和1ms,然后去查找热阻系数值。
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| | | | | | | 关断的状态是指开路，但是MOS管从关断到闭合或者从闭合到关断的状态转换有一个过程，这个过程中的VDS和ID电流是呈线性变化的
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| | | | | VDS我一直不确定是什么状态，按道理导通时，VDS应该很小吧，此VDS不是指最大耐压那个参数哈 |
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